本發(fā)明涉及一種基板的生產(chǎn)方法，具體涉及一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法。

背景技術(shù)：

UV激光切割用于對柔性線路板和有機(jī)覆蓋膜進(jìn)行精密切割，現(xiàn)有的UV激光切割成單PCS的生產(chǎn)方法具有以下缺點(diǎn)：

（1）切割完成后基板散落在機(jī)器臺面上不易拿取，對生產(chǎn)品質(zhì)有隱患，生產(chǎn)效率低；

（2）激光能量設(shè)置過高手指容易氧化，能量過低單PCS連接筋不易掉落；連接筋不易掉落產(chǎn)生的廢料對生產(chǎn)品質(zhì)有影響，后制程擺盤操作時(shí)生產(chǎn)效率低；

（3）基板鏤空區(qū)太多設(shè)備吸力吸不住切割過程中容易產(chǎn)生偏移，增加了人工返檢，生產(chǎn)成本提高且產(chǎn)品品質(zhì)無法保證影響正常交貨。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對上述問題提出了一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法，提高設(shè)備利用率，提高了產(chǎn)能和品質(zhì)，降低了成本。

具體的技術(shù)方案如下：

一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法，其方法為：

（1）選取專用的治具板底板；

（2）在治具板底板上鉆第一穿孔和第二穿孔；

（3）在治具板底板上一次控深銑切得到第一銑槽；

（4）在治具板底板上二次控深銑切得到第二銑槽；

（5）在治具板底板上銑外圍得到治具板成品；

（6）將切割基板固定在治具板上，單PCS基板位于第一銑槽和第二銑槽內(nèi)；

（7）校正UV激光設(shè)備能量使切割基板定位；

（8）對切割基板UV激光后得到單PCS基板，取板，擺盤。

上述一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法，其中，所述第一穿孔的數(shù)量為兩個(gè)，位于第一銑槽內(nèi)，第一穿孔為直徑3.5mm的圓孔。

上述一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法，其中，所述第二穿孔為直徑2.5mm的圓孔，第二穿孔兩側(cè)半銑穿深度2mm第三銑槽，第二穿孔位于相鄰的兩個(gè)第一銑槽之間。

上述一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法，其中，所述第一銑槽深度為0.5mm。

上述一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法，其中，所述第二銑槽深度為1.5mm。

本發(fā)明的有益效果為：

（1）提高設(shè)備利用率，從而提高產(chǎn)能；

（2）避免品質(zhì)異常的發(fā)生，提高產(chǎn)品的良率，減少人員的返工，降低生產(chǎn)運(yùn)營的成本；

（3）配合輔助設(shè)備使用，單PCS整齊卡在治具槽里，實(shí)現(xiàn)擺盤由手動更改為自動；

（4）第一銑槽和第二銑槽用于固定基板，第一穿孔用于吸住基板加以二次固定，第二穿孔和第三銑槽用于吸走落下的廢料，使單PCS基板分離；

（5）綜上所述，本發(fā)明提高設(shè)備利用率，提高了產(chǎn)能和品質(zhì)，降低了成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明治具盤結(jié)構(gòu)圖。

圖2為本發(fā)明治具盤A部放大圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的技術(shù)方案更加清晰明確，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步描述，任何對本發(fā)明技術(shù)方案的技術(shù)特征進(jìn)行等價(jià)替換和常規(guī)推理得出的方案均落入本發(fā)明保護(hù)范圍。

附圖標(biāo)記

治具板底板1、第一穿孔2、第二穿孔3、第一銑槽4、第二銑槽5、第三銑槽6。

如圖所示一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法，其方法為：

（1）選取專用的治具板底板1；

（2）在治具板底板上鉆第一穿孔2和第二穿孔3；

（3）在治具板底板上一次控深銑切得到第一銑槽4，所述第一銑槽深度為0.5mm；

（4）在治具板底板上二次控深銑切得到第二銑槽5，所述第二銑槽深度為1.5mm；

（5）在治具板底板上銑外圍得到治具板成品，所述第一穿孔的數(shù)量為兩個(gè)，位于第一銑槽內(nèi)，第一穿孔為直徑3.5mm的圓孔，所述第二穿孔為直徑2.5mm的圓孔，第二穿孔兩側(cè)半銑穿深度2mm第三銑槽6，第二穿孔位于相鄰的兩個(gè)第一銑槽之間；

（6）將切割基板固定在治具板上，單PCS基板位于第一銑槽和第二銑槽內(nèi)；

（7）校正UV激光設(shè)備能量使切割基板定位；

（8）對切割基板UV激光后得到單PCS基板，取板，擺盤。