專利名稱：用來進(jìn)行表面處理的設(shè)備和方法以及用上述表面處理設(shè)備進(jìn)行接線的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種表面處理設(shè)備，它用于對諸如電路板和電子部件之類的物體的電極進(jìn)行表面處理，本發(fā)明還涉及到一種接線設(shè)備，它用于使導(dǎo)電的電線與經(jīng)上述表面處理設(shè)備作過表面處理的電路板的電極相連接。
就小型結(jié)構(gòu)的電子設(shè)備而言，已經(jīng)注意到了將電子部件安裝到電路板上的技術(shù)，所說的電路板按較高的密度帶有一電路圖案。在一種上述技術(shù)中，將一裸露的半導(dǎo)體芯片直接安裝或放置在電路板上，然后，用薄的導(dǎo)電線(直徑約為25μm)使該半導(dǎo)體芯片與電路板的電極作電連接，再用樹脂包覆所說的半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)線以便密封。
在多數(shù)情況下，用于上述目的導(dǎo)線是由金制成的，并且，就與金導(dǎo)線的連接而言，在電路板的電極上鍍有金。所說的電路圖案通常是由銅構(gòu)成的，并且，由于金不直接與銅相連，所以，應(yīng)在銅電極上形成一層或多層金屬層(稱為屏障金屬層)，然后，在該金屬層的表面上鍍上金。通常把鎳用作所說的屏障金屬。
以往一直認(rèn)為金鍍層的厚度會對導(dǎo)線的連接強度產(chǎn)生較大影響，并且，一直認(rèn)為，除非金鍍層厚約0.3μm，否則無法令人滿意地連接導(dǎo)線。
已知有電鍍法和化學(xué)還原敷鍍法，這些方法能形成較厚的金鍍層。但是，這兩種方法均具有成本高的問題，因為，必須要長時間地進(jìn)行敷鍍處理。
在上述情況下，本發(fā)明的發(fā)明者以前曾提交了一份有關(guān)這樣一種方法的申請書，在該方法中，即使鍍層的厚度較小，也可以按足夠的強度來連接導(dǎo)線(未審查的日本專利文件第7-106363號)。在這種技術(shù)中，可將導(dǎo)線連接于厚度為0.05μm的金鍍層，并且，可以獲得這樣的優(yōu)點即能極大地節(jié)約鍍金的成本。
在上述技術(shù)中，(1)用表面處理設(shè)備從電路板的電極的表面上除去鎳化合物，(2)用連線設(shè)備將導(dǎo)線與所說的電極連接起來。
要求能按較高的效率進(jìn)行上述步驟，以便不對上述減少成本的效果產(chǎn)生影響。但是，目前沒有能滿足前述要求的設(shè)施。具體地說，不存在小型并能裝入生產(chǎn)線中的表面處理設(shè)備，這就阻礙了上述新方法的廣泛應(yīng)用。所以，本發(fā)明提供了用于上述新方法的最佳系統(tǒng)。
本發(fā)明的一個目的是提供一種表面處理設(shè)備，這種設(shè)備體積緊湊，具有較強的處理能力、結(jié)構(gòu)簡單并且成本低廉。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種接線設(shè)備，這種設(shè)備與一表面處理設(shè)備成整體、體積緊湊，具有較強的處理能力，結(jié)構(gòu)簡單并且成本低廉。
依照本發(fā)明的一個方面，提供了一種表面處理設(shè)備，該設(shè)備包括一基體，它帶有一用于傳送物體的傳送通路；一設(shè)置在前述基體上方處的罩蓋，它可移動成與基體的上表面相接觸和不相接觸，該罩蓋與基體相接觸以形成一密封空間，此空間用于接收基體上表面上的物體；一接合和脫離裝置，它用于使罩蓋移動成與基體相接觸和不相接觸；一傳送裝置，它用于在罩蓋不與基體相接觸時使設(shè)置在所述傳送通路上的物體移至和移離罩蓋下方的位置處；以及處理裝置，它用于對設(shè)置在上述密封空間內(nèi)的物體的電極進(jìn)行表面處理。
依照本發(fā)明的另一個方面，提供了一種接線設(shè)備，該設(shè)備包括一基體，它帶有一用于傳送物體的傳送通路；一沿上述傳送通路設(shè)置的表面處理設(shè)備；一沿上述傳送通路與所說的表面處理設(shè)備相并列的接線裝置，它可將導(dǎo)線連接于經(jīng)過表面處理的物體的電極；
所說的表面處理設(shè)備包括-罩蓋，它可移動成與基體的上表面相接觸和不相接觸，該罩蓋與基體相接觸以便形成一密封的空間，此空間用于接收物體，而所說的物體則放置在基體上表面上的傳遞通路上；一接合和脫離裝置，它用于使罩蓋移動成與基體相接觸和不相接觸；以及，處理裝置，它用于對設(shè)置在前述密封空間內(nèi)的物體的電極進(jìn)行表面處理；以及一傳送裝置，它用于將經(jīng)過表面處理的物體從所述表面處理設(shè)備傳送至位于接線裝置前面的位置處。
圖1是顯示本發(fā)明接線設(shè)備一個實施例的總體結(jié)構(gòu)的透視圖；圖2和圖3是本發(fā)明上述實施例中接合和脫離裝置的透視圖；圖4和圖5是顯示本發(fā)明上述實施例中支架的透視圖；圖6是本發(fā)明上述實施例中罩蓋從底部來看時的分解透視圖；圖7是上述罩蓋從底部來看時的透視圖；圖8是本發(fā)明上述實施例中基體的分解透視圖；圖9是本發(fā)明上述實施例中基體的平面圖；圖10和圖11是本發(fā)明表面處理設(shè)備的一個實施例的剖面圖；圖12是顯示本發(fā)明上述實施例中電極和相關(guān)部件的透視圖；圖13是沿圖2中XIII-XIII線的剖面圖；圖14是顯示本發(fā)明上述實施例中傳送通路的概略平面圖；圖15A至圖15C是顯示本發(fā)明上述實施例中傳送操作的概略平面圖。
以下參照


本發(fā)明的一個最佳實施例。
圖1是顯示本發(fā)明接線設(shè)備的一個最佳實施例的透視圖。
在圖1中，基座8具有基本上為水平的上表面，并且，一直立部分8a相對基座8的后部向上延伸。監(jiān)視器8b安裝在直立部分8a的前表面上，從而，操作者可通過監(jiān)視器8b了解表面處理設(shè)備的操作狀態(tài)。
基體12安裝在基座8的上表面上，傳送通路L在基體12的上表面上以圖1的左側(cè)以完全傾斜的方式延伸至圖1的右側(cè)。一供給箱9設(shè)置在傳送通路的上游側(cè)并以層疊的方式盛放或存放著要作表面處理的電路板6。存貯箱10設(shè)置在傳送通路L的下游側(cè)并接收經(jīng)過表面處理的電路6。在這一實施例中，利用化學(xué)置換敷鍍法敷鍍有金的電極形成在電路板6的表面上。
一推進(jìn)缸11把要進(jìn)行表面處理的電路板6從供給箱9推進(jìn)或提供給傳送通路L。
下側(cè)帶有凹進(jìn)部的罩蓋13支承在基體13的上方并可移動成與基體12相接觸和不相接觸。
基體12和所說的罩蓋具有這樣的結(jié)構(gòu)即當(dāng)罩蓋13與帶有傳送通路L的基體12相接觸時，罩蓋13上的凹進(jìn)部會在傳送通路L上限定一個以下將予以詳細(xì)說明的密封空間。具體地說，基體12與罩蓋13會彼此配合以形成所說的密封空間。
接線裝置14設(shè)置在基體12與存貯箱10之間并相對傳送通路L偏向所述設(shè)備的后側(cè)。接線裝置14夾持著沿傳送通路L從上游側(cè)供給的經(jīng)過表面處理的電路板6并用導(dǎo)線將電路板6的電極電連接于一半導(dǎo)體芯片(未示出)。
本實施例中，在罩蓋13和基體12所限定的密封空間內(nèi)對電路板6進(jìn)行等離子清潔(等離子清潔是表面處理的一個實例)以便從電路板6的鍍金電極和其它部件上除去沉積的物質(zhì)或鎳化合物，因此，可以很容易地使導(dǎo)線與電極相連。然后，在相鄰的接線裝置14內(nèi)，將導(dǎo)線連接于經(jīng)過等離子清潔的電路板，之后，將電路板6存放在存貯箱10內(nèi)。
第一支臂15帶有一梢端部分，它延伸至傳送通路L，第二支臂16設(shè)置在第一支臂15的下游并沿傳送通路L距第一支臂15有預(yù)定的距離，第二支臂16與第一支臂15相平行。一細(xì)長的覆蓋件17設(shè)置在底座8上表面的前側(cè)部分上并以平行于傳送通路L的方式延伸。覆蓋件17內(nèi)安裝有一支臂移動裝置(以下將予以詳細(xì)說明)，此支臂移動裝置用于使第一和第二支臂15和16以平行于傳送通路L的方式移動同時將第一和第二支臂15和16保持在這樣的狀態(tài)即支臂15和16彼此平行并按上述預(yù)定的距離相間隔。用第一和第二支臂15和16來傳送位于傳送通路L上的電路板。
一對導(dǎo)向件18安裝在基體12上以形成傳送通路L并將電路板6從位于接線裝置前面的部分處引導(dǎo)至存貯箱10。
以下參照圖2至圖5說明一接合和脫離裝置，該裝置用于使罩蓋13上下移動并使罩蓋13在水平狀態(tài)與垂直狀態(tài)之間移動。
這里將限定罩蓋13的姿態(tài)。當(dāng)罩蓋13的下表面位于圖2和圖3所示的水平平面內(nèi)時，罩蓋13處于水平狀態(tài)。當(dāng)罩蓋13的下表面處于圖5所示的垂直平面內(nèi)時，罩蓋13處于垂直狀態(tài)。
當(dāng)罩蓋13的下表面保持與基體12緊密接觸時，罩蓋13處于下降的位置或狀態(tài)。當(dāng)罩蓋13的下表面與基體12相間隔從而在罩蓋13與基體12之間形成一空間時，罩蓋13處于上升的位置或狀態(tài)。
舉例來說，當(dāng)罩蓋13處于水平狀態(tài)并處于下降狀態(tài)時，就將這種狀態(tài)稱為“水平下降狀態(tài)”。
一支承裝置(以下予以說明)支承著罩蓋13，因此，罩蓋13可以處于三種狀態(tài)，這三種狀態(tài)是水平下降狀態(tài)，水平上升狀態(tài)，以及垂直上升狀態(tài)。圖2示出了處于水平下降狀態(tài)的罩蓋13，圖3示出了處于水平上升狀態(tài)的罩蓋13。
在圖2中，框架20包括一水平部分20a，它以固定方式安裝在底座8上；以及，一對直立部分20b和20c，它們分別相對水平部分20a的相反兩端向上延伸。
直立部分部分20b和20c的上端部分上分別形成有一對導(dǎo)向件21和22，每個導(dǎo)向件均具有L形的橫剖面，導(dǎo)向件21和22的梢端朝外即朝向彼此離開的方向。
構(gòu)成前述接合和脫離裝置的缸體23按下列方式固定地安裝在水平部分20a的中心部分上缸體23的連桿23a朝上。連桿23a的上端與U形支臂24的水平部分24a的中心部分相連。
分別相對U形支臂24的水平部分24a的相反兩端向上延伸的直立部分24b和24c以可滑動的方式分別與導(dǎo)向件21和22相接合從而能向上和向下作滑動運動。軸26分別安裝在直立部分24b和24c的上端部分上，支架25分別由軸26以可樞軸運動的方式所支承，從而能以樞軸運動的方式移動成垂直狀態(tài)。
如圖4以放大的形式所示，支架25有兩個部分成直角地彎曲從而呈通常的Z形。支架25帶有一第一部分25a和一第二部分25b，第二部分25b相對第一部分25a呈直角地延伸，第一和第二部分25a和25b具有同樣的長度。支架25的一部分以可樞軸運動的方式支承在U形支臂24上，而第一和第二部分25a和25b的中心線則在該部分處彼此相交會。
支架25還帶有一第三部分25c，此部分比第二部分25b長并相對第二部分25b的一側(cè)朝離開第一部分25a的方向成直角地延伸。
第一銷孔27和第二銷孔28沿第一和第二部分25a和25b的厚度方向分別貫穿該第一和第二部分并且距軸26的軸線有相等的距離。
軸29安裝在各支架25的第三部分25c的梢端部分上并支承著罩蓋13的側(cè)表面13a，因此，罩蓋13可沿箭頭N2所示方向繞軸29作樞軸運動。
如圖4所示，插入孔24d貫穿U形支臂24的各個直立部分24b和24c。當(dāng)?shù)谌糠?5c置于水平時，插入孔24d會與第二銷孔28相對齊，當(dāng)?shù)谌糠?5c置于垂直時，插入孔24d會與第一銷孔27相對齊。
所以，如圖4所示，第二銷孔28會與相關(guān)的插入孔24d相對齊，銷子30穿過上述對齊的開孔28和24d，并且，通過作這項工作，可將第三部分25c保持在水平狀態(tài)，從而能阻止支架25旋轉(zhuǎn)，因此，安裝在支架25上的罩蓋也會保持在水平狀態(tài)。
另一方面，當(dāng)?shù)谌糠?5c置于垂直狀態(tài)時，貫穿第一部分25a的第一銷孔27會與插入孔24d相對齊，如圖5所示。
在這種狀態(tài)下，銷釘30會穿過對齊的第一銷孔27和插入孔24d，因此，第三部分25c和罩蓋13會處于垂直的直立狀態(tài)。
當(dāng)罩蓋13變成垂直狀態(tài)時，形成在罩蓋13的下側(cè)內(nèi)的凹進(jìn)部60會沿水平方向露出。因此，可以很容易地更換或清掃安裝在罩蓋13內(nèi)的部件。當(dāng)罩蓋13置于直立狀態(tài)時，會在基體12的上方獲得一較大的空間，所以，能夠?qū)w12和安裝在基體12上的部件作相類似的維護(hù)工作。
因此，在本實施例的表面處理設(shè)備中，罩蓋13可以移動成垂直狀態(tài)，因此，可在罩蓋13與基體12之間形成一較大的空間，從而能相當(dāng)容易地進(jìn)行所說的推護(hù)工作。
以下參照圖2和圖3說明罩蓋13從水平下降狀態(tài)到水平上升狀態(tài)的運動。
當(dāng)罩蓋13處于圖2所示的水平下降狀態(tài)時，連桿23a會處于回縮狀態(tài)，銷釘30會穿過第二銷孔28和插入孔24d，并且，罩蓋13會處于水平狀態(tài)，因而罩蓋13的下表面會與基體12作緊密的接觸。
在罩蓋13的水平下降狀態(tài)下，罩蓋13和基體12會形成密封的空間，當(dāng)在此密封空間內(nèi)進(jìn)行表面處理時，該密封空間會保持有比大氣壓低的壓力。所以，即使未用缸體23所提供的很大的力將罩蓋13壓到基體13上，也足以使罩蓋13與基體12作緊密的接觸。
為了使罩蓋13移至水平的上升狀態(tài)，缸23進(jìn)行操作以使連桿23a延伸。結(jié)果，U形支臂24在被導(dǎo)向件21和22所引導(dǎo)的同時向上移動，并且，支架25會隨著這種向上的運動而向上運動，而第三部分25c則保持于水平狀態(tài)。因此，罩蓋13會在保持水平的同時向上移離基體12。
所以，會如圖3所示那樣在罩蓋13與基體12之間形成一空間，因此，填加電路板6的第一和第二支臂15和16會如箭頭N1所示那樣穿過上述空間。
以下參照圖6和圖7詳細(xì)說明罩蓋13的結(jié)構(gòu)。圖6是本發(fā)明罩蓋從底部來看時的透視圖。
罩蓋13包括一通常為矩形的罩蓋主體13b，其內(nèi)部形成有一凹進(jìn)部60。罩蓋主體13b帶有一第一凹進(jìn)部13c一第二凹進(jìn)部13d，第二凹進(jìn)部13d在尺寸上要小于第一凹進(jìn)部13c并相對第一凹進(jìn)部13c的一側(cè)延伸。第一凹進(jìn)部13c中可以完全包含電路板6，從而，可在該第一凹進(jìn)部13c中對電路板6進(jìn)行等離子清潔(表面處理)。以下將第一凹進(jìn)部13c稱為“處理箱”，將第二凹進(jìn)部稱為“排出箱”。
設(shè)置一窗口13e以便能從外部觀察處理箱13c的內(nèi)部，并且，有四個螺紋孔13f貫穿處理箱13c的上部壁面。
有多個內(nèi)部覆蓋件31安裝在罩蓋主體13b限定處理箱13c和排出箱13d的外壁的內(nèi)表面上。內(nèi)部覆蓋件31朝向處理箱13c和排出箱13d的內(nèi)表面S是起伏不平的即帶有多個微小的凹坑和凸緣，因此，能增加內(nèi)部覆蓋件31的表面面積。
在處理箱13c內(nèi)對電路板6進(jìn)行等離子清潔時，從電路板6上切削下來的顆粒物質(zhì)會散布開來。這些顆粒物質(zhì)會沉積在粗糙表面S上，從而能防止從電路板6上切削下來的顆粒物質(zhì)重新沉積到電路板6上。內(nèi)部覆蓋件31通過螺釘或類似的裝置(未示出)以可拆卸的方式安裝在凹進(jìn)部60的內(nèi)緣表面上。
用于產(chǎn)生等離子體的上部電極32通過螺釘33以固定的方式安裝在處理箱13c的上部壁面上，而螺釘33則經(jīng)由相應(yīng)的螺紋孔32a旋擰進(jìn)相應(yīng)的螺紋孔13f內(nèi)。上部電極32以電學(xué)的方式接地。
以下參照圖8和圖9說明基體12以及與該基體有關(guān)的部件。圖8是本發(fā)明的基體的分解透視圖。
如圖8所示，基體12包括一厚板，它在尺寸上略大于圖7所示的罩蓋13。一矩形開口12a形成在基體12的中心部，一加載有高頻電壓的下部電極34嵌在開口12a內(nèi)。電纜35使一高頻電源與下部電極34作電連接。
基體12朝向罩蓋13的處理箱13c的那部分是一處理區(qū)A，該處理區(qū)處對電路板6進(jìn)行等離子清潔。基體12與處理區(qū)A相鄰并朝向排出箱13d的那一部分是一排出區(qū)B。
凹槽12e形成在基體12的邊緣部分內(nèi)，罩蓋13的下部邊緣可與所說的邊緣部分相連。一起密封件作用的O形環(huán)39裝嵌在凹槽12e內(nèi)并相對凹槽12e的寬度居中。當(dāng)罩蓋13與O形環(huán)39作緊密接觸時，處理箱13c和排出箱13d就會在基體12上形成一密封空間K(見圖11)。
O形環(huán)39的上表面位于一定高度處，該高度略低于基體12的上表面，如圖11所示。
利用上述結(jié)構(gòu)，當(dāng)電路板6沿箭頭N2(圖9)方向在基體12上移動時，電路板6、第一支臂15和第二支臂16可在不與O形環(huán)39相接觸的情況下平滑地移動。因此，電路板6和第一及第二支臂15和16會在不與O形環(huán)39相接觸的情況下移動，所以，能防止O形環(huán)39損壞并將密封空間K內(nèi)的氣密性保持在較高的程度，以防其真空度下降。
在圖8中，處理區(qū)A的角落部分內(nèi)形成有一供氣口12b，它用于將氬氣(工作氣體)從一氣瓶(以下予以說明)中提供給處理區(qū)A(即處理箱13c)。
一系列螺紋孔12c形成在基體12的處理區(qū)A的端部處并沿垂直于傳送通路L的方向排列。從上述螺紋孔12c系列中選出對應(yīng)于電路板6寬度的那些螺紋孔，并通過分別旋擰進(jìn)所選定的螺紋孔12c內(nèi)的螺釘42將用于引導(dǎo)電路板6的導(dǎo)向件40和41以固定的方式安裝到基體12上。導(dǎo)向件40和41與設(shè)置在接線裝置14上的導(dǎo)向件18相配合，從而構(gòu)成了單個的傳送通路L。在使用不同寬度的電路板6時，可選擇相應(yīng)的螺紋孔12c。每個導(dǎo)向件40和41均由諸如陶瓷之類的電絕緣材料制成。
抽吸口12d形成在基體12的排出區(qū)B的中心部分，處理箱13c和排出箱13d內(nèi)的空氣經(jīng)由抽吸口12d排出，以便減小密封空間K內(nèi)的壓力，并且，還可將空氣經(jīng)由抽吸口12d引入處理箱13c和排出箱13d，以便使密封空間K達(dá)到大氣壓。抽吸口12d上覆蓋有以電學(xué)方式接地的金屬網(wǎng)38。當(dāng)隨等離子的產(chǎn)生而充了電的顆粒穿過抽吸口12d時，金屬網(wǎng)38會從這些顆粒上除掉電荷。
散熱片36以熱學(xué)的方式與下部電極34的下表面相連，從而，蝕刻過程中產(chǎn)生的熱量會散射到外部。
在通常的表面處理設(shè)備中，對應(yīng)于下部電極34的部件安裝在一低壓空間內(nèi)，因此，很難使該部件的熱量散射到外部，所以，要用水冷法來冷卻這個部件。
在這種結(jié)構(gòu)中，需要有用于使工作用水循環(huán)的管道，用于填加工作用水的水泵、換熱器等等，所以，增加了上述設(shè)備的體積。但是，在本實施例中，下部電極34的下部通向外部，因而可用散熱片36通過氣冷法來進(jìn)行冷卻，所以，能以緊湊的方式有效地進(jìn)行冷卻。
在圖8中，下部電極34帶有一邊緣凸緣34a，該凸緣形成在下部電極的下部。與凸緣34a有著同樣形狀的絕緣板37設(shè)置在基體12的下表面與凸緣34a之間，用螺栓43將基體12的下表面與凸緣34a連在一起?；w12和下部電極34因絕緣板37而彼此電絕緣。
圖10是本發(fā)明表面處理設(shè)備的一個實施例的剖面圖。圖10中，罩蓋13處于水平上升狀態(tài)，因而在罩蓋13與基體12形成有一空間，并且，由第一支臂15來填加電路6。
以下參照圖10說明用于使第一支臂15和第二支臂16移動的移動裝置。
一細(xì)長的線狀導(dǎo)向件44設(shè)置在圖1所示的覆蓋件17內(nèi)并以平行于傳送通路L的方式延伸。以固定方式安裝在可移動框架46上的滑動件45以可滑動的方式與線狀導(dǎo)向件44相接合，可移動框架46能以平行于傳送通路L的方式(即沿垂直于圖10紙面的方向)移動。
可移動框架46的下端以固定的方式與同步傳動帶49相連，傳動帶49以平行于傳送通路L的方式延伸，電機47的驅(qū)力會經(jīng)由引帶輪48傳遞給同步傳動帶49。
軸50安裝在移動框架46的上端，軸50以可作樞軸運動的方式支承著第一支臂15的基端，第一支臂15帶有一朝下的鉤狀梢端。缸51以固定的方式安裝在移動框架46上，缸51的連桿52與第一支臂15的基端相連。
所以，通過啟動電機47，可以使第一支臂15以平行于傳送通路L的方式往復(fù)運動，當(dāng)缸51工作以使連桿52延伸和回縮時，第一支臂15會在一不起作用的位置(圖10中點劃線所示)與一起作用的位置(實線所示)之間移動，在所說的不起作用的位置處，第一支臂15不與電路板6相接合，而在所說的起作用的位置處，第一支臂15與電路板6的端部相接合。
當(dāng)在第一支臂15與電路板6相接合的情況下啟動電機47時，就會沿傳送通路L提供電路板6或使電路板6沿傳送通路L移動。正如對第一支臂15所作的說明那樣，第二支臂16也以固定的方式與同步傳動帶49相連。所以，當(dāng)啟動電機47時，第一支臂15和第二支臂16就會沿水平方向同時移動。在本實施例中，盡管第一支臂和第二支臂16以這兩個支臂15和16彼此相隔預(yù)定距離的方式與共用的同步傳動帶49相連，但是，第一支臂15和第二支臂16也可通過相應(yīng)的獨立移動裝置彼此獨立地以平行于傳送通路L的方式移動。
在圖10中，風(fēng)扇53向散熱片36供風(fēng)。在本實施例中，風(fēng)扇53以遠(yuǎn)離接線裝置14的方式朝向供給箱9，通過這種結(jié)構(gòu)，從風(fēng)扇53中吹出的空氣不會影響接線裝置14。
當(dāng)罩蓋13移動成水平下降狀態(tài)時，罩蓋13的下部邊緣會與凹槽12e內(nèi)的O形環(huán)39緊密地接觸，因此，處理箱13c和排出箱13d會形成密封空間K，如圖11所示。在處理箱13c內(nèi)，以電學(xué)方式接地的上部電極32朝向下部電極34，而高頻電壓則可供給下部電極34，由導(dǎo)向件40和41所支承的電路板6設(shè)置在電極32與34之間。排出箱13d通過金屬網(wǎng)38與抽吸口12d相通連。
以下參照圖12說明本發(fā)明表面處理設(shè)備的電極以及相關(guān)結(jié)構(gòu)。
正如以上參照圖6至圖9所說明的那樣，在本實施例的表面處理設(shè)備中，以電學(xué)方式接地的上部電極32安裝在罩蓋13上，可向其提供高頻電壓的下部電極34則安裝在朝向罩蓋13的基體12上。
如圖12所示，高頻電壓供給部分61通過電纜35與下部電極34相連。高頻電壓供給部分61包括一高頻電源62，它用于產(chǎn)生高頻電壓；以及，一調(diào)頻器63，它用于調(diào)整高頻電源62所產(chǎn)生的高頻電壓的頻率并用于將該電壓經(jīng)由電纜35輸出給下部電極34。
所以，電路板6可定位于罩蓋13與基體12之間，并且，罩蓋13會保持在水平下降的位置處，因此，上部電極32會與下部電極34間隔預(yù)定的距離，在這種狀態(tài)下，當(dāng)高頻電壓供給部分61操作時，就會在密封空間K內(nèi)產(chǎn)生等離子體。
當(dāng)高頻電壓供給部分61操作時，下部電極34會被加熱，所以，這時風(fēng)扇53會轉(zhuǎn)動以便冷卻以熱學(xué)方式與該下部電極相連的散熱片36，以防下部電極34上升至過高的溫度。
以下參照圖12和圖13說明供氣部分64和壓力控制部分68，供氣部分64用于將氬氣經(jīng)由形成在基體12上的供氣口12b提供給密封空間K，而壓力控制部分68則用于通過形成在排出區(qū)B上的抽吸口12d來測定和控制密封空間K內(nèi)的壓力。
供氣部分64包括一氣瓶65，它用于存放起工作氣體作用的氬氣；一氣體控制部分66，它用于控制從氣瓶65中排出的氬氣的流速、壓力等等；以及，一排氣管67，它用于將氣體控制部分66與供氣口12b連接起來。
當(dāng)供氣部分64工作時，就會將流速等受控的氬氣經(jīng)由供氣口12b提供進(jìn)密封空間K。供氣口12b設(shè)置在處理區(qū)A內(nèi)遠(yuǎn)離抽氣口12d的部分處，而抽氣口12d則設(shè)置在與處理區(qū)A相鄰的排出區(qū)B內(nèi)。所以，氬氣在到達(dá)抽氣口12d之前不會無法通過處理區(qū)A，因此，氬氣會充分地分布到處理區(qū)A上，從而，可將氬氣濃度的變化保持在較低的水平。
正如以后將要詳細(xì)說明的那樣，排放至抽吸口12d的氬氣不僅僅呈氣體的形式。當(dāng)把氬氣供給處理區(qū)A時，密封空間K處于接近真空的低壓狀態(tài)，并且，將高頻電壓提供給下部電極34。所以，氬氣會變成等離子體并對電路板6進(jìn)行蝕刻(等離子清潔)。在本實施例中，雖然將氬氣用于產(chǎn)生等離子體，但也可以使用其它適當(dāng)?shù)臍怏w。
壓力控制部分68包括下列四個管線或系統(tǒng)。
第一個系統(tǒng)是一真空系統(tǒng)。具體地說，一真空泵19的排氣口通過真空管69與抽吸口12d相連。真空閥70設(shè)置在真空管69相反兩端的中間。所以，當(dāng)真空泵19工作并且真空閥70打開時，密封空間K內(nèi)的壓力就會基本上減少為真空。
第二個系統(tǒng)是一大氣輸入系統(tǒng)。具體地說，一大氣輸入管71與抽吸口12d相連，并且，大氣輸入管71通過大氣輸入閥72與大氣輸入口73相通。所以，當(dāng)大氣輸入閥72打開以便通過大氣輸入口73和大氣輸入管71將大氣或外部氣體輸入保持在上述真空系統(tǒng)所形成的真空狀態(tài)的密封空間K內(nèi)時，密封空間K就會恢復(fù)到大氣壓力。
第三個系統(tǒng)是一用于壓力轉(zhuǎn)換器74的系統(tǒng)。當(dāng)大氣輸入系統(tǒng)使密封空間K恢復(fù)到大氣壓力時，壓力轉(zhuǎn)換器74就會判斷密封空間K是否已恢復(fù)到了大氣壓力。第四個系統(tǒng)是用于真空儀75的系統(tǒng)。真空儀75在通過所說的真空系統(tǒng)減小密封空間K內(nèi)的壓力時測定該密封空間K內(nèi)的壓力。可以省去設(shè)置真空轉(zhuǎn)換器74。
如圖13所示，圖13是沿圖2中XIII-XIII線的剖面圖，上述四個系統(tǒng)分別與形成在連接裝置76內(nèi)的第一端口76a、第二端口76b、第三端口76c以及第四端口76d相連，所說的這四個端口76a至76d均朝下開放。在連接裝置76內(nèi)，上述四個端口76a至76d與一共用的端口76e相連，而共用端口76e朝下開放并直接與基體12上的抽吸口12d相連。
以下說明在罩蓋13的水平上升狀態(tài)下將電路板6裝進(jìn)罩蓋13與基體12之間的空間然后對電路板6進(jìn)行等離子清潔的操作。
首先，在把電路板6裝進(jìn)罩蓋13與基體12之間的空間內(nèi)時，構(gòu)成傳送通路L一部分的導(dǎo)向件40和41將電路板6支承在傳送通路L上。由于罩蓋13仍處于上升狀態(tài)，所以，電路板6周圍的空氣處于大氣壓。
然后，缸23受驅(qū)從而使罩蓋13的下部邊緣如圖11所示那樣與O形環(huán)39緊密接觸，從而，罩蓋13和基體12會形成密封空間K。此后，驅(qū)動真空泵19并打開真空閾70以減小密封空間K內(nèi)的壓力。這時，可用真空儀75來監(jiān)控密封空間K內(nèi)的真空壓力。
在充分地減小了密封空間K內(nèi)的壓力時，供氣部分64會工作以便將氬氣經(jīng)由供氣口12b供給密封空間K的處理箱13c。然后，高頻電壓供給部分61進(jìn)行工作從而將高頻電壓提供給下部電極34，以便在處理箱13c內(nèi)形成等離子體。這種等離子體中的帶電粒子可以進(jìn)行所說的清潔工作。
這時，上述帶電粒子會向抽吸口12d散射。但是，由于在抽吸口12d處設(shè)置有接地的金屬網(wǎng)，所以，當(dāng)帶電粒子沉積到金屬網(wǎng)38上時，就會消除掉這些帶電粒子的電荷，因而，帶電粒子不會到達(dá)前述真空系統(tǒng)等。這種狀態(tài)會持續(xù)一段時間。這段時間是預(yù)定的并且對進(jìn)行充分的清潔來說是必要的。
一旦這段時間過去以后，就停止提供高頻電壓并且停止從供氣部分64中提供氬氣。真空閥70也關(guān)閉。然后，大氣輸入閥72打開以將大氣(外部空氣)經(jīng)由大氣輸入口73輸入進(jìn)密封空間K。結(jié)果，密封空間K內(nèi)的壓力會增加，這時，由壓力轉(zhuǎn)換器74來判斷密封空間K內(nèi)的壓力是否恢復(fù)到了大氣壓。
然后，當(dāng)密封空間K內(nèi)的壓力恢復(fù)到了大氣壓時，大氣輸入閥72就會關(guān)閉，并且，缸23受驅(qū)從而使罩蓋13移動成水平上升狀態(tài)。此后，經(jīng)過表面處理的電路板6會移出罩蓋13與基體12之間的空間，再把要進(jìn)行表面處理的電路板6移進(jìn)罩蓋13與基體12之間的空間。
以下參照圖14和圖15說明在本實施例的表面處理設(shè)備內(nèi)傳送電路板6的操作。圖14是顯示本發(fā)明實施例中的傳送通路的平面圖。
如前所述，電路板6主要由構(gòu)成傳送裝置的第一支臂15和第二支臂16來加以傳送。第一和第二支臂15和16以固定的方式與單一的同步傳動帶49相連并彼此相隔預(yù)定的距離t且可沿平行于傳送通路L的方向同時移動。
設(shè)置有缸51(見圖10)，它們分別用于使第一和第二支臂15和16上下移動，所以，第一和第二支臂15和16可彼此獨立地上下移動。
在以下的說明中，就始于下游側(cè)的順序而言，第一電路板6x已經(jīng)過了表面處理并由接線裝置14進(jìn)行接線，第二電路板6y在密封空間K內(nèi)進(jìn)行表面處理，第三電路板6z則還未進(jìn)行表面處理并接收在供給箱9內(nèi)。
在圖14所示的位置關(guān)系中，當(dāng)完成第一電路板6x的接線和第二電路板6y的表面處理時，罩蓋13就移動成水平上升狀態(tài)。
然后，第二支臂16與第一電路板6x相接合，第一支臂15與第二電路板6y相接合，如圖15A所示，并且，電機47啟動以便(沿箭頭M1方向)將第一電路板6x填加進(jìn)接收箱10并使第二電路板6y(沿箭頭M1方向)移至接線裝置14前面的位置。同時，推進(jìn)缸11會運動以便將第三電路板6z從供給箱9中填加至罩蓋13與基體12之間的空間內(nèi)。
此后，如圖15B所示，第一支臂15和第二支臂16會上升，并且，第一支臂15會(沿箭頭M2方向)移至位于第三電路板6z后端的后部位置處，而第二支臂16則會(沿箭頭M2方向)移至第二電路板6y后端的后部位置處。再后，如圖15c所示，第一和第二支臂15和16下降并分別與第三電路板6z和第二電路板6y相接合，第一支臂15使第三電路板6z(沿箭頭M3方向)移至對應(yīng)于圖14中第二電路板6y位置的位置處，而第二支臂16則使第二電路板6y(沿箭頭M3方向)移至對應(yīng)于圖14中第一電路板6x位置的位置處。
此后，第一和第二支臂15和16會返回至如圖14所示的各自位置，罩蓋13移動成水平下降狀態(tài)。然后，以并行的方式對第三電路板6z進(jìn)行表面處理以及對第二電路板2y進(jìn)行接線。通過重復(fù)上述操作，可在對電路板進(jìn)行了表面處理之后馬上順序地對這些電路板進(jìn)行接線。
因此，在本發(fā)明的接線設(shè)備中，沿著傳送通路L以彼此成直線的方式設(shè)置表面處理設(shè)備和接線裝置，并且，在傳送通路L的下游側(cè)將經(jīng)過表面處理的電路板6填加至接線裝置14，而且，基本上與此同時地把要進(jìn)行表面處理的電路板6從傳送通路L的上游側(cè)填加進(jìn)表面處理設(shè)備。所以，可以幾乎在沒有時間損耗的情況下連續(xù)地進(jìn)行電路板的表面處理、傳送和接線，因此，可以極大地提高生產(chǎn)率。
權(quán)利要求
1.一種表面處理設(shè)備，該設(shè)備包括一基體，它帶有一用于傳送物體的傳送通路；一設(shè)置在前述基體上方處的罩蓋，它可移動成與基體的上表面相接觸和不相接觸，該罩蓋與基體相接觸以形成一密封空間，此空間用于接收基體上表面上的物體；一接合和脫離裝置，它用于使罩蓋移動成與所說的基體相接觸和不相接觸；一傳送裝置，它用于在罩蓋不與基體相接觸時使設(shè)置在所說傳送通路上的物體移至和移離罩蓋下方的位置處；以及處理裝置，它用于對設(shè)置在上述密封空間內(nèi)的物體的電極進(jìn)行表面處理。
2.如權(quán)利要求1所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述罩蓋的下表面內(nèi)形成有一凹進(jìn)部，它用于形成所說的密封空間。
3.如權(quán)利要求1所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，設(shè)置有一排出裝置，它用于將所說的密封空間抽成低壓。
4.如權(quán)利要求1所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述傳送通路是由導(dǎo)向件構(gòu)成的，導(dǎo)向件安裝在上述基體上以便引導(dǎo)所說的物體，并且，在上述基體的上表面上設(shè)置有一密封部分，此密封部分與罩蓋的下表面緊密地相接觸。
5.如權(quán)利要求3所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述處理裝置是等離子體產(chǎn)生裝置，它用于在上述抽空了的密封空間內(nèi)產(chǎn)生等離子體。
6.如權(quán)利要求5所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述等離子體產(chǎn)生裝置包括一第一電極，它設(shè)置在構(gòu)成前述傳送通路的導(dǎo)向件的下方；一第二電極，它以與上述第一電極相反的方式設(shè)置在前述導(dǎo)向件的上方；一高頻電源，它用于在前述第一與第二電極之間提供高頻電壓；以及，一供氣部分，它用于將產(chǎn)生等離子體的氣體提供進(jìn)前述抽空了的密封空間。
7.如權(quán)利要求6所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)向件是由電絕緣材料制成的。
8.如權(quán)利要求1所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述傳送裝置包括一支臂，當(dāng)前述罩蓋與所述基體分開時，該支臂會移進(jìn)罩蓋與基體之間的空間，并且，該支臂可使前述傳送通路上的物體移動。
9.如權(quán)利要求6所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述第二電極安裝在前述罩蓋的下表面上。
10.一種表面處理的方法，該方法包括下列步驟將一物體安置到設(shè)置在基體上的傳送通路上，并使一罩蓋與前述基體的上表面相接觸以形成一個接收所述物體的密封空間；將所說的密封空間抽成低壓；將產(chǎn)生等離子體的氣體提供給上述抽空了的密封空間；一第一電極與一第二電極之間提供高頻電壓以產(chǎn)生等離子體，以便用該等離子體對前述物體的電極進(jìn)行表面處理，所說的第一電極設(shè)置在前述物體的下方，而所說的第二電極則以與上述第一電極相反的方式設(shè)置在前述物體的上方；使所述密封空間恢復(fù)成大氣壓，并使前述罩蓋移動成不與所說的基體相接觸；以及沿前述傳送通路傳送經(jīng)過表面處理的物體。
11.如權(quán)利要求10所述的表面處理方法，其特征在于，所說的表面處理是對前述物體的電極的蝕刻表面進(jìn)行處理。
12.一種表面處理設(shè)備，該設(shè)備包括一基體；一第一電極，它以這樣的方式安裝在前述基體上即該第一電極的上表面是外露的；導(dǎo)向件，這些導(dǎo)向件設(shè)置在前述第一電極的上方以便形成一傳送通路，此通路用于引導(dǎo)一物體；一下表面上形成有凹進(jìn)部的罩蓋，所說的凹進(jìn)部具有能接收所述物體的尺寸，并且，所說的罩蓋與前述基體相接觸以形成一密封空間，此空間用于接收所說的物體；一支承裝置，它用于支承前述罩蓋；一接合和脫離裝置，它用于使前述支承裝置上下移動以便使所說的罩蓋與前述基體相接觸和不相接觸；一第二電極，它設(shè)置在前述罩蓋的凹進(jìn)部內(nèi)；一抽空裝置，它用于將前述密封空間抽成低壓；一供氣部分，它用于將產(chǎn)生等離子體的氣體提供給前述抽空了的密封空間；以及一高頻電源，它用于在前述第一電極與第二電極之間提供高頻電壓。
13.如權(quán)利要求12所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，上述支承裝置可以改變所述罩蓋的姿態(tài)，因此，所說的凹進(jìn)部可以朝下和水平或朝上。
14.如權(quán)利要求12所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，一內(nèi)部覆蓋件以可拆卸的方式安裝在前述罩蓋凹進(jìn)部的內(nèi)表面上。
15.一種表面處理設(shè)備，該設(shè)備包括一基體；一第一電極，它以這樣的方式安裝在前述基體上即該第一電極的上下表面均是外露的；導(dǎo)向件，這些導(dǎo)向件設(shè)置在前述第一電極的上方以便形成一傳送通路，此通路用于引導(dǎo)一物體；一第二電極，它以與前述第一電極相對的方式設(shè)置在所述導(dǎo)向件的上方；一高頻電源，它用于在前述第一電極與第二電極之間提供高頻電壓；一罩蓋，它可移動成與前述基體的上表面相接觸和不相接觸，該罩蓋與上述基體相接觸以形成一密封空間，此空間可包封住前述第一電極的上表面，導(dǎo)向件以及第二電極；一接合和脫離裝置，它用于使前述罩蓋移動成與所述基體相接觸和不相接觸；一抽空裝置，它用于將前述密封空間抽成低壓；一供氣部分，它用于將產(chǎn)生等離子體的的氣體提供進(jìn)前述密封空間；以及冷卻裝置，它用于冷卻前述第一電極的下表面。
16.如權(quán)利要求15所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述冷卻裝置包括散熱片，這些散熱片以熱學(xué)的方式與前述第一電極相連；以及，一風(fēng)扇，它用于將空氣吹向前述散熱片。
17.一種表面處理設(shè)備，該設(shè)備包括一基體，它帶有一用于傳送物體的傳送通路；一設(shè)置在前述基體上方處的罩蓋，它可移動成與前述基體的上表面相接觸和不相接觸，該罩蓋與基體相接觸以便在所述基體的上表面上形成一密封空間；一接合和脫離裝置，它設(shè)置在前述傳送通路的一側(cè)，以便使所說的罩蓋移動成與前述基體相接觸和不相接觸；一傳送裝置，它設(shè)置在前述傳送通路與上述接合和脫離裝置相反的另一側(cè)上，當(dāng)前述罩蓋不與所說的基體相接觸時，所說的傳送裝置可使設(shè)置在傳送通路上的物體移進(jìn)和移出罩蓋下方的位置處；以及處理裝置，它用于對設(shè)置在上述密封空間內(nèi)的物體的電極進(jìn)行表面處理。
18.如權(quán)利要求17所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，設(shè)置有一支承著前罩蓋的支承裝置，并且，所述接合和脫離裝置使前述支承裝置上下移動以便使罩蓋與所說的基體相接觸和不相接觸。
19.如權(quán)利要求17所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述傳送裝置包括一支臂，當(dāng)前述罩蓋與所述基體分開時，該支臂會移進(jìn)罩蓋與基體之間的空間，并且，該支臂可使前述傳送通路上的物體移動。
20.如權(quán)利要求17所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述罩蓋的下表面上形成有一凹進(jìn)部，它用于形成所說的密封空間。
21.如權(quán)利要求17所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，設(shè)置有一排出裝置，它用于將所說的密封空間抽成低壓。
22.如權(quán)利要求17所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述傳送通路是由導(dǎo)向件構(gòu)成的，導(dǎo)向件安裝在上述基體上以便引導(dǎo)所說的物體，并且，在上述基體的上表面上設(shè)置有一密封部分，此密封部分與罩蓋的下表面緊密地相接觸。
23.如權(quán)利要求21所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述處理裝置是等離子體產(chǎn)生裝置，它用于在上述抽空了的密封空間內(nèi)產(chǎn)生等離子體。
24.如權(quán)利要求23所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述等離子體產(chǎn)生裝置包括一第一電極，它設(shè)置在構(gòu)成前述傳送通路的導(dǎo)向件的下方；一第二電極，它以與上述第一電極相反的方式設(shè)置在前述導(dǎo)向件的上方；一高頻電源，它用于在前述第一與第二電極之間提供高頻電壓；以及，一供氣部分，它用于將產(chǎn)生等離子體的氣體提供進(jìn)前述抽空了的密封空間。
25.如權(quán)利要求22所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)向件是由電絕緣材料制成的。
26.如權(quán)利要求24所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述第二電極安裝在前述罩蓋的下表面上。
27.一種表面處理設(shè)備，設(shè)備包括一基體；一第一電極，它以這樣的方式安裝在前述基體上即該第一電極的上表面是外露的；導(dǎo)向件，這些導(dǎo)向件設(shè)置在前述第一電極的上方以便形成一傳送通路，此通路用于引導(dǎo)一物體；一第二電極，它以與前述第一電極相對的方式設(shè)置在所述導(dǎo)向件的上方；一高頻電源，它用于在前述第一電極與第二電極之間提供高頻電壓；一罩蓋，它可移動成與前述基體的上表面相接觸和不相接觸，該罩蓋與上述基體相接觸以形成一密封空間，此空間可包封住前述第一電極，導(dǎo)向件以及第二電極；一接合和脫離裝置，它用于使前述罩蓋移動成與所述基體相接觸和不相接觸；一傳送裝置，它用于在前述罩蓋不與所述基體接觸時沿所說的導(dǎo)向件傳送前述物體；一抽空裝置，它用于將前述密封空間抽成低壓；以及一供氣部分，它用于將產(chǎn)生等離子體的氣體提供進(jìn)前述密封空間。
28.如權(quán)利要求27所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)向件是由電絕緣材料制成的。
29.如權(quán)利要求27所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述傳送裝置包括一支臂，當(dāng)前述罩蓋與所述基體分開時，該支臂會移進(jìn)罩蓋與基體之間的空間，并且，該支臂可使前述傳送通路上的物體移動。
30.如權(quán)利要求27所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述第二電極安裝在罩蓋的下表面上。
31.一種表面處理設(shè)備，該設(shè)備包括一基體；一第一電極，它以這樣的方式安裝在前述基體上即該第一電極的上表面是外露的；導(dǎo)向件，這些導(dǎo)向件設(shè)置在前述第一電極的上方以便形成一傳送通路，此通路用于引導(dǎo)一物體；一第二電極，它以與前述第一電極相對的方式設(shè)置在所述導(dǎo)向件的上方；一高頻電源，它用于在前述第一電極與第二電極之間提供高頻電壓；一罩蓋，它可移動成與前述基體的上表面相接觸和不相接觸，該罩蓋與上述基體相接觸以形成一密封空間，此空間可包封住前述第線電極、導(dǎo)向件以及第二電極；一接合和脫離裝置，它用于使前述罩蓋移動成與所述基體相接觸和不相接觸；一傳送裝置，它用于在前述罩蓋不與所述基體相接觸時沿所說的導(dǎo)向件傳送前述物體；一以偏離子前述傳送通路的方式形成的端口部分，它與前述密封空間相通連；一抽空裝置，它用于經(jīng)由前述端口部分將所說的密封空間抽成低壓；以及一供氣部分，它用于將產(chǎn)生等離子體的氣體提供給所說的密封空間。
32.如權(quán)利要求31所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述端口部分形成在前述基體上。
33.如權(quán)利要求31所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)向件是由電絕緣材料制成的。
34.如權(quán)利要求31所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述傳送裝置包括一支臂，當(dāng)前述罩蓋與所述基體分開時，該支臂會移進(jìn)罩蓋與基體之間的空間，并且，該支臂可使前述傳送通路上的物體移動。
35.如權(quán)利要求31所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，所述第二電極安裝在前述罩蓋的下表面上。
36.如權(quán)利要求32所述的表面處理設(shè)備，其特征在于，一第一凹進(jìn)部形成在前述罩蓋的下表面上并具有能接收所述物體的尺寸，并且，在所述罩蓋的下表面內(nèi)還形成有一第二凹進(jìn)部，該凹進(jìn)部的尺寸要小于第一凹進(jìn)部，在前述基體上對應(yīng)于第二凹進(jìn)部的那一部分內(nèi)形成有所說的端口部分。
37.一種接線設(shè)備，該設(shè)備包括一基體，它帶有一用于傳送物體的傳送通路；一沿上述傳送通路設(shè)置的表面處理設(shè)備；一沿上述傳送通路與所述表面處理設(shè)備相并置的接線裝置，該接線裝置可對經(jīng)過表面處理后的物體的電極進(jìn)行接線；所說的表面處理設(shè)備包括一罩蓋，它可移動成與所述基體的上表面相接觸和不相接觸，上述罩蓋與所述基體相接觸以形成一密封的空間，此空間用于接收設(shè)置在所述基體上表面上的傳送通路中的物體；一接合和脫離裝置，它用于使所述罩蓋移動成與前述基體相接觸和不相接觸；以及，處理裝置，它用于對設(shè)置在前述密封空間內(nèi)的物體的電極進(jìn)行表面處理；以及一傳送裝置，它用于將經(jīng)過表面處理后的物體從前述表面處理設(shè)備傳送至接線裝置前面的位置處。
38.如權(quán)利要求37所述的接線設(shè)備，其特征在于，所述罩蓋的下表面內(nèi)形成有一凹進(jìn)部，它用于形成所說的密封空間。
39.如權(quán)利要求37所述的接線設(shè)備，其特征在于，設(shè)置有一排出裝置，它用于將所說的密封空間抽成低壓。
40.如權(quán)利要求37所述的接線設(shè)備，其特征在于，所述傳送通路是由導(dǎo)向件構(gòu)成的，這些導(dǎo)向件安裝在前述基體上以便引導(dǎo)所說的物體，并且，所述基體的上表面上設(shè)置有一密封部分，此密封部分與所述罩蓋的下表面緊密地相接觸。
41.如權(quán)利要求37所述的接線設(shè)備，其特征在于，所述處理裝置是等離子體產(chǎn)生裝置，它用于在前述抽空了的密封空間內(nèi)產(chǎn)生等離子體。
42.如權(quán)利要求41所述的接線設(shè)備，其特征在于，所述等離子體產(chǎn)生裝置包括一第一電極，它設(shè)置在構(gòu)成所述傳送通路的導(dǎo)向件的下方；一第二電極，它以與上述第一電極相反的方式設(shè)置在前述導(dǎo)向件的上方；一高頻電源，它用于在前述第一與第二電極之間提供高頻電壓；以及一供氣部分，它用于將產(chǎn)生等離子的氣體提供進(jìn)前述抽空了的密封空間。
43.如權(quán)利要求42所述的接線設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)向件是由電絕緣材料制成的。
44.如權(quán)利要求37所述的接線設(shè)備，其特征在于，所述傳送裝置包括一支臂，當(dāng)前述罩蓋與所述基體分開時，該支臂會移進(jìn)該罩蓋與基體之間的空間，并且，該支臂可使前述傳送通道上的物體移動。
45.如權(quán)利要求42所述的接線裝置，其特征在于，所述第二電極安裝在前述罩蓋的下表面上。
46.一種接線方法，該方法包括下列步驟將一物體安置到設(shè)置在基體上的傳送通路上，并使一罩蓋與前述基體的上表面相接觸以形成一個接收所述物體的密封空間；將所說的密封空間抽成低壓；將產(chǎn)生等離子體的氣體提供給上述抽空了的密封空間；在一第一電極與一第二電極之間提供高頻電壓以產(chǎn)生等離子體，以便用該等離子體對前述物體的電極進(jìn)行表面處理，所說的第一電極設(shè)置在前述物體的下方，而所說的第二電極則以與上述第一電極相反的方式設(shè)置在前述物體的上方；使所述密封空間恢復(fù)成大氣壓，并使前述罩蓋移動成不與所說的基體相接觸；沿前述傳送通路將經(jīng)過表面處理的物體傳送至一接線裝置前面的位置處；以及用上述接線裝置將導(dǎo)線連接于經(jīng)過表面處理后的物體的電極。
47.如權(quán)利要求46所述的接線方法，其特征在于，所說的表面處理是對前述物體的電極的蝕刻表面進(jìn)行處理。
48.如權(quán)利要求46所述的接線方法，其特征在于，所述物體的電極包括一屏障金屬層，它形成在電路圖案的表面上；以及，一層金，它形成在前述屏障金屬層的表面上，所說的屏障金屬層包含有鎳。
49.如權(quán)利要求48所述的接線方法，其特征在于，所述金層是由化學(xué)置換敷鍍法形成的。
全文摘要
公開了小型、具有較高處理能力、結(jié)構(gòu)簡單且成本低廉的表面處理設(shè)備和接線設(shè)備。表面處理設(shè)備包括一基體，它帶有用于傳送物體的傳送通路；一設(shè)置在上述基體上方的罩蓋，它可移動成與前述基體相接觸和不相接觸；一接合和脫離裝置，它用于使前述罩蓋移動成與前述基體相接觸和不相接觸；一傳送裝置，它用于在罩蓋不與前述基體接觸時使所述物體移至和移出罩蓋下方的位置；以及，一處理部分，它用于對前述物體的電極進(jìn)行表面處理。
文檔編號B23K20/00GK1150981SQ9611083
公開日1997年6月4日 申請日期1996年7月26日 優(yōu)先權(quán)日1995年7月28日
發(fā)明者土師宏 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社