技術(shù)特征：

1.一種低熔點(diǎn)靶材的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熔點(diǎn)靶材的制備方法，其特征在于：所述步驟s?8，所述壓頭向下壓縮所述靶材坯料的過程中控制壓頭勻速下降，在大變量壓縮過程中壓頭的下壓速度為大變量壓縮過程中壓縮高度除以大變量壓縮所使用的時間，在壓縮靶材坯料的大變量壓縮完成動態(tài)再結(jié)晶過程。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熔點(diǎn)靶材的制備方法，其特征在于：所述步驟s?4，采用水冷的冷卻方式是使棒材靶材穿過水槽，所述水槽長度為0.8-1.2m，所述棒材靶材穿過水槽的時間控制在3-5秒，通過所述穿水冷卻方式使棒材靶材的溫度降低至20-35℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熔點(diǎn)靶材的制備方法，其特征在于：所述壓頭的底面和下平臺的平面度為≤±0.05mm/m，所述導(dǎo)體金屬靶材的上表面的平面為等于壓頭的底面的平面度，導(dǎo)體金屬靶材的下表面的平面為等于下平臺的頂面的平面度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熔點(diǎn)靶材的制備方法，其特征在于：所述靶材原始鑄錠為純度大于5n的純錫靶材鑄錠，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熔點(diǎn)靶材的制備方法，其特征在于：所述步驟s1，所述靶材原始鑄錠為純度大于5n的純鋁靶材鑄錠；

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熔點(diǎn)靶材的制備方法，其特征在于：所述步驟s1，所述靶材原始鑄錠為純度大于5n的純銅靶材鑄錠；

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熔點(diǎn)靶材的制備方法，其特征在于：

9.根據(jù)權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的一種低熔點(diǎn)靶材的制備方法，其特征在于：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種低熔點(diǎn)靶材的制備方法，先對對原始鑄錠進(jìn)行擠壓處理，本發(fā)明結(jié)合擠壓處理和高溫壓縮處理，鋸切靶材坯料后對其進(jìn)行高溫加熱，通過液壓機(jī)的壓頭向下壓縮，得到靶材坯料，本發(fā)明先通過擠壓處理獲得致密組織，同時獲得形變量的累積并為后續(xù)壓縮和細(xì)化晶粒提供基礎(chǔ)，通過在后的高溫壓縮處理使靶材坯料的變形量在10?40s達(dá)到70％以上，使靶材坯料在高溫下具有快速大變形量壓縮變形的變化過程，使靶材坯料在變形過程中具有動態(tài)再結(jié)晶過程。

技術(shù)研發(fā)人員：文宏福,黃旭東,左志強(qiáng),李天柱
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥歐萊高新材料有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9