專利名稱：軟性印刷電路基板用軋制銅箔及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于具有彎曲性和合適的制造性的軟性印刷電路基板(Flexible printed circuit，以下記為FPC)等的撓性配線部件。
以有機(jī)物作為基材的印刷配線基板，大致分為以玻璃纖維增強(qiáng)環(huán)氧樹脂和紙苯酚基板作為構(gòu)成材料的硬質(zhì)包銅層壓板(硬的)，與以聚酰亞胺與聚酯基板作為構(gòu)成材料的撓性包銅層壓基板(柔軟的)，作為印刷配線基板的導(dǎo)電材料，主要使用銅箔。銅箔根據(jù)其制造方法的不同，可分為電解銅箔和軋制銅箔。
上述印刷配線基板中，軟性印刷電路基板(FPC)是在樹脂基板上層壓銅箔，利用粘結(jié)劑或者加熱加壓進(jìn)行一體化而形成。近年來，作為高密度實(shí)裝的有效手段，大多使用叫做組裝基板的多層配線基板。對(duì)于成為這種FPC的構(gòu)成部件的銅箔來說，主要使用軋制銅箔。
FPC廣泛用于向打印機(jī)的磁頭或硬盤內(nèi)的驅(qū)動(dòng)部等的可動(dòng)部分的配線成為必要的地方，經(jīng)受反復(fù)100萬次以上的彎曲。伴隨近年來的裝置的小型化或高水準(zhǔn)化，對(duì)這種彎曲性的要求更高度化。
在用于FPC的銅箔的原材料中，主要使用反射爐精煉銅(氧含量100～500ppm)。這種反射爐精煉銅箔是將銅錠熱軋后，反復(fù)進(jìn)行冷軋和退火至規(guī)定的厚度來制造。此后，為了提高與樹脂基板的粘結(jié)性，在銅箔的表面上施行粗化鍍。粗化鍍后的銅箔裁斷后，與樹脂基板貼合。在銅箔與樹脂的貼合時(shí)，例如使用環(huán)氧等熱固性樹脂構(gòu)成的粘結(jié)劑，疊合后在130～170℃的溫度加熱1～2小時(shí)進(jìn)行固化。接著，對(duì)銅箔進(jìn)行蝕刻，形成各種配線圖案。
銅箔的彎曲性通過再結(jié)晶退火比軋制加工更顯著地提高。因此銅箔在退火狀態(tài)被作為FPC的構(gòu)成部件使用，但是這種退火在進(jìn)行粗化鍍并裁斷后進(jìn)行加熱處理，或者兼顧銅箔與樹脂基板粘結(jié)時(shí)的加熱。這樣，當(dāng)初不使用退火狀態(tài)的銅箔，在制造工序的中間進(jìn)行退火的理由是，在退火后的軟質(zhì)狀態(tài)進(jìn)行裁斷或與樹脂基板貼合時(shí)，銅箔發(fā)生變形，或者在銅箔上產(chǎn)生皺紋，軋制加工的硬質(zhì)狀態(tài)，從FPC的制造性考慮，是有利的。
為了提高FPC的彎曲性，提高成為其原材料的軋制銅箔的彎曲性是有效的，立體織構(gòu)越發(fā)達(dá)，退火后的銅箔的彎曲性越提高。另外，為了使該立體織構(gòu)發(fā)達(dá)，在銅箔的制造工序中，提高最終軋制的壓下量，并且使即將最終軋制之前的退火下的晶粒粒徑小，是有效的(特愿平10-101858)。
可是，以這樣的工序制造成的銅箔，在軋制中蓄積的塑性應(yīng)變?cè)龃?，因而軟化溫度顯著地降低，由于這種情況，即使在室溫保管若經(jīng)過長期的保管期，也發(fā)生軟化(例如特開平10-230303)。
如上述所，使用已經(jīng)軟化的銅箔制造FPC，會(huì)產(chǎn)生銅箔變形等問題，F(xiàn)PC的制造性顯著地降低。因此，在選擇上述的制造工序提高銅箔的彎曲性時(shí)，必須同時(shí)適度提高銅箔的軟化溫度。
本發(fā)明的目的是，通過適度地提高高彎曲性軋制銅箔的軟化溫度，消除保管中伴隨的軟化的故障，提供兼具優(yōu)良的彎曲性和適度的軟化特性的FPC用軋制銅箔。
即本發(fā)明解決了上述的問題，是關(guān)于(1)軟性印刷電路基板用軋制銅箔，其特征在于，氧是10ppm(重量)以下，以下式定義的T是4～34的范圍，T＝0.06〔Bi〕+0.55〔Pb〕+0.60〔Sb〕+0.64〔Se〕+1.36〔S〕+0.32〔As〕+0.09〔Fe〕+0.02〔Ni〕+0.76〔Te〕+0.48〔Sn〕+0.16〔Ag〕+1.24〔P〕(其中，〔i〕是元素i的ppm(重量)濃度)上述各元素的濃度是以下的范圍，〔Bi〕＜5，〔Pb〕＜10，〔Sb〕＜5，〔Se〕＜5，〔S〕＜15，〔As〕＜5，〔Fe〕＜20，〔Ni〕＜20，〔Te〕＜5，〔Sn〕＜20，〔Ag〕＜50，〔P〕＜15(其中，〔i〕是元素i的ppm(重量)濃度)厚度是5～50μm，具有120～150℃的半軟化溫度，在30℃持續(xù)保持300N/mm2以上的抗拉強(qiáng)度，具有優(yōu)良的彎曲性和適度的軟化特性。
(2)上述(1)所述的軟性印刷電路基板用軋制銅箔，其特征在于，Ti、Zr、Hf、V、Ta、B、Ca和Nb各成分中的一種以上的合計(jì)量是20ppm(重量)以下。
(3)在(1)和(2)中所述的軟性印刷電路基板用軋制銅箔，其特征在于，以200℃、30分鐘的退火后的軋制面的X射線衍射求出的(200)面的強(qiáng)度(I)對(duì)于以微粉末銅的X射線衍射求出的(200)面的強(qiáng)度(Io)，是I/Io＞20.0。
(4)在(1)、(2)和(3)中所述的軟性印刷電路基板用軋制銅箔的制造方法，其特征在于，將銅錠熱軋后，反復(fù)進(jìn)行冷軋和退火，最后在冷軋中以精加工工序制成箔，將最后冷軋之前的退火，在以該退火得到的再結(jié)晶的平均粒徑為20μm的條件下進(jìn)行，最后的冷軋的壓下量規(guī)定為超過90.0％的值，得到具有優(yōu)良的彎曲性和適度的軟化特性的軋制銅箔。
以高壓下量或者細(xì)晶粒的工藝制造銅箔，只要使立體織構(gòu)發(fā)達(dá)，就提高彎曲性，但軟化溫度變得過低。而且，通過控制原材料的成分，如果做到提高軟化溫度，就能夠得到具有適度的軟化溫度的銅箔。
在此所說的適度的軟化溫度，是按照(1)銅箔的軋制結(jié)束的抗拉強(qiáng)度是400～500N/mm2，但即使在30℃放置1年，也保持300N/mm2以上的抗拉強(qiáng)度，(2)在粗化鍍并裁斷后的熱處理或者與樹脂基板粘結(jié)時(shí)的熱處理中，銅箔發(fā)生軟化的這2個(gè)條件規(guī)定的，按30分鐘退火時(shí)的半軟化溫度(抗拉強(qiáng)度成為退火前和完全發(fā)生軟化時(shí)的中間值時(shí)的退火溫度)來說，相當(dāng)于120～150℃的范圍。
以往，在FPC用的軋制銅箔的原材料中，不使用無氧銅，而使用反射爐精煉銅，其理由是，無氧銅與反射爐精煉銅相比，軟化溫度高30℃以上，在與上述的樹脂基板進(jìn)行粘結(jié)時(shí)的熱處理中，不發(fā)生軟化(例如，酒井修二、永井康睦、菅谷和雄、大谷憲夫“低溫軟化無酸素銅の諸特性とえの應(yīng)用”，日立電線，No.8(1989)，P.51-56，ぉょび江口立彥、藤田繁男、宮武幸裕、千草成史、德永新、佐藤矩正、稻田孝“低溫軟化.高屈曲性無酸素銅の開發(fā)”，古河電工時(shí)報(bào)，No.86(1990)，P.25～31)。
在此，所謂作為以往FPC用軋制銅箔的原材料而被敬而遠(yuǎn)之的無氧銅，只要以得到優(yōu)良的彎曲性的高壓下量或者細(xì)晶粒的工序進(jìn)行制造，利用該工序就能降低軟化溫度，作為FPC用銅箔，有得到合適的軟化溫度的可能性。
如上述所，過去就提出在FPC用軋制銅箔的原材料中使用無氧銅，例如，①使用添加10～600ppm的硼而降低軟化溫度的無氧銅箔(特許號(hào)第1582981)，②使用添加10～30ppm的Ca、Zr或者鈰合金料的一種以上而降低軟化溫度的無氧銅箔(特許號(hào)第1849316)等；通過添加微量的合金元素，使軟化溫度降低至反射爐精煉銅的水平之后，幾乎都是使用無氧銅。
另一方面，不控制微量成分，通過以特殊的制造工序進(jìn)行制造，降低無氧銅箔的軟化溫度，也有用于FPC的例子，但在低溫·長時(shí)間進(jìn)行最后退火等，總是降低銅箔的生產(chǎn)率(特開平01-212739)?？傊?，以往的研究都是以僅降低無氧銅的軟化溫度為目的，還沒有積極地利用無氧銅本來的高軟化溫度的例子。
在無氧銅中以較高濃度含有、對(duì)無氧銅的軟化溫度造成影響的雜質(zhì)元素是Bi、Pb、Sb、Se、S、As、Fe、Ni、Te、Ag、Sn和P。若這些元素的濃度高，軟化溫度就上升，但無氧銅中的各元素的濃度因制造時(shí)間控制不同而波動(dòng)，以往的波動(dòng)水平，不能使半軟化溫度達(dá)到稱為120～150℃的狹小范圍內(nèi)。因此，必須將這些元素的濃度調(diào)整在適當(dāng)?shù)姆秶?br> 熔煉無氧銅時(shí)的主原料是電解銅。上述元素中，Bi、Pb、Sb、Se、S、As、Ni、Te、Ag和Sn主要是從電解銅帶入的。因此，根據(jù)這些雜質(zhì)的含量選擇用于原料的電解銅，能夠調(diào)整這些雜質(zhì)的濃度。
接著，熔解后的電解銅，通過碳脫氧等調(diào)整氧濃度，成為無氧銅。Fe主要是在該工序中從鐵銹等混入的，只要管理這樣的Fe成分的混入，就能夠調(diào)整Fe濃度。另外，在無氧銅的制造過程中，進(jìn)行脫氧精煉，往往添加微量的P。通過管理P的添加量能夠調(diào)整P濃度。
另一方面，已經(jīng)知道，在銅中以低濃度添加Ti、Zr、Hf、V、Ta、B、Ca和Nb等，降低軟化溫度。這可以說是因?yàn)檫@些元素和上述的雜質(zhì)化合，使雜質(zhì)從固溶狀態(tài)變成析出狀態(tài)，或者成為再結(jié)晶核，降低再結(jié)晶能(例如，特開昭63-140052)。
在電解銅中僅極微量地含有這些元素，因此在無氧銅的制造過程中，除非有意地添加，在無氧銅中含量不多至表現(xiàn)軟化溫度降低的效果的濃度。因此，不使用含有這些元素的電解銅也是重要的，但在無氧銅的制造過程中，以這些元素不作為脫氧劑添加是特別重要的。
本發(fā)明人基于上述觀點(diǎn)，通過反復(fù)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，嚴(yán)密地調(diào)整無氧銅的微量雜質(zhì)量，并且只要嚴(yán)密地規(guī)定其制造工序，在得到優(yōu)良的彎曲性的同時(shí)，就能夠?qū)⑵浒胲浕瘻囟日{(diào)整在120～150℃的范圍。
下面描述有關(guān)本發(fā)明的軋制銅箔的限定理由。
本發(fā)明以在室溫使軋制銅箔持續(xù)保持300N/mm2以上的抗拉強(qiáng)度為目標(biāo)。更希望即使是在30℃放置1年的情況下，也能夠保持300N/mm2以上的抗拉強(qiáng)度。
在此，所謂30℃相當(dāng)于超過日本國內(nèi)的年平均氣溫的溫度，所謂銅箔至加工成FPC的保管期間持續(xù)，往往持續(xù)地保管，即使更長也是1年。另外，只要抗拉強(qiáng)度是300N/mm2以上，在加工銅箔中就不發(fā)生皺紋等故障。因此，即使在30℃放置1年，如果也能夠保持300N/mm2以上的抗拉強(qiáng)度，在實(shí)用上就沒有問題。這樣的軟化特性，若換算成進(jìn)行30分鐘退火時(shí)的半軟化溫度，就相當(dāng)于120℃以上的溫度。
另一方面，若30分鐘退火時(shí)的半軟化溫度超過150℃，在粗化鍍并裁斷后的熱處理或者與樹脂基板粘結(jié)時(shí)的熱處理中銅箔往往不發(fā)生軟化。因此，將30分鐘退火時(shí)的半軟化溫度規(guī)定為120～150℃。
為了提高FPC的彎曲性，必須提高銅箔的彎曲性。銅箔以再結(jié)晶狀態(tài)組裝在FPC中，但是如果使純銅的再結(jié)晶織構(gòu)的立體織構(gòu)發(fā)達(dá)，就會(huì)提高銅箔的彎曲性。
得到能夠滿足的彎曲性時(shí)的立體織構(gòu)的發(fā)達(dá)度，以X射線衍射求出的(200)面的強(qiáng)度相對(duì)以微粉末銅的X射線衍射求出的(200)面的強(qiáng)度(Io)，規(guī)定為I/Io＞20.0的關(guān)系，最好規(guī)定為I/Io＞40.0的關(guān)系。在此，在200℃ 30分鐘的退火，在進(jìn)行X射線強(qiáng)度的測(cè)定時(shí)，是為了使銅箔再結(jié)晶進(jìn)行的。
將O濃度規(guī)定在10ppm(重量)以下的理由是，為了得到120℃以上的軟化溫度。若O濃度超過10ppm(重量)，在以得到高彎曲性的工藝制造箔時(shí)，即使將微量成分量調(diào)整在后述的范圍，也不能得到120℃以上的半軟化溫度。另外，若降低O濃度，Cu2O夾雜物就減少，因此也達(dá)到改善彎曲性的效果。
Bi、Pb、Sb、Se、S、As、Fe、Ni、Te、Ag、Sn和P是決定無氧銅的軟化特性的元素，通過調(diào)整這些元素的濃度，能夠控制半軟化溫度。但是，在各元素中，對(duì)軟化溫度上升的貢獻(xiàn)率不同，因而需要根據(jù)元素進(jìn)行重量添加。因此，以下式定義軟化溫度上升指數(shù)(T)。
T＝0.06〔Bi〕+0.55〔Pb〕+0.60〔Sb〕+0.64〔Se〕+1.36〔S〕+0.32〔As〕+0.09〔Fe〕+0.02〔Ni〕+0.76〔Te〕+0.48〔Sn〕+0.16〔Ag〕+1.24〔P〕(其中，〔i〕是元素i的ppm(重量)濃度)在此，各元素的系數(shù)是在高純度銅中單獨(dú)添加各元素的各種量，求出濃度和半軟化溫度的關(guān)系，以一次直線整理該關(guān)系時(shí)的直線的斜率(℃/ppm(重量))。另外，各元素的半軟化溫度的上升效果，證實(shí)了相加地起作用。
如果使T成為4～34范圍地調(diào)整上述元素的濃度，就能夠使以得到高彎曲的工藝制造的銅箔半軟化溫度達(dá)到120～150℃的范圍。而T若小于4，半軟化溫度就低于120℃，T若超過34，半軟化溫度就超過150℃。
為了將T調(diào)整在4～34的范圍，如上所述，可以調(diào)整作為雜質(zhì)的混入量，但在無氧銅的制造過程中也有有意圖地添加這些元素的方法。但是，各元素的濃度必須調(diào)整在各自規(guī)定的范圍內(nèi)。
這是根據(jù)以下的理由。
①Bi、Pb、Se、S、Sn等的熔點(diǎn)低的元素，若在無氧銅錠的晶界偏析，在熱軋時(shí)就發(fā)生裂紋。
②S、Sb、As、Te、P等非金屬元素在和Cu之間形成非金屬夾雜物，降低彎曲性等機(jī)械特性。
③Ag等是高價(jià)的，因此多量使用這樣的元素調(diào)整軟化溫度，在經(jīng)濟(jì)上是不利的。
④若Fe、Ni等的濃度高，就會(huì)阻礙再結(jié)晶織構(gòu)的發(fā)達(dá)〔(200)面的I/Io低下〕，彎曲性降低。
因此，作為不發(fā)生上述弊端的范圍，將各元素的濃度規(guī)定在〔Bi〕＜5，〔Pb〕＜10，〔Sb〕＜5，〔Se〕＜5，〔S〕＜15，〔As〕＜5，〔Fe〕＜20，〔Ni〕＜20，〔Te〕＜5，〔Sn〕＜20，〔Ag〕＜50，〔P〕＜15(其中，〔i〕是元素i的ppm(重量)濃度)。
在銅中含有Ti、Zr、Hf、V、Ta、B、Ca和Nb等，使半軟化溫度降低，但這些元素的合計(jì)量只要是20ppm(重量)以下，就沒有發(fā)現(xiàn)軟化溫度降低的現(xiàn)象。因此，將這些元素的合計(jì)量規(guī)定在20ppm(重量)以下。
關(guān)于銅箔的厚度，越薄在彎曲部的外周產(chǎn)生的變形越減少，因此提高彎曲性。若銅箔的厚度超過50μm，即使立體織構(gòu)發(fā)達(dá)，也得不到所希望的彎曲性。而銅箔的厚度若不到5μm，銅箔的強(qiáng)度變得過低，由于破斷等，銅箔的加工處理變得困難。因此銅箔的厚度規(guī)定為5～50μm。
接著，有關(guān)本發(fā)明的銅箔在平均粒徑成為20μm以下的條件下進(jìn)行再結(jié)晶退火后，通過進(jìn)行超過90.0％的壓下量的冷軋軋成箔，但在軋制前的退火下的平均粒徑超過20μm時(shí)或者壓下量是90.0％以下時(shí)，I/Io＜20.0，得不到良好的彎曲性。
另外，由于微量成分的濃度不同，有時(shí)半軟化溫度超過150℃。再者，也可以以熱軋兼顧最終冷軋前的退火，但在情況下也希望將熱軋結(jié)束的晶粒粒徑調(diào)整在20μm以下。
實(shí)施例以下，根據(jù)實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
制造表1所示成分的厚200mm、寬600mm的銅錠，通過熱軋軋至10mm。
表1
在此，比較例的No.1作為FPC用銅箔的原材料是迄今所使用的反射爐精煉銅。接著，反復(fù)進(jìn)行退火和冷軋，得到厚度tomm的軋制結(jié)束的板。將該板進(jìn)行退火使發(fā)生再結(jié)晶，除去氧化皮后，冷軋至規(guī)定的厚度tmm。在此，最后的冷軋時(shí)的壓下量R以R＝(to-t)/to×100(％)給出。另外，最終冷軋前的退火，在垂直軋制方向的斷面上以弦計(jì)算法測(cè)定退火后的晶粒粒徑。
像這樣以各種中間退火條件和最終軋制壓下量制造成的銅箔試樣評(píng)價(jià)以下的特性。
(1)立體織構(gòu)試樣在200℃加熱30分鐘后，求出用X射線衍射求出的(200)面強(qiáng)度的積分值(I)。用該值除以預(yù)先測(cè)定的微粉末銅的(200)面強(qiáng)度的積分值，計(jì)算出I/Io的值。峰強(qiáng)度的積分值的測(cè)定，使用Co管球，在2θ＝57～63°(θ是衍射角)的范圍進(jìn)行。
(2)彎曲性試樣在200℃加熱30分鐘進(jìn)行再結(jié)晶后，使用

圖1所示的裝置，進(jìn)行彎曲疲勞壽命的測(cè)定。該裝置形成在發(fā)振驅(qū)動(dòng)體4上結(jié)合振動(dòng)傳遞部件3的結(jié)構(gòu)，被試驗(yàn)銅箔1以箭頭所示的螺釘2的部分和3的前端部的合計(jì)4點(diǎn)固定在裝置上。振動(dòng)部3一上下驅(qū)動(dòng)，銅箔1的中間部就以給定的曲率半徑r彎曲成U形狀。在本試驗(yàn)中，求出以以下的條件進(jìn)行反復(fù)彎曲至破斷時(shí)的次數(shù)。
試樣寬12.7mm、試樣長200mm，試樣切取方向試樣的長度方向平行于軋制方向地切取，曲率半徑r2.5mm，振動(dòng)行程25mm，振動(dòng)速度1500次/分。
在彎曲疲勞壽命是3萬次以上時(shí)，判斷為具有優(yōu)良的彎曲性。另外，該試驗(yàn)是加速試驗(yàn)，實(shí)際上是在比使用FPC的條件更嚴(yán)格的條件下進(jìn)行。
(3)半軟化溫度測(cè)定在各種溫度進(jìn)行30分鐘退火后的抗拉強(qiáng)度。而且，退火后的抗拉強(qiáng)度求出成為軋制結(jié)束的抗拉強(qiáng)度和進(jìn)行300℃30分鐘退火而完全軟化后的抗拉強(qiáng)度的中間值時(shí)的退火溫度。半軟化溫度如果是120～150℃的范圍，就判斷為具有良好的軟化特性。
(4)室溫下的軟化舉動(dòng)在調(diào)整至30℃的恒溫槽中保管軋制結(jié)束的材料，從保管開始每1個(gè)月測(cè)定抗拉強(qiáng)度，求出抗拉強(qiáng)度至成為300N/mm2以下的值的期間。該評(píng)價(jià)繼續(xù)至12個(gè)月。
在表2中示出各組成的銅箔的加工歷程和特性。
表2
有關(guān)本發(fā)明的軋制銅箔的本發(fā)明例No.1～20，若進(jìn)行退火，立體織構(gòu)就發(fā)達(dá)，200面的I/Io超過20.0，作為其結(jié)果，顯示3萬次以上的彎曲壽命。另外，軟化溫度是在目標(biāo)的120～150℃的范圍內(nèi)，在室溫(30℃)即使保管1年，抗拉強(qiáng)度也保持300N/mm2以上的值。
另一方面，是以得到高彎曲的工藝制造成的反射爐精煉銅箔的比較例No.1，盡管T是4以上，但半軟化溫度低于120℃，在30℃保管在1年內(nèi)抗拉強(qiáng)度已降低至300N/mm2以下。
比較例No.2，T不滿足4，因此半軟化溫度低于120℃，在30℃保管在1年內(nèi)抗拉強(qiáng)度已降低至300N/mm2以下。另外，比較例No.3，T超過34，因此半軟化溫度超過150℃，在FPC的制造階段，不發(fā)生再結(jié)晶的危險(xiǎn)性高。
比較例No.5，Bi濃度超過5ppm(重量)，因此在熱軋銅錠時(shí)產(chǎn)生裂紋，不能加工成銅箔。同樣，在Pb、Se、S、Sn的濃度超過規(guī)定范圍的情況下，也產(chǎn)生熱軋裂紋。
比較例No.4，S濃度超過15ppm(重量)，因此產(chǎn)生熱軋裂紋，但研磨該裂紋可加工至35μm。但是，CuS夾雜物增加，因此，盡管I/Io超過20，但達(dá)不到30000次以上的彎曲次數(shù)。同樣，Sb、Se、As、Te、P的濃度超過規(guī)定范圍的情況下，非金屬夾雜物也增加，彎曲性降低。
比較例No.6，F(xiàn)e超過20ppm(重量)，因此阻礙再結(jié)晶織構(gòu)的發(fā)達(dá)，I/Io不到20，達(dá)不到30000次以上的彎曲次數(shù)。同樣，在Ni濃度超過規(guī)定范圍的情況下，I/Io也不到20。
比較例No.7、8和9，T超過4，作為脫氧劑使用Ti、Zr、Hf、V、B、Ca、Nb等，因?yàn)檫@些元素的合計(jì)濃度已超過20ppm(重量)，所以半軟化溫度低于120℃，在30℃保管，在1年內(nèi)抗拉強(qiáng)度降低至300N/mm2以下。
比較例No.10，軋制前的晶粒粒徑超過20μm，比較例No.11，軋制壓下量是90％以下，因此200面的I/Io不到20，彎曲次數(shù)不滿足3萬次，在軋制時(shí)蓄積的塑性應(yīng)變少，因此半軟化溫度超過150℃。
比較例No.12，厚度超過50μm，因此，盡管立體織構(gòu)發(fā)達(dá)，但彎曲次數(shù)不到3萬次。
關(guān)于以同一工藝制造成的本發(fā)明例No.1～9和比較例No.2、3，在圖2中示出T和半軟化溫度的關(guān)系。從該圖可知，T若變高，半軟化溫度就上升，T在4～34的范圍內(nèi)，得到目標(biāo)的120～150℃的半軟化溫度。
本發(fā)明的軟性印刷電路用軋制銅箔具有優(yōu)良的彎曲性。并且具有適度的軟化溫度，而且在保管中不發(fā)生軟化或者即使退火也不產(chǎn)生稱為軟化的故障，因此具有作為軟性印刷電路基板的優(yōu)異的特性。不言而喻，該銅箔也適合于軟性印刷電路以外的鋰離子電池的電極等的用途。
附圖的簡(jiǎn)單說明圖1是為了進(jìn)行彎曲疲勞壽命的測(cè)定而使用的彎曲試驗(yàn)的說明圖。
圖2是表示本發(fā)明例和比較例與半軟化溫度的關(guān)系的曲線圖。
權(quán)利要求
1.軟性印刷電路基板用軋制銅箔，其特征在于，氧是10ppm(重量)以下，以下式定義的T是4～34的范圍，T＝0.06〔Bi〕+0.55〔Pb〕+0.60〔Sb〕+0.64〔Se〕+1.36〔S〕+0.32〔As〕+0.09〔Fe〕+0.02〔Ni〕+0.76〔Te〕+0.48〔Sn〕+0.16〔Ag〕+1.24〔P〕(其中，〔i〕是元素i的ppm(重量)濃度)上述各元素的濃度是以下的范圍，〔Bi〕＜5，〔Pb〕＜10，〔Sb〕＜5，〔Se〕＜5，〔S〕＜15，〔As〕＜5，〔Fe〕＜20，〔Ni〕＜20，〔Te〕＜5，〔Sn〕＜20，〔Ag〕＜50，〔P〕＜15(其中，〔i〕是元素i的ppm(重量)濃度)厚度是5～50μm，具有120～150℃的半軟化溫度，在30℃持續(xù)保持300N/mm2以上的抗拉強(qiáng)度，具有優(yōu)良的彎曲性和適度的軟化特性。
2.權(quán)利要求1所述的軟性印刷電路基板用軋制銅箔，其特征在于，Ti、Zr、Hf、V、Ta、B、Ca和Nb各成分中的一種以上的合計(jì)量是20ppm(重量)以下。
3.權(quán)利要求1或2所述的軟性印刷電路基板用軋制銅箔，其特征在于，以200℃、30分鐘的退火后的軋制面的X射線衍射求出的(200)面的強(qiáng)度(I)對(duì)于以微粉末銅的X射線衍射求出的(200)面的強(qiáng)度(Io)，是I/Io＞20.0。
4.權(quán)利要求1、2和3所述的軟性印刷電路基板用軋制銅箔的制造方法，其特征在于，將銅錠熱軋后，反復(fù)進(jìn)行冷軋和退火，最后在冷軋中以精加工工序制成箔，將最后冷軋之前的退火，在以該退火得到的再結(jié)晶的平均粒徑為20μm的條件下進(jìn)行，最后的冷軋的壓下量規(guī)定為超過90.0％的值，得到具有優(yōu)良的彎曲性和適度的軟化特性的軋制銅箔。
全文摘要
通過提高高彎曲性軋制銅箔的軟化溫度,消除保管中伴隨的軟化故障,提供同時(shí)具有優(yōu)良彎曲性和適度軟化特性的FPC用軋制銅箔。軟性印刷電路基板用軋制銅箔,該軋制銅箔的氧是10ppm(重量)以下,以公式定義的T(參見說明書)是4～34的范圍,厚度是5～50μm,具有120～150℃的半軟化溫度,在30℃持續(xù)保持300N/mm
文檔編號(hào)B21B1/40GK1262335SQ9912752
公開日2000年8月9日 申請(qǐng)日期1999年12月30日 優(yōu)先權(quán)日1999年1月18日
發(fā)明者波多野隆紹 申請(qǐng)人:日礦金屬株式會(huì)社