專利名稱：測(cè)定方法以及測(cè)定裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)形成在工件表面上的保護(hù)膜的厚度進(jìn)行測(cè)定的測(cè)定方法以及測(cè)定
直O(jiān)
背景技術(shù)：
作為沿著間隔道分割半導(dǎo)體晶片等工件的方法，公知有通過激光加工進(jìn)行分割的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。在專利文獻(xiàn)1的激光加工方法中，通過對(duì)半導(dǎo)體晶片照射激光線，從而利用照射區(qū)域中產(chǎn)生的熱能在半導(dǎo)體晶片上沿著間隔道連續(xù)地進(jìn)行加工。在半導(dǎo)體晶片上的照射區(qū)域中，有時(shí)熱能集中而產(chǎn)生碎屑(加工屑)，因而存在這樣的問題該碎屑附著在LSI的鍵合焊盤等上而降低半導(dǎo)體芯片的品質(zhì)。為了解決該問題，本發(fā)明申請(qǐng)人已考慮了在半導(dǎo)體晶片表面上形成水溶性保護(hù)膜，并透過保護(hù)膜對(duì)半導(dǎo)體晶片照射激光線的激光加工方法(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。在專利文獻(xiàn)2的激光加工方法中，由于是透過保護(hù)膜對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加工，因此能夠使因激光加工而飛散的碎屑附著在保護(hù)膜上。并且，通過在清洗步驟中去除附著有碎屑的保護(hù)膜，抑制了碎屑在半導(dǎo)體晶片表面上的附著，防止了半導(dǎo)體芯片的品質(zhì)下降。專利文獻(xiàn)1日本特開平6-1203 號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開2004-322168號(hào)公報(bào)為了通過激光加工并透過保護(hù)膜對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加工，優(yōu)選保護(hù)膜的厚度恒定。即、保護(hù)膜的厚度對(duì)激光加工結(jié)果有影響，當(dāng)保護(hù)膜過薄時(shí)，不能充分保護(hù)半導(dǎo)體晶片不受碎屑影響，而當(dāng)保護(hù)膜過厚時(shí)，會(huì)妨礙激光加工。因此，已經(jīng)在尋求在進(jìn)行激光加工之前高精度地測(cè)定半導(dǎo)體晶片上的保護(hù)膜的厚度的方法，但以往的執(zhí)行測(cè)定方法的測(cè)定裝置不僅大型而且成本高，存在需要準(zhǔn)備與加工裝置的臺(tái)數(shù)相應(yīng)量的測(cè)定裝置、很難組裝到加工裝置中的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于，提供能夠比以往的測(cè)定裝置更簡(jiǎn)單、且高精度地測(cè)定形成在工件表面上的保護(hù)膜的厚度的測(cè)定方法以及測(cè)定裝置。本發(fā)明的測(cè)定方法為了保護(hù)工件表面不受對(duì)工件進(jìn)行激光加工時(shí)產(chǎn)生的加工屑的影響，測(cè)定由水溶性樹脂形成的保護(hù)膜的厚度，所述水溶性樹脂含有吸收所述激光的波長(zhǎng)的光的吸收劑，該測(cè)定方法的特征在于，包括以下步驟保護(hù)膜形成步驟，利用含有所述吸收材料的水溶性樹脂，在工件表面上以達(dá)到規(guī)定厚度的方式形成所述保護(hù)膜；光譜測(cè)定步驟，在所述保護(hù)膜形成步驟之后，向形成于工件表面的所述保護(hù)膜照射所述吸收劑所吸收的波長(zhǎng)的光，接收并測(cè)定因該光的吸收而由所述吸收劑發(fā)出的光譜；以及映射制作步驟，改變?cè)谒霰Ｗo(hù)膜形成步驟中形成的所述保護(hù)膜的厚度而進(jìn)行所述光譜測(cè)定步驟，由此制作表示與所述保護(hù)膜的厚度變化對(duì)應(yīng)的所述光譜的變化的映射，在測(cè)定涂布于工件表面的所述保護(hù)膜的厚度時(shí)，實(shí)施保護(hù)膜厚度測(cè)定步驟，在該保護(hù)膜厚度測(cè)定步驟中，向所述保護(hù)膜照射所述吸收劑所吸收的波長(zhǎng)的光來測(cè)定所述光譜，基于所述映射測(cè)定所述保護(hù)膜的厚度。本發(fā)明的測(cè)定裝置為了保護(hù)工件表面不受對(duì)工件進(jìn)行激光加工時(shí)產(chǎn)生的加工屑的影響，測(cè)定由水溶性樹脂形成的保護(hù)膜的厚度，所述水溶性樹脂含有吸收所述激光的波長(zhǎng)的光的吸收劑，該測(cè)定裝置的特征在于，具有光照射部，其向形成于工件表面的保護(hù)膜照射所述吸收劑所吸收的波長(zhǎng)的光；受光部，其接收所述吸收劑吸收來自所述光照射部的光而發(fā)出的光譜；存儲(chǔ)單元，其存儲(chǔ)表示與所述保護(hù)膜的厚度變化對(duì)應(yīng)的所述光譜的變化的映射；以及計(jì)算單元，其基于所述受光部接收到的光譜和所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的所述映射，求出所述保護(hù)膜的厚度。根據(jù)這些結(jié)構(gòu)，由于保護(hù)膜含有吸收加工用激光的波長(zhǎng)的光的吸收劑，因此，通過照射吸收劑所吸收的波長(zhǎng)的光，能夠制作表示與保護(hù)膜的厚度變化對(duì)應(yīng)的光譜變化的映射?；谠撚成?，能夠根據(jù)照射吸收劑所吸收的波長(zhǎng)的光而得到的光譜，高精度地測(cè)定保護(hù)膜的厚度。因此，能夠在保護(hù)膜的厚度保持為恒定的狀態(tài)下進(jìn)行激光加工，能夠抑制碎屑在工件上的附著，防止工件的品質(zhì)下降。另外，由于是測(cè)定保護(hù)膜吸收光而發(fā)出的光譜，因此能夠與工件種類無關(guān)地，基于同一映射來測(cè)定保護(hù)膜。另外，本發(fā)明在上述測(cè)定方法中，所述吸收劑所吸收的光的波長(zhǎng)至少包含250nm以上且380nm以下、或者460nm以上且650nm以下的任意一種波長(zhǎng)。根據(jù)本發(fā)明，由于形成在工件表面上的保護(hù)膜含有吸收激光波長(zhǎng)的光的吸收劑，因此，利用吸收劑所吸收的波長(zhǎng)的光，能夠高精度地且比以往的測(cè)定裝置更簡(jiǎn)單地測(cè)定保護(hù)膜的厚度。


圖1是表示本發(fā)明的測(cè)定方法的實(shí)施方式的圖，是激光加工裝置的立體圖。圖2是表示本發(fā)明的測(cè)定方法的實(shí)施方式的圖，是激光加工裝置的厚度測(cè)定處理的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。圖3是表示本發(fā)明的測(cè)定方法的實(shí)施方式的圖，是發(fā)光強(qiáng)度與保護(hù)膜的種類及厚度之間的關(guān)系的說明圖。圖4是表示本發(fā)明的測(cè)定方法的實(shí)施方式的圖，是厚度測(cè)定處理的說明圖。圖5是表示本發(fā)明的測(cè)定方法的實(shí)施方式的圖，是激光加工裝置的動(dòng)作的流程圖。圖6是本發(fā)明的測(cè)定方法的變形例，是激光加工裝置的厚度測(cè)定處理的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。符號(hào)說明1 激光加工裝置(測(cè)定裝置)；11 運(yùn)入運(yùn)出機(jī)構(gòu)；12 保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)；13 卡盤臺(tái)；14 激光加工單元；15 厚度測(cè)定單元；16 推挽機(jī)構(gòu)；18 運(yùn)送機(jī)構(gòu)；19 控制部(存儲(chǔ)單元、計(jì)算單元)；觀液狀樹脂供給部；52 測(cè)定頭；53 加工頭；54 攝像頭；55 測(cè)定用光源(光照射部)；56 半反射鏡(光照射部)；57 反射鏡(光照射部)；58、66 聚光透鏡(光照射部)；59:受光部；61:保護(hù)膜；65:白色光源(光照射部)；W:晶片(工件)。
具體實(shí)施例方式參照?qǐng)D1，對(duì)應(yīng)用了本發(fā)明的測(cè)定方法的激光加工裝置進(jìn)行說明。圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的激光加工裝置的立體圖。另外，應(yīng)用了本發(fā)明的測(cè)定方法的激光加工裝置不限于圖1所示的結(jié)構(gòu)。激光加工裝置可具有能夠?qū)ぜM(jìn)行激光加工的裝置的任意結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明的測(cè)定方法不限于應(yīng)用于圖1所示的激光加工裝置的結(jié)構(gòu)，例如也可以是應(yīng)用于與激光加工裝置分體的膜厚測(cè)定專用的測(cè)定裝置的結(jié)構(gòu)。如圖1所示，激光加工裝置1構(gòu)成為，在晶片W上形成防止碎屑附著的保護(hù)膜 61 (參照?qǐng)D2)，并且對(duì)成膜之后的晶片W進(jìn)行激光加工。晶片W形成為大致圓板狀，且被表面上排列成格子狀的未圖示的間隔道(分割預(yù)定線)劃分為多個(gè)區(qū)域。在由間隔道劃分出的各個(gè)區(qū)域中，形成有IC、LSI等器件。另外，晶片W通過粘貼帶63被支撐在環(huán)狀框體62 上，且在收納于盒2內(nèi)的狀態(tài)下被運(yùn)入和運(yùn)出激光加工裝置1。另外，在本實(shí)施方式中，作為工件，以硅晶片(Si)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)等晶片W為例進(jìn)行了說明，但不限于該結(jié)構(gòu)。例如，也可以將用于芯片安裝而設(shè)置在晶片W的背面的DAFG)ie Attach Film 晶片貼膜)等粘結(jié)部件、半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝、陶瓷、玻璃、藍(lán)寶石(Al2O3)系的無機(jī)材料基板、液晶顯示驅(qū)動(dòng)器等各種電子部件、要求微米級(jí)的加工位置精度的各種加工材料作為工件。激光加工裝置1具有立方體狀的底座部3 ；設(shè)置在底座部3的側(cè)方的運(yùn)入臺(tái)4 ；以及在底座部3及運(yùn)入臺(tái)4的后方直立地設(shè)置的立壁部5。在運(yùn)入臺(tái)4上，在前方側(cè)設(shè)置有用于載置盒2的運(yùn)入運(yùn)出機(jī)構(gòu)11，在后方側(cè)設(shè)置有保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)12，該保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)12 在晶片W表面上形成保護(hù)膜61，而且還對(duì)加工完的晶片W進(jìn)行清洗。在運(yùn)入運(yùn)出機(jī)構(gòu)11及保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)12的側(cè)方設(shè)置有卡盤臺(tái)13 ；對(duì)卡盤臺(tái)13上的晶片W進(jìn)行激光加工的激光加工單元14 ；在激光加工之前測(cè)定晶片W的保護(hù)膜61的厚度的厚度測(cè)定單元15。在運(yùn)入臺(tái)4的上表面設(shè)置有推挽機(jī)構(gòu)16，該推挽機(jī)構(gòu)16使晶片W進(jìn)出于載置在運(yùn)入運(yùn)出機(jī)構(gòu)11上的盒2。在運(yùn)入臺(tái)4的上表面上設(shè)置有一對(duì)導(dǎo)軌17，該一對(duì)導(dǎo)軌17在推挽機(jī)構(gòu)16的驅(qū)動(dòng)時(shí)，以可滑動(dòng)的方式引導(dǎo)晶片W。在一對(duì)導(dǎo)軌17與保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)12之間，設(shè)置有在底座部3及運(yùn)入臺(tái)4上進(jìn)行晶片W的交接的運(yùn)送機(jī)構(gòu)18。運(yùn)入運(yùn)出機(jī)構(gòu)11通過在載置著盒2的狀態(tài)下升降，來調(diào)整高度方向上的晶片W的進(jìn)出位置。推挽機(jī)構(gòu)16構(gòu)成為能夠在前后方向上移動(dòng)，設(shè)置有夾持晶片W的周圍的環(huán)狀框體62的夾持部23。夾持部23具有在上下方向上分離的一對(duì)平行板，由未圖示的氣動(dòng)致動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)。保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)12在形成于運(yùn)入臺(tái)4的上表面的開口部25的中央，具有保持晶片W的成膜用工作臺(tái)26。成膜用工作臺(tái)沈是吸附保持晶片W的真空卡盤式，在周圍設(shè)置有保持環(huán)狀框體62的4個(gè)夾具部27。該夾具部27以懸擺狀態(tài)支撐在從成膜用工作臺(tái)沈的四方延伸的支撐板上，基于由成膜用工作臺(tái)26的旋轉(zhuǎn)作用的離心力而被擺高，由此進(jìn)行夾持。在運(yùn)入臺(tái)4的上表面上，在成膜用工作臺(tái)沈的附近設(shè)置有液狀樹脂供給部28。液狀樹脂供給部觀在成膜用工作臺(tái)26上的晶片W的上表面涂布液狀樹脂。在晶片W上，作為液狀樹脂，涂布含有吸收激光波長(zhǎng)的光的吸收劑的聚乙烯醇(PVA)等水溶性樹脂。此時(shí)，在進(jìn)行使用了紫外線波段的激光線(例如355nm波長(zhǎng))的加工時(shí)，作為吸收劑，添加吸收紫外區(qū)的范圍(例如250nm以上且380nm以下的波長(zhǎng))的光的紫外線吸收劑。此時(shí)，例如使用二苯甲酮系、苯并三唑系、三嗪系、苯甲酸系的塑料添加劑。另外，在進(jìn)行使用了可見光波段的激光線(例如533nm的波長(zhǎng))的加工時(shí)，作為吸收劑，添加吸收可見光范圍(例如460nm 以上且650nm以下的波長(zhǎng))的光的光吸收劑。此時(shí)，例如使用水溶性染料化合物、水溶性色素化合物。并且，保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)12使成膜用工作臺(tái)沈下降而在運(yùn)入臺(tái)4的內(nèi)部高速旋轉(zhuǎn)，使液狀樹脂擴(kuò)散到晶片W的整面上，由此來進(jìn)行成膜。另外，保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)12還作為從加工完的晶片W去除保護(hù)膜61的清洗機(jī)構(gòu)發(fā)揮功能。在運(yùn)入臺(tái)4的內(nèi)部設(shè)置有未圖示的清洗噴嘴。當(dāng)把加工完的晶片W載置到成膜用工作臺(tái)沈上時(shí)，保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)12使成膜用工作臺(tái)沈經(jīng)由開口部25下降到運(yùn)入臺(tái)4內(nèi)。 然后，成膜用工作臺(tái)26在運(yùn)入臺(tái)4內(nèi)高速旋轉(zhuǎn)的同時(shí)被噴射清洗水，由此從晶片W上清洗去除水溶性樹脂的保護(hù)膜61。之后，成膜用工作臺(tái)沈在高速旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下被停止清洗水的噴射，對(duì)晶片W進(jìn)行干燥。運(yùn)送機(jī)構(gòu)18具有在上下方向上延伸的轉(zhuǎn)動(dòng)軸31 ；被支撐在轉(zhuǎn)動(dòng)軸31的上端的伸縮臂32 ；以及設(shè)置在伸縮臂32的末端，吸附保持晶片W的吸附保持部33。轉(zhuǎn)動(dòng)軸31構(gòu)成為能夠上下移動(dòng)且能夠轉(zhuǎn)動(dòng)，伸縮臂32構(gòu)成為能夠在延伸方向上伸縮。吸附保持部33 通過轉(zhuǎn)動(dòng)軸31的轉(zhuǎn)動(dòng)及伸縮臂32的伸縮來進(jìn)行水平面內(nèi)的位置調(diào)整，通過轉(zhuǎn)動(dòng)軸31的上下移動(dòng)進(jìn)行高度方向上的位置調(diào)整。 并且，運(yùn)送機(jī)構(gòu)18在激光加工之前，拾取一對(duì)導(dǎo)軌17上的晶片W，載置到成膜用工作臺(tái)沈上，拾取成膜用工作臺(tái)沈上的成膜完的晶片W，載置到卡盤臺(tái)13上。運(yùn)送機(jī)構(gòu)18 在激光加工之后，拾取卡盤臺(tái)13上的加工完的晶片W，載置到成膜用工作臺(tái)沈上，拾取成膜用工作臺(tái)沈上的清洗完的晶片W，送回到一對(duì)導(dǎo)軌17上。在底座部3的上表面上設(shè)置有卡盤臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)35，該卡盤臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)35對(duì)卡盤臺(tái)13在X軸方向上進(jìn)行加工進(jìn)給，并在Y軸方向上進(jìn)行分度進(jìn)給?？ūP臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)35具有在底座部3上沿X軸方向延伸的相互平行的一對(duì)導(dǎo)軌36 ；以及滑動(dòng)地設(shè)置在一對(duì)導(dǎo)軌 36上的電機(jī)驅(qū)動(dòng)的X軸工作臺(tái)37。另外，卡盤臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)35具有在X軸工作臺(tái)37上沿 Y軸方向延伸的相互平行的一對(duì)導(dǎo)軌38 ；以及可滑動(dòng)地設(shè)置在一對(duì)導(dǎo)軌38上的電機(jī)驅(qū)動(dòng)的 Y軸工作臺(tái)39。在Y軸工作臺(tái)39的上部設(shè)置著卡盤臺(tái)13。另外，在X軸工作臺(tái)37及Y軸工作臺(tái) 39的背面?zhèn)龋謩e形成有未圖示的螺母部，這些螺母部與滾珠絲杠41、42旋合。并且，在滾珠絲杠41、42的一端部上，分別連接著驅(qū)動(dòng)電機(jī)43、44，通過這些驅(qū)動(dòng)電機(jī)43、44對(duì)滾珠絲杠41、42進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)?？ūP臺(tái)13具有在Y軸工作臺(tái)39的上表面上能夠繞Z軸旋轉(zhuǎn)的θ工作臺(tái)45 ；以及設(shè)置在θ工作臺(tái)45上部的吸附保持晶片W的工件保持部46。工件保持部46是吸附保持晶片W的真空卡盤式，在其上表面利用多孔陶瓷材料形成有吸附面。吸附面是通過負(fù)壓而隔著粘貼帶63吸附晶片W的面，經(jīng)由θ工作臺(tái)45內(nèi)部的配管與吸引源連接。在工件保持部46的周圍，通過從θ工作臺(tái)45的四方朝徑向外側(cè)延伸的一對(duì)支撐臂設(shè)置有4個(gè)夾具部48。該4個(gè)夾具部48由氣動(dòng)致動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)，從四方夾持固定晶片W周圍的環(huán)狀框體62。在直立地設(shè)于卡盤臺(tái)13后方的立壁部5上，在前表面突出設(shè)置有臂部51。在臂部51的末端側(cè)橫向并排地設(shè)置有厚度測(cè)定單元15的測(cè)定頭52、激光加工單元14的加工頭 53、以及對(duì)準(zhǔn)用的攝像頭M。從測(cè)定頭52照射測(cè)定晶片W的保護(hù)膜61的厚度的測(cè)定光。 從加工頭53照射對(duì)晶片W進(jìn)行加工的激光線。從攝像頭M照射攝像用的照明光。在測(cè)定頭52、加工頭53、攝像頭M、臂部51、立壁部5內(nèi)，設(shè)置有各種光學(xué)系統(tǒng)。根據(jù)由含有吸收劑的水溶性樹脂形成的晶片W的保護(hù)膜61，將測(cè)定光調(diào)整為可吸收的波長(zhǎng)。例如，在紫外線波段中進(jìn)行激光加工時(shí)，如上所述，由于使用了能夠吸收紫外線波段的光的吸收劑，因此將測(cè)定光的波長(zhǎng)調(diào)整到紫外線的范圍內(nèi)。另外，在可見光波段中進(jìn)行激光加工時(shí)，由于使用了能夠吸收可見光的吸收劑，因此將測(cè)定光調(diào)整到可見光的范圍內(nèi)。厚度測(cè)定單元15通過接收因測(cè)定光的吸收而發(fā)出的保護(hù)膜61的熒光，來測(cè)定保護(hù)膜 61的厚度。此時(shí)，參照預(yù)先存儲(chǔ)在底座部3內(nèi)的控制部19中的、表示與保護(hù)膜61的厚度變化對(duì)應(yīng)的光譜(光譜分布)變化的映射，來測(cè)定保護(hù)膜61的厚度。并且，在保護(hù)膜61的厚度為規(guī)定范圍內(nèi)時(shí)，通過激光加工單元14開始激光加工，在保護(hù)膜61的厚度為規(guī)定范圍外時(shí)，在保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)12中重新形成保護(hù)膜61。如上所述，在激光加工單元14中，僅對(duì)保護(hù)膜61的厚度恒定的晶片W進(jìn)行激光加工。由此，改善了在進(jìn)行激光加工時(shí)因保護(hù)膜61的厚度引起的缺陷，抑制了碎屑在晶片W 上的附著而防止了晶片W的品質(zhì)下降。此時(shí)，由于在保護(hù)膜61中添加有吸收激光波長(zhǎng)的光的吸收劑，因此在進(jìn)行激光加工時(shí)，與晶片W的加工的同時(shí)地保護(hù)膜61也被去除。因此，通過晶片W的熱分解物的蒸汽等的壓力，使得保護(hù)膜61不會(huì)被剝離，從而還能夠防止因保護(hù)膜61的剝離引起的碎屑附著。通過攝像頭M的對(duì)準(zhǔn)處理對(duì)厚度測(cè)定單元15的測(cè)定位置以及激光加工單元14 的加工位置進(jìn)行位置調(diào)整。攝像頭M通過CXD等攝像元件對(duì)晶片W的表面進(jìn)行攝像，將攝像圖像輸出到底座部3內(nèi)的控制部19?？刂撇?9通過對(duì)預(yù)先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部中的基準(zhǔn)圖案與攝像圖像中包含的芯片圖案進(jìn)行匹配，來實(shí)施對(duì)準(zhǔn)處理。通過該對(duì)準(zhǔn)處理，能夠在進(jìn)行激光加工時(shí)沿著間隔道高精度地進(jìn)行激光加工。控制部19對(duì)激光加工裝置1進(jìn)行統(tǒng)一控制，由執(zhí)行各種處理的處理器(計(jì)算單元)、存儲(chǔ)部(存儲(chǔ)單元)等構(gòu)成。存儲(chǔ)部可根據(jù)用途而由ROM (Read Only Memory), RAM (Random Access Memory)等中的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)構(gòu)成。存儲(chǔ)部中存儲(chǔ)有在厚度測(cè)定處理、對(duì)準(zhǔn)處理、激光加工處理這各個(gè)處理中使用的控制程序等。另外，在存儲(chǔ)部中存儲(chǔ)有在厚度測(cè)定處理中使用的映射、在對(duì)準(zhǔn)處理中使用的基準(zhǔn)圖案。參照?qǐng)D2，對(duì)激光加工裝置的厚度測(cè)定處理的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行說明。圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式的激光加工裝置的厚度測(cè)定處理的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。另外，對(duì)于激光加工處理的激光光學(xué)系統(tǒng)、對(duì)準(zhǔn)處理的讀取光學(xué)系統(tǒng)省略了詳細(xì)的說明，但是只要是具有一般結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)就可以是任意的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，在激光加工裝置的光學(xué)系統(tǒng)中，設(shè)置有用于測(cè)定晶片W的保護(hù)膜61 的厚度的測(cè)定用光源陽(yáng)。測(cè)定用光源陽(yáng)被設(shè)定為能夠振蕩出由吸收劑吸收的波長(zhǎng)的測(cè)定光(在本實(shí)施方式中使用激光線)。在從測(cè)定用光源55射出的測(cè)定光的光路上，配置有半反射鏡56、反射鏡57、聚光透鏡58。半反射鏡56構(gòu)成為使從測(cè)定用光源55射出的測(cè)定光透過而導(dǎo)入到反射鏡57，使從晶片W的保護(hù)膜61發(fā)出的光經(jīng)由反射鏡57導(dǎo)入到受光部 59。測(cè)定用光源55、半反射鏡56、反射鏡57、聚光透鏡58作為向保護(hù)膜61照射測(cè)定光的光照射部發(fā)揮功能。受光部59通過未圖示的受光元件等將取決于測(cè)定光的吸收的保護(hù)膜61的發(fā)光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)而輸出到控制部19。在控制部19中，在進(jìn)行激光加工裝置1的加工頭53 的工作前的預(yù)備測(cè)定時(shí)，根據(jù)電壓信號(hào)制作光譜映射，此外，在激光加工裝置1的加工頭53 工作時(shí)，使用該映射測(cè)定保護(hù)膜的厚度。聚光透鏡58構(gòu)成為能夠在光軸方向上進(jìn)行驅(qū)動(dòng)， 調(diào)整測(cè)定光的聚光點(diǎn)。另外，聚光透鏡58由單透鏡或組合透鏡構(gòu)成。另外，關(guān)于映射的制作處理以及測(cè)定處理的詳細(xì)情況，將在后面進(jìn)行說明。從測(cè)定用光源55射出的測(cè)定光透過半反射鏡56而被反射鏡57向聚光透鏡58反射，由聚光透鏡58會(huì)聚而照射到晶片W的保護(hù)膜61上。保護(hù)膜61吸收測(cè)定光而發(fā)光。然后，保護(hù)膜61發(fā)出的光經(jīng)由聚光透鏡58而入射到反射鏡57，并在反射鏡57以及半反射鏡 56上發(fā)生反射而入射到受光部59。另外，在本實(shí)施方式中，雖然構(gòu)成為獨(dú)立地設(shè)置厚度測(cè)定處理、激光加工處理、對(duì)準(zhǔn)處理中使用的光學(xué)系統(tǒng)，但是也可以由共同的光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)成。 此時(shí)，作為測(cè)定光，可以將每單位面積的照射能量設(shè)定得較低而使用紫外線波段的加工用激光線。此處，參照?qǐng)D3對(duì)發(fā)光強(qiáng)度與保護(hù)膜的種類以及厚度之間的關(guān)系進(jìn)行說明。圖3 是本發(fā)明的實(shí)施方式的發(fā)光強(qiáng)度與保護(hù)膜的種類以及厚度之間的關(guān)系的說明圖。另外，圖 3示出了使用紫外線吸收劑作為吸收劑的情況，Wl表示A保護(hù)膜(厚度為2μπι)發(fā)出的光譜、W2表示A保護(hù)膜(厚度為0.8μπι)發(fā)出的光譜、W3表示B保護(hù)膜(厚度為2 μ m)發(fā)出的光譜、W4表示C保護(hù)膜(厚度為2 μ m)發(fā)出的光譜。另外，A保護(hù)膜的紫外線吸收劑的含有量比B保護(hù)膜少，C保護(hù)膜不含有紫外線吸收劑。通過上述的厚度測(cè)定單元15，向保護(hù)膜61照射紫外線波段的測(cè)定光來測(cè)定發(fā)光強(qiáng)度，由此能夠得到與保護(hù)膜61的任意厚度對(duì)應(yīng)的光譜。進(jìn)而，通過改變保護(hù)膜61的種類以及厚度，例如能夠得到如圖3所示的測(cè)定數(shù)據(jù)。如圖3所示，A保護(hù)膜Ο.Ομπι)發(fā)出的光譜Wl在從大致360nm到大致560nm的波段中，發(fā)光強(qiáng)度以弧線形變化。B保護(hù)膜O. 0 μ m) 發(fā)出的光譜W3在從大致360nm到大致560nm以上的波段中，發(fā)光強(qiáng)度以弧線形變化，發(fā)光強(qiáng)度的峰值比A保護(hù)膜Ο.Ομπι)高。對(duì)于C保護(hù)膜(2. 0 μ m)發(fā)出的光譜W4，由于保護(hù)膜61中不含有紫外線吸收劑，因此發(fā)光強(qiáng)度以0的狀態(tài)而不發(fā)生變化。如上所述，根據(jù)保護(hù)膜61的種類不同，光譜的分布不同。A保護(hù)膜(0.8μπι)的光譜W2的發(fā)光強(qiáng)度比A保護(hù)膜Ο.Ομπι)的光譜Wl低。如上所述，在同一種類的保護(hù)膜61的情況下，在規(guī)定的波段中，發(fā)光強(qiáng)度與保護(hù)膜61的厚度相應(yīng)地變化。在本發(fā)明中，利用與該保護(hù)膜61的厚度變化對(duì)應(yīng)的發(fā)光強(qiáng)度的變化，來測(cè)定晶片W的保護(hù)膜61的厚度。參照?qǐng)D4，對(duì)厚度測(cè)定處理進(jìn)行說明。圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式的厚度測(cè)定處理的說明圖。另外，圖4所示的分布只不過是一例，可適當(dāng)變更測(cè)定對(duì)象的膜厚、閾值等。另外， 在圖4的例子中，為了確定能夠明確由保護(hù)膜的膜厚等引起的發(fā)光強(qiáng)度差異的規(guī)定波長(zhǎng)， 制作了表示寬波段的發(fā)光強(qiáng)度分布的映射，但不限于該結(jié)構(gòu)。也可以不是示出圖4所示的寬波段的發(fā)光強(qiáng)度分布的映射，而僅利用預(yù)定的規(guī)定波長(zhǎng)附近的測(cè)定結(jié)果來制作映射。如圖4(a)所示，在進(jìn)行激光加工裝置1的加工頭53的工作前的預(yù)備測(cè)定時(shí)，制作光譜的映射。具體地講，準(zhǔn)備保護(hù)膜61的厚度T按規(guī)定間隔從Tc^m變化到Τ4μπι的多個(gè)晶
8片W，對(duì)各晶片W照射測(cè)定光。并且，通過測(cè)定保護(hù)膜61發(fā)出的光譜，將與保護(hù)膜61的厚度變化對(duì)應(yīng)的光譜數(shù)據(jù)輸入到控制部19?？刂撇?9根據(jù)光譜數(shù)據(jù)制作映射并進(jìn)行存儲(chǔ)。此時(shí)，各保護(hù)膜61的厚度的光譜在曲線圖內(nèi)兩端的波段中發(fā)光強(qiáng)度為0，在規(guī)定波長(zhǎng)L附近由保護(hù)膜61的膜厚引起的發(fā)光強(qiáng)度差異變得明確，因此可知，作為測(cè)定光的波長(zhǎng)，更優(yōu)選為L(zhǎng) 附近。在激光加工裝置1的加工頭53的工作時(shí)的厚度測(cè)定處理中，基于如上所述制作的光譜映射，測(cè)定晶片W的保護(hù)膜61的厚度。例如，如圖4(b)所示，在光譜的映射中設(shè)定發(fā)光強(qiáng)度的閾值、到t5，通過照射測(cè)定光來對(duì)保護(hù)膜61發(fā)出的光譜的規(guī)定波長(zhǎng)L附近的發(fā)光強(qiáng)度與閾值t進(jìn)行比較，由此測(cè)定保護(hù)膜61的厚度。在圖4的例子中，保護(hù)膜61的厚度的測(cè)定值在比閾值、大且為閾值、以下的發(fā)光強(qiáng)度下為Ttl μ m、在比閾值、大且為閾值t2 以下的發(fā)光強(qiáng)度下為T1 μ m、在比閾值t2大且為閾值t3以下的發(fā)光強(qiáng)度下為T2 μ m、在比閾值t3大且為閾值t4以下的發(fā)光強(qiáng)度下為T3 μ m、在比閾值t4大且為閾值t5以下的發(fā)光強(qiáng)度下為T4μ m。另外，保護(hù)膜61的厚度的測(cè)定值在為閾值、以下的發(fā)光強(qiáng)度下為Ttlμ m以下、 在為閾值t5以上的發(fā)光強(qiáng)度下為T4 μ m以上。另外，在本實(shí)施方式中，雖然構(gòu)成為根據(jù)光譜的規(guī)定波長(zhǎng)L附近的發(fā)光強(qiáng)度來測(cè)定保護(hù)膜61的厚度，但不限于該結(jié)構(gòu)。也可以構(gòu)成為根據(jù)光譜的多個(gè)部分或整體來測(cè)定保護(hù)膜61的厚度。此處，參照?qǐng)D5對(duì)激光加工裝置的動(dòng)作進(jìn)行說明。圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式的激光加工裝置的動(dòng)作的流程圖。在激光加工裝置1的加工頭53工作之前，進(jìn)行預(yù)備測(cè)定而制作光譜的映射。此處，通過運(yùn)送機(jī)構(gòu)18將未形成有保護(hù)膜61的用于制作映射的晶片W運(yùn)送到保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)12，在晶片W的表面上以達(dá)到規(guī)定厚度的方式形成保護(hù)膜61 (保護(hù)膜形成步驟步驟S01)。另外，在保護(hù)膜形成步驟中使用以往的膜厚測(cè)定裝置來確認(rèn)保護(hù)膜 61為規(guī)定的厚度。接著，通過運(yùn)送機(jī)構(gòu)18將晶片W運(yùn)送到卡盤臺(tái)13，在保護(hù)膜61上照射吸收劑所吸收的波長(zhǎng)的測(cè)定光，從而測(cè)定與保護(hù)膜61的任意厚度對(duì)應(yīng)的光譜(光譜測(cè)定步驟步驟S02)。并且，在保護(hù)膜形成步驟中使形成在晶片W上的保護(hù)膜61的厚度變化而重復(fù)進(jìn)行必要次數(shù)的光譜測(cè)定步驟，從而測(cè)定多個(gè)厚度的保護(hù)膜61發(fā)出的光譜。測(cè)定結(jié)果被輸入到控制部19而制作表示與保護(hù)膜的厚度變化對(duì)應(yīng)的光譜變化的映射(映射制作步驟)。然后，結(jié)束映射制作步驟，從而結(jié)束預(yù)備測(cè)定。另外，通過攝像頭M的對(duì)準(zhǔn)處理來調(diào)整保護(hù)膜61的測(cè)定位置。接著，當(dāng)激光加工裝置的加工頭53工作時(shí)，通過推挽機(jī)構(gòu)16將加工對(duì)象的晶片W 從盒2內(nèi)拉出到一對(duì)導(dǎo)軌17上，通過運(yùn)送機(jī)構(gòu)18將晶片W運(yùn)送到保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)12的成膜用工作臺(tái)沈上。在保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)12中，在加工對(duì)象的晶片W的表面上以達(dá)到規(guī)定厚度的方式形成保護(hù)膜61 (步驟SO； )。此處，從液狀樹脂供給部觀對(duì)成膜用工作臺(tái)沈上的晶片W涂布液狀樹脂。然后，成膜用工作臺(tái)沈在運(yùn)入臺(tái)4的內(nèi)部高速旋轉(zhuǎn)，從而用液狀樹脂對(duì)晶片W的整個(gè)表面進(jìn)行成膜。接著，通過運(yùn)送機(jī)構(gòu)18將晶片W運(yùn)送到卡盤臺(tái)13，通過卡盤臺(tái)13將晶片W定位到測(cè)定頭52的下方。當(dāng)晶片W被定位到測(cè)定頭52的下方時(shí)，測(cè)定晶片W的保護(hù)膜61的厚度 (保護(hù)膜厚度測(cè)定步驟步驟S04)。此處，通過攝像頭M進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)處理，將測(cè)定頭52的測(cè)定位置調(diào)整到保護(hù)膜61上的任意位置。通過測(cè)定頭52向保護(hù)膜61照射測(cè)定光，檢測(cè)因保護(hù)膜61的吸收劑對(duì)測(cè)定光的吸收而發(fā)出的光譜的規(guī)定波長(zhǎng)處的發(fā)光強(qiáng)度。然后，在控制部 19中根據(jù)光譜的映射測(cè)定保護(hù)膜61的厚度。接著，在控制部19中判定保護(hù)膜61的厚度是否處于規(guī)定范圍內(nèi)(步驟S05)。此處，例如對(duì)在保護(hù)膜厚度測(cè)定步驟中測(cè)定的保護(hù)膜61的厚度與在映射制作步驟中預(yù)先確定的判定用的上限閾值和下限閾值進(jìn)行比較。并且，在保護(hù)膜61的厚度為下限閾值以上且上限閾值以下的情況下，判定為處于規(guī)定范圍內(nèi)，是恰當(dāng)厚度的保護(hù)膜61。在保護(hù)膜61的厚度比下限閾值小或比上限閾值大的情況下，判定為處于規(guī)定范圍外，是過厚或過薄的保護(hù)膜61。另外，步驟S05的判定處理是在保護(hù)膜61上的幾個(gè)部位(例如，5個(gè)部位)進(jìn)行的。另外，關(guān)于判定步驟，只要能夠確定保護(hù)膜61的厚度異常即可，例如也可以根據(jù)幾個(gè)部位的厚度偏差來進(jìn)行判定。當(dāng)判定為保護(hù)膜61的厚度為規(guī)定范圍內(nèi)時(shí)(步驟S05 “是”)，開始進(jìn)行激光加工 (步驟S06)。此處，將加工頭53的射出口對(duì)準(zhǔn)至晶片W的間隔道，沿著間隔道照射激光線。 此時(shí)，由于晶片W的保護(hù)膜61已形成為恰當(dāng)?shù)暮穸龋虼四軌蚋纳埔虮Ｗo(hù)膜61的厚度引起的缺陷，抑制碎屑在晶片W上的附著，防止晶片W的品質(zhì)下降。另外，由于在保護(hù)膜61中含有吸收激光線的吸收劑，因此在通過激光線去除保護(hù)膜61的同時(shí)對(duì)晶片W進(jìn)行激光加工。 由此，還能夠防止因保護(hù)膜61的剝離引起的碎屑附著。接著，當(dāng)對(duì)晶片W的所有間隔道進(jìn)行了加工后，通過運(yùn)送機(jī)構(gòu)18將加工完的晶片 W從卡盤臺(tái)13運(yùn)送到保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)12的成膜用工作臺(tái)26。在本實(shí)施方式中，由于將水溶性樹脂用作保護(hù)膜61，因此在保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)12中，要從加工完的晶片W上清洗去除保護(hù)膜(步驟S07)。此處，在運(yùn)入臺(tái)4內(nèi)部噴射清洗水的同時(shí)，成膜用工作臺(tái)沈高速旋轉(zhuǎn)， 從而碎屑同保護(hù)膜61 —起從晶片W表面被洗掉。然后，通過運(yùn)送機(jī)構(gòu)18將清洗完的晶片 W從成膜用工作臺(tái)26運(yùn)送到一對(duì)導(dǎo)軌17，通過推挽機(jī)構(gòu)16將晶片W收納到盒2中。另一方面，當(dāng)判定為保護(hù)膜61的厚度為規(guī)定范圍外時(shí)(步驟S05 “否”)，判定保護(hù)膜厚度測(cè)定步驟中針對(duì)晶片W形成保護(hù)膜61的形成次數(shù)是否為η以下(步驟S08)。在判定為保護(hù)膜61的形成次數(shù)為規(guī)定次數(shù)η以下時(shí)(步驟S08 “是”)，運(yùn)送到保護(hù)膜形成機(jī)構(gòu)12中，通過與步驟S07相同的清洗處理從晶片W將保護(hù)膜61洗掉(步驟S09)，回到步驟 S03重新形成保護(hù)膜61。而在判定為保護(hù)膜61的形成次數(shù)比規(guī)定次數(shù)η多時(shí)(步驟S08 “否”)，通過控制部19輸出錯(cuò)誤而停止激光加工裝置1(步驟S10)。另外，雖然是在進(jìn)行步驟S03的保護(hù)膜形成處理時(shí)，對(duì)保護(hù)膜61的形成次數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)，但也可以構(gòu)成為在進(jìn)行步驟S04的保護(hù)膜61的厚度測(cè)定時(shí)以及步驟S05的判定處理時(shí)進(jìn)行計(jì)數(shù)。另外，激光加工裝置1在對(duì)多個(gè)晶片進(jìn)行加工時(shí)，重復(fù)進(jìn)行與個(gè)數(shù)相應(yīng)次數(shù)的工作時(shí)的處理(步驟S03 步驟 S10)。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的測(cè)定方法，基于表示與保護(hù)膜61的厚度變化對(duì)應(yīng)的光譜變化的映射，根據(jù)對(duì)保護(hù)膜61照射吸收劑所吸收的測(cè)定光而得到的發(fā)光強(qiáng)度，能夠高精度地、且比以往的測(cè)定裝置更簡(jiǎn)單地測(cè)定保護(hù)膜61的厚度。因此，容易準(zhǔn)備與加工裝置的臺(tái)數(shù)相應(yīng)量的測(cè)定裝置，且容易組裝到加工裝置中，能夠在保持保護(hù)膜61的厚度恒定的狀態(tài)下進(jìn)行激光加工，能夠抑制碎屑在晶片W上的附著，防止晶片W的品質(zhì)下降。另外，由于保護(hù)膜61吸收測(cè)定光而發(fā)光，因此，能夠與晶片W的種類無關(guān)地，基于相同的映射來測(cè)定保護(hù)膜61。
另外，作為光學(xué)系統(tǒng)，例如也可以使用圖6所示的射光式的光學(xué)系統(tǒng)。另外，雖然圖6示出了用可見光進(jìn)行激光加工時(shí)使用的厚度測(cè)定用的光學(xué)系統(tǒng)，但也可以應(yīng)用于用紫外光進(jìn)行激光加工時(shí)使用的厚度測(cè)定用的光學(xué)系統(tǒng)。如圖6所示，在該光學(xué)系統(tǒng)的照射系統(tǒng)側(cè)，設(shè)置了用于測(cè)定晶片W的保護(hù)膜61的厚度的、作為測(cè)定用光源的白色光源65。白色光源65構(gòu)成為傾斜地照射保護(hù)膜61的表面，在從白色光源65射出的、包含吸收劑所吸收的波長(zhǎng)的光的測(cè)定光的光路上，配置有調(diào)整測(cè)定光的焦點(diǎn)的聚光透鏡66。白色光源65以及聚光透鏡66作為向保護(hù)膜61照射測(cè)定光的光照射部發(fā)揮功能。在該光學(xué)系統(tǒng)的受光系統(tǒng)側(cè)設(shè)置有受光部69，該受光部69接收從吸收了測(cè)定光后的保護(hù)膜61的吸收劑發(fā)出的光而測(cè)定發(fā)光強(qiáng)度。在從保護(hù)膜61朝向受光部69的光的光路上，配置有截?cái)嗳我獠ㄩL(zhǎng)的光以外的光的帶通濾波器67、將通過了帶通濾波器67后的光會(huì)聚到受光部69的受光面上的聚光透鏡68。另外，聚光透鏡66、68是由單透鏡或組合透鏡構(gòu)成。從白色光源65射出的測(cè)定光被聚光透鏡66會(huì)聚而傾斜地照射到晶片W的表面。 保護(hù)膜61通過吸收劑吸收測(cè)定光，通過測(cè)定光的吸收而發(fā)光。然后，來自晶片W的光經(jīng)由帶通濾波器67、聚光透鏡68而入射到受光部69。另外，也可以構(gòu)成為，代替帶通濾波器67， 通過分光器對(duì)來自保護(hù)膜61的光進(jìn)行分光，由此獲取任意波長(zhǎng)的光。另外，在上述的實(shí)施方式中，作為表示保護(hù)膜的厚度與光譜之間的關(guān)系的測(cè)定數(shù)據(jù)，使用了映射形式的數(shù)據(jù)，但不限于該結(jié)構(gòu)。測(cè)定數(shù)據(jù)只要是表示保護(hù)膜的厚度與光譜之間的關(guān)系的數(shù)據(jù)即可，例如也可以是表示與保護(hù)膜的厚度變化對(duì)應(yīng)的、因保護(hù)膜的發(fā)光引起的光譜變化的表形式的數(shù)據(jù)。另外，在上述的實(shí)施方式中，是通過含有吸收劑的水溶性樹脂來形成保護(hù)膜，但不限于該結(jié)構(gòu)。保護(hù)膜只要含有吸收劑即可，也可由水溶性樹脂以外的樹脂材料來形成。另外，此次公開的實(shí)施方式在所有方面均只是例示，并不限于該實(shí)施方式。本發(fā)明的范圍是通過權(quán)利要求書來表示的，而不是僅由上述的實(shí)施方式的說明來表示，旨在包含與權(quán)利要求書等同的含義以及范圍內(nèi)的所有變更。如以上說明，本發(fā)明具有能夠利用吸收劑所吸收的波長(zhǎng)的光來高精度地測(cè)定工件的保護(hù)膜厚度的效果，特別對(duì)于通過激光加工來分割工件的激光加工裝置中所采用的測(cè)定方法以及測(cè)定裝置是有用的。
權(quán)利要求
1.一種測(cè)定方法，該測(cè)定方法為了保護(hù)工件表面不受對(duì)工件進(jìn)行激光加工時(shí)產(chǎn)生的加工屑的影響，測(cè)定由水溶性樹脂形成的保護(hù)膜的厚度，所述水溶性樹脂含有吸收所述激光的波長(zhǎng)的光的吸收劑，該測(cè)定方法的特征在于，包括以下步驟保護(hù)膜形成步驟，利用含有所述吸收材料的水溶性樹脂，在工件表面上以達(dá)到規(guī)定厚度的方式形成所述保護(hù)膜；光譜測(cè)定步驟，在所述保護(hù)膜形成步驟之后，向形成于工件表面的所述保護(hù)膜照射所述吸收劑所吸收的波長(zhǎng)的光，接收并測(cè)定因該光的吸收而由所述吸收劑發(fā)出的光譜；以及映射制作步驟，改變?cè)谒霰Ｗo(hù)膜形成步驟中形成的所述保護(hù)膜的厚度而進(jìn)行所述光譜測(cè)定步驟，由此制作表示與所述保護(hù)膜的厚度變化對(duì)應(yīng)的所述光譜的變化的映射，在測(cè)定涂布于工件表面的所述保護(hù)膜的厚度時(shí)，實(shí)施保護(hù)膜厚度測(cè)定步驟，在該保護(hù)膜厚度測(cè)定步驟中，向所述保護(hù)膜照射所述吸收劑所吸收的波長(zhǎng)的光來測(cè)定所述光譜，基于所述映射測(cè)定所述保護(hù)膜的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)定方法，其特征在于，所述吸收劑所吸收的光的波長(zhǎng)至少包含250nm以上且380nm以下、或者460nm以上且650nm以下的任意一種波長(zhǎng)。
3.一種測(cè)定裝置，該測(cè)定裝置為了保護(hù)工件表面不受對(duì)工件進(jìn)行激光加工時(shí)產(chǎn)生的加工屑的影響，測(cè)定由水溶性樹脂形成的保護(hù)膜的厚度，所述水溶性樹脂含有吸收所述激光的波長(zhǎng)的光的吸收劑，該測(cè)定裝置的特征在于，具有光照射部，其向形成于工件表面的保護(hù)膜照射所述吸收劑所吸收的波長(zhǎng)的光；受光部，其接收所述吸收劑吸收來自所述光照射部的光而發(fā)出的光譜；存儲(chǔ)單元，其存儲(chǔ)表示與所述保護(hù)膜的厚度變化對(duì)應(yīng)的所述光譜的變化的映射；以及計(jì)算單元，其基于所述受光部接收到的光譜和所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的所述映射，求出所述保護(hù)膜的厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供測(cè)定方法以及測(cè)定裝置，能夠高精度地測(cè)定形成于工件表面的保護(hù)膜的厚度。本發(fā)明的測(cè)定方法包括以下步驟在晶片(W)上形成含有光吸收劑的保護(hù)膜(61)；向保護(hù)膜(61)照射測(cè)定光，接收因測(cè)定光的吸收而由保護(hù)膜(61)發(fā)出的光；參照表示與事先制作的保護(hù)膜(61)的厚度變化對(duì)應(yīng)的、因保護(hù)膜(61)的發(fā)光引起的光譜變化的測(cè)定數(shù)據(jù)，根據(jù)保護(hù)膜(61)的發(fā)光強(qiáng)度測(cè)定保護(hù)膜(61)的厚度。
文檔編號(hào)B23K26/00GK102564328SQ20111035121
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月8日
發(fā)明者北原信康, 大浦幸伸, 高橋邦充 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科