1.一種抑制微細(xì)電化學(xué)加工雜散腐蝕的加工裝置，其特征在于，包括：
儲(chǔ)液槽，用于放置電化學(xué)加工過(guò)程中使用的電解液，待腐蝕金屬件安放在儲(chǔ)液池中，被所述電解液浸沒(méi)；
微細(xì)加工電極，所述微細(xì)加工電極與所述待腐蝕金屬件相對(duì)安置；
高頻脈沖電源，用于在所述微細(xì)加工電極和所述待腐蝕金屬件之間加載高頻脈沖電信號(hào)，使得所述電解液在所述待腐蝕金屬件上加工；
垂直位移臺(tái)，用于帶動(dòng)所述微細(xì)加工電極實(shí)現(xiàn)加工所需的垂直進(jìn)給運(yùn)動(dòng)；
絕緣罩，所述絕緣罩包圍在所述微細(xì)加工電極的外圍；
三維位移臺(tái)，用于帶動(dòng)所述絕緣罩和所述垂直位移臺(tái)實(shí)現(xiàn)水平的xy向以及垂直的z向運(yùn)動(dòng)；
其中所述絕緣罩的垂直位置由所述三維位移臺(tái)的z向運(yùn)動(dòng)控制，所述微細(xì)加工電極的垂直進(jìn)給運(yùn)動(dòng)由所述垂直位移臺(tái)控制，所述微細(xì)加工電極的平面掃描運(yùn)動(dòng)由所述三維位移臺(tái)的xy向運(yùn)動(dòng)控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工裝置，其特征在于，所述微細(xì)加工電極的尖端的圓角半徑為10～500nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工裝置，其特征在于，所述微細(xì)加工電極為鎢、鉑或金制作的針狀或圓柱狀電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工裝置，其特征在于，所述電解溶液為硝酸鹽或氯化物或堿電解溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工裝置，其特征在于，所述絕緣罩的內(nèi)徑比所述微細(xì)加工電極外徑大1-2μm，優(yōu)選的，所述絕緣罩與所述微細(xì)加工電極同心定位。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的加工裝置，其特征在于，所述高頻脈沖電源參數(shù)包括電壓幅值為1～5V，頻率為1～500MHz，脈沖寬度為0.5ns～500ns，加工電流密度值為2～10mA/cm2。
7.一種使用權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的加工裝置的微細(xì)電化學(xué)加工方法，其特征在于，包括：
所述三維位移臺(tái)z向帶動(dòng)所述垂直位移臺(tái)和所述絕緣罩移動(dòng)，使所述絕緣罩移動(dòng)到所述待腐蝕金屬件上側(cè)；
在所述微細(xì)加工電極和所述待腐蝕金屬件之間加載高頻脈沖電信號(hào)，所述三維位移臺(tái)xy向帶動(dòng)所述垂直位移臺(tái)攜所述微細(xì)加工電極按照預(yù)先制定的路徑在所述待腐蝕金屬件上掃描加工，所述垂直位移臺(tái)z向帶動(dòng)所述微細(xì)加工電極相對(duì)于所述待加腐蝕金屬垂直進(jìn)給加工。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的加工方法，其特征在于，在開(kāi)始水平加工之前，先使所述微細(xì)加工電極相對(duì)于所述待腐蝕金屬件垂直進(jìn)給，通過(guò)監(jiān)測(cè)所述微細(xì)加工電極與所述待腐蝕金屬件間的電流值來(lái)控制所述微細(xì)加工電極與所述待腐蝕金屬件的相對(duì)進(jìn)給速度，在檢測(cè)到電流發(fā)生突變前按照第一速度進(jìn)給，在檢測(cè)到電流發(fā)生突變后按照低于所述第一速度的第二速度進(jìn)給并以設(shè)定的加工電流密度進(jìn)行加工，達(dá)到結(jié)構(gòu)所需的加工深度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的加工方法，其特征在于，所述第一速度為5～20μm/s，所述第二速度為1～10μm/s。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9任一項(xiàng)所述的加工方法，其特征在于，當(dāng)需要進(jìn)行銑削側(cè)壁加工時(shí)，所述垂直位移臺(tái)z向帶動(dòng)所述微細(xì)加工電極伸出于所述絕緣罩之外足夠的長(zhǎng)度，以實(shí)現(xiàn)銑削側(cè)壁加工。