具有饋通結(jié)構(gòu)的基板支撐件的制作方法
【專利摘要】在此提供用于提供電流的設(shè)備與利用此設(shè)備的基板支撐件。在一些實施例中，一種饋通結(jié)構(gòu)可包括：主體，所述主體具有界定一或更多個開口的壁，所述一或更多個開口設(shè)置成從第一端穿過所述主體至第二端；一或更多個第一導(dǎo)體與一或更多個第二導(dǎo)體，每個第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體設(shè)置在所述壁中而從所述第一端至所述第二端；及多個導(dǎo)電網(wǎng)篩，所述多個導(dǎo)電網(wǎng)篩設(shè)置在所述壁中，至少一個導(dǎo)電網(wǎng)篩圍繞所述壁的第一區(qū)域，所述壁的所述第一區(qū)域包括所述一或更多個第一導(dǎo)體，且至少一個導(dǎo)電網(wǎng)篩圍繞所述壁的第二區(qū)域，所述壁的所述第二區(qū)域包括所述一或更多個第二導(dǎo)體，其中多個導(dǎo)電網(wǎng)篩使所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域與設(shè)置在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域外面的分別的第一外部電磁場和第二外部電磁場分別實質(zhì)上電氣絕緣。
【專利說明】具有饋通結(jié)構(gòu)的基板支撐件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的實施例大體涉及基板處理系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電子器件的臨界尺寸持續(xù)縮小，基板處理系統(tǒng)需要改善的工藝控制以可重復(fù) 地達到這樣的尺寸。例如，在一些實施例中，基板支撐件可被制造成更緊密的設(shè)計，以致在 處理期間能在設(shè)置于基板支撐件上的基板上達到均勻的溫度分布和/或在處理期間能快 速地改變所述溫度分布。發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)增加這樣的緊密度至基板支撐件設(shè)計會在饋通結(jié) 構(gòu)（feedthrough structure)中留出受限的空間以用來為被提供在基板支撐件中或上的部 件（比如真空夾盤、靜電夾盤、背側(cè)氣體線路、電極、溫度傳感器、加熱器或其他適合的裝置 的一或多個）提供適當(dāng)?shù)脑O(shè)備（例如管路和/或配線）。
[0003] 因此，發(fā)明人已經(jīng)提供能與基板支撐件并同使用的被改善的饋通結(jié)構(gòu)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 在此提供用于提供電流的設(shè)備與利用此設(shè)備的基板支撐件。在一些實施例中，一 種饋通結(jié)構(gòu)可包括：主體，所述主體具有界定一或更多個開口的壁，所述一或更多個開口被 設(shè)置成從所述主體的第一端穿過所述主體至所述主體的第二端；一或更多個第一導(dǎo)體，所 述一或更多個第一導(dǎo)體設(shè)置在所述壁中而從所述第一端至所述第二端；一或更多個第二導(dǎo) 體，所述一或更多個第二導(dǎo)體設(shè)置在所述壁中而從所述第一端至所述第二端；及多個導(dǎo)電 網(wǎng)篩（mesh)，所述多個導(dǎo)電網(wǎng)篩設(shè)置在所述壁中，其中至少一個導(dǎo)電網(wǎng)篩圍繞所述壁的第 一區(qū)域，所述壁的所述第一區(qū)域包括所述一或更多個第一導(dǎo)體，且其中至少一個導(dǎo)電網(wǎng)篩 圍繞所述壁的第二區(qū)域，所述壁的所述第二區(qū)域包括所述一或更多個第二導(dǎo)體，其中所述 多個導(dǎo)電網(wǎng)篩使所述第一區(qū)域與所述第一區(qū)域外面的第一外部電磁場實質(zhì)上電氣絕緣且 使所述第二區(qū)域與所述第二區(qū)域外面的第二外部電磁場實質(zhì)上電氣絕緣。
[0005] 在一些實施例中，一種設(shè)備可包括基板支撐件，所述基板支撐件包含：支撐構(gòu)件， 所述支撐構(gòu)件具有基板處理表面以支撐基板于所述基板處理表面上；多個電氣元件，所述 多個電氣元件設(shè)置在所述基板支撐件中以當(dāng)所述基板設(shè)置在所述基板處理表面上時至少 監(jiān)測或至少處理所述基板；主體，所述主體具有界定一或更多個開口的壁，所述一或更多個 開口設(shè)置在面對所述支撐構(gòu)件的所述主體的第一端與所述主體的相對第二端之間；一或更 多個第一導(dǎo)體，所述一或更多個第一導(dǎo)體設(shè)置在所述壁中而從所述第一端至所述第二端， 以提供第一電氣信號至所述多個電氣元件的至少第一電氣元件；及一或更多個第二導(dǎo)體， 所述一或更多個第二導(dǎo)體設(shè)置在所述壁中而從所述第一端至所述第二端，以提供第二電氣 信號至所述多個電氣元件的至少第二電氣元件。
[0006] 在一些實施例中，一種設(shè)備可包括基板支撐件，所述基板支撐件包含：支撐構(gòu)件， 所述支撐構(gòu)件具有基板處理表面以支撐基板于所述基板處理表面上；加熱器，所述加熱器 用于當(dāng)所述基板存在于所述基板處理表面上時提供熱至所述基板，所述加熱器具有被布置 在多個加熱區(qū)塊內(nèi)的多個電阻式加熱元件；多個溫度傳感器，所述多個溫度傳感器用于當(dāng) 所述基板存在于所述基板處理表面上時監(jiān)測所述基板的溫度；主體，所述主體具有界定一 或更多個開口的壁，所述一或更多個開口設(shè)置在面對所述支撐構(gòu)件的所述主體的第一端與 所述主體的相對第二端之間；多個第一導(dǎo)體，所述多個第一導(dǎo)體設(shè)置在所述壁中而從所述 第一端至所述第二端，其中每個第一導(dǎo)體從所述一或更多個電阻式加熱元件提供或接收第 一電氣信號；多個第二導(dǎo)體，所述多個第二導(dǎo)體設(shè)置在所述壁中而從所述第一端至所述第 二端，其中每個第二導(dǎo)體從所述一或更多個溫度傳感器提供或接收第二電氣信號；及多個 導(dǎo)電網(wǎng)篩，所述多個導(dǎo)電網(wǎng)篩設(shè)置在所述壁中，其中至少一個導(dǎo)電網(wǎng)篩圍繞所述壁的第一 區(qū)域，所述壁的所述第一區(qū)域包括所述一或更多個第一導(dǎo)體，且其中至少一個導(dǎo)電網(wǎng)篩圍 繞所述壁的第二區(qū)域，所述壁的所述第二區(qū)域包括所述一或更多個第二導(dǎo)體，其中所述多 個導(dǎo)電網(wǎng)篩使所述第一區(qū)域與所述第一區(qū)域外面的第一外部電磁場實質(zhì)上電氣絕緣且使 所述第二區(qū)域與所述第二區(qū)域外面的第二外部電磁場實質(zhì)上電氣絕緣。
[0007] 以下描述本發(fā)明的其他與進一步的實施例。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008] 能通過參考附圖中所描繪的本發(fā)明的說明性實施例來理解以上簡要概述的并在 下文更加詳細論述的本發(fā)明的實施例。但是應(yīng)注意的是，附圖僅圖示本發(fā)明的典型實施例， 因此附圖不應(yīng)被視為對本發(fā)明范圍的限制，因為本發(fā)明可允許其他等同效果的實施例。
[0009] 圖1描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的基板支撐件的部分示意圖，所述基板支撐件 具有饋通結(jié)構(gòu)。
[0010] 圖1A描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的繪示在圖1中的饋通結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0011] 圖1B描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的饋通結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0012] 圖1C描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的饋通結(jié)構(gòu)的部分截面圖。
[0013] 為幫助理解，已盡可能使用相同的標記數(shù)字來表示各附圖共有的相同元件。附圖 未按比例繪制且可為了清楚而被簡化。應(yīng)理解的是一個實施例的元件與特征可有益地并入 其他實施例而不需進一步詳述。

【具體實施方式】
[0014] 在此提供用于提供電流的設(shè)備與利用此設(shè)備的基板支撐件。如以下所論述的，本 發(fā)明的饋通結(jié)構(gòu)可被用作為用于處理基板的基板支撐件的一部分。然而，本發(fā)明的饋通結(jié) 構(gòu)可與需要電氣饋通的任何適合的裝置并同使用。本發(fā)明的設(shè)備可有利地提供用于管理多 個電氣配線和/或管路和/或用于提供有效空間使用的緊密設(shè)計。如以下所論述的，本發(fā) 明的設(shè)備可通過限制或消除每個信號之間的干擾（例如串?dāng)_）而有利地提供多個不同電氣 信號的精確輸送。另外，本發(fā)明的饋通設(shè)備可限制或避免來自外部電磁場（所述外部電磁 場比如由可被設(shè)置在饋通結(jié)構(gòu)的壁中的導(dǎo)體、可存在于饋通結(jié)構(gòu)的壁所界定的一或更多個 開口中的導(dǎo)體或可產(chǎn)生電磁場的其他部件（所述其他部件比如等離子體源、提供RF能量以 在基板支撐件上方或遠程地產(chǎn)生等離子體的電極）所產(chǎn)生的那些場或由等離子體本身所 產(chǎn)生的外部電磁場）的干擾。
[0015] 圖1描繪根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的基板支撐件100?；逯渭?00可包括支 撐構(gòu)件102與加熱器106,支撐構(gòu)件102用于當(dāng)基板103存在于支撐構(gòu)件102的第一表面 104 (例如上表面或基板處理表面）上或上方時將熱分散到基板103,加熱器106具有一或 更多個加熱區(qū)塊1〇8(圖1圖示多個加熱區(qū)塊）以提供熱到支撐構(gòu)件102。選擇性地，加熱 器106可進一步包括第二加熱區(qū)塊，第二加熱區(qū)塊在一或更多個加熱區(qū)塊108之下并橫跨 一或更多個加熱區(qū)塊108,以對第一表面104提供額外的溫度控制。如圖1所示，加熱器106 可設(shè)置在支撐構(gòu)件102之下。然而，這僅是加熱器106的一個示例性實施例。加熱器106 可設(shè)置在支撐構(gòu)件102中、支撐構(gòu)件102的表面上或支撐構(gòu)件102之下。
[0016] 在一些實施例中，基板支撐件可提供范圍從約450°C至約600°C的溫度。然而，在 此所揭示的基板支撐件的實施例不局限于上述溫度范圍。例如，所述溫度可更低（比如室 溫或以上或從約150°C至約450°C )或更高（比如高于約600°C )。
[0017] 支撐構(gòu)件102可用于將熱分散到基板103。例如，支撐構(gòu)件可作為熱散布器而分 散一或更多個加熱區(qū)塊108所提供的熱。在一些實施例中，支撐構(gòu)件102可在沿著支撐構(gòu) 件102的第一表面104的一或更多個位置處包括嵌設(shè)在支撐構(gòu)件102中或延伸穿過支撐構(gòu) 件102的一或更多個溫度監(jiān)測裝置120,以監(jiān)測被提供到基板103的溫度。溫度監(jiān)測裝置 120可包括用于監(jiān)測溫度的任何適合的裝置，比如溫度傳感器、電阻溫度裝置（resistance temperature device, RTD)、光學(xué)傳感器、熱電稱、電熱調(diào)節(jié)器或類似裝置的一個或更多 個。一或更多個溫度監(jiān)測裝置120可耦接到控制器122,控制器122用以接收來自多個溫 度監(jiān)測裝置120的每個溫度監(jiān)測裝置的溫度信息。如以下進一步論述的，控制器122可 進一步用于響應(yīng)于溫度信息而控制加熱區(qū)塊108。支撐構(gòu)件102可由適合的工藝相容的 (process-compatible)材料形成，比如具有高熱導(dǎo)率、高硬度以及低熱膨脹系數(shù)的一種或 更多種材料。在一些實施例中，支撐構(gòu)件102可具有至少約140W/mK的熱導(dǎo)率。在一些實 施例中，支撐構(gòu)件102可具有約9 X 1(T6/°C或更小的熱膨脹系數(shù)。用于形成支撐構(gòu)件102的 適合的材料的實例可包括鋁（A1)、銅（Cu)或銅的合金、氮化鋁（A1N)、氧化鈹（BeO)、熱解氮 化硼（PBN)、氮化硅（Si 3N4)、氧化鋁（A1203)、碳化硅（SiC)、涂覆有PBN的石墨、涂覆有氧化 釔（Y 2〇3)的A1N或類似材料的一種或更多種。可與支撐構(gòu)件102并同使用的其他適合的涂 層包括類金剛石涂層（DLCs)或類似涂層。
[0018] 加熱器106可包括一或更多個電阻式加熱元件124。例如，一或更多個加熱區(qū)塊 108的每個加熱區(qū)塊包括一或更多個電阻式加熱元件124。盡管圖1圖示一或更多個加熱區(qū) 塊108均勻地分布，但可用期望在基板103上提供期望溫度分布的任何適合的配置來分布 一或更多個加熱區(qū)塊108。電阻式加熱元件124的每個電阻式加熱元件可耦接到電源126。 電源126可提供與電阻式加熱元件124相容的任何適合類型的功率，比如直流（DC)或交流 (AC)。電源126可耦接到控制器122并被控制器122或被另一控制器（未圖示）控制，所 述另一控制器比如用于控制具有基板支撐件設(shè)置在其中的工藝腔室的系統(tǒng)控制器或類似 控制器。在一些實施例中，電源126可進一步包括功率分配器（power divider)(未圖示）， 功率分配器分配被提供到每個加熱區(qū)塊108中的電阻式加熱元件124的功率。例如，功率 分配器可響應(yīng)于緊鄰第一表面104設(shè)置的溫度監(jiān)測裝置120的一或更多個溫度監(jiān)測裝置而 起作用，以選擇性地分配功率到特定加熱區(qū)塊108中的電阻式加熱元件124?；蛘撸谝恍?實施例中，可針對每個個別的加熱器區(qū)塊中的電阻式加熱元件提供多個電源。
[0019] 電阻式加熱元件124與溫度監(jiān)測裝置120可經(jīng)由設(shè)置在加熱器106之下的饋通結(jié) 構(gòu)128分別耦接到電源126和控制器122。在一些實施例中，饋通結(jié)構(gòu)128可經(jīng)由任何適合 的固定手段和/或方法（比如螺栓、焊接、環(huán)氧樹脂、擴散接合、壓裝、共燒（co-firing)、燒 結(jié)或任何適合的接附手段和/或方法）而直接地耦接到加熱器106的背側(cè)。在一些實施例 中，超過一個饋通結(jié)構(gòu)128可耦接到加熱器106的背側(cè)，以例如提供各種電氣供給和/或氣 體供給到加熱器106和/或基板支撐件100的其他元件（比如RF電極、靜電夾盤、第一表 面104或類似元件）。
[0020] 圖1與圖1A分別圖示饋通結(jié)構(gòu)128的側(cè)視截面圖和俯視截面圖。饋通結(jié)構(gòu)128 可包括主體130,主體130具有界定一或更多個開口 136(圖1與圖1A圖示中心開口）的 壁134, 一或更多個開口 136設(shè)置成從第一端138穿過主體130至第二端144。圖1-1A所 示的中心開口僅是示例性的，并且其他配置的一或更多個開口 136是可行的（比如偏離中 心的配置、多個開口或類似配置）。一或更多個開口 136可用于提供配線和/或?qū)Ч?，以?于氣體、真空、RF功率、靜電夾盤功率、或可與基板支撐件并同使用的任何適合的電氣功率 或氣體。例如，配線亦可包括光纖以及和光纖相關(guān)的裝置。主體130可由介電材料形成，t匕 如陶瓷或類似材料，或具有與支撐構(gòu)件102相同的熱導(dǎo)率或比支撐構(gòu)件102更小的熱導(dǎo)率 的其他適合的材料。可通過任何適合的介電材料（比如陶瓷、玻璃纖維、空氣、真空或類似 物）來隔開導(dǎo)電元件（例如以下所論述的導(dǎo)體或網(wǎng)篩）。
[0021] 主體130可包括設(shè)置在壁134中的多個開口，所述多個開口可用于沿著一或更多 個開口 136在第一端138與第二端144之間容納一或更多個導(dǎo)電元件（例如以下所論述的 導(dǎo)體或網(wǎng)篩）。例如，導(dǎo)電元件可用于提供功率到是基板支撐件100的一部分的電氣裝置， 所述電氣裝置比如電阻式加熱元件124或溫度監(jiān)測裝置120 ;或?qū)щ娫捎糜谡诒斡脕?從不期望的電磁場承載電氣信號（比如從相鄰的電氣配線和/或其他裝置承載電氣信號， 所述其他裝置比如RF電極、使用遠程等離子體源的RF能量、靜電夾盤或可以是基板支撐 件100的一部分的類似裝置）的電氣配線。壁134中的開口在圖1-1A中顯示成超過設(shè)置 穿過開口的各種導(dǎo)電材料的尺寸。然而，這僅是為了說明性目的，并且導(dǎo)電材料可填充整個 開口。壁134和/或主體130中的開口可呈任何適合的形狀，比如圓形（如圖1和圖1A所 示）、矩形或任何期望的形狀。例如，主體130可由模具、形體（form)或類似物制成以使得 開口圍繞導(dǎo)電元件形成，而不是在開口被形成后將導(dǎo)電元件放到開口中。然而，許多制造方 法是可行的，包括在將導(dǎo)電元件放在開口內(nèi)之前形成開口的制造方法。
[0022] 壁134可包括設(shè)置在壁134中沿著一或更多個開口 136而在第一端138與第二端 144之間的一或更多個第一開口 146。一或更多個第一導(dǎo)體148可例如穿過在第一端138 與第二端144之間的一或更多個第一開口 146而設(shè)置在壁134中。如圖1A所示，一或更多 個第一導(dǎo)體148可以是多個第一導(dǎo)體148且一或更多個第一開口 146可以是多個第一開口 146,其中每個第一導(dǎo)體148設(shè)置在相應(yīng)的第一開口 146中。選擇性地，在一些實施例中，每 個第一導(dǎo)體148可單獨地被遮蔽件149所遮蔽。例如，遮蔽件149可以是電氣絕緣體（比如 非導(dǎo)電材料），或者遮蔽件149可作為法拉第籠以將每個第一導(dǎo)體148和外部電磁場隔開。 例如，這樣的外部電磁場能夠通過如以下所論述的一或更多個第二導(dǎo)體152、可存在于一或 更多個開口 136中的導(dǎo)體或可產(chǎn)生電磁場的其他部件（比如等離子體源、提供RF能量以在 基板支撐件100上方或遠程地產(chǎn)生等離子體的電極）來產(chǎn)生，或這樣的外部電磁場是由等 離子體本身產(chǎn)生的外部電磁場。另外，第一導(dǎo)體148與第一開口 146的配置僅是示例性的， 并且其他配置是可行的，例如，比如具有多個第一導(dǎo)體148設(shè)置在單個第一開口 146中的單 個第一開口 146,其中每個第一導(dǎo)體148可包括遮蔽件149和/或可通過任何適合的配置而 被物質(zhì)上隔開，所述任何適合的配置使相鄰的第一導(dǎo)體148彼此不接觸。
[0023] 如圖1所示，一或更多個第一導(dǎo)體148可用于將電源126耦接到電阻式加熱元件 124的每個電阻式加熱元件。在一些實施例中，每個第一導(dǎo)體148可被配置成既提供又返 歸功率，比如使用多個相鄰的彼此絕緣的配線。一或更多個第一導(dǎo)體148可以是導(dǎo)電配線 以提供一或更多個電氣信號?；蛘?，一或更多個第一導(dǎo)體148可以是裝置（例如比如熱電 耦）或光學(xué)配線（比如光纜或其他適合的光學(xué)配線）。
[0024] 壁134可包括一或更多個第二開口 150, 一或更多個第二開口 150沿著一或更多個 開口 136而在第一端138與第二端144之間設(shè)置在壁134中。一或更多個第二導(dǎo)體152可 例如穿過在第一端138與第二端144之間的一或更多個第二開口 150而設(shè)置在壁134中。 如圖1A所示，一或更多個第二導(dǎo)體152可以是多個第二導(dǎo)體152且一或更多個第二開口 150可以是多個第二開口 150,其中每個第二導(dǎo)體152設(shè)置在相應(yīng)的第二開口 150中。遮 蔽件149可以如以上針對第一導(dǎo)體148所論述的實質(zhì)上類似的方式與第二導(dǎo)體152并同使 用。另外，第二導(dǎo)體152與第二開口 150的配置僅是示例性的，并且其他配置是可行的（例 如，比如具有多個第二導(dǎo)體152設(shè)置在單個第二開口 150中的單個第二開口 150,其中每個 第二導(dǎo)體152可包括遮蔽件149和/或可通過任何適合的配置而被物質(zhì)上隔開，所述任何 適合的配置使相鄰的第二導(dǎo)體152彼此不接觸）。
[0025] 如圖1所示，一或更多個第二導(dǎo)體152可用于將控制器122耦接到溫度監(jiān)測裝置 120的每個溫度監(jiān)測裝置。例如，一個第二導(dǎo)體152可提供電氣信號到給定的溫度監(jiān)測裝置 120,并且另一第二導(dǎo)體152可返歸電氣信號到控制器122。在一些實施例中，第二導(dǎo)體152 的數(shù)量可以是溫度監(jiān)測裝置120的數(shù)量的兩倍、三倍、或大于溫度監(jiān)測裝置120的數(shù)量的三 倍。例如，第二導(dǎo)體152相對于溫度監(jiān)測裝置120的數(shù)量的額外數(shù)量可用于沿著每個第二 導(dǎo)體152的長度的電阻補償或用于其他目的?；蛘?，每個第二導(dǎo)體152可被配置成如以上 針對第一導(dǎo)體148所論述的那樣提供與返回電氣信號。類似于一或更多個第一導(dǎo)體148， 一或更多個第二導(dǎo)體152可以是導(dǎo)電配線以提供一或更多個電氣信號?；蛘?，一或更多個 第二導(dǎo)體152可以是裝置（例如比如熱電耦）或光學(xué)配線（比如光纜或其他適合的光學(xué)配 線）。
[0026] 壁134可包括多個第三開口 154,多個第三開口 154沿著在第一端138和第二端 144之間的一或更多個開口 136而設(shè)置在壁中（圖1A圖示三個第三開口 154)。每個第三開 口 154可具有設(shè)置在每個第三開口 154中的導(dǎo)電網(wǎng)篩156。如圖1-1A所示，第三開口 154與 導(dǎo)電網(wǎng)篩156設(shè)置在一或更多個第一導(dǎo)體148的任一側(cè)上，比如在一或更多個第一導(dǎo)體的 任一側(cè)上的同軸環(huán)中，如圖1A所示。例如，如圖1A所示的導(dǎo)電網(wǎng)篩156的組合（例如兩個 導(dǎo)電網(wǎng)篩156)能如圖所示圍繞一或更多個第一導(dǎo)體148,并且使一或更多個第一導(dǎo)體148 與外部電磁場（比如由行經(jīng)一或更多個第二導(dǎo)體152的電流所產(chǎn)生的那些電磁場）電氣絕 緣。介于導(dǎo)電網(wǎng)篩156之間的壁134的第一區(qū)域158包括一或更多個第一導(dǎo)體148以及一 或更多個第一開口 146,第一區(qū)域158可與任何外部電磁場電氣絕緣。例如，這樣的外部電 磁場能通過如以下所論述的一或更多個第二導(dǎo)體152、可存在于一或更多個開口 136中的 導(dǎo)體或可產(chǎn)生電磁場的其他部件（比如等離子體源、提供RF能量以在基板支撐件100上方 或遠程地產(chǎn)生等離子體的電極）來產(chǎn)生，或這樣的外部電磁場是由等離子體本身產(chǎn)生的外 部電磁場。在一些實施例中，導(dǎo)電網(wǎng)篩156可以實質(zhì)上類似于法拉第籠的方式起作用來將 外部電氣信號與包括第一導(dǎo)體148的第一區(qū)域158隔離。
[0027] 例如發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)由行經(jīng)用于一個裝置的給定配線的電流所產(chǎn)生的電磁場能 夠干擾由行經(jīng)用于基板支撐件上的另一裝置的另一配線的電流所產(chǎn)生的另一電磁場。電磁 場的干擾會不期望地改變被提供到每個裝置的期望電流且會不期望地造成錯誤讀?。ū?如從像溫度傳感器的監(jiān)測裝置的讀?。┖?或被輸送到基板的錯誤的處理參數(shù)（比如來自 加熱器的溫度或來自RF電極的射頻（RF)能量）。在一些實施例中，RF能量會造成干擾，t匕 如高電壓噪聲、和/或在一或更多個第一導(dǎo)體148和/或一或更多個第二導(dǎo)體152中的快 速改變的電壓和/或電流。
[0028] 如圖1A所示，例如通過提供設(shè)置在一或更多個第二導(dǎo)體與一或更多個開口 136之 間的第三導(dǎo)電網(wǎng)篩156,包括一或更多個第二導(dǎo)體152的第二區(qū)域159可被形成在第一區(qū)域 158與一或更多個開口 136之間。因此，在一些實施例中（比如在圖1A中所示的那些實施 例中），饋通結(jié)構(gòu)128可包括三個同軸地設(shè)置在一或更多個開口 136周圍的導(dǎo)電網(wǎng)篩156， 并且第一區(qū)域158與第二區(qū)域159可被形成在相鄰的導(dǎo)電網(wǎng)篩156之間。類似于第一區(qū)域 158,導(dǎo)電網(wǎng)篩156可作用以使第二區(qū)域159與由行經(jīng)一或更多個第一導(dǎo)體148的電流所產(chǎn) 生的外部電磁場或任何外部電磁場（比如以上所論述的外部電磁場）電氣絕緣。
[0029] 或者，圖1B圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的饋通結(jié)構(gòu)128。如圖1B所示，饋通結(jié) 構(gòu)128可包括兩個第三開口 154,每個第三開口 154具有設(shè)置在每個第三開口 154中的導(dǎo)電 網(wǎng)篩156。如圖1B所示，每個第三開口 154與導(dǎo)電網(wǎng)篩156可沿著半環(huán)形截面的軌跡，其中 兩個第三開口 154與兩個導(dǎo)電網(wǎng)篩156設(shè)置在一或更多個開口 136的相對側(cè)上。設(shè)置在一 個半環(huán)形軌跡內(nèi)的可以是包括一或更多個第一導(dǎo)體148的第一區(qū)域158,并且設(shè)置在另一 半環(huán)形軌跡內(nèi)的可以是包括一或更多個第二導(dǎo)體152的第二區(qū)域159。導(dǎo)電網(wǎng)篩156、第一 區(qū)域158、第二區(qū)域159、一或更多個第一導(dǎo)體148以及一或更多個第二導(dǎo)體152可以如以 上關(guān)于圖1A所論述的實質(zhì)上類似的方式在圖1B中起作用。
[0030] 回到圖1，基板支撐件100可包括各種選擇性的示例性的以及非限制的實施例，如 以下所論述的。在一些實施例中，基板支撐件100可包括第一導(dǎo)管140,第一導(dǎo)管140至少 能夠從氣源141提供氣體到基板103的背側(cè)或至少能夠從真空泵143 (或其他真空源）提 供真空以將基板103固持到基板支撐件100。例如，可通過多路閥（multi-way valve) 147 交替地提供真空或氣體，所述多路閥147將真空泵143和氣源141耦接到第一導(dǎo)管140。例 如，由第一導(dǎo)管140提供的氣體可用于改善支撐構(gòu)件102與基板103之間的熱傳遞（或達 到能重復(fù)的基板至加熱器界面）。在一些實施例中，所述氣體是氦（He)。例如，在操作時， 真空泵143可用于將基板103固持到基板支撐件100。在基板103被固持后，氣源141可提 供氣體到基板103與支撐構(gòu)件102之間的空間以改善熱傳遞。
[0031] 第一導(dǎo)管140可包括柔性區(qū)段142,比如波紋管（bellows)或類似管。在第一導(dǎo) 管140中這樣的柔性是有益的，例如當(dāng)基板支撐件100被矯平（leveded)時和/或在加熱 期間的基板支撐件1〇〇的熱變形或膨脹期間。例如，這樣的矯平裝置可包括動力起重器 (kinematic jack)或類似裝置。另外，基板支撐件100可包括第二導(dǎo)管160,第二導(dǎo)管160 具有柔性區(qū)段162以排出由氣源141通過第一導(dǎo)管140提供的氣體，如圖1所示。然而，在 不存在第二導(dǎo)管160時，氣體亦可通過第一導(dǎo)管140由真空泵143排出。
[0032] 替代地或組合地，基板支撐件100可包括靜電夾盤164以將基板103固持在第一 表面104上?？山?jīng)由一或更多個第三導(dǎo)體166提供電力給靜電夾盤164,所述一或更多個第 三導(dǎo)體166設(shè)置成穿過主體130的一或更多個開口 136以提供電氣功率到靜電夾盤164。 導(dǎo)電網(wǎng)篩156可進一步使第一區(qū)域158和/或第二區(qū)域159與由行經(jīng)一或更多個第三導(dǎo)體 166的電流所產(chǎn)生的外部電磁場電氣絕緣。
[0033] 替代地或組合地，基板支撐件100可包括電極168以提供RF能量到基板103?？?經(jīng)由一或更多個第四導(dǎo)體170提供電力給電極168,所述一或更多個第四導(dǎo)體170設(shè)置成穿 過主體130的一或更多個開口 136以提供電氣功率到電極168。導(dǎo)電網(wǎng)篩156可進一步使 第一區(qū)域158和/或第二區(qū)域159與由行經(jīng)一或更多個第四導(dǎo)體170的電流所產(chǎn)生的外部 電磁場電氣絕緣。
[0034] 或者，如圖1C所示，在一些實施例中，可有效地利用（economize)設(shè)置在一或更多 個開口 136中的導(dǎo)管和/或?qū)w的一或更多個以節(jié)約空間。例如，如圖1C所示，第二導(dǎo)管 160可同軸地設(shè)置在第一導(dǎo)管140周圍，并且第一導(dǎo)管140可同軸地設(shè)置在第三導(dǎo)體166或 第四導(dǎo)體170周圍。導(dǎo)管和/或?qū)w的其他配置可以是可行的，以節(jié)約一或更多個開口 136 內(nèi)的空間。另外，遮蔽件180可設(shè)置在第三導(dǎo)體166或第四導(dǎo)體170周圍，如圖1C所示。遮 蔽件180可實質(zhì)上類似于如以上所論述的遮蔽件149,并且遮蔽件180可用作為電氣絕緣體 和/或法拉第籠。
[0035] 在一些實施例中，基板支撐件100可包括多個基板支撐銷112,多個基板支撐銷 112設(shè)置在支撐構(gòu)件102的第一表面104上方的第一距離處，多個基板支撐銷112能在基 板103存在于基板支撐件上時支撐基板103的背側(cè)表面。多個基板支撐銷112可被支撐環(huán) 123環(huán)繞。支撐環(huán)123可在靠近基板103的外圍邊緣處接觸基板103的背側(cè)。例如，支撐 環(huán)123可用于例如界定基板103的背側(cè)與基板支撐件100之間的空間或容積。例如，所述 空間可用于形成用于將基板103固持到基板支撐件100的真空和/或可用于提供用于基板 支撐件100與基板102之間的熱傳遞的氣體，如以上所論述。
[0036] 在一些實施例中（如靠近每個基板支撐銷112與支撐環(huán)123的虛線所示），支撐環(huán) 123與多個基板支撐銷的每一個可從支撐構(gòu)件102的第一表面104延伸（例如基板支撐銷 112與支撐環(huán)123可以是支撐構(gòu)件102的一部分且被形成在支撐構(gòu)件102中）?；蛘?，在一 些實施例中，支撐層116可設(shè)置在支撐構(gòu)件102的第一表面104上，并且支撐環(huán)123與多個 基板支撐銷112的每一個可從支撐層116的表面114延伸。在一些實施例中，支撐層116 以及支撐環(huán)123與多個基板支撐銷112的每一個可以由相同材料形成。例如，支撐層116 以及支撐環(huán)123與基板支撐銷112的每一個可以是單件式（one-piece)結(jié)構(gòu)（圖示于圖2A 且論述于下文）。支撐層以及支撐環(huán)123與多個基板支撐銷112的每一個能由具有耐磨特 性的適合的工藝相容的材料形成。例如，材料可與基板相容、與將在基板上執(zhí)行的工藝相容 或與類似物相容。在一些實施例中，支撐層116和/或基板支撐銷112和/或支撐環(huán)123 可由介電材料制成。在一些實施例中，用于形成支撐層116和/或基板支撐銷112和/或 支撐環(huán)123的材料可包括聚酰亞胺（polyimide ;比如KAPTON? )、氧化鋁（A1203)、氮化 錯（A1N)、二氧化娃（Si02)、氮化娃（Si 3N4)、碳化娃（SiC)、石英、藍寶石（sapphire)或類似 材料的一或更多種。在一些實施例中，例如對于低溫應(yīng)用（例如在約200°C以下的溫度）， 支撐層116和/或基板支撐銷112和/或支撐環(huán)123可包括KAPTON?。
[0037] 在一些實施例中，基板支撐件100可包括對準導(dǎo)引件118,對準導(dǎo)引件118從支撐 構(gòu)件102的第一表面104延伸且在多個基板支撐銷112周圍（例如緊鄰支撐構(gòu)件102的外 緣119)。例如當(dāng)基板被多個升降銷（未圖示，圖1圖示升降銷孔113且升降銷孔113可延 伸穿過支撐層116和支撐構(gòu)件102)降低到基板支撐銷112上時，對準導(dǎo)引件118可用于比 如相對于設(shè)置在基板103下方的一或更多個加熱區(qū)塊108引導(dǎo)、置中、和/或?qū)驶?03。
[0038] 對準導(dǎo)引件118可由適合的工藝相容的材料形成，比如具有耐磨特性和/或低熱 膨脹系數(shù)的材料。對準導(dǎo)引件118可以是單件物體或多個部件的組件。在一些實施例中， 對準導(dǎo)引件118可由介電材料制成。例如，用于形成對準導(dǎo)引件118的適合的材料可包括 CELAZOLE? PBI (聚苯并咪唑;polybenzimidazole)、氧化錯（A1203)或類似材料的一 或更多種。一般地，用于基板支撐件1〇〇的各種部件的任何部件的材料可基于這些材料彼 此之間的化學(xué)與熱相容性和/或這些材料和給定工藝應(yīng)用的化學(xué)與熱相容性而被選擇。
[0039] 雖然上述內(nèi)容針對本發(fā)明的實施例，但在不背離本發(fā)明的基本范圍的情況下可設(shè) 計出本發(fā)明的其他與進一步的實施例。
【權(quán)利要求】
1. 一種基板支撐件，包含： 支撐構(gòu)件，所述支撐構(gòu)件具有基板處理表面以支撐基板于所述基板處理表面上； 多個電氣元件，所述多個電氣元件設(shè)置在所述基板支撐件中以當(dāng)所述基板設(shè)置在所述 基板處理表面上時至少監(jiān)測或至少處理所述基板； 主體，所述主體具有界定一或更多個開口的壁，所述一或更多個開口設(shè)置在面對所述 支撐構(gòu)件的所述主體的第一端與所述主體的相對第二端之間； 一或更多個第一導(dǎo)體，所述一或更多個第一導(dǎo)體設(shè)置在所述壁中而從所述第一端至所 述第二端，以提供第一電氣信號至所述多個電氣元件的至少第一電氣元件；及 一或更多個第二導(dǎo)體，所述一或更多個第二導(dǎo)體設(shè)置在所述壁中而從所述第一端至所 述第二端，以提供第二電氣信號至所述多個電氣元件的至少第二電氣元件。
2. 如權(quán)利要求1所述的基板支撐件，進一步包含： 多個導(dǎo)電網(wǎng)篩，所述多個導(dǎo)電網(wǎng)篩設(shè)置在所述壁中，其中至少一個導(dǎo)電網(wǎng)篩圍繞所述 壁的第一區(qū)域，所述壁的所述第一區(qū)域包括所述一或更多個第一導(dǎo)體，且其中至少一個導(dǎo) 電網(wǎng)篩圍繞所述壁的第二區(qū)域，所述壁的所述第二區(qū)域包括所述一或更多個第二導(dǎo)體，其 中所述多個導(dǎo)電網(wǎng)篩使所述第一區(qū)域與所述第一區(qū)域外面的第一外部電磁場實質(zhì)上電氣 絕緣且使所述第二區(qū)域與所述第二區(qū)域外面的第二外部電磁場實質(zhì)上電氣絕緣。
3. 如權(quán)利要求2所述的基板支撐件，進一步包含： 一或更多個第三導(dǎo)體，所述一或更多個第三導(dǎo)體設(shè)置在所述一或更多個開口中，其中 所述多個導(dǎo)電網(wǎng)篩使所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域與由行經(jīng)所述一或更多個第三導(dǎo)體的 電流所產(chǎn)生的第三外部電磁場電氣絕緣。
4. 如權(quán)利要求1至3中任一項權(quán)利要求所述的基板支撐件，其中所述多個導(dǎo)電網(wǎng)篩進 一步包含以下之一： 第一導(dǎo)電網(wǎng)篩；第二導(dǎo)電網(wǎng)篩，所述第二導(dǎo)電網(wǎng)篩同軸地設(shè)置在所述第一導(dǎo)電網(wǎng)篩周 圍；及第三導(dǎo)電網(wǎng)篩，所述第三導(dǎo)電網(wǎng)篩同軸地設(shè)置在所述第二導(dǎo)電網(wǎng)篩周圍，其中所述第 一區(qū)域被形成在所述第二導(dǎo)電網(wǎng)篩與所述第三導(dǎo)電網(wǎng)篩之間，并且所述第二區(qū)域被形成在 所述第一導(dǎo)電網(wǎng)篩與所述第二導(dǎo)電網(wǎng)篩之間；或 第一導(dǎo)電網(wǎng)篩，所述第一導(dǎo)電網(wǎng)篩圍繞所述第一區(qū)域；及第二導(dǎo)電網(wǎng)篩，所述第二導(dǎo)電 網(wǎng)篩圍繞所述第二區(qū)域。
5. 如權(quán)利要求1至3中任一項權(quán)利要求所述的基板支撐件，進一步包含： 一或更多個第一開口，所述一或更多個第一開口設(shè)置在所述壁中而介于所述第一端與 所述第二端之間，并且所述一或更多個第一開口具有設(shè)置成穿過所述一或更多個第一開口 的所述一或更多個第一導(dǎo)體； 一或更多個第二開口，所述一或更多個第二開口設(shè)置在所述壁中而介于所述第一端與 所述第二端之間，并且所述一或更多個第二開口具有設(shè)置成穿過所述一或更多個第二開口 的所述一或更多個第二導(dǎo)體；及 多個第三開口，所述多個第三開口設(shè)置在所述壁中而介于所述第一端與所述第二端之 間，其中每個第三開口具有設(shè)置成穿過每個第三開口的所述多個導(dǎo)電網(wǎng)篩之一。
6. 如權(quán)利要求5所述的基板支撐件，其中所述一或更多個第一開口是多個第一開口， 并且其中所述一或更多個第一導(dǎo)體是多個第一導(dǎo)體，其中每個第一導(dǎo)體設(shè)置在相應(yīng)的第一 開口中。
7. 如權(quán)利要求1至3中任一項權(quán)利要求所述的基板支撐件，其中所述多個電氣裝置的 至少第一電氣裝置是具有多個電阻式加熱元件的加熱器，并且其中所述多個電氣裝置的至 少第二電氣裝置是多個溫度傳感器。
8. 如權(quán)利要求7所述的基板支撐件，其中所述多個電阻式加熱元件被布置在一或更多 個加熱區(qū)塊內(nèi)。
9. 如權(quán)利要求1至3中任一項權(quán)利要求所述的基板支撐件，進一步包含： 靜電夾盤，所述靜電夾盤用于當(dāng)所述基板存在于所述基板處理表面上時固持所述基 板；及 一或更多個第三導(dǎo)體，所述一或更多個第三導(dǎo)體設(shè)置成穿過所述主體的所述一或更多 個開口以提供電氣功率至所述靜電夾盤，其中所述多個導(dǎo)電網(wǎng)篩使所述第一區(qū)域和所述第 二區(qū)域與由行經(jīng)所述一或更多個第三導(dǎo)體的電流所產(chǎn)生的第三外部電磁場電氣絕緣。
10. 如權(quán)利要求1至3中任一項權(quán)利要求所述的基板支撐件，進一步包含： 一或更多個導(dǎo)管，所述一或更多個導(dǎo)管設(shè)置成穿過所述主體的所述一或更多個開口； 及 真空設(shè)備，所述真空設(shè)備耦接至所述一或更多個導(dǎo)管以當(dāng)所述基板存在時經(jīng)由所述一 或更多個導(dǎo)管提供吸力到所述基板的背側(cè)，而將所述基板固持在所述基板處理表面上。
11. 如權(quán)利要求1至3中任一項權(quán)利要求所述的基板支撐件，進一步包含： 電極，所述電極用于當(dāng)所述基板存在于所述基板處理表面上時提供RF能量至所述基 板；及 一或更多個第四導(dǎo)體，所述一或更多個第四導(dǎo)體設(shè)置成穿過所述主體的所述一或更多 個開口以提供電氣功率至所述電極，其中所述多個導(dǎo)電網(wǎng)篩使所述第一區(qū)域和所述第二區(qū) 域與由行經(jīng)所述一或更多個第四導(dǎo)體的電流所產(chǎn)生的第四外部電磁場電氣絕緣。
12. -種用于基板支撐件的饋通結(jié)構(gòu)，包含： 主體，所述主體具有界定一或更多個開口的壁，所述一或更多個開口設(shè)置成從所述主 體的第一端穿過所述主體至所述主體的第二端； 一或更多個第一導(dǎo)體，所述一或更多個第一導(dǎo)體設(shè)置在所述壁中而從所述第一端至所 ΛΑ- -?丄山 述弟一犧； 一或更多個第二導(dǎo)體，所述一或更多個第二導(dǎo)體設(shè)置在所述壁中而從所述第一端至所 述第二端；及 多個導(dǎo)電網(wǎng)篩，所述多個導(dǎo)電網(wǎng)篩設(shè)置在所述壁中，其中至少一個導(dǎo)電網(wǎng)篩圍繞所述 壁的第一區(qū)域，所述壁的所述第一區(qū)域包括所述一或更多個第一導(dǎo)體，且其中至少一個導(dǎo) 電網(wǎng)篩圍繞所述壁的第二區(qū)域，所述壁的所述第二區(qū)域包括所述一或更多個第二導(dǎo)體，其 中所述多個導(dǎo)電網(wǎng)篩使所述第一區(qū)域與所述第一區(qū)域外面的第一外部電磁場實質(zhì)上電氣 絕緣且使所述第二區(qū)域與所述第二區(qū)域外面的第二外部電磁場實質(zhì)上電氣絕緣。
13. 如權(quán)利要求12所述的饋通結(jié)構(gòu)，進一步包含： 一或更多個第三導(dǎo)體，所述一或更多個第三導(dǎo)體設(shè)置在所述一或更多個開口中，其中 所述多個導(dǎo)電網(wǎng)篩使所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域與由行經(jīng)所述一或更多個第三導(dǎo)體的 電流所產(chǎn)生的第三外部電磁場電氣絕緣。
14. 如權(quán)利要求12或13中任一項權(quán)利要求所述的饋通結(jié)構(gòu)，其中所述多個導(dǎo)電網(wǎng)篩進 一步包含以下之一： 第一導(dǎo)電網(wǎng)篩；第二導(dǎo)電網(wǎng)篩，所述第二導(dǎo)電網(wǎng)篩同軸地設(shè)置在所述第一導(dǎo)電網(wǎng)篩周 圍；及第三導(dǎo)電網(wǎng)篩，所述第三導(dǎo)電網(wǎng)篩同軸地設(shè)置在所述第二導(dǎo)電網(wǎng)篩周圍，其中所述第 一區(qū)域被形成在所述第二導(dǎo)電網(wǎng)篩與所述第三導(dǎo)電網(wǎng)篩之間，并且所述第二區(qū)域被形成在 所述第一導(dǎo)電網(wǎng)篩與所述第二導(dǎo)電網(wǎng)篩之間；或 第一導(dǎo)電網(wǎng)篩，所述第一導(dǎo)電網(wǎng)篩圍繞所述第一區(qū)域；及第二導(dǎo)電網(wǎng)篩，所述第二導(dǎo)電 網(wǎng)篩圍繞所述第二區(qū)域。
15. 如權(quán)利要求12或13中任一項權(quán)利要求所述的基板支撐件，其中所述主體進一步包 含： 一或更多個第一開口，所述一或更多個第一開口設(shè)置在所述壁中而介于所述第一端與 所述第二端之間，并且所述一或更多個第一開口具有設(shè)置成穿過所述一或更多個第一開口 的所述一或更多個第一導(dǎo)體； 一或更多個第二開口，所述一或更多個第二開口設(shè)置在中而介于所述第一端與所述第 二端之間，并且所述一或更多個第二開口具有設(shè)置成穿過所述一或更多個第二開口的所述 一或更多個第二導(dǎo)體；及 多個第三開口，所述多個第三開口設(shè)置在所述壁中而介于所述第一端與所述第二端之 間，其中每個第三開口具有設(shè)置成穿過每個第三開口的所述多個導(dǎo)電網(wǎng)篩之一。
【文檔編號】B23Q3/15GK104247001SQ201380016546
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年3月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月30日
【發(fā)明者】利昂·沃爾福夫斯基, 馬尤爾·G·庫爾卡尼 申請人:應(yīng)用材料公司