透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法及其所制成的透明導(dǎo)電板的制作方法
【專利摘要】一種透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法及其所制成的透明導(dǎo)電板，透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法的步驟包括：提供設(shè)有透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電板；持續(xù)地發(fā)出數(shù)次激光光束至透明導(dǎo)電層；其中，將這些次激光光束中心點(diǎn)沿前路徑與重疊銜接于前路徑起始處的后路徑行進(jìn)，以蝕刻形成首尾相接溝槽；或者，將這些次激光光束中心點(diǎn)依序沿橫向路徑與未相交于橫向路徑的縱向路徑行進(jìn)，以蝕刻形成T字形溝槽；或者，將這些次激光光束中心點(diǎn)依序沿第一路徑、曲線路徑、及大致垂直于第一路徑的第二路徑行進(jìn)，以蝕刻形成類直角溝槽。
【專利說明】
透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法及其所制成的透明導(dǎo)電板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明有關(guān)一種激光蝕刻方法，且特別有關(guān)于一種透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法及 其所制成的透明導(dǎo)電板。
【背景技術(shù)】
[0002] 平面顯示器與太陽(yáng)能為目前國(guó)內(nèi)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)，而以銦錫氧化物（indium tin oxide， ΙΤ0)制成的透明導(dǎo)電層則常應(yīng)用在觸控面板、平面顯示器、抗靜電膜、太陽(yáng)能電池的透明 電極、防反光涂布及熱反射鏡（heat reflecting mirror)上，目前ΙΤ0導(dǎo)電層大都鍍于塑 料基板作為軟性觸控面板材料，其輕薄、耐沖擊及可撓曲等特性的優(yōu)勢(shì)，可望在可撓式（軟 式）顯示器與太陽(yáng)能板等應(yīng)用領(lǐng)域取代導(dǎo)電玻璃。
[0003] 習(xí)用ΙΤ0導(dǎo)電層主要由氧化錫及氧化銦組合而成，其氧化錫及氧化銦比例為 1 : 9。目前產(chǎn)業(yè)界常用的電極圖案加工方法為微影蝕刻（lithography)，其制作方法復(fù) 雜及耗時(shí)，亦容易造成ΙΤ0導(dǎo)電層表面化學(xué)污染。目前產(chǎn)業(yè)界開始采用雷射直接加工法 (direct-write method)，以對(duì)ΙΤ0導(dǎo)電層直接進(jìn)行激光蝕刻，該技術(shù)為干式制程，不僅降低 設(shè)備成本，亦提高制程效率。再者，有別于上述無機(jī)金屬鍍層制作之ΙΤ0導(dǎo)電層，近年來開 始采用有機(jī)透明導(dǎo)電層，上述有機(jī)透明導(dǎo)電層具良好的導(dǎo)電特性，例如：阻抗低、厚度可以 低于100納米（nm)、及透光率可以高于85%。此外，有機(jī)透明導(dǎo)電層經(jīng)激光燒蝕后的殘留 物可以較少，且易于清理。
[0004] 然而，不論是ΙΤ0導(dǎo)電層或是有機(jī)透明導(dǎo)電層，在激光蝕刻的過程中，部分的特定 路徑圖案易產(chǎn)生蝕刻不足或是過度蝕刻的問題。于是，本發(fā)明人有感上述缺失之可改善，乃 特潛心研究并配合學(xué)理之運(yùn)用，終于提出一種設(shè)計(jì)合理且有效改善上述缺失的本發(fā)明。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明實(shí)施例在于提供一種透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法及其所制成的透明導(dǎo)電 板，能有效地改善現(xiàn)有特定路徑圖案易產(chǎn)生蝕刻不足或是過度蝕刻的問題。
[0006] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法，包括：提供一透明導(dǎo)電板，其 中該透明導(dǎo)電板具有一透明的絕緣基材及形成于該絕緣基材上的一透明導(dǎo)電層；于該透明 導(dǎo)電層定義出一預(yù)設(shè)蝕刻路徑，其中該預(yù)設(shè)蝕刻路徑包含有一預(yù)設(shè)首尾相接路徑、一預(yù)設(shè)T 字形路徑、及一預(yù)設(shè)直角路徑的至少其中之一；以及以一激光設(shè)備持續(xù)地發(fā)出數(shù)次激光光 束至該透明導(dǎo)電板的透明導(dǎo)電層，并且將投射至該透明導(dǎo)電層上的這些次激光光束中心點(diǎn) 依循部分該預(yù)設(shè)蝕刻路徑行進(jìn)；其中，當(dāng)在實(shí)施該預(yù)設(shè)首尾相接路徑的蝕刻時(shí)，將這些次激 光光束中心點(diǎn)在該透明導(dǎo)電層上沿一前路徑與重疊銜接于該前路徑起始處的一后路徑行 進(jìn)，以蝕刻形成一首尾相接溝槽；當(dāng)在實(shí)施該預(yù)設(shè)T字形路徑的蝕刻時(shí)，將這些次激光光束 中心點(diǎn)在該透明導(dǎo)電層上依序沿一橫向路徑與一未相交于該橫向路徑的縱向路徑行進(jìn)，以 蝕刻形成一 T字形溝槽；其中，該橫向路徑與該縱向路徑的最短距離，其小于投射至該透明 導(dǎo)電層上的激光光束直徑并大于投射至該透明導(dǎo)電層上的激光光束半徑；及當(dāng)在實(shí)施該預(yù) 設(shè)直角路徑的蝕刻時(shí)，將這些次激光光束中心點(diǎn)在該透明導(dǎo)電層上依序沿一第一路徑、一 曲線路徑、及大致垂直于該第一路徑的一第二路徑行進(jìn)，以蝕刻形成一類直角溝槽。
[0007] 本發(fā)明實(shí)施例另提供一種以上述透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法所制成的透明導(dǎo)電 板。
[0008] 綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例所提供的透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法及其所制成的透明 導(dǎo)電板，通過在實(shí)施預(yù)設(shè)首尾相接路徑、預(yù)設(shè)T字形路徑、或預(yù)設(shè)直角路徑的蝕刻時(shí)的具體 路徑調(diào)整，藉以能有效地改善現(xiàn)有特定路徑圖案易產(chǎn)生蝕刻不足或是過度蝕刻的問題。
[0009] 為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明之特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明之詳細(xì)說 明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅系用來說明本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的權(quán)利范圍作任 何的限制。
【附圖說明】
[0010] 圖1為本發(fā)明透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法的立體示意圖。
[0011] 圖2A為圖1中X區(qū)域的蝕刻路徑示意圖。
[0012] 圖2B為透明導(dǎo)電板依循圖2A的蝕刻路徑的蝕刻后示意圖。
[0013] 圖3A為圖1中Y區(qū)域的蝕刻路徑示意圖。
[0014] 圖3B為圖1中Y區(qū)域的另一蝕刻路徑示意圖。
[0015] 圖3C為透明導(dǎo)電板依循圖3A或圖3B的蝕刻路徑的蝕刻后示意圖。
[0016] 圖4A為圖1中Z區(qū)域的蝕刻路徑示意圖。
[0017] 圖4B為透明導(dǎo)電板依循圖4A的蝕刻路徑的蝕刻后示意圖。
[0018] 圖4C為圖1中Z區(qū)域的另一蝕刻路徑示意圖。
[0019] 圖4D為透明導(dǎo)電板依循圖4C的蝕刻路徑的蝕刻后示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020] 請(qǐng)參閱圖1至圖4D，其為本發(fā)明的一實(shí)施例，需先說明的是，本實(shí)施例對(duì)應(yīng)圖式所 提及之相關(guān)數(shù)量與外型，僅用以具體地說明本發(fā)明的實(shí)施方式，以便于了解其內(nèi)容，而非用 以局限本發(fā)明的權(quán)利范圍。
[0021] 本實(shí)施例為一種透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法，而為便于理解，本實(shí)施例以圖式所 呈現(xiàn)的蝕刻路徑為例，但于實(shí)際應(yīng)用時(shí)，蝕刻路徑不受限于此。其中，在參閱每一步驟所對(duì) 應(yīng)之圖式時(shí)，并請(qǐng)視需要一并參酌其它圖式。而有關(guān)本實(shí)施例透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法 之步驟大致說明如下：
[0022] 步驟S110 :請(qǐng)參閱圖1，提供一透明導(dǎo)電板1，并且上述透明導(dǎo)電板1具有一透明 的絕緣基材11及形成于絕緣基材11上的一透明導(dǎo)電層12。
[0023] 其中，所述絕緣基材11于本實(shí)施例中可以是選用聚酸甲酯 (polymethylmethacrylate， PMMA)板、聚碳酸酯（polycarbonate， PC)板、聚酰胺 (Polyamide，PA)板、壓克力板、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET) 板、或玻璃基板，但絕緣基材11之選用并不以上述為限。
[0024] 所述透明導(dǎo)電層12于本實(shí)施例中則是以一聚（3, 4-乙烯二氧噻吩）-聚苯乙烯磺 酸（PED0T/PSS)的調(diào)制溶液涂覆于絕緣基材11表面而制成。再者，透明導(dǎo)電層12亦可以 添加長(zhǎng)度小于10 μ m的納米碳管或是線徑小于500納米（nm)的納米銀線，并且上述納米碳 管或納米銀線的添加量相對(duì)于透明導(dǎo)電層12的重量百分比優(yōu)選為不大于10%。另，所述透 明導(dǎo)電板1優(yōu)選是選用透明導(dǎo)電層12厚度小于500nm的透明導(dǎo)電板1。
[0025] 步驟S130 :請(qǐng)參閱圖1，于上述透明導(dǎo)電層12定義出一預(yù)設(shè)蝕刻路徑13,并且所 述預(yù)設(shè)蝕刻路徑13包含有一預(yù)設(shè)首尾相接路徑（如：圖1中X區(qū)域所涵蓋的預(yù)設(shè)蝕刻路徑 13部位）、一預(yù)設(shè)T字形路徑（如：圖1中Y區(qū)域所涵蓋的預(yù)設(shè)蝕刻路徑13部位）、及一預(yù) 設(shè)直角路徑（如：圖1中Z區(qū)域所涵蓋的預(yù)設(shè)蝕刻路徑13部位）的至少其中之一。而于本 實(shí)施例中是以上述預(yù)設(shè)蝕刻路徑13同時(shí)包含有預(yù)設(shè)首尾相接路徑、預(yù)設(shè)T字形路徑、及預(yù) 設(shè)直角路徑此三種路徑為例，但于實(shí)際應(yīng)用時(shí)，預(yù)設(shè)蝕刻路徑13并不以此為限。
[0026] 須補(bǔ)充說明的是，以往在進(jìn)行預(yù)設(shè)首尾相接路徑、預(yù)設(shè)T字形路徑、及預(yù)設(shè)直角路 徑此三種路徑之激光蝕刻時(shí)，激光設(shè)備所發(fā)出的激光光束是完全依循上述路徑進(jìn)行蝕刻， 進(jìn)而易產(chǎn)生蝕刻深度不足或是蝕刻過度之問題。為便于理解這些問題，下述將分別說明其 緣由：
[0027] 若激光光束完全依循預(yù)設(shè)首尾相接路徑進(jìn)行蝕刻時(shí)，由于激光設(shè)備剛開始所發(fā)出 的激光光束以及即將停止之前所發(fā)出的激光光束，其能量易有漸增或漸減之情況，此易造 成預(yù)設(shè)首尾相接路徑之起點(diǎn)或終點(diǎn)處的蝕刻深度不足或過度蝕刻。
[0028] 若激光光束完全依循預(yù)設(shè)T字形路徑進(jìn)行蝕刻時(shí)，預(yù)設(shè)T字形路徑的接點(diǎn)處則因 為激光光束的蝕刻次數(shù)較多，易造成蝕刻過度之問題，進(jìn)而在蝕刻過度之處產(chǎn)生亮點(diǎn)。
[0029] 若激光光束完全依循預(yù)設(shè)直角路徑進(jìn)行蝕刻時(shí)，由于每次激光光束是屬于面形的 蝕刻范圍，因而在預(yù)設(shè)直角路徑的直角部位的內(nèi)側(cè)易產(chǎn)生數(shù)次激光光束之重疊，使其易造 成蝕刻過度之問題，進(jìn)而在蝕刻過度之處產(chǎn)生亮點(diǎn)。
[0030] 步驟S150 :請(qǐng)參閱圖1，以一激光設(shè)備2持續(xù)地發(fā)出數(shù)次激光光束21至所述透明 導(dǎo)電板1的透明導(dǎo)電層12,并且將投射至透明導(dǎo)電層12上的這些次激光光束21中心點(diǎn)依 循部分預(yù)設(shè)蝕刻路徑13行進(jìn)。進(jìn)一步地說，在進(jìn)行預(yù)設(shè)首尾相接路徑、預(yù)設(shè)T字形路徑、及 預(yù)設(shè)直角路徑此三種路徑的蝕刻時(shí)，所述激光光束21中心點(diǎn)不會(huì)完全依照上述三種路徑 行進(jìn)；但所述激光光束21中心點(diǎn)會(huì)完全依循上述三種路徑以外的預(yù)設(shè)蝕刻路徑13部位。 在實(shí)施上述預(yù)設(shè)首尾相接路徑、預(yù)設(shè)T字形路徑、及預(yù)設(shè)直角路徑此三種路徑的蝕刻時(shí)，所 述激光光束21中心點(diǎn)的行進(jìn)路徑將會(huì)適度調(diào)整如下：
[0031] 步驟S151 :請(qǐng)參閱圖2A和圖2B，當(dāng)在實(shí)施上述預(yù)設(shè)首尾相接路徑的蝕刻時(shí)，將這 些次激光光束21中心點(diǎn)ai~a 6、bn 5~b n在透明導(dǎo)電層12上沿一前路徑與重疊銜接于前 路徑起始處的一后路徑行進(jìn)，以蝕刻形成一首尾相接溝槽121。
[0032] 其中，所述前路徑是指圖2A中激光光束21中心點(diǎn)朝向激光光束21中心點(diǎn)a2~ a6的行經(jīng)路線，也就是說，激光光束21中心點(diǎn)&1~&6是沿著上述前路徑行進(jìn)。而前路徑之 起始處于圖2A中，則是相當(dāng)于激光光束21中心點(diǎn) ai與激光光束21中心點(diǎn)a 2之間的前路 徑部位。
[0033] 再者，所述后路徑是指圖2A中自激光光束21中心點(diǎn)bn 5朝向激光光束21中心點(diǎn) bn 4~b n的行經(jīng)路線，也就是說，激光光束21中心點(diǎn)b n 5~b "是沿著上述后路徑行進(jìn)。而 后路徑與前路徑的重疊長(zhǎng)度L于圖2A中則是相當(dāng)于：激光光束21中心點(diǎn)ai之激光蝕刻區(qū) 域（如圖2A中位于左側(cè)的圓形假想線）與激光光束21中心Ivt激光蝕刻區(qū)域（如圖2A 中位于右側(cè)的圓形假想線）兩者彼此遠(yuǎn)離的兩邊緣之距離。
[0034] 進(jìn)一步地說，本實(shí)施例是將這些次激光光束21中心點(diǎn)ai~a 6、bn 5~b n所依循行 進(jìn)的前路徑與后路徑之重疊長(zhǎng)度L控制在5~20微米（μ m)，尤以5~10 μ m為佳，但不以 此為限。
[0035] 綜合來看，本實(shí)施例激光光束21所依循的前路徑與后路徑兩者需維持特定大小 的重疊長(zhǎng)度L，此顯然有別于預(yù)設(shè)首尾相接路徑，藉以通過規(guī)畫上述重疊長(zhǎng)度L而能夠有效 地改善以往預(yù)設(shè)首尾相接路徑的蝕刻不完整或過度蝕刻的現(xiàn)象。
[0036] 步驟S152 :請(qǐng)參閱圖3A至圖3C，當(dāng)在實(shí)施預(yù)設(shè)T字形路徑的蝕刻時(shí)，將這些次激 光光束21中心點(diǎn)Cl~c 7、山~d5在透明導(dǎo)電層12上依序沿一橫向路徑與一未相交于上 述橫向路徑的縱向路徑行進(jìn)，以蝕刻形成一 T字形溝槽122。
[0037] 其中，所述橫向路徑是指圖3A(或圖3B)中激光光束21中心點(diǎn)Cl朝向激光光束 21中心點(diǎn)c2~c 7的行經(jīng)路線，也就是說，激光光束21中心點(diǎn)c c 7是沿著上述橫向路徑 行進(jìn)。所述縱向路徑是指圖3A(或圖3B)中激光光束21中心點(diǎn)屯朝向激光光束21中心點(diǎn) d2~d 5的行經(jīng)路線，也就是說，激光光束21中心點(diǎn)d d 5是沿著上述縱向路徑行進(jìn)。須 說明的是，圖式中是以激光光束21中心點(diǎn)山作為縱向路徑的起始點(diǎn)為例，但亦可以將激光 光束21中心點(diǎn)山所在的位置作為縱向路徑的終點(diǎn)。
[0038] 進(jìn)一步地說，所述橫向路徑與縱向路徑的最短距離D在圖3A(或圖3B)相當(dāng)于激 光光束21中心點(diǎn)山與橫向路徑之間的距離。然而，為避免激光光束21在沿著橫向路徑與 縱向路徑行進(jìn)時(shí)在接點(diǎn)處產(chǎn)生過度蝕刻，因而橫向路徑與縱向路徑的最短距離D需大于投 射至透明導(dǎo)電層12上的激光光束21半徑（如圖3A);而為使激光光束21在沿著橫向路徑 與縱向路徑行進(jìn)時(shí)在接點(diǎn)處維持相接，則橫向路徑與縱向路徑的最短距離D需小于投射至 透明導(dǎo)電層12上的激光光束21直徑（如圖3B)。
[0039] 綜合來看，本實(shí)施例激光光束21所依循的橫向路徑與縱向路徑兩者需維持特定 大小的間隔（即最短距離D)，此顯然有別于預(yù)設(shè)T字形路徑，藉以通過規(guī)畫上述最短距離D 而能夠有效地改善以往預(yù)設(shè)T字形路徑的過度蝕刻現(xiàn)象。
[0040] 步驟S153 :請(qǐng)參閱圖4A至圖4D，當(dāng)在實(shí)施上述預(yù)設(shè)直角路徑的蝕刻時(shí)，將這些次 激光光束21中心點(diǎn)en 4~f g5在所述透明導(dǎo)電層12上依序沿一第一路徑、一 曲線路徑、及大致垂直于上述第一路徑的一第二路徑行進(jìn)，以蝕刻形成一類直角溝槽123。
[0041] 其中，所述第一路徑是指圖4A(或圖4C)中激光光束21中心點(diǎn)en 4朝向激光光束 21中心點(diǎn)en 3~e n的行經(jīng)路線，也就是說，激光光束21中心點(diǎn)e n 4~e n是沿著上述第一路 徑行進(jìn)。所述第二路徑是指圖4A(或圖4C)中激光光束21中心點(diǎn)gl朝向激光光束21中心 點(diǎn)&~g 5的行經(jīng)路線，也就是說，激光光束21中心點(diǎn)g g 5是沿著上述第二路徑行進(jìn)。
[0042] 再者，所述曲線路徑是指圖4A中激光光束21中心點(diǎn)朝向激光光束21中心點(diǎn) f2~fs-的行經(jīng)路線，也就是說，激光光束21中心點(diǎn)f\~fs_是以繞著預(yù)設(shè)直角路徑外側(cè) 的方式沿著上述曲線路徑行進(jìn)?；蛘?，曲線路徑是指圖4C中激光光束21中心點(diǎn)朝向激 光光束21中心點(diǎn)f 2~f6-的行經(jīng)路線，也就是說，激光光束21中心點(diǎn)f\~f6-是以繞著預(yù) 設(shè)直角路徑內(nèi)側(cè)的方式而沿著上述曲線路徑行進(jìn)。
[0043] 綜合來看，本實(shí)施例激光光束21所依循的曲線路徑，此顯然有別于預(yù)設(shè)直角路 徑，藉以通過曲線路徑的非直角行進(jìn)方式而能夠有效地改善以往預(yù)設(shè)直角路徑的過度蝕刻 現(xiàn)象。補(bǔ)充說明一點(diǎn)，縱使類直角溝槽123的形狀異于預(yù)設(shè)的直角形狀，但因?yàn)閷?dǎo)電層12 為透明狀，所以不會(huì)讓使用者察覺出類直角溝槽123形狀上的差異。
[0044] 更詳細(xì)地說，針對(duì)步驟S110所選用的透明導(dǎo)電層12,本實(shí)施例于步驟S150中對(duì)激 光設(shè)備2的各參數(shù)做進(jìn)一步之規(guī)范，藉以使個(gè)參數(shù)所對(duì)應(yīng)的實(shí)施步驟能夠達(dá)到優(yōu)選的蝕刻 效果，具體說明如下：
[0045] 當(dāng)透明導(dǎo)電層12為PED0T導(dǎo)電層時(shí)，由于PED0T導(dǎo)電層之光學(xué)特性使其呈偏藍(lán) 色，因而選用能夠發(fā)出波長(zhǎng)為l〇64±20nm的紅外光激光光束21。并且，在以激光設(shè)備2持 續(xù)地發(fā)出這些次激光光束21的步驟中，進(jìn)一步限定為以激光設(shè)備2持續(xù)地發(fā)射出能量介于 1~5瓦（W)的數(shù)次紅外光激光光束21。
[0046] 再者，將激光設(shè)備2發(fā)出激光光束21的脈沖延遲時(shí)間（pulse duration time)調(diào) 整為1~500納秒（nano-second，ns)，并同時(shí)符合脈沖重復(fù)頻率（Pulse repetition rate， PRR)為50~500千赫茲（kHz)且激光行進(jìn)速率800~4000毫米/秒（mm/sec)。因此，每 次激光光束21投射至透明導(dǎo)電層12上的區(qū)域?qū)⒉糠种丿B于與其相鄰的3~16次激光光 束21投射至透明導(dǎo)電層12上的區(qū)域（圖式為便于觀看并未完整繪示）。也就是說，每次激 光光束21投射至透明導(dǎo)電層12上的區(qū)域?qū)⒑w3~16次的激光光束21中心點(diǎn)。此外， 本發(fā)明實(shí)施例另提供一種經(jīng)由上述透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法所制成的透明導(dǎo)電板。
[0047] 再者，為證實(shí)上述激光設(shè)備2的參數(shù)條件確實(shí)能改善先前技術(shù)所衍生之問題，并 能使透明導(dǎo)電板1在經(jīng)由激光蝕刻后顯現(xiàn)突出之功效，發(fā)明人通過下表1的各個(gè)實(shí)驗(yàn)例與 下表2的各個(gè)對(duì)照例進(jìn)行相關(guān)佐證。
[0048] 須說明的是，上述步驟中的透明導(dǎo)電層12是PED0T導(dǎo)電層為例，但不排除透明導(dǎo) 電層12為ΙΤ0導(dǎo)電層。也就是說，當(dāng)透明導(dǎo)電層12為ΙΤ0導(dǎo)電層，并采用上述步驟進(jìn)行ΙΤ0 導(dǎo)電層上的預(yù)設(shè)首尾相接路徑、預(yù)設(shè)T字形路徑、或預(yù)設(shè)直角路徑的蝕刻時(shí)，依舊會(huì)一定程 度上地改善蝕刻不足或是過度蝕刻的問題，進(jìn)而降低ΙΤ0導(dǎo)電層的亮點(diǎn)數(shù)量。
[0049]
[0050] 表2 :本發(fā)明的各個(gè)對(duì)照例
[0051]
[0052] 舉例來說，通過上表1的實(shí)驗(yàn)例1~3,可佐證本發(fā)明實(shí)施例所提供的透明導(dǎo)電板 的激光蝕刻方法所使用的激光設(shè)備2適用射出能量介于1~5W的數(shù)次紅外光激光光束21， 并且優(yōu)選為2~4W。依據(jù)上表1實(shí)驗(yàn)例4、5,可佐證本發(fā)明實(shí)施例所提供的透明導(dǎo)電板的 激光蝕刻方法適用于低重復(fù)脈沖激光與高重復(fù)脈沖激光，并且PRR適于50~500kHz (優(yōu)選 為200~400kHz)，而激光彳丁進(jìn)速率適于800~4000mm/sec (優(yōu)選為1800~2500mm/sec)。 通過上表1實(shí)驗(yàn)例6與上表2對(duì)照例5的比較，可佐證以曲線作為直角處的蝕刻處理，能夠 有效地改善以往蝕刻過度所產(chǎn)生的亮點(diǎn)問題。依據(jù)上表1實(shí)驗(yàn)例7、8,可佐證本發(fā)明實(shí)施例 所提供的透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法所使用的透明導(dǎo)電層12適于添加納米碳管與納米銀 線。依據(jù)上表1實(shí)驗(yàn)例9~11，可佐證本發(fā)明實(shí)施例所提供的透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法 所使用的絕緣基材11適于使用PMMA板、玻璃基板、或表面硬化之PET板。
[0053] 綜合來說，經(jīng)由上述各實(shí)驗(yàn)例的驗(yàn)證，證實(shí)上述相關(guān)應(yīng)用使得蝕刻紋路不會(huì)明顯， 且蝕刻區(qū)域內(nèi)無異物殘留，而蝕刻后之相鄰導(dǎo)線間的短斷路不良低于10%。再者，過度蝕刻 產(chǎn)生的亮點(diǎn)數(shù)可以控制在每單位面積（亮點(diǎn)數(shù)/l〇cm 2) 5點(diǎn)以下，并且使蝕刻邊緣的平整性 佳。
[0054] 另，依據(jù)上表2對(duì)照例1，可得知對(duì)于ΙΤ0導(dǎo)電層進(jìn)行激光蝕刻，易產(chǎn)生殘留物，且 蝕刻不完整。依據(jù)上表2對(duì)照例2,可得知當(dāng)激光設(shè)備2以過高的能量進(jìn)行蝕刻時(shí)，容易在 絕緣基材產(chǎn)生過度蝕刻，使過度蝕刻的區(qū)域透光率提高，而發(fā)生亮點(diǎn)之不良現(xiàn)象。依據(jù)上表 2對(duì)照例3,可得知當(dāng)激光設(shè)備2以過低的重復(fù)脈沖率實(shí)施時(shí)，激光蝕刻能量不足，肉眼不易 鑒別蝕刻結(jié)果，不過以光學(xué)顯微鏡可以看出蝕刻線邊際不規(guī)則、鋸齒狀明顯，且以電氣特性 短斷路顯示不良率高達(dá)20 %，顯示有部分蝕刻不完全產(chǎn)生的短路。依據(jù)上表2對(duì)照例4,可 得知當(dāng)激光設(shè)備2以過度的重復(fù)脈沖率實(shí)施時(shí)，蝕刻紋路明顯，且亮點(diǎn)多，影響產(chǎn)品外觀。 依據(jù)上表2對(duì)照例6,可得知激光設(shè)備2完全依循T字形路徑進(jìn)行蝕刻于接點(diǎn)處首尾，T字 形路徑的接點(diǎn)處易發(fā)生亮點(diǎn)。
[0055] [本發(fā)明實(shí)施例的可能效果]
[0056] 綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例所提供的透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法及其所制成的透明 導(dǎo)電板，通過在實(shí)施預(yù)設(shè)首尾相接路徑、預(yù)設(shè)T字形路徑、或預(yù)設(shè)直角路徑的蝕刻時(shí)的具體 路徑調(diào)整，藉以能有效地改善現(xiàn)有特定路徑圖案易產(chǎn)生蝕刻不足或是過度蝕刻的問題。
[0057] 再者，本發(fā)明實(shí)施例所提供的透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法對(duì)于PED0T導(dǎo)電層進(jìn)行 激光蝕刻可以產(chǎn)生低毛邊、高精度的優(yōu)勢(shì)，達(dá)到提升加工效率與表面質(zhì)量的目的，進(jìn)而提供 優(yōu)異的激光蝕刻效果。
[0058] 以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選可行實(shí)施例，其并非用以局限本發(fā)明的專利范圍，凡 依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
[0059] 符號(hào)說明
[0060] 1透明導(dǎo)電板
[0061] 11絕緣基材
[0062] 12透明導(dǎo)電層
[0063] 121首尾相接溝槽
[0064] 122T字形溝槽
[0065] 123類直角溝槽
[0066] 13預(yù)設(shè)蝕刻路徑
[0067] 2激光設(shè)備
[0068] 21激光光束
[0069] &1~a 6激光光束中心點(diǎn)（沿前路徑）
[0070] bn5~\激光光束中心點(diǎn)（沿后路徑）Cl~C#i光光束中心點(diǎn)（沿橫向路徑）、~ (15激光光束中心點(diǎn)（沿縱向路徑）e n 4~e "激光光束中心點(diǎn)（沿第一路徑）f f s激光光 束中心點(diǎn)（沿曲線路徑）&~85激光光束中心點(diǎn)（沿第二路徑）L后路徑與前路徑的重疊 長(zhǎng)度
[0071] D橫向路徑與縱向路徑的最短距離。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法，其特征在于，包括： 提供一透明導(dǎo)電板，其中該透明導(dǎo)電板具有一透明的絕緣基材及形成于該絕緣基材上 的一透明導(dǎo)電層； 于該透明導(dǎo)電層定義出一預(yù)設(shè)蝕刻路徑，其中該預(yù)設(shè)蝕刻路徑包含有一預(yù)設(shè)首尾相接 路徑、一預(yù)設(shè)T字形路徑、及一預(yù)設(shè)直角路徑的至少其中之一；以及 以一激光設(shè)備持續(xù)地發(fā)出數(shù)次激光光束至該透明導(dǎo)電板的透明導(dǎo)電層，并且將投射至 該透明導(dǎo)電層上的這些次激光光束中心點(diǎn)依循部分該預(yù)設(shè)蝕刻路徑行進(jìn)；其中， 當(dāng)在實(shí)施該預(yù)設(shè)首尾相接路徑的蝕刻時(shí)，將這些次激光光束中心點(diǎn)在該透明導(dǎo)電層上 沿一前路徑與重疊銜接于該前路徑起始處的一后路徑行進(jìn)，以蝕刻形成一首尾相接溝槽； 當(dāng)在實(shí)施該預(yù)設(shè)T字形路徑的蝕刻時(shí)，將這些次激光光束中心點(diǎn)在該透明導(dǎo)電層上依 序沿一橫向路徑與一未相交于該橫向路徑的縱向路徑行進(jìn)，以蝕刻形成一 T字形溝槽；其 中，該橫向路徑與該縱向路徑的最短距離，其小于投射至該透明導(dǎo)電層上的激光光束直徑 并大于投射至該透明導(dǎo)電層上的激光光束半徑；及 當(dāng)在實(shí)施該預(yù)設(shè)直角路徑的蝕刻時(shí)，將這些次激光光束中心點(diǎn)在該透明導(dǎo)電層上依序 沿一第一路徑、一曲線路徑、及大致垂直于該第一路徑的一第二路徑行進(jìn)，以蝕刻形成一類 直角溝槽。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法，其中，在實(shí)施該預(yù)設(shè)蝕刻路徑 的蝕刻過程中，將每次激光光束投射至該透明導(dǎo)電層上的區(qū)域部分重疊于與其相鄰的3~ 16次激光光束投射至該透明導(dǎo)電層上的區(qū)域。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法，其中，將該激光設(shè)備發(fā)出激光 光束的脈沖延遲時(shí)間調(diào)整為1~500納秒。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法，其中，當(dāng)在實(shí)施該預(yù)設(shè)首尾相 接路徑的蝕刻時(shí)，將這些次激光光束中心點(diǎn)所依循行進(jìn)的該后路徑與該前路徑的重疊長(zhǎng)度 控制在5~20微米。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法，其中，在提供該 透明導(dǎo)電板的步驟中，該透明導(dǎo)電層以一聚（3, 4-乙烯二氧噻吩）-聚苯乙烯磺酸的調(diào)制溶 液涂覆于該絕緣基材而制成。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法，其中，在以該激光設(shè)備持續(xù)地 發(fā)出這些次激光光束的步驟中，進(jìn)一步限定為以該激光設(shè)備持續(xù)地發(fā)射出能量介于1~5 瓦的數(shù)次紅外光激光光束，并同時(shí)符合脈沖重復(fù)頻率為50~500千赫茲且激光行進(jìn)速率為 800~4000毫米/秒。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法，其中，在提供該透明導(dǎo)電板的 步驟中，該絕緣基材選用聚酸甲酯板、聚碳酸酯板、聚酰胺板、壓克力板、聚對(duì)苯二甲酸乙二 酯板、或玻璃基板。8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法，其中，在提供該透明導(dǎo)電板的 步驟中，該透明導(dǎo)電層添加長(zhǎng)度小于10 μ m的納米碳管或是線徑小于500nm的納米銀線，并 且該納米碳管或該納米銀線的添加量相對(duì)于該透明導(dǎo)電層的重量百分比不大于10%。9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法，其中，在提供該透明導(dǎo)電板的 步驟中，選用該透明導(dǎo)電層厚度小于500納米的透明導(dǎo)電板。10. -種根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電板的激光蝕刻方法所制成的透明導(dǎo)電板。
【文檔編號(hào)】B23K26/402GK105855711SQ201510029485
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2015年1月21日
【發(fā)明人】陳耀宗, 張?jiān)Ｑ? 劉修銘, 盧建榮
【申請(qǐng)人】位元奈米科技股份有限公司