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一種非高頻等離子切割槍的制作方法

文檔序號:11271703閱讀:1052來源:國知局
一種非高頻等離子切割槍的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及等離子切割技術(shù)領(lǐng)域,具體是一種非高頻等離子切割槍。



背景技術(shù):

現(xiàn)有的非高頻等離子切割槍中,由于活塞桿與電極接觸段需承受長時間的高溫,易發(fā)軟變形。

此外,現(xiàn)對非高頻等離子切割槍通常采用一體式的安裝方式,即活塞桿只能從活塞腔體的上部進入活塞腔體內(nèi)并往下安裝,導(dǎo)致了活塞桿與電極連接的一端(即底端)的尺寸不能打過活塞腔體內(nèi)部的尺寸,否則影響到絕緣材料和其他部件的結(jié)構(gòu)的安裝和功能。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種增加活塞桿頭部的機械強度,減少了原先活塞桿由于變形導(dǎo)致的活塞卡死失靈,配件無法更換的實際困難的非高頻等離子切割槍。

為了達到上述目的,本發(fā)明提供了一種非高頻等離子切割槍,包括電極、活塞腔體及活塞桿,所述活塞桿在活塞腔體內(nèi)活動連接,所述電極裝配在該活塞桿的底端,所述活塞桿的底部周向外側(cè)形成一圈凸臺。所述活塞桿用于連接電極,所述電極為等離子電極,活塞桿作為能源通道,設(shè)置在整個槍頭的中央。所述活塞腔體為切割槍的主體部分,用于形成活塞桿上下活動的空間。

優(yōu)選地,所述的活塞腔體的底部形成一圈凹槽,所述凹槽與所述凸臺相配適契合,該凹沉槽與凸臺之間形成接觸面。所述凹槽與凸臺配合使用,使得活塞桿和活塞腔體之間契合的更好,運動更順暢。

優(yōu)選地,在所述活塞桿的底部形成一圈退刀槽。

優(yōu)選地,所述的凸臺的高度h為1-2.5mm;

所述的沉槽的深度d為1-2.5mm;

所述的活塞桿底端的外徑為8-9.5mm。

優(yōu)選地,所述的活塞桿的頭部套設(shè)安裝活塞環(huán)。所述活塞環(huán)位于活塞桿的頭部,作為活塞桿的支撐件。

優(yōu)選地,所述的活塞環(huán)與所述活塞桿為過盈配合連接。

優(yōu)選地,所述的活塞環(huán)與所述活塞桿為螺紋連接。

優(yōu)選地,所述的活塞環(huán)的頭部形成一圈臺階,在該臺階上依次套設(shè)活塞環(huán)及擋環(huán)。

優(yōu)選地,所述的活塞桿的底端形成盲孔,該盲孔具有內(nèi)螺紋;

所述電極上形成外螺紋;

所述電極與活塞桿為螺紋連接。

本發(fā)明還提出了一種非高頻等離子切割槍的裝配方法,所述裝配方法利用上述的非高頻等離子切割槍,包括以下步驟:

步驟a.活塞桿從活塞腔體的底部裝配進入該活塞腔體內(nèi);

步驟b.活塞環(huán)由活塞腔體的頂部裝配進入該活塞運動腔體內(nèi),并套設(shè)安裝在所述活塞桿的頭部;

步驟c.彈簧由活塞腔體的頂部裝配進入所述活塞腔體內(nèi),并套設(shè)在所述活塞桿的頭部;

步驟d.活塞蓋安裝在所述活塞腔體的頭部。

本發(fā)明的有益效果是,伸出于活塞腔體的活塞桿的底端具有比同類產(chǎn)品更大的直徑,具有更高的強度,不會因底部受到外力沖擊和切割發(fā)熱后變形,減少了由于機械損傷帶來的活塞桿底端的變形而影響到電極大裝配,同時避免了由于累計誤差和絕緣材料變形帶來的尺寸不一致,解決了其他產(chǎn)品依托電極或絕緣材料來完成定位的問題。將活塞桿頭部尺寸由原有的6-7mm提升至8-9.5mm(螺紋的直徑是m5),避免由于原先活塞桿的螺紋壁薄容易引起的活塞桿頭部變形或滑牙;由于相當(dāng)于增加了活塞桿端部的壁厚,避免了由于跌落等機械損傷帶來的變形;避免由于長時間切割發(fā)熱后材質(zhì)變軟導(dǎo)致活塞上下受阻礙而燒毀槍頭。所述裝配方法相較于以往傳統(tǒng)的由活塞腔體上部往下進行一體式安裝的工藝方式改進為分體式的組裝方式,將活塞桿從活塞腔體的底部裝配進入活塞腔體內(nèi),可以滿足加大連接電極的活塞桿的端部的尺寸的要求。一體式活塞桿只能從上往下安裝,導(dǎo)致了活塞桿頭部尺寸不能過大,否則影響到絕緣材料和其他部件的結(jié)構(gòu)的安裝和功能,而新設(shè)計的從下往上的安裝方式可以使的活塞桿頭部尺寸加大,滿足實際使用的需求。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖(初始狀態(tài));

圖2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖(通氣狀態(tài));

圖3為本發(fā)明中活塞桿與活塞環(huán)的連接狀態(tài)示意圖。

其中:

1-電極噴嘴2-電極3-渦流環(huán)

4-外噴嘴保護套5-活塞腔體51-沉槽

6-活塞桿51-沉槽61-凸臺

7-活塞環(huán)8-彈簧9-活塞蓋

10-氣管

具體實施方式

以下結(jié)合附圖和具體實施例,對本發(fā)明做進一步說明。

實施例1:

如圖1所示的一種非高頻等離子切割槍,包括電極2、活塞腔體5及活塞桿6,所述活塞桿6在活塞腔體5內(nèi)活動連接,所述電極2裝配在該活塞桿6的底端,所述活塞桿6的底部周向外側(cè)形成一圈凸臺61。

所述的活塞腔體5的底部形成一圈凹槽51,所述凹槽51與所述凸臺61相配適契合,該凹槽51與凸臺61之間形成接觸面100。

在所述活塞桿6的底部形成一圈退刀槽。

所述的凸臺11的高度h為1-2.5mm;

所述的沉槽51的深度d為1-2.5mm;

所述的活塞桿6底端的外徑為8-9.5mm。

所述的活塞桿6的頭部套設(shè)安裝活塞環(huán)7。

所述的活塞環(huán)7與所述活塞桿6為過盈配合連接。

所述的活塞桿6的底端形成盲孔,該盲孔具有內(nèi)螺紋;

所述電極2上形成外螺紋;

所述電極2與活塞桿6為螺紋連接。

圖1為非高頻等離子切割槍在使用時的初始狀態(tài),所述活塞桿6位于原始位置,其中電極2和電極噴嘴1是接觸狀態(tài);

圖2為活塞桿6上面的活塞環(huán)7受到來自氣管10的氣體壓力,在活塞環(huán)7上面產(chǎn)生壓強,而活塞環(huán)7帶動活塞桿6及電極2克服彈簧8的壓力向上運動,從而在電極和電極噴嘴之間產(chǎn)生氣隙,形成等離子弧,通過持續(xù)的壓縮氣體的輸入,將產(chǎn)生的等離子弧吹出電極噴嘴,最終形成切割弧

上述非高頻等離子切割槍的裝配方法包括以下步驟:

步驟a.活塞桿6從活塞腔體5的底部裝配進入該活塞腔體5內(nèi);

步驟b.活塞環(huán)7由活塞腔體5的頂部裝配進入該活塞腔體5內(nèi),并套設(shè)安裝在所述活塞桿6的頭部;

步驟c.彈簧8由活塞腔體5的頂部裝配進入所述活塞腔體5內(nèi),并套設(shè)在所述活塞桿6的頭部;

步驟d.活塞蓋9安裝在所述活塞腔體5的頭部。

實施例2:

其余同實施例1,一種非高頻等離子切割槍,其中所述的活塞環(huán)7與所述活塞桿6為螺紋連接。

實施例3:

其余同實施例1,,一種非高頻等離子切割槍,所述的活塞桿6的頭部形成一圈臺階,在該臺階上依次套設(shè)活塞環(huán)7及擋環(huán)。

以上已對本發(fā)明創(chuàng)造的較佳實施例進行了具體說明,但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于所述的實施例,熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明創(chuàng)造精神的前提下還可以作出種種的等同的變型或替換,這些等同變型或替換均包含在

本技術(shù):
權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。



技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及等離子切割技術(shù)領(lǐng)域,具體是一種非高頻等離子切割槍,包括電極、活塞腔體及活塞桿,所述活塞桿在活塞腔體內(nèi)活動連接,所述電極裝配在該活塞桿的底端,所述活塞桿的底部周向外側(cè)形成一圈凸臺。本發(fā)明的有益效果是,伸出于活塞腔體的活塞桿的底端具有比同類產(chǎn)品更大的直徑,具有更高的強度,不會因底部受到外力沖擊和切割發(fā)熱后變形,減少了由于機械損傷帶來的活塞桿底端的變形而影響到電極的裝配,同時避免了由于累計誤差和絕緣材料變形帶來的尺寸不一致,解決了其他產(chǎn)品依托電極或者絕緣材料來完成定位的問題。

技術(shù)研發(fā)人員:何少波;迭戈波拉
受保護的技術(shù)使用者:上海億諾焊接科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.06.29
技術(shù)公布日:2017.09.22
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