本發(fā)明涉及對晶片的正面照射激光光線而對分割預定線進行蝕刻的加工裝置。

背景技術(shù)：

關(guān)于由分割預定線劃分并在正面上形成有ic、lsi等多個器件的晶片，通過以能夠旋轉(zhuǎn)的方式具有切削刀具而對分割預定線進行切削的劃片裝置、對分割預定線實施燒蝕加工或內(nèi)部加工并沿著分割預定線進行分割的激光加工裝置等將該晶片分割成各個器件，并應(yīng)用于移動電話、個人計算機等電子設(shè)備。

然而，公知在上述劃片裝置、激光加工裝置所進行的加工中，在各個分割得到的器件的外周產(chǎn)生畸變，由于因該加工導致的畸變殘留在器件的外周，所以存在器件的抗彎強度降低的問題，需要對通過上述加工裝置分割得到的各個器件的外周實施蝕刻并將該殘留畸變?nèi)コ忍幚?例如，參照專利文獻1。)。

并且，為了避免在使用上述加工裝置進行加工時器件的抗彎強度降低，還提出了通過等離子蝕刻將晶片分割成各個器件的技術(shù)(例如，參照專利文獻2。)，為了沿著分割預定線通過等離子蝕刻來進行分割，需要在晶片的正面上覆蓋抗蝕膜并對分割預定線進行曝光而將其去除的工序，存在加工設(shè)備復雜并且加工效率降低的問題。

專利文獻1：日本特開2009-105211號公報

專利文獻2：日本特開2002-093749號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于上述事實而完成的，其主要的技術(shù)課題在于提供一種加工裝置，能夠不使加工設(shè)備復雜，并且，不使各個分割得到的器件的抗彎強度降低地高效地實施加工。

為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供加工裝置，其將由分割預定線劃分并在正面上形成有多個器件的晶片分割成各個器件，其中，該加工裝置至少包含：保持構(gòu)件，其具有對晶片進行保持的保持面；腔，其對該保持構(gòu)件進行收納并與該保持面相對地形成有透光性遮蔽窗；激光光線照射構(gòu)件，其通過該透光性遮蔽窗而對該保持構(gòu)件所保持的晶片照射激光光線；移動構(gòu)件，其使從該激光光線照射構(gòu)件照射的激光光線與該保持構(gòu)件相對地移動；蝕刻氣體提供構(gòu)件，其向該腔內(nèi)提供蝕刻氣體，該蝕刻氣體對因激光光線的照射而被激發(fā)的分割預定線進行蝕刻；以及排出構(gòu)件，其將蝕刻后氣體從該腔內(nèi)排出。

優(yōu)選該蝕刻氣體提供構(gòu)件構(gòu)成為能夠提供兩種以上的與層疊在分割預定線上的材料對應(yīng)的種類的蝕刻氣體。

由于本發(fā)明的加工裝置至少包含：保持構(gòu)件，其具有對晶片進行保持的保持面；腔，其對該保持構(gòu)件進行收納并與該保持面相對地形成有透光性遮蔽窗；激光光線照射構(gòu)件，其通過該透光性遮蔽窗而對該保持構(gòu)件所保持的晶片照射激光光線；移動構(gòu)件，其使從該激光光線照射構(gòu)件照射的激光光線與該保持構(gòu)件相對地移動；蝕刻氣體提供構(gòu)件，其向該腔內(nèi)提供蝕刻氣體，該蝕刻氣體對因激光光線的照射而被激發(fā)的分割預定線進行蝕刻；以及排出構(gòu)件，其將蝕刻后氣體從該腔內(nèi)排出，所以在通過針對晶片的激光光線的照射來實施蝕刻時，不需要設(shè)置在晶片正面覆蓋抗蝕膜并進行曝光等程序，因此不會使加工效率降低，能夠分割成各個器件，并且能夠得到抗彎強度優(yōu)異的器件。

并且，如果該蝕刻氣體提供構(gòu)件構(gòu)成為能夠提供兩種以上的與層疊在分割預定線上的材料對應(yīng)的種類的蝕刻氣體，則能夠一邊同時提供與晶片上的多種材料對應(yīng)的蝕刻氣體，一邊通過照射激光光線，從而實現(xiàn)加工效率的進一步提高。

附圖說明

圖1是用于對根據(jù)本發(fā)明而構(gòu)成的加工裝置的結(jié)構(gòu)進行說明的分解立體圖。

圖2是裝備在圖1的加工裝置中的激光光線照射構(gòu)件的框狀結(jié)構(gòu)圖。

圖3是圖1所示的加工裝置的整體立體圖。

圖4是用于對利用圖3所示的加工裝置來加工被加工物的情形進行說明的說明圖。

標號說明

1：加工裝置；2：靜止基臺；3：保持工作臺機構(gòu)；4：激光光線照射單元；5：激光光線照射構(gòu)件；6：對準構(gòu)件；7：腔；10：半導體晶片；11：分割預定線；12：器件；13：測試元件組(teg)；71：透光性遮蔽窗；72：搬出搬入門；73：提供口；74：排出口。

具體實施方式

以下，參照附圖對根據(jù)本發(fā)明構(gòu)成的加工裝置的優(yōu)選的實施方式進行更詳細地說明。

在圖1中示出了由本發(fā)明提供的加工裝置，為了方便說明，將構(gòu)成該加工裝置1的一部分的、對靜止基臺2上的保持構(gòu)件的上方進行覆蓋的腔7分離而進行示出。

圖1所示的激光加工裝置1具有：靜止基臺2；作為保持構(gòu)件的保持工作臺機構(gòu)3，其以能夠在箭頭x所示的x軸方向和箭頭y所示的y軸方向上移動的方式配設(shè)在該靜止基臺2上，并對被加工物進行保持；以及激光光線照射單元4，其配設(shè)在靜止基臺2上并具有激光光線照射構(gòu)件5。

上述保持工作臺機構(gòu)3具有：一對導軌31、31，其沿著x軸方向平行配設(shè)在靜止基臺2上；第1滑動塊32，其以能夠在x軸方向上移動的方式配設(shè)在該導軌31、31上；第2滑動塊33，其以能夠在與x軸方向垂直的箭頭y所示的y軸方向上移動的方式配設(shè)在該第1滑動塊32上；以及支承工作臺35，其在該第2滑動塊33上被圓筒部件34支承為能夠旋轉(zhuǎn)，該圓筒部件34由圓筒形狀構(gòu)成并在內(nèi)部具有脈沖電動機，在該支承工作臺35上具有卡盤工作臺36，在該卡盤工作臺36上載置有作為被加工物的在正面上形成有器件的半導體晶片10。

該卡盤工作臺36具有由多孔性材料形成的吸附卡盤361，通過未圖示的吸引構(gòu)件的作用將作為被加工物的圓形的半導體晶片10保持在吸附卡盤361的上表面即保持面上。這樣構(gòu)成的卡盤工作臺36能夠通過配設(shè)在圓筒部件34內(nèi)的脈沖電動機而調(diào)整為希望的角度。另外，在卡盤工作臺36上配設(shè)有夾具362，該夾具362用于固定環(huán)狀的框架f(參照圖4)，該環(huán)狀的框架f借助保護帶t對半導體晶片10進行支承。

在上述第1滑動塊32的下表面設(shè)置有與上述一對導軌31、31嵌合的一對被導槽321、321，并且在其上表面設(shè)置有沿著y軸方向平行形成的一對導軌322、322。這樣構(gòu)成的第1滑動塊32構(gòu)成為能夠通過使被導槽321、321與一對導軌31、31嵌合而沿著一對導軌31、31在x軸方向上移動。圖示的保持工作臺機構(gòu)3具有x軸方向移動構(gòu)件37，該x軸方向移動構(gòu)件37構(gòu)成了使第1滑動塊32沿著一對導軌31、31在x軸方向上移動的構(gòu)件。x軸方向移動構(gòu)件37包含：外螺桿371，其平行配設(shè)在上述一對導軌31、31之間；以及脈沖電動機372等驅(qū)動源，其用于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動該外螺桿371。外螺桿371的一端被上述靜止基臺2上所固定的軸承塊373支承為自由旋轉(zhuǎn)，其另一端與上述脈沖電動機372的輸出軸傳動連結(jié)。另外，外螺桿371與貫通內(nèi)螺紋孔螺合，該貫通內(nèi)螺紋孔形成在未圖示的內(nèi)螺紋塊中，該內(nèi)螺紋塊突出設(shè)置在第1滑動塊32的中央部下表面。因此，通過脈沖電動機372對外螺桿371進行正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)驅(qū)動，由此，使第1滑動塊32沿著導軌31、31在x軸方向上移動。

在上述第2滑動塊33的下表面設(shè)置有一對被導槽331、331，該一對被導槽331、331與設(shè)置在上述第1滑動塊32的上表面的一對導軌322、322嵌合，該第2滑動塊33構(gòu)成為能夠通過使該被導槽331、331與一對導軌322、322嵌合而在與上述x軸垂直的y軸方向上移動。圖示的保持工作臺機構(gòu)3具有y軸方向移動構(gòu)件38，該y軸方向移動構(gòu)件38構(gòu)成了朝向y軸方向移動的構(gòu)件并用于使第2滑動塊33沿著設(shè)置在第1滑動塊32上的一對導軌322、322移動。y軸方向移動構(gòu)件38包含：外螺桿381，其平行配設(shè)在上述一對導軌322、322之間；以及脈沖電動機382等驅(qū)動源，其用于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動該外螺桿381。外螺桿381的一端被上述第1滑動塊32的上表面上所固定的軸承塊383支承為自由旋轉(zhuǎn)，其另一端與上述脈沖電動機382的輸出軸傳動連結(jié)。另外，外螺桿381與貫通內(nèi)螺紋孔螺合，該貫通內(nèi)螺紋孔形成在未圖示的內(nèi)螺紋塊中，該內(nèi)螺紋塊突出設(shè)置在第2滑動塊33的中央下表面，通過對外螺桿381進行正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)驅(qū)動，使第2滑動塊33沿著導軌322、322在y軸方向上移動。

上述第1滑動塊32、第2滑動塊33分別具有對未圖示的x軸方向位置進行檢測的x軸方向位置檢測構(gòu)件、對y軸方向位置進行檢測的y軸方向位置檢測構(gòu)件，能夠通過未圖示的控制構(gòu)件并根據(jù)檢測出的各第1、第2滑動塊的位置來對上述各驅(qū)動源發(fā)送驅(qū)動信號，并將卡盤工作臺36控制在希望的位置。

上述激光光線照射單元4具有：支承部件41，其配設(shè)在上述靜止基臺2上；外殼42，其被該支承部件41支承且實際上水平延伸；激光光線照射構(gòu)件5，其配設(shè)在該外殼42內(nèi)；以及對準構(gòu)件6，其配設(shè)在該外殼42的前端部，用于對要進行激光加工的加工區(qū)域進行檢測并實施對準。

對準構(gòu)件6具有：照明構(gòu)件，其對被加工物進行照明；光學系統(tǒng)，其捕捉由該照明構(gòu)件照明的區(qū)域；以及拍攝元件(ccd)等，其對由該光學系統(tǒng)捕捉的像進行拍攝，該對準構(gòu)件6將拍攝得到的圖像信號發(fā)送給未圖示的控制構(gòu)件。

如圖2所示，為了能夠輸出波長不同的激光光線，上述激光光線照射構(gòu)件5具有第1激光光線照射構(gòu)件53和第2激光光線照射構(gòu)件54。第1激光光線照射構(gòu)件53包含如下部件：第1激光光線振蕩構(gòu)件531，其振蕩出波長為紅外光的激光光線；第1輸出調(diào)整構(gòu)件532，其對從該第1激光光線振蕩構(gòu)件531振蕩出的激光光線的輸出進行調(diào)整；第1聚光構(gòu)件51a，其使從第1激光光線振蕩構(gòu)件531振蕩出的激光光線lb1朝向卡盤工作臺36上的被加工物會聚。并且，第2激光光線照射構(gòu)件54包含如下部件：第2激光光線振蕩構(gòu)件541，其振蕩出波長為紫外光的的激光光線；第2輸出調(diào)整構(gòu)件542，其對從該第2激光光線振蕩構(gòu)件振蕩出的激光光線的輸出進行調(diào)整；以及第2聚光構(gòu)件51b，其使從第2激光光線振蕩構(gòu)件541振蕩出的激光光線lb2朝向卡盤工作臺36上的被加工物會聚。并且，聚光器51由該第1聚光構(gòu)件51a、第2聚光構(gòu)件51b和反射鏡51c構(gòu)成。該激光光線照射構(gòu)件5所照射的該激光光線的聚光點位置pa被控制成能夠調(diào)整到保持工作臺的上表面即保持面上的希望的位置。

本實施方式中的激光加工裝置1具有未圖示的控制構(gòu)件，該控制構(gòu)件由計算機構(gòu)成，并具有：中央處理裝置(cpu)，其根據(jù)控制程序來進行運算處理；只讀存儲器(rom)，其對控制程序等進行儲存；能夠讀寫的隨機存取存儲器(ram)，其隨時對運算結(jié)果等進行儲存；以及輸入接口和輸出接口。除了對該控制構(gòu)件的該輸入接口輸入來自上述對準構(gòu)件6的檢測信號之外，還輸入來自對未圖示的第1滑動塊32的x軸方向位置進行檢測的x軸方向位置檢測構(gòu)件、對第2滑動塊33的y軸方向位置進行檢測的y軸方向位置檢測構(gòu)件的位置信號等。然后，將信號從該輸出接口輸出給內(nèi)設(shè)在圓筒部件34中的脈沖電動機、x軸方向移動構(gòu)件37、y軸方向移動構(gòu)件38、激光光線照射構(gòu)件5和對準構(gòu)件6等。

如圖1所示，本實施方式的激光加工裝置具有腔7，該腔7用于對包含有作為保持構(gòu)件的保持工作臺機構(gòu)3的區(qū)域整體進行覆蓋。該腔7形成為箱型形狀，在設(shè)置于靜止基臺2上的情況下構(gòu)成為使透光性遮蔽窗71位于照射激光光線而實施蝕刻加工的加工區(qū)域位置的上方。另外，作為該透光性遮蔽窗71，采用光透過度優(yōu)異的石英玻璃。并且，在相對于保持工作臺機構(gòu)3的卡盤工作臺36上進行半導體晶片10的搬出搬入的搬出搬入?yún)^(qū)域的上方配設(shè)有搬出搬入門72。

在圖3中示出了將該腔7載置在本實施方式中的激光加工裝置1上的狀態(tài)。該腔7構(gòu)成為從外部將上述的保持工作臺機構(gòu)3、用于使該保持工作臺機構(gòu)3的卡盤工作臺36移動的x軸方向移動構(gòu)件37、y軸方向移動構(gòu)件38和導軌31、31等加工時保持工作臺機構(gòu)3所移動的整體區(qū)域完全遮蔽，并通過未圖示的止動件(例如，所謂的扣鎖等)來固定在靜止基臺2上。并且，在腔7的加工區(qū)域側(cè)的側(cè)壁上配設(shè)有用于導入蝕刻氣體的提供口73，在與設(shè)置有該提供口73的該側(cè)壁相對的搬出搬入?yún)^(qū)域側(cè)的側(cè)壁上配設(shè)有用于將完成蝕刻的氣體排出的排出口74。

如圖3所示，該腔7的提供口73經(jīng)由配管而與氯(cl2)氣瓶81、鹽酸(hcl)氣瓶82連接，在該配管上配設(shè)有通過未圖示的控制構(gòu)件對其開度進行調(diào)整的調(diào)量閥91、92。并且，在該調(diào)量閥91、92與提供口73之間連接有大氣導入用的配管，在該大氣導入用的配管上配設(shè)有：調(diào)量閥93，其能夠通過該控制構(gòu)件對開度進行調(diào)整；以及止回閥94，其發(fā)揮使氣體無法在從腔7朝向大氣開放口的方向上流動的功能。并且，排出口74經(jīng)由配管而與廢棄容器83連接，在該配管上配設(shè)有：吸引泵84，其用于對腔7內(nèi)的完成蝕刻的氣體進行吸引并加壓儲存在該廢棄容器中；以及開閉閥95，其將廢棄容器83與該配管的流通阻斷。另外，也可以在該吸引泵84的下游側(cè)設(shè)置止回閥以使所吸引的氣體不會反向流動。

本實施方式的激光加工裝置大致如以上那樣構(gòu)成，以下對其作用進行說明。

在圖4中示出了實施激光光線所進行的蝕刻的狀態(tài)的半導體晶片10。關(guān)于在本實施方式中作為被加工物的該半導體晶片10，在由硅(si)構(gòu)成的基板的正面上呈格子狀形成有多條分割預定線11，并且在由該多條分割預定線11劃分出的多個區(qū)域內(nèi)形成有器件12，如在局部放大圖中所示的那樣，沿著分割預定線11配設(shè)有多個用于對器件的特性進行測試的由銅(cu)構(gòu)成的測試元件組(teg)13，在該半導體晶片10的正面整體上覆蓋有用于保護各器件的作為保護膜的二氧化硅(sio2)膜。另外，雖然在圖4中省略了圖示，但在激光光線照射構(gòu)件5的聚光器51與半導體晶片10之間配設(shè)有上述的腔7的透光性遮蔽窗71。

對在本實施方式中沿著上述半導體晶片10的分割預定線11照射激光光線而實施蝕刻的方法進行說明。

首先，在開始加工之前，打開搬出搬入門72而將借助保護帶t被框架f保持的半導體晶片10載置在卡盤工作臺36的保持面上。然后，使未圖示的吸引構(gòu)件工作，并隔著保護帶t將半導體晶片10吸引保持在卡盤工作臺36上。然后，通過夾具362對環(huán)狀的框架f進行固定，在該環(huán)狀的框架f上安裝有保護帶t，在該保護帶t上粘貼有半導體晶片10。在半導體晶片10被固定在卡盤工作臺36上之后，關(guān)上搬出搬入門72，通過未圖示的鎖定構(gòu)件進行鎖定而將腔7內(nèi)的空間與外界完全阻斷。

通過x軸方向移動構(gòu)件37使對半導體晶片10進行吸引保持的卡盤工作臺36朝向?qū)蕵?gòu)件6的下方移動，當將卡盤工作臺36定位在對準構(gòu)件6的正下方時，通過對準構(gòu)件6和控制構(gòu)件來執(zhí)行對準工序，該對準工序進行半導體晶片10的待實施蝕刻的加工區(qū)域與激光光線照射構(gòu)件5的聚光器51的對位。在實施了對準工序之后，實施由激光光線的照射所進行的蝕刻。

如上述那樣，在半導體晶片10的形成于硅(si)基板的正面的分割預定線11上設(shè)置有由銅(cu)構(gòu)成的teg13，該基板的正面被二氧化硅(sio2)膜覆蓋。因此，在沿著分割預定線11照射激光光線而對該半導體晶片10進行蝕刻的情況下，需要使硅(si)、銅(cu)、二氧化硅(sio2)分別被蝕刻。另外，通過激光光線的照射來進行蝕刻是指：向激光光線所照射的聚光點pa的位置提供作為反應(yīng)氣體的蝕刻氣體，使si、cu、sio2在所照射的激光光線的聚光點pa處被激發(fā)，從而對半導體晶片10上的該聚光點位置進行蝕刻。這里，在照射激光光線而進行蝕刻的情況下，需要提供與待蝕刻的對象的材料對應(yīng)的合適的蝕刻氣體，并按照蝕刻對象的材料與蝕刻氣體的組合來確定使激發(fā)良好地產(chǎn)生的激光光線(以下，也稱為“激發(fā)激光光線”。)的波段。

以下，示出了在本實施方式中作為蝕刻對象的材料、與該材料對應(yīng)的蝕刻氣體、激發(fā)激光光線、以及因蝕刻工藝而產(chǎn)生的蝕刻后氣體。

材料：蝕刻氣體+激發(fā)激光波段：蝕刻后氣體

sio2：hcl+紅外光：sicl4+h2o

cu：cl2+紫外光：cucl2

si：cl2+紫外光：sicl4

根據(jù)以上內(nèi)容能夠理解，在通過激光光線所進行的蝕刻對本實施方式的半導體晶片10進行分割的情況下，提供兩種(hcl、cl2)蝕刻氣體并照射與它們對應(yīng)的紅外光波段的激光光線和紫外光波段的激光光線即可。

在本實施方式中，要想實施上述說明的蝕刻，首先，通過控制構(gòu)件來打開調(diào)量閥91、92，對腔7內(nèi)導入作為蝕刻氣體的氯氣和鹽酸氣體。在對腔7內(nèi)導入了規(guī)定的量的該氯氣、鹽酸氣體之后，使保持著半導體晶片10的卡盤工作臺36移動至激光光線照射構(gòu)件5的聚光器51下方的加工區(qū)域，并將聚光點pa定位在半導體晶片10的分割預定線11的端部。

然后，一邊對半導體晶片10進行加工進給，一邊使激光光線照射構(gòu)件5進行動作而經(jīng)由透光遮蔽窗71來進行針對半導體晶片10的激光光線的照射。這里，如上述那樣，本實施方式的激光光線照射構(gòu)件5具有：第1激光光線照射構(gòu)件53，其照射波長為紅外光的激光光線；以及第2激光光線照射構(gòu)件54，其照射紫外光的激光，并且，由于具有圖2所示的那樣的第1、第2聚光構(gòu)件51a、51b，所以能夠一邊對半導體晶片10進行加工進給一邊同時照射兩種激光光線，能夠通過針對分割預定線11的一次照射而同時對全部的構(gòu)成半導體晶片10的基板的si、構(gòu)成teg13的cu和作為保護膜而形成的sio2進行蝕刻，并能夠沿著分割預定線11對半導體晶片10進行分割。

另外，上述激光光線的照射條件例如按照以下方式進行設(shè)定。

<第1激光光線(紅外光)>

激光光線：co2激光(cw、或脈沖激光)

波長：10000nm

平均輸出：0.5w

進給速度：100mm/秒

<第2激光光線(紫外光)>

激光光線：yag激光(cw、或脈沖激光)

波長：355nm

平均輸出：0.5w

進給速度：100mm/秒

并且，在如上述那樣通過照射激光光線來執(zhí)行蝕刻的情況下，由于會產(chǎn)生蝕刻后氣體，所以在開始蝕刻之后，從排出口74通過吸引泵84對腔7內(nèi)的蝕刻后氣體進行吸引，并儲存在廢棄容器83中。并且，由于腔7內(nèi)的蝕刻氣體因執(zhí)行該蝕刻而減少，所以為了補充減少部分而進行如下控制：對調(diào)量閥91、92進行調(diào)整而提供新的蝕刻氣體。

使x軸方向移動構(gòu)件37、y軸方向移動構(gòu)件38進行動作而對全部的分割預定線11照射上述激光光線lb1、lb2，由此，完成蝕刻而使半導體晶片10在保護帶t上被分割成各個器件。在該分割工序完成之后，在繼續(xù)吸引泵84的工作的狀態(tài)下，關(guān)閉調(diào)量閥91、92并停止蝕刻氣體的提供，并且慢慢打開大氣導入用的調(diào)量閥93。由此，蝕刻氣體和蝕刻后氣體不會泄漏到腔7的外部而是儲存在廢棄容器83中，腔7內(nèi)的空間從蝕刻氣體被替換成大氣，蝕刻工序完成。

在蝕刻工序完成之后，關(guān)閉大氣導入用的調(diào)量閥93，使吸引泵84停止并且關(guān)閉開閉閥95。之后，在確認腔7內(nèi)的空間已被替換成大氣之后，打開搬出搬入門72，將保持在卡盤工作臺36上的被分割成各個器件的半導體晶片10取出，并搬送到將各個分割得到的器件從保護帶t取出的拾取工序中。

另外，在本實施方式中，同時提供兩種蝕刻氣體，并同時照射兩種波長的激光光線，由此，通過一次掃描來對半導體晶片10進行蝕刻而分割成各個器件，但本發(fā)明并不僅限于此。例如，也可以一種接一種地提供與分割預定線11上的材料對應(yīng)的蝕刻氣體，并一種接一種地照射激發(fā)該si、cu、sio2等的波長的激光光線，從而將針對分割預定線11的蝕刻分成數(shù)次來進行。

在本實施方式中，為了對作為保護半導體基板的正面的氧化膜而形成的sio2膜進行蝕刻，提供hcl來作為蝕刻氣體，照射紅外光的激光光線來進行蝕刻，但并不僅限于此。在通過照射激光光線來進行蝕刻的情況下，能夠?qū)嵤┪g刻的蝕刻氣體會根據(jù)材料的溫度條件而變化。例如，如果通過其他的激光光線的照射等對分割預定線11上的sio2膜進行加熱，則即使提供cl2來作為蝕刻氣體，也能夠激發(fā)sio2，在該情況下，僅通過提供一種cl2來作為蝕刻氣體，便能夠利用由該激光光線的照射所進行的蝕刻將全部的構(gòu)成半導體晶片10的sio2、cu、si去除。

另外，在本實施方式中，以半導體晶片10的分割預定線由si、cu、sio2構(gòu)成為前提來設(shè)定蝕刻條件，但本發(fā)明并不僅限于此，能夠根據(jù)進行蝕刻的部位的晶片的材料來適當選擇導入腔內(nèi)的蝕刻氣體、所照射的激光光線的照射條件。并且，激光光線照射構(gòu)件的具體的結(jié)構(gòu)也并不僅限于本實施方式，能夠適用在公知的激光光線照射構(gòu)件中。