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用于工件分離的方法及裝置及借此制造的物品的制作方法

文檔序號:8366758閱讀:384來源:國知局
用于工件分離的方法及裝置及借此制造的物品的制作方法
【專利說明】用于工件分離的方法及裝置及借此制造的物品
[0001] 相關(guān)申請案的交互參照
[0002] 本申請案為美國非臨時申請案。本申請案主張2013年8月16日申請的美國臨時 申請案第61/866, 736號、2013年2月19日申請的美國臨時申請案第61/766, 274號、2012 年12月10日申請的美國臨時申請案第61/735, 489號以及2012年9月21日申請的美國 臨時申請案第61/704, 038號的權(quán)益,該美國臨時申請案的內(nèi)容以全文引用方式納入本文 以達(dá)所有目的。
【背景技術(shù)】
[0003] 本發(fā)明的實(shí)施例通常關(guān)于用于分離諸如玻璃片、晶圓、基板等等的工件的方法。
[0004] 包括薄玻璃基板的硬光學(xué)材料,不論是否經(jīng)化學(xué)強(qiáng)化、熱強(qiáng)化或未經(jīng)強(qiáng)化,其已在 消費(fèi)性電子產(chǎn)品及其他行業(yè)中得到廣泛應(yīng)用。例如,化學(xué)強(qiáng)化玻璃基板及熱強(qiáng)化玻璃基板 已用作封蓋基板,其用于并入移動電話、顯示設(shè)備(諸如電視及計(jì)算機(jī)監(jiān)視器)以及多種其 他電子設(shè)備中的LCD與LED顯示器以及觸控應(yīng)用。為降低與制造此類消費(fèi)性電子設(shè)備相關(guān) 聯(lián)的成本,將大型基板或共同基板自硬光學(xué)材料制造商運(yùn)送至材料使用者,且隨后該使用 者使用諸如機(jī)械劃痕輪或激光的設(shè)備自共同基板單一化個別基板。
[0005] 然而,當(dāng)共同玻璃基板由化學(xué)強(qiáng)化或熱強(qiáng)化玻璃形成時,自共同玻璃基板單一化 個別玻璃基板可為尤其困難的。例如,壓縮應(yīng)力與儲存于中央張力區(qū)內(nèi)的彈性能的量級可 使得難以對化學(xué)強(qiáng)化或熱強(qiáng)化玻璃進(jìn)行切割及精整。高表面壓縮層及深壓縮層使得難以如 傳統(tǒng)劃線及彎曲過程中一樣來對玻璃基板機(jī)械地劃線。此外,若中央張力區(qū)中儲存的彈性 能足夠高,則當(dāng)表面壓縮層遭穿透時,玻璃可以爆裂方式破裂。在其他情況下,彈性能的釋 放可導(dǎo)致該破裂偏離分離路徑。類似地,對適于用作電子顯示器的封蓋材料的其他硬光學(xué) 材料分離或單一化亦存在困難,該材料諸如剛玉、陶瓷、半導(dǎo)體、金屬或金屬合金以及玻璃 陶瓷。因此,存在對用于分離包括硬光學(xué)材料的強(qiáng)化玻璃基板的可靠方法的需要。
【附圖說明】
[0006] 圖IA為例示根據(jù)本文示范性描述的一或多個實(shí)施例的工件的平面圖,該工件可 沿分離路徑的一實(shí)施例分離;
[0007] 圖IB為例示可沿分離路徑分離的工件的一實(shí)施例的橫截面視圖,該橫截面視圖 沿圖IA中所示的線IB-IB截?。?br>[0008] 圖2為多個修改區(qū)已沿分離路徑形成之后的圖IB中所示的工件的橫截面視圖;
[0009] 圖3A、圖4A及圖5A為例示脈沖計(jì)時的脈沖計(jì)時圖表,激光脈沖可以該脈沖計(jì)時受 導(dǎo)向來碰撞于工件上,以便形成圖2中所示的修改區(qū);
[0010] 圖3B、圖4B及圖5B為示意性地例示修改區(qū)形成的各種階段的放大橫截面視圖,該 形成由于激光脈沖根據(jù)圖3A、圖4A及圖5A中分別所示的脈沖計(jì)時碰撞于工件上而產(chǎn)生;
[0011]圖6為例示根據(jù)本文示范性描述的一或多個實(shí)施例的分離路徑的另一實(shí)施例的 平面圖,工件可沿該分離路徑分離;
[0012] 圖7示意性地例示根據(jù)一實(shí)施例的包括射束源的工件處理裝置,該射束源可操作 來形成修改區(qū),諸如相對于圖2示范性描述的彼等區(qū)域;
[0013] 圖8至圖11示意性地例示可并入圖7中所示的工件處理裝置中的射束源的其他 實(shí)施例;
[0014] 圖12為描述用工件處理裝置來處理工件的方法的一實(shí)施例的流程圖;
[0015] 圖13A為示意性地例示工件載體的一實(shí)施例的平面圖,該工件載體供相對于圖12 示范性描述的方法使用;
[0016] 圖13B為示意性地例示工件載體的一實(shí)施例的橫截面視圖,該橫截面視圖沿圖 13A中所示的線XIIIB-XIIIB截取;
[0017] 圖14A為示意性地例示工件處理裝置的一實(shí)施例的平面圖,該工件處理裝置供相 對于圖12示范性描述的方法一起使用;
[0018] 圖14B為示意性地例示工件處理裝置的一實(shí)施例的橫截面視圖,該橫截面視圖沿 圖14A中所示的線XIVB-XIVB截??;
[0019] 圖15為示意性地例示轉(zhuǎn)移系統(tǒng)的一實(shí)施例的平面圖,該轉(zhuǎn)移系統(tǒng)將與諸如圖14A 及圖14B中所示的工件處理裝置一起使用;
[0020] 圖16為示意性地例示將工件自工件處理裝置轉(zhuǎn)移至圖15中所示的轉(zhuǎn)移系統(tǒng)的一 實(shí)施例的方法的一實(shí)施例的正視圖;
[0021] 圖17為示意性地例示將工件自圖15中所示的轉(zhuǎn)移系統(tǒng)的另一實(shí)施例轉(zhuǎn)移至緩沖 站的方法的一實(shí)施例的正視圖;
[0022] 圖18為描述一種用于確保射束的束腰在工件修改過程期間沿z軸恰當(dāng)定位的方 法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023] 以下參照隨附圖式描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。在不偏離本發(fā)明的精神及教示的 情況下,許多不同的形式及實(shí)施例是可能的,且因此本發(fā)明不應(yīng)解釋為限于本文所闡述的 示例性實(shí)施例。實(shí)情為,提供此等示例性實(shí)施例以使得本發(fā)明將透徹及完整,且將向熟習(xí)該 此項(xiàng)技術(shù)者傳達(dá)本發(fā)明的范疇。
[0024] 在圖式中,組件的大小及相對大小可予以夸示以達(dá)清晰性。本文所使用的術(shù)語僅 出于描述特定示例性實(shí)施例的目的,且并非意欲為限制性的。應(yīng)理解,本文中所使用的諸如 "前部"及"背部"及"后部"、"左側(cè)"及"右側(cè)"、"頂部"及"底部"、"上部"及"下部"及類似 者的各種方位性用詞僅是為了方便,且并非意欲將所描述的方位限制為相對于可使用任何 所述結(jié)構(gòu)的任何環(huán)境的任何絕對或固定的方位。
[0025] 如本文所使用,除非上下文中另外明確定指示,否則單數(shù)形式"一"及"該"意欲包 括復(fù)數(shù)形式。將進(jìn)一步理解的是,當(dāng)本說明書中使用"包括(comprises/comprising) "一詞 時,其指定所闡述特征、整數(shù)、步驟、操作、組件及/或組件的存在,但并不排除存在或增加 一或多個其他特征、整數(shù)、操作、組件、組件及/或其群組。除非另外指定,否則值的范圍在 被陳述時包括該范圍的上限及下限以及上下限之間的任何子范圍。
[0026] 如以下更詳細(xì)地論述,本文中示范性描述的一些實(shí)施例可通常表征為一種方法, 該方法用于修改工件(提供為片材、板材、基板等的工件,其包括一或多種材料或材料層) 內(nèi)的多個區(qū)以進(jìn)而在工件內(nèi)形成多個修改區(qū)。修改區(qū)可包括形成于工件中的一或多個裂 紋、斷口、空隙、密化區(qū),或類似區(qū)或其組合。通常而言,工件的特征可在于具有第一表面、與 該第一表面相對的第二表面以及該第一表面與該第二表面之間的內(nèi)部,且修改區(qū)沿分離路 徑布置于工件中。如以下更詳細(xì)地論述,修改區(qū)根據(jù)工件修改過程而形成于工件中,該工件 修改過程涉及將激光脈沖束導(dǎo)向至工件上,以使得該射束中的激光脈沖于第一表面處入射 至工件上,且隨后進(jìn)入工件的內(nèi)部并朝向第二表面。該工件修改過程可進(jìn)行來形成一或多 個修改區(qū),該或該修改區(qū)自該第二表面延伸至該第一表面,自該第二表面延伸至該內(nèi)部中 并在與該第一表面間隔開的一位置處終止,在該內(nèi)部中延伸但與該第一表面及該第二表面 間隔開,或其任何組合。
[0027] 在一實(shí)施例中,該工件可受內(nèi)部應(yīng)力(例如,歸因于工件內(nèi)部內(nèi)的各種位置處的 工件組成,歸因于形成工件的過程,或類似者或其組合)。在此種實(shí)施例中,在形成修改區(qū)之 后,一或多個應(yīng)力場可產(chǎn)生于工件的內(nèi)部內(nèi),該應(yīng)力場通常圍繞該修改區(qū)且沿分離路徑延 伸。取決于諸如修改區(qū)延伸穿過工件的高度、工件內(nèi)的內(nèi)部應(yīng)力等的因素,該一或多個應(yīng)力 場可足以建立一或多個裂紋及/或使其傳播穿過工件的內(nèi)部(例如,以便在第一表面與第 二表面之間完整地延伸),以便自發(fā)地沿分離路徑分離工件。工件自發(fā)地沿分離路徑分離所 耗費(fèi)的時間可通常相應(yīng)于在修改區(qū)形成之前工件內(nèi)的內(nèi)部應(yīng)力的量級、沿分離路徑形成的 修改區(qū)的數(shù)目、沿分離路徑的相鄰修改區(qū)之間的距離、修改區(qū)延伸至工件中的高度,或類似 者或其組合。
[0028] 在另一實(shí)施例中,在形成修改區(qū)后,可對工件(例如,受內(nèi)部應(yīng)力的工件或不受內(nèi) 部應(yīng)力或內(nèi)部應(yīng)力可忽略的工件)有益地施加應(yīng)力(例如,通過加熱工件、冷卻工件、彎曲 工件、機(jī)械地沖擊工件、在工件內(nèi)形成相較于修改區(qū)而言延伸至工件中更遠(yuǎn)處的氣孔、凹槽 或裂紋,或類似者或其組合),以便產(chǎn)生前述一或多個應(yīng)力場,進(jìn)而建立一或多個裂紋及/ 或使其傳播穿過工件的內(nèi)部(例如,以便在第一表面與第二表面之間完整地延伸)且沿分 離路徑分離工件。
[0029] 通常而言,工件可由諸如剛玉的材料形成,該材料包括藍(lán)寶石、陶瓷、半導(dǎo)體、金屬 或金屬合金、玻璃、玻璃陶瓷,或類似物或其組合??尚纬晒ぜ氖痉缎蕴沾刹牧习ㄑ趸?鋁、氧化鈹、氧化鋯或類似氧化物或其組合??尚纬晒ぜ氖痉缎园雽?dǎo)體材料包括元素或化 合物半導(dǎo)體(例如,硅、鍺、硅-鍺、碳化硅或類似物或其組合),半導(dǎo)體氧化物,或類似物或 其組合??尚纬晒ぜ氖痉缎越饘偌敖饘俸辖鸢ㄤX、銦、鈦、鋅、不銹鋼或類似物、其合金、 其氧化物、其氮化物,或類似物或其任何組合??尚纬晒ぜ氖痉缎圆AОㄢc鈣玻璃、硼 硅酸鹽玻璃、鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鈉鋁硅酸鹽玻璃、鈣鋁硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻 璃、氟化物玻璃、硫?qū)俨A?、塊狀金屬玻璃或類似物或其任何組合。當(dāng)由玻璃形成時,工件可 經(jīng)化學(xué)強(qiáng)化、熱
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