專利名稱：形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，特別涉及一種激光活化離子注入的雜質(zhì)源形成太陽電池?fù)诫s區(qū)或者選擇性摻雜區(qū)的方法，該方法包括在太陽電池上形成N型摻雜(η++)區(qū)或者形成P型摻雜(ρ++)區(qū)，屬于光伏摻雜技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
由于常規(guī)能源供給的有限性和環(huán)保壓力的增加，目前世界上許多國家掀起了開發(fā)利用太陽能和可再生能源的熱潮，太陽能利用技術(shù)得到了快速的發(fā)展，其中利用半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)將太陽能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿膽?yīng)用越來越廣泛。而太陽電池就是其中最為普遍的被用來將太陽能轉(zhuǎn)換為電能的器件。在實(shí)際應(yīng)用中，一般是以由多個太陽電池串聯(lián)(以互連條焊接串聯(lián)連接)而成的電池組件作為基本的應(yīng)用單元。摻雜是太陽電池制備過程中的基本工藝，是指人為地將所需要的雜質(zhì)以一定的方式(熱擴(kuò)散、離子注入)摻入到硅片表面薄層，并使其達(dá)到規(guī)定的數(shù)量和符合要求的分布形式。摻雜不僅可以制造ρη結(jié)，還可以制造電阻、歐姆接觸、互連線等。其中，離子注入是指將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動能后，注入到硅片(稱為“靶”)中而實(shí)現(xiàn)摻雜質(zhì)。離子注入到硅片中的雜質(zhì)源大部分都停留在硅原子的間隙位置處，而處在這個位置上的雜質(zhì)原子是不會釋放出載流子的，也就不會改變半導(dǎo)體的電特性，從而達(dá)不到摻雜的目的。離子注入摻雜后必須經(jīng)過適當(dāng)?shù)耐嘶鹛幚?又稱為活化，annealing)，使得注入的雜質(zhì)原子與晶格中的硅原子鍵合而釋放出載流子，從而改變導(dǎo)體的電特性，這個過程稱為雜質(zhì)原子的電激活，退火處理也可以減少注入損傷。合適的退火工藝可以將注入雜質(zhì)激活，將二次缺陷降低到最小。目前在太陽電池領(lǐng)域中，離子注入摻雜劑形成的發(fā)射極主要利用高溫活化形成，而離子注入形成的選擇性發(fā)射極需要在重?fù)诫s區(qū)域加大注入劑量，然后利用高溫活化形成，此活化工藝所需溫度一般在900 110(TC左右，一般利用快速熱處理(Rapid ThermalProcessing,RTP)與管式退火爐進(jìn)行。雖然能夠滿足摻雜要求，但是所需活化工藝溫度太高，而且工藝比較復(fù)雜，特別是活化的高溫工藝會使得硅片的本體少子壽命大幅下降，因此工藝適應(yīng)性比較差，不適用于硅片質(zhì)量較差的硅片，特別是目前需求量最大的多晶硅片。另外高溫工藝是高能耗工藝，活化成本較高，而且高溫活化工藝只能在電池工藝的前端工序中進(jìn)行，不適用在后端工序中進(jìn)行，工藝靈活性較小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，目的是解決高溫活化存在的對硅片質(zhì)量要求高、工藝復(fù)雜以及活化成本高的問題。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的第一種技術(shù)方案是:一種形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，包括以下步驟:
(I)在一半導(dǎo)體基片的表面形成一鈍化層；(2)采用離子注入的方法，穿過所述鈍化層在所述半導(dǎo)體基片上形成雜質(zhì)源區(qū)；(3)采用激光照射所述雜質(zhì)源區(qū)使其活化以得到太陽電池?fù)诫s區(qū)。在一較佳實(shí)施例中，所述鈍化層的厚度為IOnm 500nm。優(yōu)選的范圍為60nm 300nm。在一較佳實(shí)施例中，所述激光的發(fā)生器為脈沖激光器或者連續(xù)波激光器；所述激光的波長范圍為從紫外波段到紅外波段；所述激光的功率為2W IOW ;所述激光的速度為1mm/s 6000mm/s。在一較佳實(shí)施例中，所述鈍化層也為減反層。在一較佳實(shí)施例中，所述鈍化層為氮化硅鈍化層、二氧化硅鈍化層或者三氧化二鋁鈍化層。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的第二種技術(shù)方案是:一種形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，包括以下步驟:(I)采用離子注入的方法，在一半導(dǎo)體基片上形成雜質(zhì)源區(qū)；(2)在所述半導(dǎo)體基片上具有所述雜質(zhì)源區(qū)的那一側(cè)表面形成一鈍化層；(3)采用激光照射所述雜質(zhì)源區(qū)使其活化以得到太陽電池?fù)诫s區(qū)。在一較佳實(shí)施例中，所述鈍化層的厚度為IOnm 500nm。優(yōu)選的范圍為60nm 300nmo在一較佳實(shí)施例中，所述激光的發(fā)生器為脈沖激光器或者連續(xù)波激光器；所述激光的波長范圍為從紫外波段到紅外波段；所述激光的功率為2W IOW ;所述激光的速度為1mm/s 6000mm/s。在一較佳實(shí)施例中，所述鈍化層也為減反層。在一較佳實(shí)施例中，所述鈍化層為氮化硅鈍化層、二氧化硅鈍化層或者三氧化二鋁鈍化層。上述技術(shù)方案中的有關(guān)內(nèi)容解釋如下:1、上述方案中，所述鈍化層形成于半導(dǎo)體基片(硅片)的整個表面。但是，所述雜質(zhì)源區(qū)可以形成于半導(dǎo)體基片(硅片)的整個表面(例如在均勻結(jié)太陽能電池的制結(jié)步驟中，需要在半導(dǎo)體基片的一側(cè)整個表面形成摻雜區(qū))或者局部表面(如在制作選擇性發(fā)射極太陽電池時，半導(dǎo)體基片表面指的是電極柵線下及其附近形成重?fù)诫s深擴(kuò)散區(qū))。2、上述方案中，所述半導(dǎo)體基片可以為N型單晶娃片、N型多晶娃片、P型單晶娃片或者P型多晶硅片。3、上述方案中，所述激光發(fā)生器可以采用常見的激光器如:氬氟激光(紫外光、波長193納米)、氪氟激光(紫外光、波長248納米)、氙氯激光(紫外光、波長308納米)、氮激光(紫外光、波長337納米)、氬激光(藍(lán)光、波長488納米)、氬激光(綠光、波長514納米)、氦氖激光(綠光、波長543納米)、氦氖激光(紅光、波長633納米)、羅丹明6G染料(可調(diào)光、波長570 650納米)、紅寶石(CrAlO3)(紅光、波長694納米)、釹-釔鋁石榴石(近紅外光、波長1064納米)以及二氧化碳(遠(yuǎn)紅外光、波長10600納米)。波長范圍可以在20納米 10600納米選擇。由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效果:
1、本發(fā)明采用激光對摻雜區(qū)進(jìn)行活化，由于激光的速度、功率調(diào)節(jié)方便快捷，響應(yīng)速度快，從而可以實(shí)現(xiàn)對摻雜濃度、摻雜深度、摻雜區(qū)寬度的精確控制，使得工藝條件簡化。2、本發(fā)明可在室溫下進(jìn)行，所需溫度低，從而可以適應(yīng)質(zhì)量較差的單晶硅片以及普通的多晶硅片。


附圖1為ρ型硅片離子注入五價元素后示意圖；附圖2為ρ型硅片離子注入五價元素后，使用激光對離子注入?yún)^(qū)特定部位進(jìn)行照射不意圖；附圖3為ρ型硅片離子注入五價元素后，使用激光對離子注入?yún)^(qū)特定部位進(jìn)行照射后形成區(qū)域性的η++示意圖；附圖4為ρ型硅片離子注入三價元素后示意圖；附圖5為ρ型硅片離子注入三價元素后，使用激光對離子注入?yún)^(qū)特定部位進(jìn)行照射不意圖；附圖6為ρ型硅片離子注入三價元素后，使用激光對離子注入?yún)^(qū)特定部位進(jìn)行照射后形成區(qū)域性的P++示意圖；附圖7為ρ型硅片采用離子注入和激光活化工藝在兩個表面分別形成區(qū)域性的η++和ρ++不意具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述:實(shí)施例一:形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法參見附圖1、附圖2和附圖3所示，一種形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，以該方法制備選擇性發(fā)射極太陽電池，具體操作步驟為:①、選取電阻率在0.5-3 Ω.cm的P型單晶硅片1，在NaOH和異丙醇的混合溶液中，在90°C的溫度下，對硅片表面進(jìn)行絨面腐蝕，得到大小均勻的絨面后，再在稀鹽酸和氫氟酸溶液中浸泡5分鐘，最后用去離子水漂洗干凈后甩干。②、使用常規(guī)擴(kuò)散爐(常規(guī)熱擴(kuò)散工藝)，采用三氯氧磷(POCl3)對硅片表面進(jìn)行磷擴(kuò)散，擴(kuò)散時硅片在石英舟上背對背放置，擴(kuò)散爐恒溫區(qū)為800-100(TC，擴(kuò)散時間為10-50分鐘,擴(kuò)散后在娃片表面形成一層η型發(fā)射結(jié)2。③、擴(kuò)散后娃片表面會形成一層磷娃玻璃(含有五氧化二磷的二氧化娃)，由于其穩(wěn)定性和光學(xué)匹配性不良，將影響電池的性能而必須將其去除，采用氫氟酸能夠溶解二氧化硅，因為氫氟酸能與二氧化硅作用生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。另外，擴(kuò)散后的硅片四周有一層較薄的ρη結(jié)，使得硅片正面和背面直接導(dǎo)通產(chǎn)生漏電，采用濕法刻蝕機(jī)，使用氫氟酸和硝酸的混合液對硅片四周的Pn結(jié)進(jìn)行腐蝕。④、在硅片的η型發(fā)射結(jié)表面的局部區(qū)域進(jìn)行離子注入磷(P)摻雜劑，摻雜劑也可以是磷同族的砷(As)、銻(Sb)或鉍(Bi)。該步驟即為采用離子注入的方法，在一半導(dǎo)體基片(硅片)上的局部區(qū)域形成雜質(zhì)源區(qū)。注入劑量在lE15Cm_2-lE16Cm_2，注入深度在
0.2um_10umo
⑤、在離子注入后的硅片表面采用PECVD形成一層氮化硅作為鈍化層3，其厚度為60 70納米，其同時也是太陽電池的減反層。如附圖1所示，該步驟即為在所述半導(dǎo)體基片(硅片)上具有所述雜質(zhì)源區(qū)的那一側(cè)表面形成一鈍化層(鈍化層形成于硅片的整個表面，而不是僅僅局限于雜質(zhì)源區(qū))。⑥、為得到期望的器件特性，根據(jù)摻雜劑的擴(kuò)散深度和激活比例按需要選擇激光照射條件，本實(shí)施例的具體條件為:激光4束源使用了調(diào)Q NdiYVO4激光器，其通過使頻率加倍而發(fā)射具有波長為λ = 532nm。脈沖頻率在IOkHz ΙΟΟΚΗζ，最佳脈沖能量密度在2 6J/cm_2的范圍內(nèi)。通過圓柱透鏡引導(dǎo)激光束以產(chǎn)生線性焦點(diǎn)，圓柱透鏡具有f = 200mm的焦距。通過物鏡將激光束成像在硅晶片上，該物鏡具有f = 50mm的焦距。使用激光對太陽電池正面柵線下方區(qū)域照射進(jìn)行活化，如附圖2所示，經(jīng)過激光照射后會在氮化硅表面進(jìn)行開槽，并且在開槽的區(qū)域形成η++重?fù)诫s區(qū)5，如附圖3所示，該區(qū)域的摻雜濃度和深度可以通過改變激光器的發(fā)射能量來進(jìn)行調(diào)節(jié)，該重?fù)诫s區(qū)作為太陽能電池的選擇性發(fā)射極，與后面將要提到的金屬化工藝形成良好的歐姆接觸。該步驟即為激光活化雜質(zhì)源區(qū)以得到選擇性深擴(kuò)散重?fù)诫s區(qū)。所述激光的功率為7W ;所述激光的速度為2500mm/s。⑦、采用絲網(wǎng)印刷的方法在硅片背面形成銀電極和一層鋁膜，然后進(jìn)行烘干。⑧、采用絲網(wǎng)印刷的方法在上述經(jīng)過激光活化所形成的η++重?fù)诫s區(qū)5域印刷一層銀漿，然后進(jìn)行烘干。⑨、將硅片放置于燒結(jié)爐中，在氮?dú)鈿夥罩屑訜岬剿铚囟冗M(jìn)行快速燒結(jié)。經(jīng)過燒結(jié)后，硅片背面形成一個鋁背場，硅片正面的銀和η++重?fù)诫s區(qū)5形成良好的歐姆接觸，而沒有形成η++重?fù)诫s區(qū)5的發(fā)射極可以為擴(kuò)散濃度低、擴(kuò)散深度小的結(jié)構(gòu)，從而有效提高藍(lán)光響應(yīng)。現(xiàn)在電池完成，并可進(jìn)行測試。該方法制備的太陽電池為選擇性發(fā)射極太陽電池，當(dāng)然利用本發(fā)明的技術(shù)也可以制作均勻結(jié)太陽能電池和背面局部接觸電池，從而有效提高太陽電池的電性能。針對現(xiàn)有技術(shù)(高溫活化)存在工藝溫度高，工藝條件復(fù)雜等缺點(diǎn)，本發(fā)明使用激光對摻雜區(qū)域進(jìn)行活化，工藝在室溫下進(jìn)行，所需工藝溫度低，完全適用于質(zhì)量較差的單晶硅片以及普通的多晶硅片。另外，活化工藝簡單，工藝控制精確，結(jié)合離子注入與激光參數(shù)的控制，可以實(shí)現(xiàn)對摻雜濃度、摻雜深度、摻雜區(qū)寬度的精確控制。重要的是該方法可以在硅片表面輕松實(shí)現(xiàn)選擇性活化，在需要進(jìn)行金屬接觸的高濃度摻雜區(qū)，通過控制激光參數(shù)可以進(jìn)行重?fù)诫s，降低接觸電阻，從而降低太陽電池的串聯(lián)電阻，提高太陽電池的填充因子。更重要的是，該工藝還可以完美配合背面鈍化結(jié)構(gòu)，在背面形成局部高濃度摻雜區(qū)，制作背面局部接觸電池。所述鈍化層也可以為下例技術(shù)方案:1、氧化鋁(Al2O3)層和氮化硅(SiNx)層構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)；2、二氧化硅(SiO2)層和氮化硅(SiNx)層構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。所述鈍化層的作用:(1)減反射作用，能夠減少激光活化時激光的反射，增加硅片表面的激光能量。(2)緩沖作用，能夠減少激光對硅片表面造成的損傷，提升活化后硅片的品質(zhì)。(這一點(diǎn)對于活化工藝比較重要，從表面上看是活化后的槽比較窄。如果沒有這一層膜(鈍化層)，硅片損傷比較大，槽比較寬，氧化硅在這方面的作用比氮化硅要好，但是氧化硅的折射率比較低，不適合做減反射層，還有一點(diǎn)是氧化硅是高溫工藝)。(3)鈍化作用，t匕如采用氮化硅，PECVD沉積氮化硅能對硅片表面以及硅體進(jìn)行有效的鈍化，提高少子壽命，增加太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率。當(dāng)先形成鈍化層再離子注入摻雜劑時還能夠降低離子注入對硅片表面的損傷。實(shí)施例二、形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法參見附圖4、附圖5和附圖6所示，一種形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，以該方法制備得到的太陽電池的背面接觸結(jié)構(gòu)，具體操作步驟為:①、按照實(shí)施例一中的步驟①、②、③進(jìn)行硅片的制備。②、如附圖4所示，在P型單晶硅片I的背表面形成一層二氧化硅作為鈍化層3。該步驟即為在一半導(dǎo)體基片(硅片)的表面(整個表面)形成一鈍化層。③、在硅片的背表面進(jìn)行離子注入硼(B)摻雜劑，摻雜劑也可以是硼同族的鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)。該步驟即為采用離子注入的方法，穿過所述鈍化層(二氧化硅鈍化層)在所述半導(dǎo)體基片上形成雜質(zhì)源區(qū)。④、為得到期望的器件特性，根據(jù)摻雜劑的擴(kuò)散深度和激活比例按需要選擇激光照射條件。使用激光4對太陽電池背部區(qū)域照射進(jìn)行活化，照射區(qū)域的圖形可以為點(diǎn)，也可以為線，如附圖5所示，經(jīng)過激光照射后會在二氧化硅表面進(jìn)行開槽，并且在開槽的區(qū)域形成P++重?fù)诫s區(qū)6，如附圖6所示，該區(qū)域的摻雜濃度和深度可以通過改變激光器的發(fā)射能量來進(jìn)行調(diào)節(jié)，該重?fù)诫s區(qū)可以作為太陽能電池的局部接觸點(diǎn)或局部接觸線，與后面將要提到的金屬化工藝形成良好的歐姆接觸。⑤、采用絲網(wǎng)印刷或者熱蒸發(fā)或者濺射的方法在硅片背表面形成一層鋁膜和銀電極，并進(jìn)行烘干。⑥、采用絲網(wǎng)印刷的方法在硅片正表面印刷具有一定柵線結(jié)構(gòu)的銀漿，并進(jìn)行烘干。⑦、將硅片放置于燒結(jié)爐中，在氮?dú)鈿夥罩屑訜岬剿铚囟冗M(jìn)行快速燒結(jié)。經(jīng)過燒結(jié)后，硅片正面的銀和擴(kuò)散區(qū)域形成歐姆接觸，硅片背面的鋁和經(jīng)激光活化后形成的P++重?fù)诫s區(qū)6形成良好的歐姆接觸，而未形成P++區(qū)域的地方則被氮化硅進(jìn)行鈍化，有效的減小了表面復(fù)合。現(xiàn)在電池完成，并可進(jìn)行測試。采用的激光的功率為5W ;所述激光的速度為500mm/s。實(shí)施例三、形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法采用激光活化同時進(jìn)行選擇性發(fā)射極(該方法同實(shí)例一)和背面局部接觸(該方法同實(shí)施例二)的制備。在上述兩個實(shí)施例的基礎(chǔ)上可以在硅片上形成既具有正面選擇性發(fā)射極，也具有背面局部接觸結(jié)構(gòu)的太陽電池，其結(jié)構(gòu)示意圖如附圖7所示。采用的激光的功率為3W ;所述激光的速度為5000mm/s。實(shí)施例四、形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法采用離子注入和激光活化代替高溫擴(kuò)散磷(或硼)形成ρη結(jié)。在ρ (η)型硅片表面，采用離子注入磷源(或硼源)，再沉積一層鈍化層，然后使用激光掃描硅片表面進(jìn)行活化，形成PU結(jié)。對于P型電池，可以用此方法代替絲網(wǎng)印刷形成的鋁背場或者高溫擴(kuò)硼工藝形成的B背場。對于η型太陽能電池，可以用此方法快速形成較好的B發(fā)射結(jié)，取代常規(guī)的高溫擴(kuò)硼工藝形成的B發(fā)射結(jié)或者絲網(wǎng)印刷形成的Al背結(jié)，在此基礎(chǔ)上可以制作太陽能電池。
采用的激光的功率為9W ;所述激光的速度為80mm/s。上述實(shí)施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，其特征在于:包括以下步驟: (1)在一半導(dǎo)體基片的表面形成一鈍化層； (2)采用離子注入的方法，穿過所述鈍化層在所述半導(dǎo)體基片上形成雜質(zhì)源區(qū)； (3)采用激光照射所述雜質(zhì)源區(qū)使其活化以得到太陽電池?fù)诫s區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，其特征在于:所述鈍化層的厚度為 IOnm 500nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，其特征在于:所述激光的發(fā)生器為脈沖激光器或者連續(xù)波激光器；所述激光的波長范圍為從紫外波段到紅外波段；所述激光的功率為2W IOW ;所述激光的速度為lmm/s 6000mm/s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，其特征在于:所述鈍化層也為減反層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，其特征在于:所述鈍化層為氮化硅鈍化層、二氧化硅鈍化層或者三氧化二鋁鈍化層。
6.一種形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，其特征在于:包括以下步驟: (1)采用離子注入的方法，在一半導(dǎo)體基片上形成雜質(zhì)源區(qū)； (2)在所述半導(dǎo)體基片上具有所述雜質(zhì)源區(qū)的那一側(cè)表面形成一鈍化層； (3)采用激光照射所述雜質(zhì)源區(qū)使其活化以得到太陽電池?fù)诫s區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，其特征在于:所述鈍化層的厚度為 IOnm 500nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，其特征在于:所述激光的發(fā)生器為脈沖激光器或者連續(xù)波激光器；所述激光的波長范圍為從紫外波段到紅外波段；所述激光的功率為2W IOW ;所述激光的速度為lmm/s 6000mm/s。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，其特征在于:所述鈍化層也為減反層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，其特征在于:所述鈍化層為氮化硅鈍化層、二氧化硅鈍化層或者三氧化二鋁鈍化層。
全文摘要
一種形成太陽電池?fù)诫s區(qū)的方法，包括以下步驟(1)在一半導(dǎo)體基片的表面形成一鈍化層；(2)采用離子注入的方法，穿過所述鈍化層在所述半導(dǎo)體基片上形成雜質(zhì)源區(qū)；(3)采用激光照射所述雜質(zhì)源區(qū)使其活化以得到太陽電池?fù)诫s區(qū)。本發(fā)明采用激光對摻雜區(qū)進(jìn)行活化，由于激光的速度、功率調(diào)節(jié)方便快捷，響應(yīng)速度快，從而可以實(shí)現(xiàn)對摻雜濃度、摻雜深度、摻雜區(qū)寬度的精確控制，使得工藝條件簡化。
文檔編號B23K26/00GK103187478SQ20111046037
公開日2013年7月3日 申請日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
發(fā)明者王振交, 韓培育, 金光耀, 陸紅艷 申請人:無錫尚德太陽能電力有限公司