激光加工裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種激光加工裝置，能夠抑制在激光加工時(shí)產(chǎn)生的碎片附著在吸塵構(gòu)件的吸引路。激光加工裝置的特征在于，具有加工頭（36），該加工頭（36）用于對被加工物照射激光光束，加工頭包括：吸塵構(gòu)件（70），其配置于聚光透鏡（39）和被加工物之間，對由聚光透鏡聚光后的激光光束照射到被加工物而產(chǎn)生的碎片進(jìn)行收集，吸塵構(gòu)件具有吸引路（78），該吸引路（78）的一端與吸引源連接，而另一端則朝被加工物的上表面開口，激光加工裝置還具有清洗液供給構(gòu)件（82），該清洗液供給構(gòu)件（82）用于將清洗液供給到吸引路。
【專利說明】激光加工裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及對晶片等被加工物的表面照射激光光束，從而實(shí)施燒蝕加工的激光加
エ裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]通過激光加工裝置對表面形成有ICXIntegrated Circuit:集成電路)、LSI(LargeScale Integration:大規(guī)模集成電路)等器件的半導(dǎo)體晶片、或在表面形成有LED (LightEmitting Diode:發(fā)光二極管)等光器件的光器件晶片的分割預(yù)定線照射激光光束,從而在晶片的表面形成沿著分割預(yù)定線的激光加工槽。
[0003]對具有沿著分割預(yù)定線的激光加工槽的晶片施加外力，由此將晶片分割成ー個個器件。將ー個ー個器件組裝到便攜電話、PC (Personal Computer:個人計(jì)算機(jī))、LED燈等電子設(shè)備，由此制造出各種電子設(shè)備。
[0004]在該加工エ序中，公知了這樣的內(nèi)容:當(dāng)對半導(dǎo)體晶片或光器件晶片照射相對于晶片具有吸收性的波長的激光光束時(shí)，稱為碎片的細(xì)微的粉塵產(chǎn)生和飛散而堆積在器件的表面，使器件的品質(zhì)降低。
[0005]作為其對策，提出了在預(yù)先涂布保護(hù)膜后實(shí)施激光加工，連保護(hù)膜一起將附著在保護(hù)膜上的碎片清洗除去的加工方法、和具有沿著聚光用物鏡的光軸噴出空氣的噴出口并且具有從噴出口的四周吸引碎片進(jìn)行吸塵的吸塵器的加工裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2、專利文獻(xiàn)3、以及專利文獻(xiàn)4)。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開`2007-69249號公報(bào)
[0008]專利文獻(xiàn)2:日本特開2011-189400號公報(bào)
[0009]專利文獻(xiàn)3:日本特開2006-032419號公報(bào)
[0010]專利文獻(xiàn)4:日本特開2011-121099號公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]但是，在實(shí)際加工時(shí)，保護(hù)膜自身氣化而附著堆積在吸引碎片的機(jī)構(gòu)。這時(shí)，需要除去堆積的碎片以避免堆積的碎片再次下落到晶片，從而需要頻繁的保養(yǎng)，或沿著聚光用物鏡的光軸噴出的空氣沒有充分地發(fā)揮其功能，而碎片附著在聚光用物鏡等光學(xué)系統(tǒng)部件。
[0012]在連續(xù)加工晶片時(shí)，包括保護(hù)膜的飛散物的碎片堆積在吸塵器的吸引路而粘合為冰柱狀。當(dāng)碎片一旦粘合在吸引路時(shí)，即使清洗也很難除去碎片。當(dāng)碎片粘合在吸引路時(shí)，產(chǎn)生這樣的問題:由于碎片導(dǎo)致吸引路的吸引力降低，無法充分地對在加工晶片時(shí)產(chǎn)生的碎片進(jìn)行吸塵。
[0013]本發(fā)明是鑒于上述而完成的發(fā)明，其目的在于提供一種激光加工裝置，能夠抑制在激光加工時(shí)產(chǎn)生的碎片附著在聚光器等光學(xué)部件以及吸引路，即使碎片的一部分附著在吸引路也能夠清洗吸引路，能夠防止碎片粘合在吸引路。
[0014]根據(jù)第一方面記載的發(fā)明，提供一種激光加工裝置，其特征在于，具有:保持構(gòu)件，其用于保持被加工物；以及激光光束照射構(gòu)件，其包括:激光光束振蕩構(gòu)件；和將上述激光光束振蕩構(gòu)件振蕩出的激光光束照射到被加工物的加工頭，該激光光束照射構(gòu)件對保持在上述保持構(gòu)件的被加工物實(shí)施燒蝕加工，上述加工頭包括:聚光透鏡，其用于對從上述激光光束振蕩構(gòu)件振蕩出的激光光束進(jìn)行聚光；以及吸塵構(gòu)件，其配置于上述聚光透鏡和被加エ物之間，對由上述聚光透鏡聚光后的激光光束照射到被加工物而產(chǎn)生的碎片進(jìn)行收集，上述吸塵構(gòu)件具有吸引路，該吸引路的一端與吸引源連接，而另一端則向保持于上述保持構(gòu)件的被加工物的上表面開ロ，上述激光加工裝置還具有清洗液供給構(gòu)件，該清洗液供給構(gòu)件用于將清洗液供給到上述吸引路。
[0015]優(yōu)選的是，上述清洗液供給構(gòu)件具有:清洗液噴出口，其朝向上述吸引路開ロ ；以及清洗液供給路，其一端與上述清洗液噴出口連通，其另一端與清洗液供給源連接。
[0016]優(yōu)選的是，上述清洗液供給構(gòu)件具有蓄積清洗液的清洗液蓄積槽，在預(yù)定的時(shí)機(jī)將上述加工頭浸泡在上述清洗液蓄積槽，并且在上述加工頭浸泡在上述清洗液蓄積槽的狀態(tài)下使上述吸引源工作，由此清洗上述吸引路。
[0017]根據(jù)第四方面記載的發(fā)明，提供一種激光加工裝置的吸引路的清洗方法，其特征在于，具有:加工步驟，對被加工物實(shí)施燒蝕加工；退避步驟，在實(shí)施了上述加工步驟后，使上述加工頭從被加工物退避；以及清洗步驟，在實(shí)施了上述退避步驟后，使上述清洗液供給構(gòu)件工作來清洗上述吸引路。
[0018]發(fā)明效果
[0019]本發(fā)明的激光加工裝置能夠抑制在激光加工時(shí)產(chǎn)生的碎片附著在聚光器等光學(xué)部件以及吸引路，并且由于具有即使碎片的一部分附著在吸引路也能夠?qū)⑶逑匆汗┙o到吸引路的清洗液供給構(gòu)件，所以能夠清洗吸引路能夠防止碎片粘合在吸引路。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是表示本發(fā)明第I實(shí)施方式的激光加工裝置的結(jié)構(gòu)例的立體圖。
[0021]圖2是示意性地表示激光加工裝置的激光光束照射構(gòu)件與卡盤工作臺等的結(jié)構(gòu)的圖。
[0022]圖3是表示激光加工裝置的保護(hù)送風(fēng)構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0023]圖4是本發(fā)明第2實(shí)施方式的沿著圖3中的IV-1V線的剖視圖。
[0024]圖5是激光加工裝置的激光加工方法的流程圖。
[0025]標(biāo)號說明
[0026]2 激光加工裝置
[0027]4 卡盤工作臺(保持構(gòu)件)
[0028]6 激光光束照射構(gòu)件
[0029]8 保護(hù)送風(fēng)構(gòu)件
[0030]10碎片排出構(gòu)件
[0031]12控制構(gòu)件
[0032]34清洗液蓄積槽[0033]35清洗液供給噴嘴
[0034]36加工頭
[0035]37激光光束振蕩構(gòu)件
[0036]38聚光器
[0037]40透明部件
[0038]41聚光透鏡
[0039]46保護(hù)送風(fēng)機(jī)構(gòu)
[0040]52縮徑部
[0041]68氣簾送風(fēng)噴出機(jī)構(gòu)
[0042]70吸塵構(gòu)件
[0043]76吸引 ロ
[0044]78吸引路
[0045]80吸引源
[0046]82清洗液供給構(gòu)件
·[0047]82A清洗液供給構(gòu)件
[0048]84清洗液噴出ロ
[0049]86清洗液供給路
[0050]88清洗液供給源
【具體實(shí)施方式】
[0051]參照附圖同時(shí)對用于實(shí)施本發(fā)明的方式(實(shí)施方式)進(jìn)行詳細(xì)地說明。參照圖1，示出了表示本發(fā)明第I實(shí)施方式的激光加工裝置的結(jié)構(gòu)例的立體圖。
[0052]激光加工裝置2將保護(hù)膜P (圖4等所示)暫時(shí)覆蓋到晶片(相當(dāng)于被加工物)W，然后使卡盤工作臺(相當(dāng)于保持構(gòu)件)4、與激光光束照射構(gòu)件6相對移動，其中上述卡盤エ作臺4保持覆蓋了該保護(hù)膜P的晶片W，由此對晶片W實(shí)施燒蝕加工，從而在晶片W形成加エ槽S (圖4所示)。
[0053]激光加工裝置2包括:保持晶片W的卡盤工作臺4、激光光束照射構(gòu)件6的加工頭36、未圖示的攝像構(gòu)件、配設(shè)在加工頭36的碎片排出構(gòu)件10、以及控制構(gòu)件12。
[0054]另外，激光加工裝置2還包括:收納盒14，其用于收納激光加工前后的晶片W ;臨時(shí)放置構(gòu)件16，其用于臨時(shí)性地裝載激光加工前后的晶片W ;以及保護(hù)膜形成兼清洗構(gòu)件18，其用于將保護(hù)膜P覆蓋到激光加工前的晶片W且從激光加工后的晶片W除去保護(hù)膜P。
[0055]另外，激光加工裝置2包括:未圖示的X軸移動構(gòu)件，其用于使卡盤工作臺4和激光光束照射構(gòu)件6在X軸方向相對移動；未圖示的Y軸移動構(gòu)件，其用于使卡盤工作臺4和激光光束照射構(gòu)件6在Y軸方向相對移動；以及未圖示的Z軸移動構(gòu)件，其用于使卡盤工作臺4和激光光束照射構(gòu)件6在Z軸方向相對移動。
[0056]收納盒14收納多個經(jīng)粘接帶T粘貼在環(huán)狀框架F的晶片W。收納盒14裝載在收納盒升降機(jī)15上，該收納盒升降機(jī)15在Z軸方向升降自如地設(shè)置在激光加工裝置的裝置主體20。
[0057]臨時(shí)放置構(gòu)件16包括:搬出搬入構(gòu)件22，其用于從收納盒14取出激光加工前的晶片W并且將激光加工后的晶片W插入到收納盒14內(nèi)；以及一對軌道24，其用于臨時(shí)性地裝載激光加工前后的晶片W。
[0058]利用第I搬送構(gòu)件26來搬送一對軌道24上的激光加工前的晶片W至保護(hù)膜形成兼清洗構(gòu)件18，該保護(hù)膜形成兼清洗構(gòu)件18將保護(hù)膜P覆蓋到該激光加工前的晶片W。另夕卜，利用第2搬送構(gòu)件28來搬送激光加工后的晶片W至保護(hù)膜形成兼清洗構(gòu)件18，該保護(hù)膜形成兼清洗構(gòu)件18通過清洗除去該激光加工后的晶片W的保護(hù)膜P。
[0059]保護(hù)膜形成兼清洗構(gòu)件18具有旋轉(zhuǎn)工作臺30，該旋轉(zhuǎn)工作臺30裝載并保持激光加工前后的晶片W。旋轉(zhuǎn)工作臺30與收納在激光加工裝置的裝置主體20的旋轉(zhuǎn)工作臺驅(qū)動源連接。
[0060]保護(hù)膜形成兼清洗構(gòu)件18將激光加工前的晶片W保持在旋轉(zhuǎn)工作臺30后，利用旋轉(zhuǎn)工作臺驅(qū)動源產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)カ來使晶片W旋轉(zhuǎn)。并且，保護(hù)膜形成兼清洗構(gòu)件18從未圖示的涂布噴嘴向晶片W的表面WS噴射包括PVA (聚こ烯醇)、PEG (聚こニ醇)、或PEO (聚氧化こ烯)等水溶性樹脂的液態(tài)樹脂，由此進(jìn)行涂布，通過使液態(tài)樹脂硬化形成保護(hù)膜P。
[0061]保護(hù)膜形成兼清洗構(gòu)件18將激光加工后的晶片W保持在旋轉(zhuǎn)工作臺30后，利用旋轉(zhuǎn)工作臺驅(qū)動源產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)カ來使晶片W旋轉(zhuǎn)。并且，保護(hù)膜形成兼清洗構(gòu)件18從未圖示的清洗噴嘴向晶片W的表面WS噴射清洗液，由此除去保護(hù)膜P并且清洗晶片W的表面WS0
[0062]另外，激光加工前的晶片W通過涂布噴嘴覆蓋有保護(hù)膜P，通過第2搬送構(gòu)件28被裝載到卡盤工作臺4上。另外，激光加工后的晶片W通過清洗噴嘴來除去保護(hù)膜P，通過第I搬送構(gòu)件26被裝載到臨時(shí)放置構(gòu)件16的軌道24上。
[0063]利用第2搬送構(gòu)件28來將保護(hù)膜形成兼清洗構(gòu)件18的旋轉(zhuǎn)工作臺30上的激光加工前的形成有保護(hù)膜P的晶片W裝載至卡盤工作臺4，由卡盤工作臺4保持該晶片W。
[0064]卡盤工作臺4是構(gòu)成表面的部分由多孔陶瓷等形成的圓盤形狀，卡盤工作臺4經(jīng)未圖示的真空吸引路徑與吸引源連接，通過吸引裝載在表面的晶片W來保持晶片W。
[0065]另外，卡盤工作臺4相對于未圖示的工作臺移動基座能夠裝卸，上述未圖示的エ作臺移動基座設(shè)置在激光加工裝置的裝置主體20。工作臺移動基座設(shè)置成通過X軸移動構(gòu)件在X軸方向移動自如且設(shè)置成通過Y軸移動構(gòu)件在Y軸方向移動自如，并且設(shè)置成通過未圖示的基座驅(qū)動源繞中心軸線(與Z軸平行)旋轉(zhuǎn)自如。
[0066]另外，卡盤工作臺4的周圍設(shè)置有夾緊裝置32。通過未圖示的空氣致動器來使夾緊裝置32工作，由此固定晶片W周圍的環(huán)狀框架F。
[0067]在第I實(shí)施方式的激光加工裝置中，與卡盤工作臺4相鄰地設(shè)置有清洗液供給構(gòu)件82。清洗液供給構(gòu)件82包括清洗液蓄積槽34以及用于供給清洗液的清洗液供給噴嘴35。清洗液蓄積槽34中蓄積有用于清洗加工頭36的清洗液。
[0068]激光光束照射構(gòu)件6對保持在卡盤工作臺4的晶片W的表面WS照射激光光束L(圖2等所示)，通過燒蝕加工形成加工槽S。
[0069]參照圖2，示出了示意性地表示激光加工裝置的激光光束照射構(gòu)件6與卡盤工作臺4等的結(jié)構(gòu)的圖。激光光束照射構(gòu)件6包括振蕩出激光光束L的激光光束振蕩構(gòu)件37和加工頭36。
[0070]加工頭36包括:聚光器38，其將由激光光束振蕩構(gòu)件37振蕩出的激光光束L照射到晶片W的表面WS ;以及吸塵構(gòu)件70，其用于對后述的碎片進(jìn)行收集。
[0071]激光光束振蕩構(gòu)件37通過重復(fù)頻率調(diào)整構(gòu)件43，根據(jù)晶片W的種類、加工方式等來適當(dāng)調(diào)整振蕩出的激光光束L的重復(fù)頻率。作為激光光束振蕩構(gòu)件37例如能夠使用YAG激光振蕩器或YV04激光振蕩器等。
[0072]加工頭36所包括的聚光器38構(gòu)成為包括以下等部分:全反射鏡39，其對由激光光束振蕩構(gòu)件37振蕩出的激光光束L的前進(jìn)方向進(jìn)行變更；以及聚光透鏡41，其用于對激光光束L進(jìn)行聚光。
[0073]省略了圖示的攝像構(gòu)件對保持在卡盤工作臺4的晶片W的表面WS進(jìn)行拍攝。攝像構(gòu)件設(shè)置成相對于保持在卡盤工作臺4的晶片W通過Z軸移動構(gòu)件與激光光束照射構(gòu)件6 —體地在Z軸方向移動自如。
[0074]攝像構(gòu)件具有未圖示的CXD照相機(jī)。CXD照相機(jī)是對保持在卡盤工作臺4的晶片W進(jìn)行拍攝從而得到圖像的裝置。攝像構(gòu)件將CCD照相機(jī)所得到的圖像的信息輸出到控制構(gòu)件12。
[0075]參照圖3以及圖4，示出了表示激光加工裝置的保護(hù)送風(fēng)構(gòu)件8的結(jié)構(gòu)的立體圖以及本發(fā)明第2實(shí)施方式的沿著圖3中的IV-1V線的剖視圖。保護(hù)送風(fēng)構(gòu)件8具有:殼體44，其通過托架(圖3所示)42安裝在激光光束照射構(gòu)件6的聚光器38 ;透明部件40，其安裝在殼體44 ;以及保護(hù)送風(fēng)機(jī)構(gòu)46，其使殼體44內(nèi)保持為正壓。
[0076]殼體44在上下設(shè)置有激光光束L通過的上方的開ロ 48以及下方的開ロ 50。另夕卜，殼體44具有朝向下方開的ロ 50逐漸減小直徑的漏斗狀的圓錐形狀的縮徑部52。S卩，殼體44的縮徑部52的內(nèi)側(cè)的空間形成為漏斗狀的圓錐形狀。
[0077]殼體44的下方的開ロ 50具有容許激光光束L通過的面積。另外，在本實(shí)施方式中，下方的開ロ 50的直徑是4mm。在本實(shí)施方式中，殼體44由多個層疊的平板狀的層疊板54和最下方的層疊板56構(gòu)成。
[0078]透明部件40配設(shè)于殼體44的上方的開ロ 48且激光光束L能夠透過該透明部件40。透明部件40具有容許激光光束L通過的面積。透明部件40由激光光束L能夠透過的材料構(gòu)成，且，形成為平板狀，并且封閉殼體44的上方的開ロ 48。
[0079]保護(hù)送風(fēng)機(jī)構(gòu)46在通過殼體44內(nèi)的激光光束L的周圍噴出從聚光器38側(cè)向加エ點(diǎn)K側(cè)流動的氣體，使殼體44內(nèi)保持為正壓，防止包含碎片的氣體介質(zhì)從下方的開ロ 50流入。如圖3以及圖4所示，保護(hù)送風(fēng)機(jī)構(gòu)46具有多個噴出ロ 60、供給路62 (圖3所示)、以及未圖示的氣體供給源等。
[0080]多個噴出ロ 60無偏向地均勻(在周向等間隔)地配設(shè)在透明部件40的周圍。噴出ロ 60配設(shè)在透明部件40的下方周圍。多個噴出口 60的一端在殼體44內(nèi)表面開ロ，且另一端向設(shè)置于殼體44內(nèi)的連通空間64開ロ。
[0081]另外，從噴出ロ 60噴出的氣體以不會撞到透明部件40的程度比水平略微向下地朝向通過殼體44內(nèi)的激光光束L噴出。即，噴出口 60的在殼體44的內(nèi)表面開ロ的一端配設(shè)于透明部件40的下方，井隨著從另一端朝向一端而比水平略微向下地延伸。在本實(shí)施方式中，設(shè)置有8個噴出口 60。
[0082]圖3所示的供給路62經(jīng)連通空間64與多個噴出ロ 60連接。氣體供給源經(jīng)供給路62與多個噴出ロ 60連接，并將加壓后的氣體供給到多個噴出ロ 60。[0083]碎片排出構(gòu)件10配設(shè)于保護(hù)送風(fēng)構(gòu)件8的殼體44的下方，用于吸引并排除碎片。如圖3以及圖4所不,碎片排出構(gòu)件10具有:一體地設(shè)置于殼體44的間隔壁66 (圖4所示)、氣簾送風(fēng)噴出機(jī)構(gòu)68、以及吸塵構(gòu)件70。
[0084]間隔壁66包圍在加工點(diǎn)K產(chǎn)生的碎片的飛散范圍(圖4中虛線所示)的周圍。間隔壁66設(shè)置在構(gòu)成殼體44的最下方的層疊板56。間隔壁66包圍殼體44的下方的開ロ50的周圍。
[0085]氣簾送風(fēng)噴出機(jī)構(gòu)68通過從形成加工槽S的方向(激光加工時(shí)，激光光束L在晶片W的表面WS上相對移動的方向即箭頭Xl的前方)與晶片W的表面WS平行噴出的氣體，來覆蓋殼體44的下方的開ロ 50,從而阻斷碎片向殼體44的侵入。
[0086]氣簾送風(fēng)噴出機(jī)構(gòu)68具有:送風(fēng)用噴出ロ 72，其設(shè)置于噴嘴部件58，上述噴嘴部件58安裝在層疊板56 ;供給路74 ;未圖示的氣體供給源，其用于向送風(fēng)用噴出口 72供給氣體。
[0087]送風(fēng)用噴出口 72在設(shè)置于噴嘴部件58的間隔壁66的內(nèi)表面(內(nèi)側(cè))且在殼體44的下方的開ロ 50附近開ロ。送風(fēng)用噴出口 72與晶片W的表面WS平行地延伸。
[0088]氣體供給源經(jīng)設(shè)置在殼體44內(nèi)的供給路74與送風(fēng)用噴出口 72連接，將加壓后的氣體供給到送風(fēng)用噴出ロ 72。從氣簾送風(fēng)噴出機(jī)構(gòu)68噴出加壓后的氣體(空氣送風(fēng))。
[0089]吸塵構(gòu)件70設(shè)置在由氣簾送風(fēng)噴出機(jī)構(gòu)68噴出的氣體的下游側(cè)，且ー邊吸引氣體，ー邊吸引在加工點(diǎn)K附近產(chǎn)生的碎片。如圖4所示，吸塵構(gòu)件70具有:在間隔壁66開ロ的吸引ロ 76、與吸引ロ 76連通的吸引路78、以及吸引源80。
[0090]吸引ロ 76在設(shè)置于構(gòu)成殼體44的最下方的層疊板56的間隔壁66的內(nèi)表面(內(nèi)偵D開ロ，并配設(shè)于保護(hù)送風(fēng)構(gòu)件8的殼體44的下方。在本實(shí)施方式中，吸引ロ 76與送風(fēng)用噴出口 72相対。即，吸塵構(gòu)件70與送風(fēng)用噴出口 72夾著激光光束L設(shè)置于相反側(cè)。
[0091]吸引路78配設(shè)于構(gòu)成殼體44的最下方的層疊板56，吸引路78從吸引ロ 76向斜上方延伸并與吸引源80連通。吸引源80經(jīng)吸引路78與吸引ロ 76連接，并從吸引ロ 76吸引氣體。即，吸引路78設(shè)置于由氣簾送風(fēng)噴出機(jī)構(gòu)68噴出的氣體的下游側(cè)，且ー邊吸引氣體ー邊吸引在加工點(diǎn)K附近產(chǎn)生的碎片。
[0092]吸塵構(gòu)件70具有吸引路78，該吸引路78 —端與吸引源80連接，而另一端朝晶片的上表面開ロ。在吸引路78的周圍配設(shè)有供給清洗液的清洗液供給構(gòu)件82A，上述清洗液用于清洗吸引路78。
[0093]清洗液供給構(gòu)件82A沒有特別限定，但是包括:多個清洗液噴出ロ 84，其朝吸引路78開ロ；以及清洗液供給路86，其一端與各清洗液噴出ロ 84連接，另一端與清洗液供給源88連接。
[0094]這里，作為被加工物的晶片W是由激光加工裝置2進(jìn)行激光加工的被加工物，在本實(shí)施方式中是以硅、藍(lán)寶石、鎵等作為母材的圓板狀的半導(dǎo)體晶片、或光器件晶片。如圖1所示，晶片W的形成于表面WS的多個器件通過多條間隔道被格子狀地劃分開來。
[0095]如圖1所示，晶片W的形成有多個器件的表面WS的相反側(cè)的背面粘貼于粘接帶T，環(huán)狀框架F粘貼于在晶片W粘貼的粘接帶T，由此晶片W被固定于環(huán)狀框架F。另外，在晶片W的表面WS形成有由Low-k (低介電質(zhì))(主要是多孔材料)構(gòu)成的未圖示的所謂Low-k膜來作為層間絕緣膜材料。[0096]控制構(gòu)件12分別對構(gòu)成激光加工裝置2的上述結(jié)構(gòu)要素進(jìn)行控制?？刂茦?gòu)件12使激光加工裝置2進(jìn)行針對晶片W的加工動作。
[0097]另外，控制構(gòu)件12在使激光加工裝置2進(jìn)行針對晶片W的加工動作吋，即，當(dāng)從激光光束照射構(gòu)件6向晶片W的表面WS照射激光光束L吋，使氣體從保護(hù)送風(fēng)機(jī)構(gòu)46的與氣體供給源連接的噴出ロ 60噴出，使氣體從碎片排出構(gòu)件10的氣簾送風(fēng)噴出機(jī)構(gòu)68的與氣體供給源連接的送風(fēng)用噴出ロ 72噴出，同時(shí)使吸塵構(gòu)件70的吸引源80從吸引ロ 76吸引氣體。
[0098]控制構(gòu)件12進(jìn)ー步在預(yù)定的時(shí)機(jī)控制清洗液供給構(gòu)件82A,將清洗液供給到吸引路78從而清洗吸引路78。
[0099]接下來，對使用了激光加工裝置2的晶片W的激光加工方法進(jìn)行說明。參照圖5，表示激光加工裝置的激光加工方法的流程圖。首先，將粘接帶T粘貼到形成有器件的表面WS的背面，另外，將環(huán)狀框架F粘貼到粘接帶T。并且，將經(jīng)粘接帶T粘貼在環(huán)狀框架F的晶片W收納到收納盒14內(nèi)。
[0100]并且，作業(yè)員將加工信息登記到控制構(gòu)件12，當(dāng)存在由作業(yè)員發(fā)出的開始加工動作的指示時(shí)，激光加工裝置2開始加工動作。在加工動作中，在圖5中的步驟STl中，控制構(gòu)件12利用搬出搬入構(gòu)件22將激光加工前的晶片W從收納盒14搬出到臨時(shí)放置構(gòu)件16，并裝載到臨時(shí)放置構(gòu)件16的一對軌道24上，然后，利用第I搬送構(gòu)件26搬送到保護(hù)膜形成兼清洗構(gòu)件18的旋轉(zhuǎn)工作臺30，并保持在旋轉(zhuǎn)工作臺30。
[0101]并且，控制構(gòu)件12使旋轉(zhuǎn)工作臺30下降，然后ー邊使旋轉(zhuǎn)工作臺30繞中心軸線旋轉(zhuǎn)，一邊使液態(tài)樹脂從涂布噴嘴噴出到旋轉(zhuǎn)工作臺30上的晶片W。
[0102]于是，利用離心カ使液態(tài)樹脂涂布到保持在旋轉(zhuǎn)工作臺30的晶片W的整個面。在經(jīng)過預(yù)定時(shí)間后，停止旋轉(zhuǎn)工作臺30的旋轉(zhuǎn)，并停止來自涂布噴嘴的液態(tài)樹脂的涂布。涂布在晶片W的表面WS的液態(tài)樹脂硬化，由此晶片W的表面WS被由液態(tài)樹脂構(gòu)成的保護(hù)膜P覆蓋。
[0103]像這樣，步驟STl實(shí)施了如下的保護(hù)膜覆蓋步驟:將液態(tài)樹脂涂布在晶片W的表面WS從而形成保護(hù)膜P。當(dāng)保護(hù)膜P的覆蓋結(jié)束吋，控制構(gòu)件12使旋轉(zhuǎn)工作臺30上升，使第2搬送構(gòu)件28將覆蓋有保護(hù)膜P的晶片W從旋轉(zhuǎn)工作臺30搬送到卡盤工作臺4，并保持在卡盤工作臺4，然后前進(jìn)至步驟ST2。
[0104]接下來，控制構(gòu)件12利用X軸移動構(gòu)件以及Y軸移動構(gòu)件來使卡盤工作臺4移動，將保持在卡盤工作臺4的晶片W定位到攝像構(gòu)件的下方，使攝像構(gòu)件攝像。攝像構(gòu)件將拍攝到的圖像的信息輸出到控制構(gòu)件12。
[0105]并且，控制構(gòu)件12執(zhí)行這樣的圖案匹配等圖像處理:用于進(jìn)行保持在卡盤工作臺4的晶片W的間隔道、與照射激光光束L的激光光束照射構(gòu)件6的聚光器38的位置對準(zhǔn)，來完成使聚光器38與間隔道在X軸方向排成列的校準(zhǔn)，然后前進(jìn)至步驟ST3。
[0106]接下來，控制構(gòu)件12根據(jù)由步驟ST2檢測出的校準(zhǔn)信息，利用X軸移動構(gòu)件以及Y軸移動構(gòu)件來使卡盤工作臺4移動，利用基座驅(qū)動源使卡盤工作臺4繞中心軸線旋轉(zhuǎn)，使間隔道排列成與X軸(圖4所示)平行。
[0107]然后，控制構(gòu)件12從激光光束照射構(gòu)件6的聚光器38照射激光光束L，同時(shí)利用X軸移動構(gòu)件使保持晶片W的卡盤工作臺4以預(yù)定的加工進(jìn)給速度移動。即，控制構(gòu)件12使激光光束L在晶片W的表面WS上向箭頭Xl (圖4所示)的方向相對移動。
[0108]其結(jié)果為，如圖4所示，在照射了激光光束L的預(yù)定間隔道，晶片W以及保護(hù)膜P的一部分被燒蝕加工，從而形成加工槽S。預(yù)定的間隔道的另一端到達(dá)聚光器38的正下方之后，停止來自激光光束照射構(gòu)件6的激光光束L的照射，并且停止基于X軸移動構(gòu)件的卡盤工作臺4的移動。
[0109]控制構(gòu)件12 —邊使卡盤工作臺4在Y軸方向分度進(jìn)給，一邊依次對間隔道照射激光光束L，在這些間隔道形成加工槽S，從而在晶片W的全部間隔道形成加工槽S。
[0110]像這樣，步驟ST3中，實(shí)施如下的加工槽形成步驟:在實(shí)施步驟ST2后，沿晶片W的間隔道從保護(hù)膜P側(cè)向晶片W的表面WS照射激光光束L，從而在晶片W形成加工槽S。
[0111]另外，在作為加工槽形成步驟的步驟ST3中，向預(yù)定的間隔道照射激光光束L而形成加工槽S，同時(shí)使氣體從保護(hù)送風(fēng)構(gòu)件8的保護(hù)送風(fēng)機(jī)構(gòu)46的與氣體供給源連接的噴出ロ 60噴出。因此，殼體44內(nèi)保持為比外部氣體壓力高的正壓。
[0112]另外，噴出口 60隨著朝向殼體44的內(nèi)表面而比水平略微向下延伸，多個噴出ロ 60無偏向地均勻地配設(shè)在透明部件40的周圍，因此，殼體44內(nèi)的氣體在透明部件40的周圍無偏向地均勻地朝向下方的開ロ 50向下流動。即，在保護(hù)送風(fēng)構(gòu)件8的殼體44內(nèi)朝向下方的開ロ 50且在透明部件40的周圍產(chǎn)生無偏向的所謂向下氣流。
[0113]另外，由于殼體44的縮徑部52形成為朝向下方的開ロ 50而直徑逐漸減小的漏斗狀，所以隨著朝向殼體44的下方，上述的向下氣流的流速變快。因此，能夠防止包含由于激光加工而在加工點(diǎn)K附近產(chǎn)生的碎片的氣體介質(zhì)從下方的開ロ 50流入到殼體44內(nèi)。
[0114]另外，在作為加工槽形成步驟的步驟ST3中，使氣體從保護(hù)送風(fēng)構(gòu)件8的保護(hù)送風(fēng)機(jī)構(gòu)46的噴出ロ 60噴出，同時(shí)使氣體從碎片排出構(gòu)件10的氣簾送風(fēng)噴出機(jī)構(gòu)68的送風(fēng)用噴出口 72噴出，并且使吸塵構(gòu)件70的吸引源80從吸引ロ 76吸引氣體。
[0115]像這樣，由于使氣體從碎片排出構(gòu)件10的氣簾送風(fēng)噴出機(jī)構(gòu)68的送風(fēng)用噴出ロ72噴出，所以利用從送風(fēng)用噴出口 72噴出的氣體來堵塞殼體44該下方的開ロ 50，并且包含在加工點(diǎn)K產(chǎn)生的碎片的氣體介質(zhì)被通過吸引ロ 76吸引到吸引源80。
[0116]在圖4所示的第2實(shí)施方式中，控制構(gòu)件12進(jìn)ー步控制清洗液供給構(gòu)件82A,將清洗液供給到吸引路78從而清洗吸引路78。清洗吸引路78的預(yù)定時(shí)機(jī)沒有特別限定。
[0117]在對晶片W實(shí)施了燒蝕加工之后，優(yōu)選的是，使加工頭36從晶片W退避，使清洗液供給構(gòu)件82A工作來清洗吸引路78。作為代替實(shí)施方式，也可以在對晶片W實(shí)施燒蝕加工期間，一直使清洗液供給構(gòu)件82A工作來清洗吸引路78。
[0118]具體來說，在清洗液供給構(gòu)件82A由清洗液噴出ロ 84、清洗液供給路86以及清洗液供給源88構(gòu)成的圖4所示的第2實(shí)施方式中，控制構(gòu)件12在預(yù)定時(shí)機(jī)從清洗液供給源88向清洗液供給路86供給清洗液。供給到清洗液供給路86的清洗液從清洗液噴出ロ 84供給到吸引路78。由此，吸引路78被清洗。
[0119]另ー方面，在清洗液供給構(gòu)件82由清洗液蓄積槽34以及清洗液供給噴嘴35構(gòu)成的圖1所示的第I實(shí)施方式中，控制構(gòu)件12在預(yù)定時(shí)機(jī)使加工頭36浸泡在清洗液蓄積槽34。在將加工頭36浸泡在清洗液蓄積槽34的狀態(tài)下使吸引源80工作、或ー邊使吸引源80工作ー邊使加工頭36浸泡在清洗液蓄積槽34，由此向吸引路78供給清洗液，從而清洗吸引路78。[0120]控制構(gòu)件12當(dāng)清洗液蓄積槽34中清洗液不足吋，從清洗液供給噴嘴35向清洗液蓄積槽34供給清洗液。預(yù)定時(shí)機(jī)沒有特別限定，但是可以是間隔一定時(shí)間，也可以是間隔一定的晶片數(shù)量。
[0121]另外，如果在激光加工裝置2設(shè)置清洗液供給構(gòu)件82則不需要設(shè)置清洗液供給構(gòu)件82A，如果在激光加工裝置2設(shè)置清洗液供給構(gòu)件82A則不需要設(shè)置清洗液供給構(gòu)件82。即，在激光加工裝置2設(shè)置清洗液供給構(gòu)件82與清洗液供給構(gòu)件82A的至少一方即可。
[0122]另外，在作為加工槽形成步驟的步驟ST3中，由于送風(fēng)用噴出口 72相比于吸引ロ76設(shè)置于箭頭Xl的前方，所述箭頭Xl是在激光加工時(shí)激光光束L在晶片W的表面WS上相對移動的方向，所以利用從送風(fēng)用噴出口 72噴出的氣體能夠可靠地堵塞下方的開ロ 50，由此能夠可靠地防止包含由于激光加工而在加工點(diǎn)K附近產(chǎn)生的碎片的氣體介質(zhì)從下方的開ロ 50流入到殼體44內(nèi)。
[0123]當(dāng)在所有的間隔道形成有加工槽S吋，控制構(gòu)件12利用X軸移動構(gòu)件使卡盤工作臺4移動到原位置(home position),利用第2搬送構(gòu)件28將卡盤工作臺4上的實(shí)施了激光加工的晶片W搬送到保護(hù)膜形成兼清洗構(gòu)件18的旋轉(zhuǎn)工作臺30上，并保持在旋轉(zhuǎn)工作臺30。
[0124]并且，控制構(gòu)件12使旋轉(zhuǎn)工作臺30下降，然后ー邊使旋轉(zhuǎn)工作臺30繞中心軸線旋轉(zhuǎn)，一邊使清洗液從清洗噴嘴噴出到旋轉(zhuǎn)工作臺30上的晶片W。于是，由于保護(hù)膜P由水溶性樹脂構(gòu)成，所以利用清洗液以及離心力，將保護(hù)膜P與在激光加工時(shí)附著的碎片一起從晶片W的表面WS除去(沖走)。
[0125]當(dāng)保護(hù)膜P的除去結(jié)束時(shí)，控制構(gòu)件12停止旋轉(zhuǎn)工作臺30繞中心軸線的旋轉(zhuǎn)以及來自清洗噴嘴的清洗液的供給，然后使旋轉(zhuǎn)工作臺30上升，利用第I搬送構(gòu)件26將晶片W搬送到臨時(shí)放置構(gòu)件16?？刂茦?gòu)件12利用搬出搬入構(gòu)件22將實(shí)施了激光加工等的晶片W從臨時(shí)放置構(gòu)件16搬入到裝載于收納盒升降機(jī)15上的收納盒14內(nèi)。
[0126]如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的激光加工裝置2，通過漏斗狀的殼體44和保護(hù)送風(fēng)機(jī)構(gòu)46,使殼體44內(nèi)保持為正壓同時(shí)在殼體44內(nèi)產(chǎn)生向下氣流，由此能夠防止來自下方的開ロ 50的包含碎片的氣體介質(zhì)流入到殼體44內(nèi)，能夠利用清洗液供給構(gòu)件82A來清洗吸引路78。
[0127]因此，保護(hù)聚光器38以及吸引路78不被碎片附著，并且能夠抑制氣體介質(zhì)中的因碎片的附著而導(dǎo)致的透明部件40的模糊的產(chǎn)生。因此，能夠抑制在激光加工時(shí)產(chǎn)生的碎片附著在聚光器38、和透明部件40等光學(xué)部件以及吸引路78。
[0128]在上述的實(shí)施方式中，暫時(shí)覆蓋保護(hù)膜P，然后實(shí)施激光加工，但是本發(fā)明不限于此，也可以不一定暫時(shí)覆蓋保護(hù)膜P。另外，在上述的實(shí)施方式中，使噴射到晶片W的表面WS的包括PVA、PEG、或PEO等水溶性樹脂的液態(tài)樹脂硬化，由此形成保護(hù)膜P。
[0129]然而，在本發(fā)明中，也可以在不使液態(tài)樹脂完全硬化(干燥)的情況下對保護(hù)膜P實(shí)施燒蝕加工。這時(shí)，沒有完全干燥的保護(hù)膜P變成大量的碎片，但是在本發(fā)明中，由于具有上述的保護(hù)送風(fēng)構(gòu)件8，所以能夠防止透明部件40模糊。
[0130]另外，在本發(fā)明中，也可以適當(dāng)變更X軸移動構(gòu)件、Y軸移動構(gòu)件以及Z軸移動構(gòu)件的結(jié)構(gòu)。也可以構(gòu)成為:將Z軸移動構(gòu)件設(shè)置到清洗液蓄積槽34，由此能夠在Z軸方向移動。[0131]并非通過以上的實(shí)施方式所記載的內(nèi)容限定本發(fā)明的內(nèi)容。另外，以上所記載的結(jié)構(gòu)要素包括本領(lǐng)域人員能夠容易地想到的結(jié)構(gòu)和實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。
[0132]另外，以上所記載的結(jié)構(gòu)可以適當(dāng)組合。另外，在不脫離本發(fā)明的宗g的范圍內(nèi)可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)的各種省略、置換或變更。
【權(quán)利要求】
1.一種激光加工裝置，其特征在于，具有: 保持構(gòu)件，其用于保持被加工物；以及 激光光束照射構(gòu)件，其包括:激光光束振蕩構(gòu)件；和將上述激光光束振蕩構(gòu)件振蕩出的激光光束照射到被加工物的加工頭，該激光光束照射構(gòu)件對保持在上述保持構(gòu)件的被加エ物實(shí)施燒蝕加工， 上述加工頭包括:聚光透鏡，其用于對從上述激光光束振蕩構(gòu)件振蕩出的激光光束進(jìn)行聚光；以及吸塵構(gòu)件，其配置于上述聚光透鏡和被加工物之間，對由上述聚光透鏡聚光后的激光光束照射到被加工物而產(chǎn)生的碎片進(jìn)行收集， 上述吸塵構(gòu)件具有吸引路，該吸引路的一端與吸引源連接，而另一端則向保持于上述保持構(gòu)件的被加工物的上表面開ロ， 上述激光加工裝置還具有清洗液供給構(gòu)件，該清洗液供給構(gòu)件用于將清洗液供給到上述吸引路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光加工裝置，其特征在干， 上述清洗液供給構(gòu)件具有:清洗液噴出口，其朝向上述吸引路開ロ ；以及清洗液供給路，其一端與上述清洗液噴出口連通，其另一端與清洗液供給源連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光加工裝置，其特征在干， 上述清洗液供給構(gòu)件具有蓄積清洗液的清洗液蓄積槽，在預(yù)定的時(shí)機(jī)將上述加工頭浸泡在上述清洗液蓄積槽，并且在上述加工頭浸泡在上述清洗液蓄積槽的狀態(tài)下使上述吸引源工作，由此清洗上述吸引路。
4.一種權(quán)利要求1?3中的任一項(xiàng)所述的激光加工裝置的上述吸引路的清洗方法，其特征在于，具有: 加工步驟，對被加工物實(shí)施燒蝕加工； 退避步驟，在實(shí)施了上述加工步驟后，使上述加工頭從被加工物退避；以及 清洗步驟，在實(shí)施了上述退避步驟后，使上述清洗液供給構(gòu)件工作來清洗上述吸引路。
【文檔編號】B23K26/70GK103586585SQ201310359085
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年8月16日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月17日
【發(fā)明者】邁克爾·加德 申請人:株式會社迪思科