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Low?k材料激光去除工藝及其設備的制作方法

文檔序號:11699816閱讀:857來源:國知局
Low?k材料激光去除工藝及其設備的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及一種微加工方法及其設備,尤其涉及一種low-k材料激光去除工藝及其設備。



背景技術:

在集成電路及半導體領域,高速電子元器件集成度越來越高,在集成電路內(nèi)部,由于ild(interlayerdielectrics,層間電介質(zhì))的存在,導線之間就不可避免地存在分布電容,或者稱之為寄生電容。分布電容不僅影響芯片的速度,也對工作可靠性構成嚴重威脅。從電容器容量計算公式中我們可以看出,在結構不變的情況下,減少電介質(zhì)的k值,可以減小電容的容量。因此,使用low-k電介質(zhì)作為ild,可以有效地降低互連線之間的分布電容,從而可使芯片總體性能提升10%左右。

由于low-k材料的松軟結構和易滲透性,加上硅襯底上的銅材質(zhì)的使用,使得傳統(tǒng)的刀輪切割已經(jīng)無法滿足工業(yè)化需求,由于激光加工是非接觸式加工,不會有應力產(chǎn)生,解決了機械接觸式加工帶來的崩邊,效率低下,刀輪損耗大等問題,但是,普通的激光加工設備,由于激光是高斯分布,光束從激光器輸出經(jīng)過傳輸擴束,然后在聚焦鏡下方匯聚,匯聚后的焦點用于材料的表面或者內(nèi)部進行加工,焦點處的能量分布也是高斯分布,在劃線及切割加工,加工后的截面呈現(xiàn)v型,對于low-k加工而言,v型槽表面的中心及邊緣區(qū)域還有部分low-k材料并未被去除,高斯光中間能量分布很高,加工材料較快,去除效率高,而中心區(qū)域以外,能量分布較弱,材料去除效率低下,使得加工出來的形貌不平坦,即中間深邊緣線的形貌,所以普通的激光系統(tǒng)對low-k層去除不夠徹底,會有部分殘留導致芯片報廢。

如圖2所示,為常見的示意圖,第一激光器發(fā)出的激光束依次通過光閘2,45度反射鏡3、擴束鏡4、第一45度反射鏡5、第二45度反射鏡6、保護機構7、聚焦鏡8、焦點9、焦點10。這種方案的缺點是,加工焦點為高斯光。高斯光的分布導致加工出來的切割道為v字形貌,效果不佳。

有鑒于上述的缺陷,本設計人,積極加以研究創(chuàng)新,以期創(chuàng)設一種low-k材料激光去除工藝及其設備,使其更具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。



技術實現(xiàn)要素:

為解決上述技術問題,本發(fā)明的目的是提供一種low-k材料激光去除工藝。

本發(fā)明的low-k材料激光去除工藝,其中:采用雙光束激光分別聚焦后進行加工,一束激光整形成平頂光,對材料中間進行平滑加工,另外一束激光分成兩個獨立光點,對切割道兩邊進行修邊。

進一步地,上述的low-k材料激光去除工藝,其中,所述激光的波長為紫外波段,波長為343至355nm。

更進一步地,上述的low-k材料激光去除工藝,其中,所述激光的波長為綠光波段,波長為400至700nm。

更進一步地,上述的low-k材料激光去除工藝,其中,所述激光的波長為紅外波段,波長為1025至1090nm。

更進一步地,上述的low-k材料激光去除工藝,其中,所述平頂光為長條形,或是為多元高斯擬合而成的線性形貌。

low-k材料激光去除設備,包括有設備支架,所述設備支架上安裝有激光器,其特征在于:所述激光器的光路輸出端設置有光閘,所述光閘的光路輸出端設置有半波片,所述半波片光路輸出端設置有偏振分光鏡,所述偏振分光鏡的光路輸出端設有兩條分支,包括p光分支與s光分支,

所述p光分支包括有第一45度反射鏡,所述第一45度反射鏡的90度反射路徑上,安裝有第二45度反射鏡,所述第二45度反射鏡的90度反射路徑上,安裝有第三45度反射鏡,所述第三45度反射鏡的90度反射路徑上,安裝有光束整形鏡片,所述光束整形鏡片的光路輸出端設置有第一聚焦鏡,

所述s光分支包括有第一反射鏡,所述第一反射鏡的90度反射路徑上,安裝有第二反射鏡,所述第二反射鏡的90度反射路徑上,安裝有第三反射鏡,所述第三反射鏡的光路輸出端設置有分束鏡,所述分束鏡的光路輸出端設置有聚焦鏡。

更進一步地,上述的low-k材料激光去除設備,其中,所述半波片上連接有旋轉(zhuǎn)平臺,所述旋轉(zhuǎn)平臺上安裝有伺服電機或是納米電機。

更進一步地,上述的low-k材料激光去除設備,其中,所述激光器上設置有衰減器。借由上述方案,本發(fā)明至少具有以下優(yōu)點:

1、加工效率高,加工切割道形貌好。

2、第一聚焦鏡產(chǎn)生的條形光斑,可以快速去切割道除中間區(qū)域的大面積材料,避免了單個圓形光斑的多次加工。

3、設有第二聚焦鏡,可獲得的兩個光斑,可以一次完成邊緣兩邊的加工,可以成倍提升加工效率,在兩個聚焦鏡的配合下,能夠令加工效果得到最大的優(yōu)化。

上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段,并可依照說明書的內(nèi)容予以實施,以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。

附圖說明

圖1是low-k材料激光去除設備的結構示意圖。(箭頭為光路走向示意圖)

圖2是現(xiàn)有的加工設備示意圖。

圖中各附圖標記的含義如下。

1激光器2光閘

3半波片4偏振分光鏡

5第一45度反射鏡6第二45度反射鏡

7第三45度反射鏡8光束整形鏡片

9第一聚焦鏡10第一反射鏡

11第二反射鏡12第三反射鏡

13分束鏡14聚焦鏡

具體實施方式

下面結合附圖和實施例,對本發(fā)明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明,但不用來限制本發(fā)明的范圍。

如圖1的low-k材料激光去除工藝,其與眾不同之處在于:采用雙光束激光分別聚焦后進行加工,一束激光整形成平頂光,對材料中間進行平滑加工,另外一束激光分成兩個獨立光點,對切割道兩邊進行修邊。具體來說,為了擁有不同的加工效果,滿足low-k材料激光去除,采用的激光的波長為紫外波段,波長為343至355nm?;蛘?,激光的波長為綠光波段,波長為400至700nm。當然,考慮到某些特殊加工需要,亦可以為紅外波段,波長為1025至1090nm。

結合本發(fā)明一較佳的實施方式來看,采用的平頂光為長條形。當然,還可以為多元高斯擬合而成的線性形貌。并且,平頂光為長條形相對于高斯分布的激光具有更高的加工效率和效果。

為了更好的實施本發(fā)明,先提供一種low-k材料激光去除設備,其包括有設備支架,設備支架上安裝有激光器1,其特點是:激光器1的光路輸出端設置有光閘2,在光閘2的光路輸出端設置有半波片3。同時,該半波片3光路輸出端設置有偏振分光鏡4,通過偏振分光鏡4處理后的光路輸出端設有兩條分支,包括p光分支與s光分支,具體來說:

p光分支,包括有第一45度反射鏡5,第一45度反射鏡5的90度反射路徑上,安裝有第二45度反射鏡6。同時,在第二45度反射鏡6的90度反射路徑上,安裝有第三45度反射鏡7。并且,第三45度反射鏡7的90度反射路徑上,安裝有光束整形鏡片8,光束整形鏡片8的光路輸出端設置有第一聚焦鏡9。

采用的s光分支,包括有第一反射鏡10,第一反射鏡10的90度反射路徑上,安裝有第二反射鏡11,第二反射鏡11的90度反射路徑上,安裝有第三反射鏡12。之后,第三反射鏡12的光路輸出端設置有分束鏡13,分束鏡13的光路輸出端設置有聚焦鏡14。

簡單來說,激光經(jīng)過打開后的光閘傳輸?shù)桨氩ㄆ?后,變成偏振方向可調(diào)的線性偏振光,線性偏振光經(jīng)過偏振分光鏡4后分成兩束激光。其中p光可以直接透過偏振分光鏡4繼續(xù)傳播,s光被偏振分光鏡4反射后進入第一反射鏡10,形成兩路獨立傳播的激光。

進一步來看,半波片3上連接有旋轉(zhuǎn)平臺(圖中未示出),旋轉(zhuǎn)平臺上安裝有伺服電機或是納米電機。由此,滿足360度旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)過程中,透過的p光和反射的s光功率發(fā)生變化,p光和s光此消彼長,從而達到功率調(diào)節(jié)的目的。并且,可獲得不同角度的線性平頂光斑。同時,在激光器1上設置有衰減器。由此,可以實現(xiàn)任意功率組合,實現(xiàn)各種工藝需求。

本發(fā)明的工作原理如下:

實施例一

采用一臺355nm紫外激光器,該激光器的輸出功率為12w、脈沖寬度為90ns。激光經(jīng)過打開后的光閘2傳輸?shù)桨氩ㄆ?、后變成偏振方向可調(diào)的線性偏振光,線性偏振光經(jīng)過偏振分光鏡4后分成兩束激光,其中p光可以直接透過偏振分光鏡4繼續(xù)傳播,s光被偏振分光鏡4反射后進入第一反射鏡10,形成兩路獨立傳播的激光。

中半波片3由一個伺服電機驅(qū)動可以360度旋轉(zhuǎn),旋轉(zhuǎn)過程中透過的p光和反射的s光功率發(fā)生變化,p光和s光此消彼長,從而達到功率調(diào)節(jié)的目的。激光束分離出來的p光,經(jīng)過反射鏡5后繼續(xù)傳播至反射鏡6和反射鏡7,然后進入整形鏡片8最后進入第一聚焦鏡9,在第一聚焦鏡9的焦點處形成一個條形平頂光斑,整形鏡片8由納米電機驅(qū)動,可以360度角度旋轉(zhuǎn),從而獲得不同角度的線性平頂光斑。

s光反射后經(jīng)過第一反射鏡10、第二反射鏡11、第三反射鏡12,最后進入分束鏡13最后經(jīng)第二聚焦鏡14匯聚,在焦點處形成兩個分開的焦點。兩束激光分別在材料的切割道中間和邊緣完成加工。

實施例二

采用的激光器波長為355nm,脈沖寬度為20-120ns可變,激光器還可以是超短脈沖激光器,波長范圍為355nm-1070nm。

實施期間,將半波片由伺服電機驅(qū)動,安裝于圓形機構內(nèi),由電機帶動轉(zhuǎn)動,轉(zhuǎn)動精度不小于0.5度。這樣,隨著角度的改變,偏振分光鏡4輸出功率會持續(xù)變化,其中偏振分光鏡4可以是偏光立方體,也可以是薄膜偏振器。

再者,采用的第一聚焦鏡9和第二聚焦鏡14可以合并為一個,進一步提高加工效率。同時,偏振分光鏡4亦可以采用陶瓷電機驅(qū)動,滿足高精密的360度轉(zhuǎn)動,隨著分光器角度的變化,相對于平臺的劃線光斑間隔會隨之改變,從而實現(xiàn)不同寬度的切割道加工。

通過上述的文字表述并結合附圖可以看出,采用本發(fā)明后,擁有如下優(yōu)點:

1、加工效率高,加工切割道形貌好。

2、第一聚焦鏡產(chǎn)生的條形光斑,可以快速去切割道除中間區(qū)域的大面積材料,避免了單個圓形光斑的多次加工。

3、設有第二聚焦鏡,可獲得的兩個光斑,可以一次完成邊緣兩邊的加工,可以成倍提升加工效率,在兩個聚焦鏡的配合下,能夠令加工效果得到最大的優(yōu)化。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,并不用于限制本發(fā)明,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發(fā)明技術原理的前提下,還可以做出若干改進和變型,這些改進和變型也應視為本發(fā)明的保護范圍。

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