保持工作臺(tái)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及在將形成于器件區(qū)域周圍的環(huán)狀加強(qiáng)部從晶片去除的晶片的加工方法中使用的保持工作臺(tái)。
【背景技術(shù)】
[0002]使用切削裝置等將在正面?zhèn)刃纬捎蠭C(集成電路)、LSI (大規(guī)模集成電路)等多個(gè)器件的晶片分割成一個(gè)個(gè)器件，組裝至各種電子設(shè)備而廣泛使用。為了實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備的小型化和輕量化等，使晶片的厚度較薄地形成為例如50 μπι?100 μπι。這樣的晶片不僅剛性下降，而且會(huì)產(chǎn)生翹曲，因此難以進(jìn)行操作，并且，在搬送等過程中存在破損的可能。因此，提出有這樣的方法:僅對(duì)晶片的與形成有器件的器件區(qū)域相對(duì)應(yīng)的背面進(jìn)行磨削，由此，在與圍繞著器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域相對(duì)應(yīng)的背面形成環(huán)狀加強(qiáng)部，來(lái)提高晶片的剛性(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0003]并且，提出有在沿著分割預(yù)定線對(duì)形成有環(huán)狀加強(qiáng)部的晶片進(jìn)行分割前從晶片去除環(huán)狀加強(qiáng)部的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。在專利文獻(xiàn)2所述的方法中，利用切削刀具將器件區(qū)域與環(huán)狀加強(qiáng)部(外周剩余區(qū)域)的邊界部切斷，并使環(huán)狀加強(qiáng)部從晶片分離。然后，在去除了環(huán)狀加強(qiáng)部后，利用切削刀具對(duì)殘留有器件區(qū)域的晶片從正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線進(jìn)行切削，從而將晶片分割成一個(gè)個(gè)器件。
[0004]專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-19461號(hào)公報(bào)
[0005]專利文獻(xiàn)2:日本特開2012-23175號(hào)公報(bào)
[0006]可是，在專利文獻(xiàn)2所述的方法中，使器件區(qū)域中的晶片的厚度變得越薄，該變薄部分與環(huán)狀加強(qiáng)部之間的階梯差就越大。與此相伴，為了避免刀具輪轂與環(huán)狀加強(qiáng)部接觸，需要使切削刀具的刀尖伸出量比通常增大與階梯差對(duì)應(yīng)的量。如果在切削刀具的刀尖伸出量較大的狀態(tài)下進(jìn)行加工，則會(huì)在切削刀具上作用過大的負(fù)載，從而可能導(dǎo)致切削刀具發(fā)生蛇形或發(fā)生破損。雖然也可以考慮加大刀具寬度來(lái)防止蛇形和破損，但是，存在切削時(shí)的槽寬會(huì)與切削刀具變厚的量相對(duì)應(yīng)地變大從而導(dǎo)致器件區(qū)域變小這樣的問題。
[0007]特別是，近年來(lái)，實(shí)現(xiàn)了芯片尺寸的大型化，或者為了提高生產(chǎn)率而實(shí)現(xiàn)了晶片的大口徑化。由于大口徑的晶片不僅是外徑變大，而且厚度也變大，因此，可以想象到，通過使器件區(qū)域中的晶片的厚度變薄，可以增加環(huán)狀加強(qiáng)部的階梯差。從而，切削刀具的刀尖伸出量進(jìn)一步變大，難以從晶片適當(dāng)?shù)厝コh(huán)狀加強(qiáng)部。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種在下述這樣的晶片的加工方法中使用的保持工作臺(tái):在器件區(qū)域的周圍形成有環(huán)狀加強(qiáng)部的晶片中，能夠穩(wěn)定地去除環(huán)狀加強(qiáng)部，而不會(huì)使器件區(qū)域變窄。
[0009]本發(fā)明的保持工作臺(tái)保持晶片，在所述晶片的正面形成有器件區(qū)域和外周剩余區(qū)域，在所述器件區(qū)域中形成有多個(gè)器件，所述外周剩余區(qū)域圍繞器件區(qū)域，在所述晶片的與外周剩余區(qū)域?qū)?yīng)的背面上形成有環(huán)狀加強(qiáng)部，所述保持工作臺(tái)的特征在于，在保持工作臺(tái)的上表面，在與環(huán)狀加強(qiáng)部和器件區(qū)域的邊界部相對(duì)應(yīng)的位置形成有用于使激光光線逸散的環(huán)狀的逸散槽，在逸散槽的槽底以錐形狀形成有使激光光線散射的微細(xì)的凹凸。
[0010]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過沿著器件區(qū)域與環(huán)狀加強(qiáng)部(外周剩余區(qū)域)的邊界部對(duì)晶片照射激光光線，由此使晶片的器件區(qū)域與環(huán)狀加強(qiáng)部分離。此時(shí)，由于在逸散槽的錐狀的槽底形成有微細(xì)的凹凸，因此，在槽底反射的激光光線的反射光從激光光源偏離，并且，反射光的強(qiáng)度減弱，從而抑制了反射光對(duì)激光光源的損壞。由于不使用切削刀具就能夠使器件區(qū)域與環(huán)狀加強(qiáng)部分離，因此，無(wú)需像通過切削刀具進(jìn)行分離的情況那樣考慮切削刀具的刀尖伸出量和厚度。另外，由于通過照射激光光線來(lái)對(duì)晶片進(jìn)行加工，因此能夠?qū)⒓庸^(qū)域抑制在最小的限度，而不會(huì)使器件區(qū)域變窄。另外，即使在厚度隨著晶片的大口徑化而變大的情況下，也能夠穩(wěn)定地去除環(huán)狀加強(qiáng)部。
[0011]另外，在通過照射激光光線來(lái)去除環(huán)狀加強(qiáng)部時(shí)使用本發(fā)明的上述保持工作臺(tái)，其中該環(huán)狀加強(qiáng)部是對(duì)晶片的背面上的該器件區(qū)域的背側(cè)進(jìn)行磨削而在該外周剩余區(qū)域的背側(cè)形成的。
[0012]根據(jù)本發(fā)明，在器件區(qū)域的周圍形成有環(huán)狀加強(qiáng)部的晶片中，通過沿著器件區(qū)域與環(huán)狀加強(qiáng)部的邊界部照射激光光線，由此能夠穩(wěn)定地將環(huán)狀加強(qiáng)部從晶片切離，而不會(huì)使器件區(qū)域變窄。
【附圖說明】
[0013]圖1是激光加工裝置的立體圖。
[0014]圖2的A和圖2的B是保持工作臺(tái)的說明圖。
[0015]圖3是示出晶片粘貼工序的一個(gè)例子的圖。
[0016]圖4是示出校準(zhǔn)工序的一個(gè)例子的圖。
[0017]圖5的A?圖5的C是示出環(huán)狀加強(qiáng)部分離工序的一個(gè)例子的圖。
[0018]圖6是不出環(huán)狀加強(qiáng)部去除工序的一個(gè)例子的圖。
[0019]圖7是示出器件區(qū)域支承工序的一個(gè)例子的圖。
[0020]圖8是不出分割工序的一個(gè)例子的圖。
[0021]圖9的A和圖9的B是說明保持工作臺(tái)的逸散槽的示意圖。
[0022]標(biāo)號(hào)說明
[0023]1:激光加工裝置；
[0024]2:激光光線照射構(gòu)件；
[0025]3:攝像構(gòu)件；
[0026]4:保持工作臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)；
[0027]5:保持工作臺(tái)；
[0028]51:保持面；
[0029]52:外周緣部；
[0030]53:逸散槽；
[0031]54:槽底；
[0032]55:逸散槽的內(nèi)側(cè)面；
[0033]56:逸散槽的外側(cè)面；
[0034]80:晶片的正面；
[0035]81:晶片的背面；
[0036]82:分割預(yù)定線；
[0037]83:器件區(qū)域；
[0038]84:外周剩余區(qū)域；
[0039]85:環(huán)狀加強(qiáng)部；
[0040]86:邊界部；
[0041]87:環(huán)狀加強(qiáng)部的上表面；
[0042]88:環(huán)狀加強(qiáng)部的內(nèi)周面；
[0043]89:環(huán)狀加強(qiáng)部的外周面；
[0044]90:外周邊緣；
[0045]91:光斑直徑；
[0046]92:激光加工槽；
[0047]F1、F2:框架；
[0048]T1、T2:保持帶；
[0049]W:晶片。
【具體實(shí)施方式】
[0050]下面，參照附圖來(lái)說明本實(shí)施方式的晶片的加工方法。本實(shí)施方式的晶片的加工方法是對(duì)使晶片的背面的外周部分留下且僅對(duì)其內(nèi)側(cè)進(jìn)行磨削而形成的所謂的TAIKO晶片來(lái)實(shí)施的，并且是將TAIKO晶片的外周部分去除的方法。圖1是在本實(shí)施方式的晶片的加工方法中使用的激光加工裝置的立體圖。并且，激光加工裝置只要能夠在本實(shí)施方式的晶片的加工方法中使用即可，并不限于圖1所示的結(jié)構(gòu)。
[0051]如圖1所示，激光加工裝置I構(gòu)成為:使照射激光光線的激光光線照射構(gòu)件2與保持有晶片W的保持工作臺(tái)5相對(duì)移動(dòng)，從而對(duì)晶片W進(jìn)行加工。晶片W形成為大致圓板狀，并且被在正面80上排列的格子狀的分割預(yù)定線82劃分為多個(gè)區(qū)域(參照?qǐng)D8)。在晶片W的中央，在由分割預(yù)定線82劃分出的各區(qū)域中形成有器件。晶片W的正面80 (參照?qǐng)D2的B)被分成:形成有多個(gè)器件的器件區(qū)域83 ;和圍繞器件區(qū)域83的外周剩余區(qū)域84。
[0052]在晶片W的背面81，如圖1和圖2的B所示，只有與器件區(qū)域83相對(duì)應(yīng)的中央部分被磨削加工成凹狀，從而在與外周剩余區(qū)域84相對(duì)應(yīng)的部分形成有凸?fàn)畹沫h(huán)狀加強(qiáng)部85。由此，只有晶片W的中央部分變薄，通過環(huán)狀加強(qiáng)部85提高了晶片W的剛性。因此，晶片W的器件區(qū)域83變薄，并且，通過環(huán)狀加強(qiáng)部85抑制晶片W的翹曲，從而防止了搬送時(shí)的破損等。另外，晶片W可以是硅、砷化鎵等半導(dǎo)體晶片，也可以是陶瓷、玻璃、藍(lán)寶石類的光器件晶片。
[0053]另外，在晶片W的正面80粘貼有保持帶Tl，在保持帶Tl的外周粘貼有具有開口部的環(huán)狀框架Fl的狀態(tài)下將晶片W搬送至激光加工裝置I。在晶片W上，在器件區(qū)域83與外周剩余區(qū)域84的邊界部86 (參照?qǐng)D2的B)，由于環(huán)狀加強(qiáng)部85形成有階梯差。在使用切削刀具的機(jī)械切割中，由于刀具輪轂與環(huán)狀加強(qiáng)部85發(fā)生干涉而導(dǎo)致難以進(jìn)行適當(dāng)?shù)募庸?，因此，在本?shí)施方式中，通過燒蝕加工將環(huán)狀加強(qiáng)部85從晶片W切掉。
[0054]如圖1所示，激光加工裝置I的基座11的上表面設(shè)有保持工作臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)4，該保持工作臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)4使保持工作臺(tái)5沿X軸方向和Y軸方向移動(dòng)。保持工作臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)4具有:一對(duì)導(dǎo)軌41，其配置于基座11上且與X軸方向平行；和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的X軸工作臺(tái)42，其以能夠滑動(dòng)的方式設(shè)置在一對(duì)導(dǎo)軌41上。另外，保持工作臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)4具有:一對(duì)導(dǎo)軌43，其配置于X軸工作臺(tái)42的上表面并與Y軸方向平行；和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的Y軸工作臺(tái)44，其以能夠滑動(dòng)的方式設(shè)置在一對(duì)導(dǎo)軌43上。
[0055]另外，在X軸工作臺(tái)42和Y軸工作臺(tái)44的背面?zhèn)确謩e形成有未圖示的螺母部，滾珠絲杠45、46與這些螺母部螺合。并且，通過驅(qū)動(dòng)與滾珠絲杠45、46的一端部連結(jié)的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)47、48旋轉(zhuǎn)，從而使保持工作臺(tái)5沿著導(dǎo)軌41、43在X軸方向和Y軸方向上移動(dòng)。在Y軸工作臺(tái)44的上部設(shè)有Θ工作臺(tái)49，在Θ工作臺(tái)49的上部設(shè)有保持晶片W的保持工作臺(tái)5。
[0056]保持工作臺(tái)5由不銹鋼等金屬材料形成為圓板狀，并在上