技術特征：

技術總結
本發(fā)明提出了制備人工晶體的方法。該方法包括：(1)提供人工晶體粗胚，所述人工晶體粗胚包括：光學區(qū)，所述光學區(qū)具有上光學面以及下光學面；以及外圍區(qū)，所述外圍區(qū)環(huán)繞所述光學區(qū)；(2)對所述外圍區(qū)進行激光切割處理，以便形成所述人工晶體，所述人工晶體包括：所述光學區(qū)，所述光學區(qū)包含所述上光學面以及所述下光學面；以及支撐件，所述支撐件與所述光學區(qū)相連。由此，可以快速地實現(xiàn)對人工晶體粗胚的切割，進而可以提高制備人工晶體的生產效率。

技術研發(fā)人員：曹立;羅敏;康小林;黃芳芳
受保護的技術使用者：廣東東陽光藥業(yè)有限公司
技術研發(fā)日：2016.01.11
技術公布日：2017.07.18