專利名稱：除去裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及從如有機(jī)電致發(fā)光顯示用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、樹脂基板、 光罩用玻璃基板、光碟用基板及太陽能電池用玻璃基板等、由絕緣體形成且具有透 光性的絕緣基板(以下簡單地稱作“絕緣基板”)除去膜的除去裝置。
背景技術(shù)：
先前，通過對(duì)形成在絕緣基板上的膜照射激光而除去絕緣基板上的膜的技術(shù)為人所周知(例如專利文獻(xiàn)1至3)。此處，專利文獻(xiàn)1至3中記載的技術(shù)為通過如下方法將絕緣基板上的膜除去(1)進(jìn)行反轉(zhuǎn)以使絕緣基板的膜面(絕緣基板的主面中形成有膜的面)成為下側(cè)， 且，(2)將從與膜面為相反側(cè)的面(絕緣基板的上側(cè)主面)入射并透過絕緣基板的激光照射至膜。[先前技術(shù)文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)1]日本專利特開2001-111078號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]日本專利特開2009-082974號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)3]日本專利特開2010-092893號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明所欲解決的問題]如此，專利文獻(xiàn)1至3的技術(shù)是以在進(jìn)行膜面的除去之前使絕緣基板反轉(zhuǎn)以使膜面成為下側(cè)的情況為前提.該情形時(shí)，絕緣基板的保持部保持反轉(zhuǎn)后的絕緣基板的周緣部以防止形成在膜面上的膜受到損傷。因此，如果絕緣基板趨于大型化，則絕緣基板撓曲的影響會(huì)進(jìn)一步增大。其結(jié)果存在如下問題，即無法使激光相對(duì)于形成在絕緣基板上的膜而良好地聚光，從而無法將該膜良好地除去。由此，本發(fā)明的目的在于提供一種可將形成在絕緣基板上的膜良好地除去的除去
直ο[解決問題的技術(shù)手段]為解決上述問題，技術(shù)方案1的發(fā)明是一種從具有透光性的絕緣基板上除去膜的除去裝置，其特征在于，包括保持單元，其以使上述膜成為上側(cè)的方式保持上述絕緣基板； 除去吸引單元，其從上述絕緣基板上除去及吸引上述膜；以及驅(qū)動(dòng)單元，其使上述除去吸引單元相對(duì)于上述保持單元而相對(duì)性地移動(dòng)；且上述除去吸引單元包括照射部，其設(shè)置在由上述保持單元所保持的上述絕緣基板的下方，對(duì)形成在上述絕緣基板上的上述膜照射激光；以及吸引部，其設(shè)置在由上述保持單元所保持的上述絕緣基板的上方且上述照射部的正上方，對(duì)通過上述激光的照射而除去的上述膜的構(gòu)成物質(zhì)進(jìn)行吸引；上述驅(qū)動(dòng)單元使維持相互的位置關(guān)系的上述照射部及上述吸引部相對(duì)于上述保持單元而相對(duì)性地移動(dòng)。此外，技術(shù)方案2的發(fā)明是根據(jù)技術(shù)方案1所記載的除去裝置，其特征在于上述除去吸引單元進(jìn)而包括安裝有上述照射部及上述吸引部的安裝部，上述驅(qū)動(dòng)單元通過對(duì)上述安裝部提供驅(qū)動(dòng)力，而使上述照射部及上述吸引部相對(duì)于上述保持單元相對(duì)性地移動(dòng)。此外，技術(shù) 方案3的發(fā)明是根據(jù)技術(shù)方案1或技術(shù)方案2所記載的除去裝置，其特征在于上述照射部的中心軸與上述吸引部的中心軸大致一致。此外，技術(shù)方案4的發(fā)明是根據(jù)技術(shù)方案1至技術(shù)方案3中任一項(xiàng)所記載的除去裝置，其特征在于進(jìn)而包括凈化噴嘴，其設(shè)置在上述除去吸引單元的退避位置，對(duì)上述照射部供給清潔空氣。[發(fā)明的效果]根據(jù)技術(shù)方案1至技術(shù)方案4所記載的發(fā)明，照射部一面照射激光，一面相對(duì)于保持單元而相對(duì)性地移動(dòng)。此外，吸引部在保持與照射部的位置關(guān)系的狀態(tài)下，與照射部一起相對(duì)于保持單元而相對(duì)性地移動(dòng)。由此，從照射部照射的激光從絕緣基板的下側(cè)入射至絕緣基板，并到達(dá)形成在絕緣基板上的膜。而且，通過該激光從絕緣基板上除去的膜的構(gòu)成物質(zhì)，在除去后迅速地被設(shè)置在照射部的正上方的吸引部吸引。如此，根據(jù)技術(shù)方案1至技術(shù)方案4所記載的發(fā)明，在照射部的正上方設(shè)置吸引部，并且使吸引部與照射部一起移動(dòng)，由此可對(duì)從絕緣基板除去的膜的構(gòu)成物質(zhì)良好地吸弓丨。即，無須在保持單元的附近設(shè)置大型的吸引機(jī)構(gòu)。因此，可降低除去裝置的裝置尺寸及除去裝置的制造成本。尤其，根據(jù)技術(shù)方案2所記載的發(fā)明，照射部及吸引部分別安裝在安裝部上，照射部及吸引部成一體地相對(duì)于保持單元而相對(duì)性地移動(dòng)。因此，可更好地執(zhí)行絕緣基板上的膜的除去及吸引。尤其，根據(jù)技術(shù)方案3所記載的發(fā)明，照射部的中心軸與吸引部的中心軸大致一致。由此，從絕緣基板上除去的膜的構(gòu)成物質(zhì)更迅速地被吸引部吸引。因此，可更好地執(zhí)行絕緣基板上的膜的除去及吸引。尤其，根據(jù)技術(shù)方案4所記載的發(fā)明，可對(duì)移動(dòng)到退避位置的除去吸引單元的照射部供給清潔空氣。由此，即便在從絕緣基板的下側(cè)照射激光的情形時(shí)，也可將照射部維持在清潔狀態(tài)。因此，可良好地維持激光對(duì)膜的除去狀態(tài)。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的除去裝置的構(gòu)成的一例的立體圖。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的除去裝置的構(gòu)成的一例的立體圖。圖3是表示除去吸引單元附近的構(gòu)成的一例的正視圖。[符號(hào)的說明]1除去裝置5絕緣基板6 膜
7除去范圍8保持范圍 10保持單元IOa保持面lla、60a水平驅(qū)動(dòng)部lib旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部Ilc旋轉(zhuǎn)軸20橋接構(gòu)造體30除去吸引單元40照射部40a 激光40b、50a 中心軸50吸引部51吸引噴嘴60安裝部70驅(qū)動(dòng)單元80凈化噴嘴Dl掃描寬度D2開口寬度Pl退避位置
具體實(shí)施例方式以下，參照?qǐng)D式對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。<1.除去裝置的構(gòu)成〉圖1及圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的除去裝置1的構(gòu)成的一例的立體圖。圖3 是表示除去吸引單元30附近的構(gòu)成的一例的正視圖。此處，除去裝置1從絕緣基板5除去膜6而使絕緣基板5的表面露出，由此對(duì)絕緣基板5的周緣附近執(zhí)行除邊加工。如圖1及圖2所示，除去裝置1主要包括保持單元10、橋接構(gòu)造體20、除去吸引單元30、凈化噴嘴80 及控制部90。另外，圖1至圖3中，為明確這些構(gòu)件之方向關(guān)系，附有將Z軸方向設(shè)為鉛直方向、 且將XY平面設(shè)為水平面之XYZ正交坐標(biāo)系。保持單元10以使膜6成為上側(cè)(更具體而言，于保持單元10較除去范圍7而成為中心側(cè)之保持范圍8)保持絕緣基板5。如圖1至圖3所示，保持單元10主要包括水平驅(qū)動(dòng)部Ila及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部lib。此外，如圖3所示，于保持單元10設(shè)置有吸附槽12及貫通孔 13。水平驅(qū)動(dòng)部Ila使保持單元10沿箭頭ARl方向(Y軸正或負(fù)方向第1水平方向) 進(jìn)退。此外，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部lib使保持單元10以旋轉(zhuǎn)軸Ilc為中心沿箭頭Rl方向(旋轉(zhuǎn)方向)旋轉(zhuǎn)。由此，保持單元10可使所保持的絕緣基板5的4邊中的任一邊移動(dòng)至除去吸引單元30附近。而且，沿著該1邊設(shè)定除去范圍7 (參照?qǐng)D3)。
復(fù)數(shù)個(gè)(圖3中為便于圖示而設(shè)為1個(gè))吸附槽12為設(shè)置在保持單元10的保持面IOa上的凹部。各吸附槽12以沿著X軸或Y軸呈大致直線狀地延伸的方式形成，且形成為格子狀。復(fù)數(shù)個(gè)(圖3中為便于圖示而設(shè)為2個(gè))貫通孔13分別為貫通各吸附槽12及保持單元10的下表面?zhèn)鹊目v孔。例如，貫通孔13也可在復(fù)數(shù)個(gè)吸附槽12交叉的交叉點(diǎn)(格子點(diǎn))連接。此外，各貫通孔13如圖3所示，經(jīng)由配管15、閥16、泵17及共用配管18而與排氣管19連通連接。由此，通過使閥16打開并使泵17動(dòng)作，而對(duì)絕緣基板5的下側(cè)附近的環(huán)境氣體及吸附槽12內(nèi)的環(huán)境氣體進(jìn)行排氣。因此，絕緣基板5吸附保持于保持單元10的保持面 10a。橋接構(gòu)造體20是以跨過保持單元10的方式配置的構(gòu)造物。如圖1及圖2所示， 橋接構(gòu)造體20包括沿與保持單元10的前進(jìn)方向(箭頭ARl方向)正交的方向(箭頭AR2 方向)延伸的單元支撐體21。除去吸引單元30如圖3所示，一面沿著橋接槽構(gòu)造體20的單元支撐體21進(jìn)退， 一面通過激光40a從絕緣基板5上的除去范圍7除去膜6。此外，除去吸引單元30對(duì)從絕緣基板5上釋出的膜6的構(gòu)成物質(zhì)進(jìn)行吸引(吸塵)。另外，下文對(duì)除去吸引單元30的詳細(xì)內(nèi)容進(jìn)行說明。凈化噴嘴80，對(duì)例如照射部40的掃描部42(參照?qǐng)D3)般的光學(xué)系統(tǒng)供給清潔空氣(例如氮?dú)?，由此將附著在照射部40上的塵埃等除去而對(duì)照射部40進(jìn)行凈化。凈化噴嘴80經(jīng)由配管81而連接于未圖示的清潔空氣供給源。如圖2所示，凈化噴嘴80設(shè)置在除去吸引單元30的退避位置P1。由此，即便在從絕緣基板5的下側(cè)照射激光40a的情形時(shí)，也可將照射部40維持在清潔狀態(tài)。因此，可良好地維持激光40a對(duì)膜6的除去狀態(tài)?？刂撇?0控制例如保持單元10的進(jìn)退及旋轉(zhuǎn)動(dòng)作、以及除去吸引單元30的進(jìn)退動(dòng)作、照射動(dòng)作及吸引動(dòng)作，并且實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)運(yùn)算。如圖1及圖2所示，控制部90主要包括 ROM (Read Only Memory，只讀存儲(chǔ)器)91、RAM (Random Access Memory，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)92。CPU (Central Processor Unit，中央處理器)93。R0M91為所謂的非易失性的存儲(chǔ)部，存儲(chǔ)有例如程序91a。另外，R0M91也可使用讀寫自由的作為非易失性存儲(chǔ)器的快閃存儲(chǔ)器。RAM92為易失性的存儲(chǔ)部，存儲(chǔ)有例如CPU93的運(yùn)算中所使用的數(shù)據(jù)。CPU93執(zhí)行依照R0M91的程序91a的控制(例如除去吸引單元30的吸引動(dòng)作的控制)及數(shù)據(jù)處理。<2.除去吸引單元的構(gòu)成〉此處，對(duì)除去吸引單元30的硬件構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖3所示，除去吸引單元30主要包括照射部40、吸引部50及安裝部60。照射部40如圖3所示，設(shè)置在由保持單元10所保持的絕緣基板5的下方，對(duì)形成在絕緣基板5上的膜6照射激光40a (例如激光點(diǎn)直徑為1. 50 μ m左右)。受到激光40a照射的膜6成為原子狀態(tài)、分子狀態(tài)、等離子狀態(tài)，膜6的構(gòu)成物質(zhì)的微 粒子從絕緣基板5上釋出。如圖3所示，照射部40主要包括激光振蕩器41、掃描部42、光纖43。
激光振蕩器41根據(jù)從控制部90發(fā)送的驅(qū)動(dòng)信號(hào)而射出激光。本實(shí)施方式中，作為激光振蕩器41，也可使用相對(duì)能見度較高的綠色激光(波長532nm之半導(dǎo)體激發(fā)固定激光)。而且，從激光振蕩器41射出的激光經(jīng)由光纖43而被導(dǎo)引至掃描部42。掃描部42通過變更激光40a的照射方向而使激光40a對(duì)膜6進(jìn)行掃描。此處，本實(shí)施方式的掃描部42包括2片鏡片(省略圖示)，各鏡片的旋轉(zhuǎn)軸相互正交。因此，掃描部 42可通過調(diào)整各鏡片的旋轉(zhuǎn)量而使激光40a向所需方向擺動(dòng)。吸引部50吸引從絕緣基板5上釋出的膜6的構(gòu)成物質(zhì)。如圖3所示，吸引部50 設(shè)置在由保持單元10所保持的絕緣基板5的上方且照射部40的正上方，且具有吸引噴嘴 51。
吸引噴嘴51如圖3所示為在上下方向(Z軸方向)延伸的中空的筒狀體。如圖3 所示，吸引噴嘴51主要包括筆直部52、擴(kuò)開部53及平坦部54。此外，如圖3所示，吸引噴嘴51經(jīng)由配管55、閥56、分離部57、配管58及泵59而與排氣管19連通連接。筆直部52配置在擴(kuò)開部53的上側(cè)，且為在上下方向筆直地延伸的圓筒體。如圖 3所示，筆直部52的內(nèi)徑在上下方向(Z軸方向)的各位置上大致相同。此外同樣地，筆直部52的外徑也在上下方向的各位置上大致相同。擴(kuò)開部53如圖3所示設(shè)置在筆直部52的下側(cè)，且具有圓錐臺(tái)狀的外形。擴(kuò)開部 53的內(nèi)徑及外徑隨著從筆直部52側(cè)向平坦部54側(cè)而增大。平坦部54為設(shè)置在擴(kuò)開部53的下側(cè)的環(huán)狀平板。平坦部54的開口 54a用作吸引膜6的構(gòu)成物質(zhì)的吸引口。由此，在吸引噴嘴51中固化的膜6的固體成分由擴(kuò)開部53 及平坦部54夾持的捕獲空間50b捕獲。因此，可防止固化的膜6的固體成分附著在絕緣基板5上。此外，如圖3所示，吸引噴嘴51經(jīng)由配管55、閥56、分離部57、配管58及泵59而與排氣管19連通連接。由此，通過使閥56打開并使泵59動(dòng)作，而使存在于除去范圍7內(nèi)的膜6的構(gòu)成物質(zhì)與除去范圍7附近的環(huán)境氣體一起排出。因此，可將絕緣基板5的上側(cè)附近維持于清潔狀態(tài)。此處，分離部57使膜6的構(gòu)成物質(zhì)從包含該構(gòu)成物質(zhì)的氣體分離。例如，由吸引噴嘴51吸引的膜6的構(gòu)成物質(zhì)，經(jīng)由配管55及閥56而被導(dǎo)引至分離部57的密閉空間57a 內(nèi)。被導(dǎo)引至密閉空間57a內(nèi)的膜6的構(gòu)成物質(zhì)固化而成為固體成分57b，且殘留在密閉空間57a內(nèi)。因此，從分離部57向排氣管19排出未包含膜6的構(gòu)成物質(zhì)的清潔空氣。如圖1及圖2所示，安裝部60為沿著橋接構(gòu)造體20的長度方向(箭頭AR2方向) 進(jìn)退的移動(dòng)構(gòu)件。于安裝部60安裝有照射部40及吸引部50。如圖3所示，安裝部60主要包括水平驅(qū)動(dòng)部60a、支撐構(gòu)件61、上部及下部托架62、63。支撐構(gòu)件61為在上下方向延伸的柱狀體。上部及下部托架62、63分別呈懸梁狀設(shè)置在支撐構(gòu)件61的上端及下端附近。而且，吸引部50及照射部40分別固定在上部及下部托架62、63的自由端。由此，固定在安裝部60上的照射部40及吸引部50，可沿著俯視方形的絕緣基板5 的周緣向箭頭AR2方向(參照?qǐng)D1及圖2)移動(dòng)。即，照射部40及吸引部50相對(duì)于保持單元10而成一體地移動(dòng)。因此，可更好地執(zhí)行絕緣基板5上的膜6的除去及吸引。此處，如圖3所示，照射部40及吸引部50以使中心軸40b、50a大致一致的方式安裝在安裝部60。由此，從絕緣基板5上除去的膜6的構(gòu)成物質(zhì)更迅速地被吸引部50吸引。 因此，可更好地執(zhí)行絕緣基板5上的膜6的除去及吸引。水平驅(qū)動(dòng)部60a對(duì)安裝部60的支撐構(gòu)件61提供驅(qū)動(dòng)力。由此，支撐構(gòu)件61以及上部及下部托架62、63可沿箭頭AR2方向(X軸正或負(fù)方向第2水平方向)進(jìn)退。如此，水平驅(qū)動(dòng)部60a、以及保持單元10的水平驅(qū)動(dòng)部Ila及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部11b，可使維持相互的位置關(guān)系的照射部40及吸引部50相對(duì)于保持單元10而相對(duì)性地移動(dòng)。艮口， 水平驅(qū)動(dòng) 部11a、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部lib及水平驅(qū)動(dòng)部60a可用作驅(qū)動(dòng)單元70。此外，如上所述， 掃描部42可通過變更激光40a的照射方向而使激光40a對(duì)膜6進(jìn)行掃描。由此，可一面通過掃描部42使激光40a沿箭頭ARl方向往返掃描，一而通過驅(qū)動(dòng)單元70使照射部40及吸引部50沿著絕緣基板5的周緣移動(dòng)。因此，照射部40可照射激光40a以從成為絕緣基板5的周緣附近的除去范圍7 (例如掃描寬度Dl為5 IOmm)除去膜6，從而可使絕緣基板5的表面露出。另外，作為水平驅(qū)動(dòng)部11a、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部lib及水平驅(qū)動(dòng)部60a的移動(dòng)形態(tài)的一例而可列舉(1)僅照射部40及吸引部50移動(dòng)；(2)僅保持單元10移動(dòng)；(3)照射部40及吸引部50以及保持單元10均移動(dòng)。此外，吸引噴嘴51的開口寬度D2設(shè)定得大于除去范圍7。因此，吸引部50可更好地吸引膜6的構(gòu)成物質(zhì)。<3.本實(shí)施方式的除去裝置的優(yōu)點(diǎn)>如以上所述，本實(shí)施方式的除去裝置1中，照射部40 —面照射激光40a，一面相對(duì)于保持單元10而相對(duì)性地移動(dòng)。此外，吸引部50在維持與照射部40的位置關(guān)系的狀態(tài)下， 與照射部40 —起相對(duì)于保持單元10而相對(duì)性地移動(dòng)。由此，從照射部40照射的激光40a從絕緣基板5的下側(cè)入射至絕緣基板5，并到達(dá)形成在絕緣基板5上的膜6。而且，通過該激光40a從絕緣基板5上除去的膜的構(gòu)成物質(zhì)， 在除去后迅速地被設(shè)置在照射部40的正上方的吸引部50吸引。如此，通過在照射部40的正上方設(shè)置吸引部50，并且使照射部40及吸引部50 — 體地移動(dòng)，而可良好地吸引從絕緣基板5除去的膜6的構(gòu)成物質(zhì)。即，無須在保持單元10 的附近設(shè)置大型的吸引機(jī)構(gòu)。因此，可降低除去裝置1的裝置尺寸及除去裝置1的制造成本。此外，本實(shí)施方式的除去裝置1不使絕緣基板5反轉(zhuǎn)便可除去絕緣基板5上的膜 6。S卩，本實(shí)施方式的除去裝置1，可抑制在保持反轉(zhuǎn)狀態(tài)的絕緣基板5時(shí)成為問題的絕緣基板5的撓曲的影響。因此，可使激光40a在膜6上良好地聚光，從而可良好地執(zhí)行膜6的除去。<4.變形例 >以上，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，可進(jìn)行各種變形。本實(shí)施方式中，說明了保持單元10的保持面IOa的尺寸小于絕緣基板5的主面尺寸，但并不限定于此。如果保持單元10的材質(zhì)相對(duì)于激光40a而透明，則保持單元10的保持面IOa的尺寸也可為絕緣基板5的主面尺寸以上。該情形時(shí) ，激光40a從保持單元10的下側(cè)入射至保持單元10，并經(jīng)由絕緣基板5而到達(dá)膜6。
權(quán)利要求
1.一種除去裝置，從具有透光性的絕緣基板上除去膜，其特征在于包括 保持單元，其以使上述膜成為上側(cè)的方式保持上述絕緣基板；除去吸引單元，其從上述絕緣基板上除去及吸引上述膜；以及驅(qū)動(dòng)單元，其使上述除去吸引單元相對(duì)于上述保持單元而相對(duì)性地移動(dòng)；且上述除去吸引單元包括照射部，其設(shè)置在由上述保持單元所保持的上述絕緣基板的下方，對(duì)形成在上述絕緣基板上的上述膜照射激光；以及吸引部，其設(shè)置在由上述保持單元所保持的上述絕緣基板的上方且上述照射部的正上方，對(duì)通過上述激光的照射而除去的上述膜的構(gòu)成物質(zhì)進(jìn)行吸引；上述驅(qū)動(dòng)單元使維持相互的位置關(guān)系的上述照射部及上述吸引部相對(duì)于上述保持單元而相對(duì)性地移動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的除去裝置，其特征在于上述除去吸引單元進(jìn)而包括安裝有上述照射部及上述吸引部的安裝部， 上述驅(qū)動(dòng)單元通過對(duì)上述安裝部提供驅(qū)動(dòng)力，而使上述照射部及上述吸引部相對(duì)于上述保持單元相對(duì)性地移動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的除去裝置，其特征在于 上述照射部的中心軸與上述吸引部的中心軸大致一致。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的除去裝置，其特征在于進(jìn)而包括凈化噴嘴，其設(shè)置在上述除去吸引單元的退避位置，對(duì)上述照射部供給清潔空氣。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可將形成在絕緣基板上的膜良好地除去的除去裝置。照射部(40)一面照射激光(40a)，一面相對(duì)于保持單元(10)而相對(duì)性地被移動(dòng)。此外，吸引部(50)在保持與照射部(40)的位置關(guān)系的狀態(tài)下，與照射部(40)一起相對(duì)于保持單元(10)而相對(duì)性地被移動(dòng)。由此，從照射部(40)照射的激光(40a)從絕緣基板(5)的下側(cè)入射至絕緣基板(5)，并到達(dá)形成在絕緣基板(5)上的膜(6)。而且，通過該激光(40a)從絕緣基板(5)上除去的膜(6)的構(gòu)成物質(zhì)，在除去后迅速地被設(shè)置在照射部(40)正上方的吸引部(50)吸引。
文檔編號(hào)B23K26/16GK102310267SQ20111014876
公開日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者赤井敏男, 高橋昌見 申請(qǐng)人:三星鉆石工業(yè)股份有限公司