本申請(qǐng)涉及激光加工，特別涉及一種激光加工裝置及激光解鍵合設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、集成電路是智能產(chǎn)品的重要組成部分，晶圓是集成電路發(fā)展的基礎(chǔ)。隨著集成電路的快速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)晶圓的加工質(zhì)量提出了更高的要求。

2、在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)，晶圓在封裝過程中，由于塑封料固化以及不同材料的熱膨脹系數(shù)不相同，導(dǎo)致不同材料的體積變化存在差別，致使晶圓發(fā)生翹曲變形。而晶圓翹曲變形則會(huì)影響激光解鍵合工藝的加工精度，導(dǎo)致晶圓加工的良品率下降。

3、現(xiàn)階段，一般是通過定位晶圓的治具來固定晶圓，以減小晶圓翹曲對(duì)解鍵合精度的影響。然而，這種通過治具固定晶圓的方式，對(duì)晶圓的解鍵合精度的提高有限，導(dǎo)致晶圓加工的良品率仍然很低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種激光加工裝置及激光解鍵合設(shè)備，能提高晶圓解鍵合的精度。

2、第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種激光加工裝置，所述激光加工裝置包括：

3、底座；

4、移動(dòng)組件，所述移動(dòng)組件設(shè)置于所述底座；

5、載臺(tái)，所述載臺(tái)設(shè)置于所述移動(dòng)組件的輸出端；

6、測(cè)距組件，所述測(cè)距組件設(shè)置于所述底座；

7、激光發(fā)射單元，所述激光發(fā)射單元設(shè)置于所述底座，所述激光發(fā)射單元用于發(fā)射激光束；

8、其中，所述移動(dòng)組件用于帶動(dòng)所述載臺(tái)分別移動(dòng)到所述測(cè)距組件和所述激光發(fā)射單元的正下方。

9、在第一方面的一些可能的實(shí)施方式中，所述測(cè)距組件包括：

10、安裝支架，所述安裝支架設(shè)置于所述底座；

11、激光發(fā)射端，所述激光發(fā)射端設(shè)置于所述安裝支架，所述激光發(fā)射端用于發(fā)射激光束；

12、激光接收端，所述激光接收端設(shè)置于所述安裝支架，所述激光接收端用于接收所述激光發(fā)射端發(fā)射的激光束的反射光。

13、在第一方面的一些可能的實(shí)施方式中，所述測(cè)距組件還包括：

14、第一調(diào)節(jié)單元，所述第一調(diào)節(jié)單元設(shè)置于所述安裝支架；

15、固定件，所述固定件與所述第一調(diào)節(jié)單元連接，所述第一調(diào)節(jié)單元用于調(diào)整所述固定件的高度；所述激光發(fā)射端和所述激光接收端均設(shè)置于所述固定件。

16、在第一方面的一些可能的實(shí)施方式中，所述激光加工裝置還包括：

17、功率檢測(cè)組件，所述功率檢測(cè)組件設(shè)置于所述移動(dòng)組件的輸出端，所述移動(dòng)組件用于帶動(dòng)所述載臺(tái)和所述功率檢測(cè)組件同步運(yùn)動(dòng)。

18、在第一方面的一些可能的實(shí)施方式中，所述激光加工裝置還包括：

19、光斑檢測(cè)組件，所述光斑檢測(cè)組件設(shè)置于所述移動(dòng)組件的輸出端，所述移動(dòng)組件用于帶動(dòng)所述載臺(tái)和所述光斑檢測(cè)組件同步運(yùn)動(dòng)。

20、在第一方面的一些可能的實(shí)施方式中，所述光斑檢測(cè)組件包括：

21、鏡座，所述鏡座設(shè)置于所述移動(dòng)組件的輸出端；

22、反射鏡，所述反射鏡設(shè)置于所述鏡座內(nèi)；

23、濾光片，所述濾光片設(shè)置于所述鏡座內(nèi)；

24、衰減片，所述衰減片設(shè)置于所述鏡座內(nèi)；

25、圖像采集單元，所述圖像采集單元設(shè)置于所述鏡座；

26、其中，所述反射鏡、所述濾光片、所述衰減片和所述圖像采集單元依次設(shè)置于同一光路上。

27、在第一方面的一些可能的實(shí)施方式中，所述激光加工裝置還包括：

28、第二調(diào)節(jié)單元，所述第二調(diào)節(jié)單元設(shè)置于所述移動(dòng)組件的輸出端，所述光斑檢測(cè)組件設(shè)置于所述第二調(diào)節(jié)單元的輸出端，所述第二調(diào)節(jié)單元用于調(diào)整所述光斑檢測(cè)組件的高度。

29、在第一方面的一些可能的實(shí)施方式中，所述移動(dòng)組件包括：

30、第一運(yùn)動(dòng)單元，所述第一運(yùn)動(dòng)單元設(shè)置于所述底座；

31、第二運(yùn)動(dòng)單元，所述第二運(yùn)動(dòng)單元設(shè)置于所述第一運(yùn)動(dòng)單元的輸出端，所述第一運(yùn)動(dòng)單元用于帶動(dòng)所述第二運(yùn)動(dòng)單元沿第一方向移動(dòng)；

32、第三運(yùn)動(dòng)單元，所述第三運(yùn)動(dòng)單元設(shè)置于所述第二運(yùn)動(dòng)單元的輸出端，所述第二運(yùn)動(dòng)單元用于帶動(dòng)所述第三運(yùn)動(dòng)單元沿第二方向移動(dòng)；所述載臺(tái)設(shè)置于所述第三運(yùn)動(dòng)單元的輸出端，所述第三運(yùn)動(dòng)單元用于帶動(dòng)所述載臺(tái)沿高度方向移動(dòng)；

33、其中，所述第一方向、所述第二方向和所述高度方向相互垂直。

34、在第一方面的一些可能的實(shí)施方式中，所述激光加工裝置還包括：

35、支撐座，所述支撐座設(shè)置于所述底座，所述測(cè)距組件和所述激光發(fā)射單元均設(shè)置于所述支撐座。

36、第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種激光解鍵合設(shè)備，所述激光解鍵合設(shè)備包括如上述任意一項(xiàng)技術(shù)方案所述的激光加工裝置。

37、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的激光加工裝置及激光解鍵合設(shè)備，移動(dòng)組件、測(cè)距組件和激光發(fā)射單元均設(shè)置于底座；載臺(tái)設(shè)置于移動(dòng)組件的輸出端，載臺(tái)用于放置晶圓；在將晶圓定位于載臺(tái)之后，移動(dòng)組件用于帶動(dòng)載臺(tái)移動(dòng)到測(cè)距組件的正下方，測(cè)距組件用于測(cè)量晶圓表面到測(cè)距組件之間的間距；然后移動(dòng)組件再將載臺(tái)帶動(dòng)到激光發(fā)射單元的正下方，以便根據(jù)晶圓表面到測(cè)距組件之間的間距調(diào)整激光發(fā)射單元發(fā)射的激光束的焦點(diǎn)高度，從而通過激光發(fā)射單元發(fā)射的激光束對(duì)載臺(tái)上的晶圓進(jìn)行解鍵合；由于激光發(fā)射單元的焦點(diǎn)高度是根據(jù)晶圓表面到測(cè)距組件之間的間距調(diào)整的，因此可以提高解鍵合的精度；減小因晶圓翹曲而導(dǎo)致激光發(fā)射單元發(fā)射的激光束的聚焦在晶圓上的高度不一致時(shí)，對(duì)晶圓解鍵合的精度影響。

技術(shù)特征：

1.一種激光加工裝置，其特征在于，所述激光加工裝置包括：

2.如權(quán)利要求1所述的激光加工裝置，其特征在于，所述測(cè)距組件包括：

3.如權(quán)利要求2所述的激光加工裝置，其特征在于，所述測(cè)距組件還包括：

4.如權(quán)利要求1所述的激光加工裝置，其特征在于，所述激光加工裝置還包括：

5.如權(quán)利要求1所述的激光加工裝置，其特征在于，所述激光加工裝置還包括：

6.如權(quán)利要求5所述的激光加工裝置，其特征在于，所述光斑檢測(cè)組件包括：

7.如權(quán)利要求5所述的激光加工裝置，其特征在于，所述激光加工裝置還包括：

8.如權(quán)利要求1所述的激光加工裝置，其特征在于，所述移動(dòng)組件包括：

9.如權(quán)利要求1所述的激光加工裝置，其特征在于，所述激光加工裝置還包括：

10.一種激光解鍵合設(shè)備，其特征在于，所述激光解鍵合設(shè)備包括如權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的激光加工裝置。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)適用于激光加工技術(shù)領(lǐng)域，提供一種激光加工裝置及激光解鍵合設(shè)備，該激光加工裝置包括底座、移動(dòng)組件、載臺(tái)、測(cè)距組件和激光發(fā)射單元；移動(dòng)組件、測(cè)距組件和激光發(fā)射單元均設(shè)置于底座；載臺(tái)設(shè)置于移動(dòng)組件的輸出端，激光發(fā)射單元用于發(fā)射激光束；其中，移動(dòng)組件用于帶動(dòng)載臺(tái)分別移動(dòng)到測(cè)距組件和激光發(fā)射單元的正下方。本申請(qǐng)實(shí)施例由于激光發(fā)射單元的焦點(diǎn)高度是根據(jù)晶圓表面到測(cè)距組件之間的間距調(diào)整的，因此可以提高解鍵合的精度。

技術(shù)研發(fā)人員：陸育梃,仰瑞,劉盛,盧慶勇,文洪,晏濤,許水波,王安貴,楊信鶴,巫禮杰,尹建剛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市大族半導(dǎo)體裝備科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240407
技術(shù)公布日：2025/1/9