晶圓片激光加工方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種晶圓片激光加工方法，其包括如下步驟：提供一晶圓片；將所述晶圓片置于一貼膜機上進行晶圓片背面貼膜；在貼膜機上于晶圓片的外圍罩設(shè)環(huán)狀元件，環(huán)狀元件的內(nèi)緣覆蓋晶圓片的外緣，環(huán)狀元件的底面貼膜；將貼膜的晶圓片及環(huán)狀元件定位于激光切割設(shè)備中，激光沿所述晶圓片的外露于所述環(huán)狀元件外的切割道進行激光切割；拆卸所述環(huán)狀元件；去除所述晶圓片的背面貼膜；在所述晶圓片的背面鍍金屬。本發(fā)明的晶圓片激光加工方法中，通過所述環(huán)狀元件將所述晶圓片的外緣覆蓋住而不被切割，使得切割后的晶圓片在后續(xù)加工中保證了邊緣的強度，整體上保證了所述晶圓片的完整性、可操作強度，也不易破裂，大大地增加了加工的良率，降低破片率。
【專利說明】晶圓片激光加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶圓片激光加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著市場需求的不斷增加，LED制造業(yè)對產(chǎn)能、成品率和發(fā)光亮度的要求越來越高。激光加工技術(shù)已經(jīng)成為LED制造業(yè)首要的工具，成為高亮度LED晶圓加工的行業(yè)標準。
[0003]激光劃片使得晶圓微裂紋以及微裂紋擴張大大減少，LED單體之間的距離大大減小，這樣不但提高產(chǎn)能，而且增加了生產(chǎn)效率。這里所說的激光劃片指的是激光切割晶圓片。
[0004]目前，晶圓片的生產(chǎn)工藝開始轉(zhuǎn)向在晶圓片上背鍍金屬，以達到提高輝度的目的。然而在背鍍金屬之后，再進行劃片工藝，就無法在晶圓片上形成劃痕，所以目前的生產(chǎn)工藝改為背鍍金屬之前進行劃片，然而，在劃片時，激光由所述晶圓片的邊緣沿切割道切割所述晶圓片。在后續(xù)去除所述晶圓片背面的貼膜的工序中，所述晶圓片邊緣極易因撕膜力的作用而破裂，影響后續(xù)加工，無法滿足生產(chǎn)的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實施例的目的在于提供一種晶圓片激光加工方法，旨在解決傳統(tǒng)的晶圓片加工工藝中劃片后晶圓片邊緣因撕膜力作用而破裂的問題。
[0006]本發(fā)明實施例是這樣實現(xiàn)的，一種晶圓片激光加工方法，其包括如下步驟:
[0007]提供一晶圓片，所述晶圓片具有正面及帶有電極的背面，所述晶圓片的背面設(shè)置有切割道；
[0008]將所述晶圓片置于一貼膜機上進行晶圓片背面貼膜；
[0009]在貼膜機上于所述晶圓片的外圍罩設(shè)一環(huán)狀元件，所述環(huán)狀元件的內(nèi)緣覆蓋所述晶圓片的外緣，所述環(huán)狀元件的底面貼膜；
[0010]將貼膜的晶圓片及環(huán)狀元件定位于一激光切割設(shè)備中，所述激光切割設(shè)備發(fā)出的激光沿所述晶圓片的外露于所述環(huán)狀元件外的切割道進行激光切割；
[0011]拆卸所述環(huán)狀元件；
[0012]去除所述晶圓片的背面貼膜；
[0013]在所述晶圓片的正面鍍金屬。
[0014]本發(fā)明的晶圓片激光加工方法中，通過所述環(huán)狀元件將所述晶圓片的外緣覆蓋住而不被切割，使得切割后的晶圓片在后續(xù)加工中保證了邊緣的強度，整體上保證了所述晶圓片的完整性、可操作強度，也不易破裂，大大地增加了加工的良率，降低破片率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明實施例提供的晶圓片激光加工方法所需要的環(huán)狀元件的示意圖。
[0016]圖2是本發(fā)明實施例提供的晶圓片激光加工方法的環(huán)狀元件使用方式示意圖。[0017]圖3是本發(fā)明實施例提供的晶圓片激光加工方法的去膜示意圖。
【具體實施方式】
[0018]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0019]請參閱圖1至圖3，本發(fā)明實施例提供的晶圓片激光加工方法包括如下步驟:
[0020]提供一晶圓片10,所述晶圓片10具有正面11及帶有電極(圖未不)的背面12,所述晶圓片10的背面12設(shè)置有切割道(圖未示)；
[0021]將所述晶圓片10置于一貼膜機(圖未示)上進行晶圓片10背面貼膜，所貼的膜為白膜30 ；
[0022]在貼膜機上于所述晶圓片10的外圍罩設(shè)一環(huán)狀元件20，所述環(huán)狀元件20的內(nèi)緣覆蓋所述晶圓片10的外緣，所述環(huán)狀元件20的底面貼膜；
[0023]將貼膜的晶圓片10及環(huán)狀元件20定位于一激光切割設(shè)備中，所述激光切割設(shè)備發(fā)出的激光沿所述晶圓片10的外露于所述環(huán)狀元件20外的切割道進行激光切割；
[0024]拆卸所述環(huán)狀元件20 ；
[0025]去除所述晶圓片10的背面貼膜，也就是去除白膜30 ；
[0026]在所述晶圓片10的正面鍍金屬。
[0027]本發(fā)明的晶圓片激光加工方法中，通過所述環(huán)狀元件20將所述晶圓片10的外緣覆蓋住而不被切割，使得切割后的晶圓片10在后續(xù)加工中保證了邊緣的強度，整體上保證了所述晶圓片10的完整性、可操作強度，也不易破裂，大大地增加了加工的良率，降低破片率，降低了下游LED加工的難度，提高了產(chǎn)品良率。
[0028]所述環(huán)狀元件20覆蓋于所述晶圓片10的外緣。所述環(huán)狀元件20的內(nèi)徑小于所述晶圓片10的外徑，在劃片過程中，由于所述環(huán)狀元件20的保護，使得所述晶圓片10外圍不被激光劃到，從而保證了晶圓外圍完整性。在所述晶圓片10被切割的部分形成一道劃痕13。
[0029]在晶圓片10的正面鍍金屬之后還包括于所述晶圓片10的背面貼膜、裂片、倒膜及擴膜的步驟。所述裂片是將切割后的晶圓片10在裂片機上進行裂片，此時，除了晶圓片10被切割的部分和未被切割的部分均進行了裂片。所述倒膜是在所述晶圓片10的正面貼膜之后去除所述晶圓片10背面的貼膜。所述擴膜是將所述晶圓片10切割后所形成的晶粒的距離拉大，以便于對各個晶粒進行測試，并且于測試過程中，不會傷及周邊的晶粒。
[0030]進一步地，所述環(huán)狀元件20由金屬制成，例如鐵。
[0031]進一步地,所述環(huán)狀元件20的厚度范圍為0.4mnT0.7mm。所述環(huán)狀元件20的內(nèi)緣底面開設(shè)有容置所述晶圓片10的外緣的臺階形凹槽21。所述臺階形凹槽21在所述環(huán)狀元件20的厚度方向上的深度范圍為0.lmnT0.4mm。所述環(huán)狀元件20的內(nèi)緣所覆蓋的晶圓片10的外緣寬度范圍為0.2mnTl.5mm。
[0032]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶圓片激光加工方法，其包括如下步驟: 提供一晶圓片，所述晶圓片具有正面及帶有電極的背面，所述晶圓片的背面設(shè)置有切割道; 將所述晶圓片置于一貼膜機上進行晶圓片背面貼膜； 在貼膜機上于所述晶圓片的外圍罩設(shè)一環(huán)狀元件，所述環(huán)狀元件的內(nèi)緣覆蓋所述晶圓片的外緣，所述環(huán)狀元件的底面貼膜； 將貼膜的晶圓片及環(huán)狀元件定位于一激光切割設(shè)備中，所述激光切割設(shè)備發(fā)出的激光沿所述晶圓片的外露于所述環(huán)狀元件外的切割道進行激光切割； 拆卸所述環(huán)狀元件； 去除所述晶圓片的背面貼膜； 在所述晶圓片的正面鍍金屬。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于:在晶圓片的正面鍍金屬之后還包括于所述晶圓片的背面貼膜、裂片、倒膜及擴膜的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于:所述環(huán)狀元件由金屬制成。
4.如權(quán)利要求1-3任一項所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于:所述環(huán)狀元件的厚度范圍為0.4_?0.7mm。
5.如權(quán)利要求1-3任一項所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于:所述環(huán)狀元件的內(nèi)緣底面開設(shè)有容置所述晶圓片的外緣的臺階形凹槽，所述臺階形凹槽在所述環(huán)狀元件的厚度方向上的深度范圍為0.lmnT0.4mm。
6.如權(quán)利要求1-3任一項所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于:所述環(huán)狀元件內(nèi)緣所覆蓋的晶圓片的外緣寬度范圍為0.2mnTl.5mm。
【文檔編號】B23K26/38GK103545254SQ201210246764
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2012年7月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月17日
【發(fā)明者】高昆, 葉樹鈴, 莊昌輝, 邴虹, 李瑜, 馬國東, 劉立文, 楊振華, 高云峰 申請人:深圳市大族激光科技股份有限公司