專利名稱：一種氮?dú)獗Ｗo(hù)的二極管焊接工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對二極管焊接工藝的改進(jìn)。
背景技術(shù)：
二極管采用隧道爐焊接時，一般采用液態(tài)氮或者自制氮?dú)鈱ΧO管焊接過程實(shí)施保護(hù)，液態(tài)氮/自制氮?dú)馔ㄟ^管道與焊接爐連接輸入，輸入氮?dú)獾臏囟仍?5-18°C。而二極管焊接過程，由于采用的是高溫焊片(焊片成分:Pb:Sn:Ag=92.5%:5%:
2.5%，固相線溫度287°C，液相線溫度296°C)，為了保證良好的焊錫浸潤效果，焊接過程的峰值溫度通常采用350°C -390°C (根據(jù)保護(hù)氣體中氫氣含量選擇不同的焊接溫度)。在焊接過程的高溫區(qū)后，常溫氮?dú)膺M(jìn)入焊接爐高溫區(qū)，對焊接過程的電子器件產(chǎn)生溫度沖擊，導(dǎo)致電極遇冷，在溫度沖擊時熱脹冷縮，產(chǎn)生形變。電極在熱脹冷縮產(chǎn)生形變，并因此影響焊料的浸潤性，在焊料逐漸進(jìn)入凝固狀態(tài)時，產(chǎn)生作用于芯片的應(yīng)力作用，對器件芯片產(chǎn)生應(yīng)力破壞，損傷芯片的硅單晶結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對以上問題，提供了一種能避免保護(hù)氣體對工件產(chǎn)生溫度沖擊的氮?dú)獗Ｗo(hù)的二極管焊接工藝。本發(fā)明的技術(shù)方案是:所述焊接過程在隧道爐內(nèi)進(jìn)行，在焊接時，往所述隧道爐內(nèi)通入氮?dú)?，所述氮?dú)膺M(jìn)入所述隧道爐時的溫度為150-180°C，流量為25m3/h。所述爐內(nèi)壓力保持在0.101325MPa。本發(fā)明通過對氮?dú)庾骷訜崽幚砗筝斎胨淼罓t內(nèi)部，減少常溫氮?dú)鈱t內(nèi)焊接空間的溫度分布產(chǎn)生擾動，使焊接空間的溫度均勻、一致和穩(wěn)定，改善焊料在電極和芯片之間的濕潤性。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的焊接過程在隧道爐內(nèi)進(jìn)行，在焊接時，往所述隧道爐內(nèi)通入氮?dú)猓龅獨(dú)膺M(jìn)入所述隧道爐時的溫度為150-180°c，流量為25m3/h。所述爐內(nèi)壓力保持在0.101325MPa。實(shí)施本發(fā)明的步驟如下:
1、開啟焊接爐加熱、控制電源和氮?dú)饧訜嵫b置開關(guān)；
2、在氮?dú)鉁囟冗_(dá)到150°C以上，并在焊接爐溫度達(dá)到工藝要求時進(jìn)入空石墨舟用以平衡焊接爐膛溫度；
3、放入裝載待焊接品的石墨舟；
4、石墨舟出爐，并打開上模。
權(quán)利要求
1.一種氮?dú)獗Ｗo(hù)的二極管焊接工藝，所述焊接過程在隧道爐內(nèi)進(jìn)行，在焊接時，往所述隧道爐內(nèi)通入氮?dú)?，其特征在于，所述氮?dú)膺M(jìn)入所述隧道爐時的溫度為150-180°C，流量為25m3/h。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮?dú)獗Ｗo(hù)的二極管焊接工藝，其特征在于，所述爐內(nèi)壓力保持在0.101325MPao
全文摘要
一種氮?dú)獗Ｗo(hù)的二極管焊接工藝。涉及對二極管焊接工藝的改進(jìn)。提供了一種能避免保護(hù)氣體對工件產(chǎn)生溫度沖擊的氮?dú)獗Ｗo(hù)的二極管焊接工藝。所述焊接過程在隧道爐內(nèi)進(jìn)行，在焊接時，往所述隧道爐內(nèi)通入氮?dú)?，所述氮?dú)膺M(jìn)入所述隧道爐時的溫度為150-180℃，流量為25m3/h。所述爐內(nèi)壓力保持在0.101325MPa。本發(fā)明通過對氮?dú)庾骷訜崽幚砗筝斎胨淼罓t內(nèi)部，減少常溫氮?dú)鈱t內(nèi)焊接空間的溫度分布產(chǎn)生擾動，使焊接空間的溫度均勻、一致和穩(wěn)定，改善焊料在電極和芯片之間的濕潤性。
文檔編號B23K1/008GK103111699SQ20111036488
公開日2013年5月22日 申請日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月17日
發(fā)明者王永彬 申請人:揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司