本發(fā)明涉及焊接領域，具體涉及一種半導體狹窄通道冷卻盤真空焊接工藝。

背景技術：

1、在晶圓的外延加工過程中，晶圓在完成外延工藝后具有較高的溫度，因此需要對晶圓進行冷卻后再進行輸出。目前，冷卻晶圓的方式有氣冷和水冷兩種，冷卻過程中需要將晶圓放置于制冷盤上，并通過熱交換的方式帶走晶圓表面的熱量。無論是水冷還是氣冷，均通過冷卻盤中預留的通道進行熱量交換。隨著要求提高，冷卻盤的均勻性和換熱率提高，通道變得越來越狹窄、密集，這對冷卻盤的制造提出了更高的要求?，F(xiàn)如今行業(yè)內3mm寬度及以下的狹窄通道的真空釬焊常常出現(xiàn)釬焊焊料堆積堵塞通道的現(xiàn)象，導致狹窄通道不暢通，影響冷卻效果，需要后期返工進行處理，但是由于狹窄通道返工難度大，返工效果并不理想。因此，亟需一種新的技術方案解決以上至少一個技術問題。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明目的是提供一種半導體狹窄通道冷卻盤真空焊接工藝，能夠有效防止真空釬焊時狹窄通道堵塞問題的發(fā)生，并且狹窄通道內部吸附焊料較少，潔凈度高，保持狹窄通道暢通。

2、為了實現(xiàn)上述技術目的，達到上述的技術要求，本發(fā)明所采用的技術方案是：一種半導體狹窄通道冷卻盤真空焊接工藝，其特征在于,包括以下步驟：

3、步驟1、對焊接前的冷卻盤進行目視檢查，對焊接前的冷卻盤進行化學清洗；

4、步驟2、使用夾具對冷卻盤進行釬焊裝夾；

5、步驟3、將步驟2的冷卻盤放入釬焊爐；

6、步驟4、對步驟3的冷卻盤1進行釬焊，從室溫升溫至150±5℃，時間為320-370min，然后繼續(xù)升溫至400±5℃，時間為20-30分鐘，保溫110-125min，當測量得到的冷卻盤溫度到達340±5℃后，繼續(xù)升溫至520±5℃，時間為35-45min，保溫15-25min，當測量得到的冷卻盤到達435±5℃時，繼續(xù)升溫到570±5℃，時間為10-20min，保溫20-30min，測量得到的冷卻盤到達507±5℃，繼續(xù)升溫到620±5℃，保溫10-32min，測量得到的冷卻盤到達550℃斷電，然后冷卻盤1隨爐冷卻；

7、步驟5、釬焊冷卻盤在完全冷卻后進行檢測。

8、作為優(yōu)選的技術方案，所述夾具的厚度為80-85mm。

9、作為優(yōu)選的技術方案，步驟1中使用刀口尺進行平面檢測，冷卻盤平面度不超過0.05mm。

10、作為優(yōu)選的技術方案，步驟3中，使用卷尺測量裝夾后的冷卻盤在釬焊爐內部的上下、左右、前后距離，使得裝夾后的冷卻盤處于釬焊爐中心位置。

11、作為優(yōu)選的技術方案，夾具設置有鏤空結構。

12、作為優(yōu)選的技術方案，步驟5的具體步驟為：釬焊冷卻盤在完全冷卻后進行超聲波c掃描并觀察斷面宏觀金相。

13、作為優(yōu)選的技術方案，步驟2中冷卻盤裝夾后使用塞尺檢查裝配間隙，裝配間隙不超過0.05mm。

14、本發(fā)明的有益效果是：

15、1）、能夠有效防止真空釬焊時狹窄通道堵塞問題的發(fā)生，并且狹窄通道內部吸附焊料較少，潔凈度高，保持狹窄通道暢通；

16、2）、夾具厚度為80-85mm，提高剛性，減少裝夾變形；

17、3）、平面度不超過0.05mm，焊接精度高；

18、4）、冷卻盤處于釬焊爐中心位置，釬焊效果好。

技術特征：

1.一種半導體狹窄通道冷卻盤真空焊接工藝，其特征在于,包括以下步驟：

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體狹窄通道冷卻盤真空焊接工藝，其特征在于，所述夾具的厚度為80-85mm。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體狹窄通道冷卻盤真空焊接工藝，其特征在于，步驟1中使用刀口尺進行平面檢測，冷卻盤平面度不超過0.05mm。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體狹窄通道冷卻盤真空焊接工藝，其特征在于，步驟3中，使用卷尺測量裝夾后的冷卻盤在釬焊爐內部的上下、左右、前后距離，使得裝夾后的冷卻盤處于釬焊爐中心位置。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體狹窄通道冷卻盤真空焊接工藝，其特征在于，夾具設置有鏤空結構。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體狹窄通道冷卻盤真空焊接工藝，其特征在于，步驟5的具體步驟為：釬焊冷卻盤在完全冷卻后進行超聲波c掃描并觀察斷面宏觀金相。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體狹窄通道冷卻盤真空焊接工藝，其特征在于，步驟2中冷卻盤裝夾后使用塞尺檢查裝配間隙，裝配間隙不超過0.05mm。

技術總結
本發(fā)明涉及焊接技術領域，本發(fā)明公開了一種半導體狹窄通道冷卻盤真空焊接工藝，包括以下步驟：步驟1、對焊接前的冷卻盤進行目視檢查，對焊接前的冷卻盤進行化學清洗；步驟2、使用夾具對冷卻盤進行釬焊裝夾；步驟3、將步驟2的冷卻盤放入釬焊爐；步驟4、對步驟3的冷卻盤進行釬焊；步驟5、釬焊冷卻盤在完全冷卻后進行檢測。本發(fā)明的焊接工藝能夠有效防止真空釬焊時狹窄通道堵塞問題的發(fā)生，并且狹窄通道內部吸附焊料較少，潔凈度高，保持狹窄通道暢通。

技術研發(fā)人員：高亦文,游利,譙永鵬,管明月,周紅旗,賈坤良,葉振輝
受保護的技術使用者：江蘇先鋒精密科技股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/6