專利名稱：激光加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于切斷加工對象物的激光加工方法。
背景技術(shù)：
以往的激光加工方法，已知有使聚光點對準(zhǔn)板狀加工對象物的內(nèi)部并照射激光， 在加工對象物沿著切斷預(yù)定線形成改質(zhì)區(qū)域的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。這種激光加工方法，是在改質(zhì)區(qū)域被形成之后，使加工對象物以改質(zhì)區(qū)域作為切斷起點并沿著切斷預(yù)定線被切斷，且被多個芯片隔開。先行技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本專利特開2003-338467號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題但是，如上述的激光加工方法，在加工對象物形成改質(zhì)區(qū)域時，根據(jù)不同情況會有在加工對象物產(chǎn)生彎曲的疑慮。特別是，加工對象物的厚度為100 μ m薄，而且所制造的芯片尺寸微小在ImmXlmm以下的情況下的激光加工(以下，簡稱“薄物微小芯片加工”)，更顯著地會發(fā)生這樣的彎曲。其結(jié)果，例如，加工對象物可能與預(yù)期相反而被切斷(全切斷； full cut)ο于是，本發(fā)明的課題是提供一種能夠抑制加工對象物彎曲的激光加工方法。用以解決課題的手段為了解決上述課題，本發(fā)明所涉及的激光加工方法，通過使聚光點對準(zhǔn)板狀加工對象物的內(nèi)部并照射激光，而在加工對象物形成改質(zhì)區(qū)域的激光加工方法，其特征在于包含第1工序，沿著一切斷預(yù)定線在加工對象物形成作為改質(zhì)區(qū)域的第1改質(zhì)區(qū)域；第2工序，形成第1改質(zhì)區(qū)域之后，在加工對象物的一個主面與第1改質(zhì)區(qū)域之間，通過沿著一切斷預(yù)定線形成作為改質(zhì)區(qū)域的第2改質(zhì)區(qū)域，產(chǎn)生從該第2改質(zhì)區(qū)域到一個主面的龜裂。該激光加工方法，能夠?qū)⑼ㄟ^在加工對象物形成第1改質(zhì)區(qū)域所產(chǎn)生的彎曲力， 利用形成第2改質(zhì)區(qū)域所產(chǎn)生的龜裂而相抵消。因而，可以抑制加工對象物的彎曲。在此，優(yōu)選為包含第3工序，在形成第2改質(zhì)區(qū)域之后，沿著交叉于一切斷預(yù)定線的另一切斷預(yù)定線，而在加工對象物形成作為改質(zhì)區(qū)域的第3改質(zhì)區(qū)域。該情況下，因為在形成第3改質(zhì)區(qū)域時，會發(fā)揮加工對象物的彎曲被抑制的上述作用效果，所以能夠使例如通過追隨加工對象物的激光照射面以控制激光的聚光點位置的自動聚焦單元適當(dāng)?shù)匕l(fā)揮功能。因而，可以精確度良好地形成第3改質(zhì)區(qū)域。此外，優(yōu)選為一個主面為激光射入面，加工對象物包含被設(shè)置在一個主面?zhèn)鹊墓δ茉辉诘?工序中，通過形成第1改質(zhì)區(qū)域，產(chǎn)生從該第1改質(zhì)區(qū)域到加工對象物的另一個主面的龜裂。這樣，在對于一個主面?zhèn)缺辉O(shè)置功能元件的加工對象物從一個主面?zhèn)壬淙爰す獾那闆r下(所謂的表面入射的情況)，為了容易且精確度良好地切斷加工對象物，存在產(chǎn)生直到另一個主面的龜裂的情況。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可以抑制加工對象物的彎曲。


圖1是本實施方式所涉及的實施激光加工方法的激光加工裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。圖2是顯示成為形成改質(zhì)區(qū)域的對象的加工對象物的一例的平面圖。圖3為沿著圖2的加工對象物的III-III線的剖面圖。圖4是激光加工后的加工對象物的平面圖。圖5為沿著圖4的加工對象物的V-V線的剖面圖。圖6為沿著圖4的加工對象物的VI-VI線的剖面圖。圖7為顯示本實施方式所涉及的激光加工方法的加工對象物的平面圖。圖8為用于說明本實施方式的激光加工方法的工序圖。圖9為表示圖8的后續(xù)圖。圖10為圖示圖9的后續(xù)圖。圖11為被施以激光加工的加工對象物的沿著圖7的XI-XI線的剖面圖。圖12為被施以激光加工后的加工對象物的放大平面圖。圖13為顯示被施以未適用本發(fā)明的激光加工方法的激光加工后的加工對象物的側(cè)視圖。
具體實施例方式以下，針對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，參照附圖詳細(xì)加以說明。另外，在各圖對于相同或等效要素附以相同符號，且省略重復(fù)說明。本實施方式所涉及的激光加工方法，使聚光點對準(zhǔn)加工對象物的內(nèi)部并照射激光，從而在加工對象物形成改質(zhì)區(qū)域。于是，首先，針對依照本實施方式的激光加工方法形成的改質(zhì)區(qū)域，參照圖1至圖6并加以說明。如圖1所示，本實施方式所涉及的實施激光加工方法的激光加工裝置100，即簡稱 SDE (Stealth Dicing Engine 注冊商標(biāo))，具備脈沖發(fā)振激光L的激光源101、被配置成可以使激光L的光軸(光路)的走向改變90°的二向色鏡(dichroic mirror) 103、用于聚光激光L的聚光用透鏡(聚光光學(xué)系)105。此外，激光加工裝置100，具備用于支撐被照射以聚光用透鏡105所聚集的激光L 的加工對象物1的支撐臺107、用以使支撐臺107往X、Y、Z軸方向移動而且在繞Z軸θ方向旋轉(zhuǎn)的平臺111、用于調(diào)節(jié)激光L的輸出或脈沖寬度等而控制激光光源101的激光光源控制部102、與控制平臺111移動的平臺控制部115。在該激光加工裝置100中，從激光源101射出的激光L，可利用二向色鏡103讓其光軸走向改變90°，且利用聚光用透鏡105聚光于被載置于支撐臺107上的加工對象物1 的內(nèi)部。同時，讓平臺111移動，使加工對象物1對激光L沿著切斷預(yù)定線5相對移動。由此，沿著切斷預(yù)定線5的改質(zhì)區(qū)域形成加工對象物1。
此外，激光加工裝置100，為了不受加工對象物1的表面形狀所影響而在加工對象物1的內(nèi)部的指定位置精確度良好地將激光L聚光而形成改質(zhì)區(qū)域，而具備未圖示的自動聚焦單元(auto focus unit)。由此，激光加工裝置100中，例如控制激光L使其被聚光于距離加工對象物1的表面或背面為一定的位置。作為加工對象物1，可以采用半導(dǎo)體材料或壓電材料等，如圖2所示，在加工對象物1中設(shè)定用于切斷加工對象物1的切斷預(yù)定線5。切斷預(yù)定線5，是直線狀延長的假想線。 在加工對象物1的內(nèi)部形成改質(zhì)區(qū)域的情況下，如圖3所示，使聚光點P對準(zhǔn)加工對象物1 的內(nèi)部的狀態(tài)下，使激光L沿著切斷預(yù)定線5 (即，圖2的箭頭A方向)相對地移動。由此， 如圖4 圖6所示，改質(zhì)區(qū)域7沿著切斷預(yù)定線5在加工對象物1的內(nèi)部被形成，且沿著切斷預(yù)定線5被形成的改質(zhì)區(qū)域7成為切斷起點區(qū)域8。另外，聚光點P，指激光L聚集的地方。此外，切斷預(yù)定線5，并不限于直線狀也可以為曲線狀，不局限于假想線而也可以是在加工對象物1的表面3實際上被畫出的線。此外，改質(zhì)區(qū)域7，有連續(xù)地被形成的情況，也有斷斷續(xù)續(xù)地被形成的情況。此外，改質(zhì)區(qū)域7 為列狀或點狀皆可，重要的是，改質(zhì)區(qū)域7至少是在加工對象物1的內(nèi)部被形成即可。此外， 以改質(zhì)區(qū)域7為起點形成龜裂的情況下，龜裂以及改質(zhì)區(qū)域7，也可在加工對象物1的外表面(表面、背面、或者外周面)露出。此處，激光L，透過加工對象物1而且在加工對象物1內(nèi)部的聚光點附近特別地被吸收，由此，在加工對象物1被形成改質(zhì)區(qū)域7 ( S卩，內(nèi)部吸收型激光加工)。因而，加工對象物1的表面3上激光L幾乎未被吸收，所以不會出現(xiàn)加工對象物1的表面3溶融。一般而言，從表面3被溶融除去而被形成穴或溝等的除去部(表面吸收型激光加工)的情況下，加工區(qū)域從表面3側(cè)逐漸往背面?zhèn)冗M(jìn)行?？墒?，本實施方式所涉及的激光加工裝置所形成的改質(zhì)區(qū)域，指密度、折射率、機(jī)械強(qiáng)度或其它物理的特性變成與周圍相異的狀態(tài)的區(qū)域。作為改質(zhì)區(qū)域，有例如溶融處理區(qū)域、裂縫(crack)區(qū)域、絕緣破壞區(qū)域、折射率變化區(qū)域等，也有這些混合存在的區(qū)域。再者，作為改質(zhì)區(qū)域，在加工對象物的材料上有改質(zhì)區(qū)域的密度與非改質(zhì)區(qū)域的密度比較后有所改變的區(qū)域，或被形成晶格缺陷的區(qū)域(概括這些也可簡稱高密轉(zhuǎn)移區(qū)域)。此外，溶融處理區(qū)域或折射率變化區(qū)域、改質(zhì)區(qū)域的密度與非改質(zhì)區(qū)域的密度比較有所改變的區(qū)域、以及被形成晶格缺陷的區(qū)域，會出現(xiàn)在這些區(qū)域的內(nèi)部或改質(zhì)區(qū)域與非改質(zhì)區(qū)域的界面包含有龜裂(破裂、微裂縫)的情況。被包含的龜裂存在橫跨改質(zhì)區(qū)域整個面的情況或者僅在一部分或多個部分被形成的情況。其次，針對本實施方式的激光加工方法詳細(xì)地加以說明。本實施方式的激光加工方法，指實施例如薄物微小芯片加工的方法，成為對象的加工對象物1如圖7所示，具備硅晶圓(silicon wafer) 11、包含多個功能元件15并被形成在硅晶圓11表面Ila的功能元件層16。功能元件15例如是，通過結(jié)晶成長被形成的半導(dǎo)體動作層、光電二極管(photodiode)等的受光元件、激光二極管等的發(fā)光元件、或者被形成作為電路的電路元件等，朝與硅晶圓11的定位邊(orientation-flat)6平行的方向以及垂直的方向被矩陣狀地形成多個。在此的加工對象物1，被做成例如厚度100 μ m，加工對象物1中，設(shè)定有通過相鄰接的功能元件15之間的格子狀的切斷預(yù)定線5。換言之，切斷預(yù)定線5，被構(gòu)成為包含沿
5著一方向延伸的切斷預(yù)定線(一切斷預(yù)定線)5a、與沿著與該切斷預(yù)定線fe正交(交叉) 的方向延伸的切斷預(yù)定線(另一切斷預(yù)定線)5b。本實施方式的激光加工方法，首先，在加工對象物1的背面21粘貼擴(kuò)展膠帶 (expand-tape)，并將該加工對象物1載置于支撐臺107上。接著，利用聚光用透鏡105使聚光點P對準(zhǔn)加工對象物1的內(nèi)部，以加工對象物1的表面(一個主面)3作為激光入射面， 以沿著切斷預(yù)定線fe來回行進(jìn)的方式照射激光L。具體而言，如圖8(a)所示，在圖示箭頭Sl的方向沿著切斷預(yù)定線fe照射激光L， 在加工對象物1的內(nèi)部從表面3到較深的位置(背面21側(cè))形成改質(zhì)區(qū)域(第1改質(zhì)區(qū)域)7a。由此，如圖8(b)所示，產(chǎn)生從改質(zhì)區(qū)域7a至背面(另一個主面)21的龜裂Ca。此外，該龜裂Ca，也被稱作背側(cè)半切(back side half cut)。其后，如圖9(a)所示，在圖示箭頭S2的方向沿著切斷預(yù)定線fe照射激光L，加工對象物1中在表面3與第1改質(zhì)區(qū)域7a之間形成改質(zhì)區(qū)域7b (第2改質(zhì)區(qū)域)。由此，如圖9 (a)所示，產(chǎn)生從改質(zhì)區(qū)域7b至表面3的龜裂Cb。另外，該龜裂Cb，也被稱作半切(half cut) ο從而，在形成改質(zhì)區(qū)域7a時，因為產(chǎn)生的龜裂Ca會至(到達(dá))背面21，雖然在龜裂Ca裂開的方向會產(chǎn)生彎曲加工對象物1的力Fl (參照圖8 (b))，但是形成改質(zhì)區(qū)域7a后利用由該改質(zhì)區(qū)域7b所產(chǎn)生的龜裂Cb，讓該力Fl被解除而相抵消，其結(jié)果，加工對象物1 成為上方以及下方都不彎曲的狀態(tài)(參照圖9(b))。然后，如圖10(a)所示，沿著全部的切斷預(yù)定線如實施形成上述的改質(zhì)區(qū)域7a、 7b，其后，使支撐臺107朝θ方向旋轉(zhuǎn)而使加工對象物1旋轉(zhuǎn)90°。接著，如圖10(b)所示，利用聚光用透鏡105使聚光點P對準(zhǔn)加工對象物1的內(nèi)部，以加工對象物1的表面3作為激光入射面，以沿著切斷預(yù)定線恥來回行進(jìn)的方式照射激光L，在加工對象物1的內(nèi)部朝厚度方向形成2列的改質(zhì)區(qū)域(第3改質(zhì)區(qū)域)7c、7c(參照圖11(b))。此外，也可使支撐臺107不朝θ方向旋轉(zhuǎn)而分別沿著切斷預(yù)定線fejb移動。最后，通過使擴(kuò)展膠帶擴(kuò)張，以改質(zhì)區(qū)域7作為切斷的起點，將加工對象物1沿著切斷預(yù)定線5切斷每一功能元件15。由此，就可得到例如芯片尺寸為0. 5mmX0. 5mm的多個微小半導(dǎo)體芯片?？墒?，在未適用本發(fā)明的激光加工方法(以下，簡稱“比較激光加工”)下，通過沿著切斷預(yù)定線fe照射激光L，在加工對象物1形成改質(zhì)區(qū)域7并且只產(chǎn)生從改質(zhì)區(qū)域7至背面21的龜裂Ca。因此，在沿著切斷預(yù)定線恥照射激光L時，如圖13(a)所示，存在加工對象物1成為彎曲那樣的變形狀態(tài)的疑慮。特別是，如上所述，加工對象物1被貼上擴(kuò)展膠帶且被平臺111吸住。因此，如圖13(b)所示，因為芯片尺寸小的緣故而在微小的間距造成加工對象物1凹凸?fàn)钭冃?，或在加工對象?發(fā)生部分地(例如在箭頭Fc之處)非預(yù)期的全切斷。結(jié)果，比較激光加工中，在沿著切斷預(yù)定線恥照射激光L時，因為在加工對象物1 表面3存在微小的間距的凹凸形狀，而有使得追隨加工對象物1的表面3以控制激光L的聚光點P位置的自動聚焦單元不能恰當(dāng)?shù)匕l(fā)揮功能，存在改質(zhì)區(qū)域7c的形成位置精確度惡化(形成位置偏離)的疑慮。因而，即使擴(kuò)張擴(kuò)展膠帶，還是無法精確度良好地切斷加工對象物1。
對此，本實施方式的激光加工方法，如上述那樣，在沿著切斷預(yù)定線如照射激光L 形成改質(zhì)區(qū)域7a之后，通過沿著切斷預(yù)定線fe再度照射激光L，在加工對象物1在表面3 與第1改質(zhì)區(qū)域7a之間形成改質(zhì)區(qū)域7b，產(chǎn)生從改質(zhì)區(qū)域7b到表面3的龜裂Cb。從而， 能夠讓形成改質(zhì)區(qū)域7a時所產(chǎn)生的上述的彎曲的力F1，利用龜裂Cb而解除并相抵消。從而，可以抑制在加工對象物1的“彎曲”、“凹凸?fàn)畹淖冃巍?，以及，與預(yù)期相反的“發(fā)生部分的全切斷”。結(jié)果，本實施方式的激光加工方法中，在沿著切斷預(yù)定線恥照射激光L時，能夠使自動聚焦單元精確度良好地追隨表面3，能夠提高改質(zhì)區(qū)域7c的形成位置精確度。因而，通過使擴(kuò)展膠帶擴(kuò)張，可以精確度良好地切斷加工對象物1。另外，就在形成改質(zhì)區(qū)域7a后形成改質(zhì)區(qū)域7b之后，以改質(zhì)區(qū)域7不全切斷(即切斷完了)為形成條件是重要的。此外，在能夠抑制發(fā)生全切斷時，就能夠解決產(chǎn)生部分的全切斷而引起的以下問題。即，能夠解決所謂被形成的改質(zhì)區(qū)域7偏離切斷預(yù)定線5的指標(biāo)(index)偏離等問題。 此外，也能夠解決在使擴(kuò)展膠帶擴(kuò)張后，在加工對象物1不被適當(dāng)?shù)厥┝Χy以精確度良好地切斷的問題。圖11是被施以激光加工的加工對象物的沿著圖7的XI-XI線的剖面圖。圖11(a) 顯示采用比較激光加工的加工對象物；圖11(b)則顯示采用本實施方式的激光加工方法的加工對象物。如圖11所示，相對于比較激光加工中改質(zhì)區(qū)域7C的形成深度偏離，本實施方式中，能夠確認(rèn)以正確的深度形成改質(zhì)區(qū)域7c。以上，根據(jù)本實施方式，能夠抑制加工對象物1的彎曲以及凹凸?fàn)畹淖冃?。特別是，如本實施方式那樣，在實施薄物微小芯片加工的情況下，因為鄰接的切斷預(yù)定線5是以極為狹小的間距被設(shè)定，加工對象物1的彎曲以及凹凸?fàn)畹淖冃我子诎l(fā)生的緣故，這樣的作用效果就很顯著。此外，本實施方式中，如上述，是從表面3側(cè)照射激光L而在加工對象物1形成改質(zhì)區(qū)域7a的所謂的表面入射，產(chǎn)生從改質(zhì)區(qū)域7a到背面21的龜裂Ca。以該方式采用表面入射的激光加工的情況下，通過產(chǎn)生直到背面21的龜裂Ca，就能容易且精確度良好地切斷加工對象物。另外，如本實施方式那樣進(jìn)行薄物微小芯片加工的情況下，因為加工對象物1 容易被切斷的條件特別必要，所以龜裂Ca所形成的上述效果是有效的。此外，本實施方式中，如上述那樣，因為在加工對象物1形成直到背面21的龜裂Ca 與直到表面3的龜裂Cb兩者，所以能將切斷面的表面3側(cè)的端部以及背面21側(cè)的端部作成筆直的狀態(tài)，可以減低所謂的裙擺邊緣的發(fā)生并提高質(zhì)量。圖12是被施以激光加工后的加工對象物的放大平面圖。圖12(a)顯示采用比較激光加工的加工對象物；圖12(b)則顯示采用本實施方式的激光加工方法的加工對象物。如圖12所示，本實施方式方面，相對于比較激光加工，能夠讓切斷面S成筆直的狀態(tài)，確認(rèn)可以降低裙擺邊緣的發(fā)生。針對這點，為了抑制加工對象物1的彎曲，也考慮只通過形成改質(zhì)區(qū)域7a以形成從該改質(zhì)區(qū)域7a到表面3以及背面21的龜裂(全切斷；full cut)。然而，薄物微小芯片加工方面，要全切斷形成改質(zhì)區(qū)域7a的困難點在于例如控制質(zhì)量或直線前進(jìn)性。從而，在該點上，本實施方式也可說特別有效。以上，針對本發(fā)明的適當(dāng)?shù)膶嵤┓绞郊右哉f明，但本發(fā)明并不限定于上述實施方式。例如，上述實施方式中，將表面3當(dāng)作激光照射面以進(jìn)行入射激光L的表面入射，但是， 也可以將背面21當(dāng)作激光照射面以進(jìn)行入射激光L的背面入射。例如，在從背面21側(cè)入射激光L的情況下，通過在將加工對象物1的表面(裝置面)3用保護(hù)構(gòu)件保護(hù)的狀態(tài)下從加工對象物1的背面21入射激光L，形成表面3側(cè)的第1 改質(zhì)區(qū)域以及背面21側(cè)的第2改質(zhì)區(qū)域。接著，這些改質(zhì)區(qū)域形成后，在加工對象物1的背面21粘貼擴(kuò)展(擴(kuò)張)膠帶后剝下保護(hù)構(gòu)件，使擴(kuò)展膠帶擴(kuò)張而切斷芯片并分離。在此， 在這樣的背面入射方式的情況下，為了良好地進(jìn)行切斷而有必要利用第2改質(zhì)區(qū)域的形成而產(chǎn)生到達(dá)背面21側(cè)的龜裂，但是，僅僅由該第2改質(zhì)區(qū)域以及龜裂會使加工對象物1發(fā)生“彎曲”或“凹凸?fàn)钭冃巍?。關(guān)于這點，本發(fā)明中，因為如上述方式在表面3側(cè)形成第1改質(zhì)區(qū)域，而能夠防止在加工對象物1發(fā)生“彎曲”或“凹凸?fàn)钭冃巍?。此外，該情況下，從被形成在加工對象物1的表面3側(cè)的第1改質(zhì)區(qū)域直到表面3不使龜裂產(chǎn)生也可。另外，上述實施方式中，在加工對象物1的內(nèi)部作成第1改質(zhì)區(qū)域而形成改質(zhì)區(qū)域 7a使龜裂Ca產(chǎn)生之后，作成第2改質(zhì)區(qū)域而形成改質(zhì)區(qū)域7b使龜裂Cb產(chǎn)生，或者也可以在作成第1改質(zhì)區(qū)域形成改質(zhì)區(qū)域7b使龜裂Cb產(chǎn)生之后，作成第2改質(zhì)區(qū)域形成改質(zhì)區(qū)域7a使龜裂Ca產(chǎn)生。該情況下，背面21構(gòu)成一個主面，表面3則構(gòu)成另一個主面。此外，上述實施方式中，以來回沿著切斷預(yù)定線恥的方式照射激光L，在加工對象物1的內(nèi)部在厚度方向也沿著切斷預(yù)定線恥形成2列的改質(zhì)區(qū)域7c，但也可以僅形成1列的改質(zhì)區(qū)域7c。另外，較厚的加工對象物1中從激光L入射的激光入射面在較深的位置使激光L 聚光的情況下，通過提高加工對象物1的透過率，可以在聚光點P有效地利用激光L。此外， 作為加工對象物1，可以是例如硅、玻璃、包含LiI^aO3或者藍(lán)寶石(sapphire ；Al2O3)、或者由這些所構(gòu)成的對象物。產(chǎn)業(yè)上利用可能性
使抑制加工對象物的彎曲成為可能。
符號說明
1 加工對象物
3 表面(一個主面，激光入射面)
5a切斷預(yù)定線(一切斷預(yù)定線)
5b切斷預(yù)定線(另一切斷預(yù)定線)
7a改質(zhì)區(qū)域(第1改質(zhì)區(qū)域)
7b改質(zhì)區(qū)域(第2改質(zhì)區(qū)域)
7c改質(zhì)區(qū)域(第3改質(zhì)區(qū)域)
15功能元件
21背面(另一個主面)
Ca，Cb 龜裂
L 激光
P 聚光點
權(quán)利要求
1.一種激光加工方法，其特征在于，是通過使聚光點對準(zhǔn)板狀的加工對象物的內(nèi)部并照射激光，而在所述加工對象物形成改質(zhì)區(qū)域的激光加工方法，包含第1工序，沿著一切斷預(yù)定線在所述加工對象物形成作為所述改質(zhì)區(qū)域的第1改質(zhì)區(qū)域；以及第2工序，形成所述第1改質(zhì)區(qū)域之后，在所述加工對象物的一個主面與所述第1改質(zhì)區(qū)域之間，通過沿著所述一切斷預(yù)定線形成作為所述改質(zhì)區(qū)域的第2改質(zhì)區(qū)域，產(chǎn)生從該第2改質(zhì)區(qū)域到所述一個主面的龜裂。
2.如權(quán)利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，包含第3工序，形成所述第2改質(zhì)區(qū)域之后，沿著與所述一切斷預(yù)定線交叉的另一切斷預(yù)定線，而在所述加工對象物形成作為所述改質(zhì)區(qū)域的第3改質(zhì)區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，所述一個主面是激光入射面，所述加工對象物包含設(shè)在所述一個主面?zhèn)鹊墓δ茉?，所述?工序中，通過形成所述第1改質(zhì)區(qū)域，產(chǎn)生從該第1改質(zhì)區(qū)域到所述加工對象物的另一個主面的龜裂。
全文摘要
通過使聚光點對準(zhǔn)加工對象物(1)的內(nèi)部、沿著切斷預(yù)定線(5a)照射激光(L)，而形成改質(zhì)區(qū)域(7a)。其后，通過沿著切斷預(yù)定線(5a)再度照射激光(L)，在加工對象物(1)中在表面(3)與第1改質(zhì)區(qū)域(7a)之間形成改質(zhì)區(qū)域(7b)，并且，產(chǎn)生從改質(zhì)區(qū)域(7b)到表面(3)的龜裂(Cb)。因此，能夠使加工對象物(1)在形成改質(zhì)區(qū)域(7a)時所產(chǎn)生的彎曲的力(F1)，利用龜裂(Cb)而解除并相抵消。其結(jié)果，能夠抑制加工對象物(1)的彎曲。
文檔編號B23K26/38GK102405124SQ20108001758
公開日2012年4月4日 申請日期2010年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月20日
發(fā)明者杉浦隆二 申請人:浜松光子學(xué)株式會社