切割基板的方法及制造顯示裝置的方法
【專利摘要】公開了一種切割基板的方法和一種制造顯示裝置的方法。切割基板的方法包括：在基板的第一表面上形成第一保護(hù)層；形成第一保護(hù)層的一部分被去除的去除區(qū)域，第一保護(hù)層的該部分是通過在第一保護(hù)層的一部分以第一激光束照射第一保護(hù)層而去除的；以及在以第一激光束照射第一保護(hù)層后，通過由在去除區(qū)域以第二激光束照射基板而去除基板的一部分，形成切割區(qū)域。
【專利說明】切割基板的方法及制造顯示裝置的方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2015年4月22日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0056892號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)及權(quán)益，該申請的披露內(nèi)容通過引用整體并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]—個或多個示例性實施方式涉及顯示裝置、切割基板的方法以及制造顯示裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]用于以期望的形狀切割基板的過程多種多樣。根據(jù)基板的材料，需要在不損壞基板的情況下執(zhí)行切割過程。
[0005]同時，顯示裝置具有這樣的形狀，在該形狀中顯示單元形成在基板上以產(chǎn)生圖像。此外，在經(jīng)過了切割過程(為了便于制造，在切割過程中顯示單元形成在基板上)后，顯示裝置被完全制造出來。
[0006]這里，切割過程影響顯示裝置的特性。然而，當(dāng)基板由柔性材料形成時，會難以控制切割過程。
[0007]因此，當(dāng)執(zhí)行顯示裝置的制造過程時，對于改善顯示裝置的期望特性和制造過程的效率的能力會存在限制。
[0008]在該【背景技術(shù)】部分公開的以上信息僅用于加強對本發(fā)明背景的理解，因而其可能包含并不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]—個或多個示例性實施方式包括切割基板的方法和制造顯示裝置的方法。
[0010]本發(fā)明的示例性實施方式的附加方面，部分將在以下的描述中闡述，并且部分將由描述而顯而易見，或者可通過實踐呈現(xiàn)的實施方式而了解。
[0011 ]根據(jù)一個或多個示例性實施方式，切割基板的方法包括:在基板的第一表面上形成第一保護(hù)層;形成去除了第一保護(hù)層的一部分的去除區(qū)域，第一保護(hù)層的該部分是通過在第一保護(hù)層的一部分以第一激光束照射第一保護(hù)層而去除的；以及在以第一激光束照射第一保護(hù)層后，通過由在去除區(qū)域以第二激光束照射基板而去除基板的一部分，形成切割區(qū)域。
[0012]該方法還可包括在第一保護(hù)層與基板之間形成第一粘合層。
[0013]該方法還可包括在形成切割區(qū)域后，從基板去除第一保護(hù)層。
[0014]以第一激光束照射第一保護(hù)層可包括控制第一激光束以使得第一激光束的焦點與第一保護(hù)層的上表面間隔開。
[0015]第二激光束可以是脈沖激光束并且可具有數(shù)飛秒到數(shù)百飛秒的脈沖寬度。
[0016]形成去除區(qū)域可包括:通過在初步去除區(qū)域以第一激光束照射第一保護(hù)層，在第一保護(hù)層上形成彼此間隔開的多個初步去除區(qū)域；以及在多個初步去除區(qū)域之間的區(qū)域以第一激光束照射第一保護(hù)層。
[0017]該方法還可包括在基板的、與基板的第一表面相對的第二表面上形成第二保護(hù)層。
[0018]該方法還可包括在第二保護(hù)層和基板之間形成第二粘合層。
[0019]該方法還可包括通過由在第二保護(hù)層的一部分以第二激光束照射第二保護(hù)層而去除第二保護(hù)層的該部分，形成切割區(qū)域。
[0020]第二保護(hù)層可以比第一保護(hù)層薄。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實施方式，在制造包括在基板上形成的顯示單元的顯示裝置的方法中，該方法包括:在基板的第一表面上形成第一保護(hù)層;形成通過以第一激光束照射第一保護(hù)層而去除了第一保護(hù)層的一部分的去除區(qū)域；以及在以第一激光束照射第一保護(hù)層后，通過由在去除區(qū)域以第二激光束照射基板而去除基板的一部分，形成切割區(qū)域。
[0022]該方法還可包括將顯示單元定位在基板的第一表面上，其中，顯示單元與基板上的切割區(qū)域分開。
[0023]該方法還可包括將顯示單元定位在基板的第一表面上，其中，顯示單元與基板上的切割區(qū)域交疊。
[0024]第一保護(hù)層可覆蓋顯示單元。
[0025]第一保護(hù)層可以與顯示單元不交疊。
[0026]該方法還可包括在顯示單元上形成封裝單元，其中，封裝單元布置在顯示單元與第一保護(hù)層之間。
[0027]該方法還可包括在第一保護(hù)層與基板之間形成第一粘合層。
[0028]第一粘合層可以在第一保護(hù)層與顯示單元之間。
[0029]該方法還可包括在形成切割區(qū)域后，從基板去除第一保護(hù)層。
[0030]以第一激光束照射第一保護(hù)層可包括控制第一激光束以使得第一激光束的焦點與第一保護(hù)層的上表面間隔開。
[0031]第二激光束可以是脈沖激光束，并且可具有數(shù)飛秒到數(shù)百飛秒的脈沖寬度。
[0032]形成去除區(qū)域可包括:通過在初步去除區(qū)域以第一激光束照射第一保護(hù)層，在第一保護(hù)層上形成彼此間隔開的多個初步去除區(qū)域；以及在多個初步去除區(qū)域之間的區(qū)域以第一激光束照射第一保護(hù)層。
[0033]該方法還可包括在基板的、與基板的第一表面相對的第二表面上形成第二保護(hù)層。
[0034]該方法還可包括在第二保護(hù)層與基板之間形成第二粘合層。
[0035]該方法還可包括通過由在第二保護(hù)層的一部分以第二激光束照射第二保護(hù)層而去除第二保護(hù)層的該部分，形成切割區(qū)域。
[0036]第二保護(hù)層可以比第一保護(hù)層薄。
[0037]可以形成切割區(qū)域，以使得基于形成的切割區(qū)域形成顯示裝置和與顯示裝置相鄰的虛擬區(qū)域，并且切割區(qū)域可以在顯示裝置與虛擬區(qū)域之間。
[0038]可以形成切割區(qū)域，以使得基于形成的切割區(qū)域形成顯示裝置和與該顯示裝置相鄰的另一顯示裝置，并且切割區(qū)域可以在顯示裝置與另一顯示裝置之間。
【附圖說明】
[0039]結(jié)合附圖，根據(jù)示例性實施方式的以下描述，這些和/或其它方面將變得顯而易見并且更易理解，在附圖中:
[0040]圖1至圖8是用于描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式切割基板的方法的視圖；
[0041]圖9至圖14是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式切割基板的方法的視圖；
[0042]圖15至圖20是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式切割基板的方法的視圖；
[0043]圖21至圖28是用于描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式制造顯示裝置的方法的視圖；
[0044]圖29至圖36是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式制造顯示裝置的方法的視圖；
[0045]圖37至圖43是用于描述根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式制造顯示裝置的方法的視圖；以及
[0046]圖44和圖45是用于描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式通過制造顯示裝置的方法形成的顯示裝置的布置的平面圖。
【具體實施方式】
[0047]現(xiàn)在將詳細(xì)參考示例性實施方式，示例性實施方式的示例在附圖中示出，其中相同的參考標(biāo)號始終表示相同的元件。在這點上，當(dāng)前的示例性實施方式可具有不同的形式，并且不應(yīng)認(rèn)為限制為本文所闡述的描述。相應(yīng)地，通過參考附圖僅在下文描述示例性實施方式以解釋本說明書的各方面。
[0048]將理解，盡管用語“第一”、“第二”等在本文中可用來描述各種部件，但是這些部件不應(yīng)被這些用語所限制。這些用語僅用于將一個部件與另一個部件進(jìn)行區(qū)分。
[0049]如本文所使用的，除非上下文另有明確規(guī)定，否則單數(shù)形式“一(a)”、“一(an)”以及“該(the)”旨在也包括復(fù)數(shù)形式。
[0050]還將理解，本文使用的用語“包括”和/或“包括有”指定存在所陳述的特征或者部件，但不排除存在或增加一個或多個其它特征或部件。
[0051 ]將理解，當(dāng)層、區(qū)域或部件被稱為“形成在”另一個層、區(qū)域或者部件上時，它可以是直接或間接形成在另一個層、區(qū)域或者部件上。也就是，例如，可以存在介于中間的層、區(qū)域或部件。
[0052]為了便于解釋，附圖中元件的尺寸可以被夸大。換句話說，由于為了便于解釋，主觀地示出了附圖中部件的尺寸和厚度，因而以下實施方式不限制于此。
[0053]在下面的示例中，X軸、y軸和z軸不限制為直角坐標(biāo)系的三個軸線，并且可在廣義上來解釋。例如，X軸、y軸和Z軸可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。
[0054]當(dāng)某實施方式可以不同方式實施時，具體處理順序可以不同于所描述的順序執(zhí)行。例如，兩個接連描述的過程可以大致同時執(zhí)行，或以與所述順序相反的順序執(zhí)行。
[0055]在下文中，通過參考附圖將更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實施方式，其中，相同的參考標(biāo)號表示相同的元件，并且省略它們的重復(fù)描述。
[0056]圖1至圖8是根據(jù)示例性實施方式用于描述切割基板101的方法的視圖。
[0057]參照圖1，第一保護(hù)層111形成在基板101的表面上。例如，第一保護(hù)層111可形成在基板101的上表面上。
[0058]基板101可由各種材料形成。例如，基板101可由玻璃、金屬或者其它有機材料形成。
[0059]根據(jù)一些示例性實施方式，基板101可由柔性材料形成。例如，基板101可由使基板101能夠相對容易彎曲、成弧形、折疊或卷繞的材料形成。
[0060]根據(jù)一些示例性實施方式，基板101可由超薄的玻璃、金屬或者塑料形成。例如，當(dāng)基板101由塑料形成時，基板101可由聚酰亞胺(PI)形成。然而，這僅是示例性材料，并且各種其它合適的基板材料可用來形成基板101。
[0061]第一保護(hù)層111可形成在基板101的表面上，以保護(hù)基板101的表面。第一保護(hù)層111可由各種材料形成。例如，第一保護(hù)層111可由一種或多種絕緣材料形成。
[0062]根據(jù)一些示例性實施方式，第一保護(hù)層111可以膜類型附著于基板101上。例如，第一保護(hù)層111可以為包含有機材料的膜。例如，第一保護(hù)層111可以為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜。
[0063]根據(jù)一些示例性實施方式，第一保護(hù)層111可包括從由以下材料組成的群組中選擇的至少一種材料，即聚碳酸酯(PC)、聚丙烯對苯二甲酸酯(PPT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、環(huán)烯聚合物(COP)、環(huán)烯共聚物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亞胺(PI)、聚芳酯(PAR)、聚醚砜(PES)、聚醚酰亞胺(PEI)、硅樹酯、氟樹脂以及改性環(huán)氧樹脂。
[0064]如圖2中所示，根據(jù)一些示例性實施方式，還可在基板101與第一保護(hù)層111之間形成第一粘合層112，。圖2為圖1的區(qū)域K的放大視圖。
[0065]第一保護(hù)層111可通過第一粘合層112附著于基板101的表面。
[0066]第一粘合層112可包括各種粘合材料。
[0067]根據(jù)一些示例性實施方式，第一粘合層112可包含硅基材料。相應(yīng)地，在后續(xù)制造操作中，可以從基板101去除第一粘合層112，并因而，可從基板101去除第一保護(hù)層111。
[0068]之后，參照圖3A，朝向第一保護(hù)層111照射第一激光束LBl。例如，可朝向第一保護(hù)層111的表面照射第一激光束LBl，其中該表面與第一保護(hù)層111面對基板101的表面相對。
[0069]第一激光束LBl可以是各種類型的激光束。
[0070]根據(jù)一些示例性實施方式，第一激光束LBl可以是相對于第一保護(hù)層111具有低透射率的一種激光束。因而，當(dāng)?shù)谝患す馐鳯Bl照射到第一保護(hù)層111上時，可減少第一激光束LBl在垂直于第一保護(hù)層111厚度方向的方向(例如，圖3A的X軸方向)上的分布。
[0071]如圖3B中所示，根據(jù)一些示例性實施方式，當(dāng)朝向第一保護(hù)層111的表面照射第一激光束LBl時，可以控制第一激光束照射設(shè)備LBS放射第一激光束LBl，以使得第一激光束LBl的焦點(或者聚焦點)F與第一保護(hù)層111的表面分離(例如，分開一段距離)。例如，可以控制第一激光束照射設(shè)備LBS的光學(xué)構(gòu)件。
[0072]參照圖3B，第一激光束LBl的焦點F與第一保護(hù)層111的表面分離(例如，分開一段距離)。也就是，第一激光束LBl可以不是聚焦束，而是可以為散焦束。當(dāng)朝向第一保護(hù)層111照射第一激光束LBl以使得第一激光束LBl的焦點F遠(yuǎn)離第一保護(hù)層111的表面時，第一激光束LBl可照射在第一保護(hù)層111表面的較大面積上(例如，相對于焦點F的面積)，并且可以減少施加到第一保護(hù)層111的每單位面積的能量。
[0073]如圖4中所示，通過朝向第一保護(hù)層111照射第一激光束LBl，形成去除了第一保護(hù)層111的一部分的去除區(qū)域111a。
[0074]去除區(qū)域Illa可具有與第一保護(hù)層111的總厚度相對應(yīng)的高度HI。根據(jù)一些示例性實施方式，去除區(qū)域Illa的高度Hl可與第一保護(hù)層111厚度的一部分相對應(yīng)。
[0075]具有寬度的去除區(qū)域Illa可具有一個或多個寬度。根據(jù)一些示例性實施方式，去除區(qū)域Illa可具有寬度W2和寬度W1。寬度W2是去除區(qū)域Illa鄰近于基板101的部分的寬度，并且寬度Wl是去除區(qū)域Illa距離基板101最遠(yuǎn)的部分的寬度，其中，寬度W2可小于寬度W1。
[0076]根據(jù)一些示例性實施方式，當(dāng)如圖2中所示在基板101與第一保護(hù)層111之間形成第一粘合層112時，也可在第一粘合層112中形成去除區(qū)域112a，如圖5中所示。
[0077]當(dāng)照射第一激光束LBl時，基板101的上表面的一部分可以不被去除。此外，根據(jù)一些示例性實施方式，可去除基板101的上表面非常小的一部分。
[0078]如參照圖3B所描述，當(dāng)?shù)谝患す馐鳯Bl照射在第一保護(hù)層111上以使得第一激光束LBl的焦點F遠(yuǎn)離第一保護(hù)層111的表面時，第一保護(hù)層111的去除區(qū)域Illa可形成得較寬，并且因為第一保護(hù)層111的每單位面積接收到的能量降低，所以可以減少或者防止第一激光束LBl在基板101上的影響。
[0079]之后，如圖6中所示，朝向去除區(qū)域Illa照射第二激光束LB2，并且相應(yīng)地照射至去除區(qū)域111a。第二激光束LB2可以為各種類型。例如，第二激光束LB2可以是具有數(shù)飛秒到數(shù)百飛秒的脈沖寬度的脈沖激光束。
[0080]當(dāng)?shù)诙す馐鳯B2是具有數(shù)飛秒到數(shù)百飛秒的脈沖寬度的脈沖激光束時，當(dāng)?shù)诙す馐鳯B2照射到基板101上時可以降低或者防止對基板101的熱損害。
[0081]如圖7中所示，通過照射第二激光束LB2，在基板101上形成切割區(qū)域101a。例如，通過至少去除基板101的與去除區(qū)域11 Ia交疊的區(qū)域，第二激光束LB2可以形成切割區(qū)域1la0
[0082]通過切割區(qū)域101a，基板101可被切割成多個區(qū)域。
[0083]根據(jù)一些示例性實施方式，第一保護(hù)層111可以如圖8中所示被去除。當(dāng)在第一保護(hù)層111與基板101之間形成第一粘合層112時(如圖2的示例性實施方式中所示)，通過去除第一粘合層112，可以相對容易地去除第一保護(hù)層111。例如，當(dāng)?shù)谝徽澈蠈?12包括硅基材料時，可以去除第一粘合層112和第一保護(hù)層111，同時減少或者防止了第一粘合層112的剩余物污染基板101。
[0084]根據(jù)本示例性實施方式的切割基板的方法包括在基板101上形成第一保護(hù)層111后形成基板101的切割區(qū)域101a。通過該過程，可以保護(hù)基板101，并且例如，當(dāng)基板101由對熱敏感的材料(諸如有機材料)形成時，可以減少在切割過程中可能發(fā)生的對基板101的熱損害。此外，根據(jù)一些示例性實施方式，當(dāng)在執(zhí)行切割過程以使得基板101上的第一保護(hù)層111可被相對容易地去除之后再去除第一保護(hù)層111時，可以減少基板101的表面損害。
[0085]此外，根據(jù)本示例性實施方式，第一保護(hù)層111形成在基板101的表面上，并且然后朝向第一保護(hù)層111照射第一激光束LBl，以形成去除區(qū)域111a。之后，朝向去除區(qū)域Illa照射第二激光束LB2，以去除基板1I的與去除區(qū)域11 Ia交疊的區(qū)域，從而形成切割區(qū)域1 Ia。通過該過程，可以執(zhí)行相對于基板101的精確切割過程，同時最小化或者減少基板101的損害。
[0086]例如，根據(jù)一些示例性實施方式，當(dāng)照射第一激光束LBl時，可以使第一激光束LBl散焦，以使得第一激光束LBl的焦點F與第一保護(hù)層111分開，并因而，去除區(qū)域Illa可以具有較大的寬度。相應(yīng)地，當(dāng)將第二激光束LB2相應(yīng)地照射到去除區(qū)域11 Ia時，第二激光束LB2可與去除區(qū)域Illa交疊。
[0087]也就是，當(dāng)?shù)诙す馐鳯B2沒有與去除區(qū)域11Ia交疊時，第二激光束LB2變?yōu)槌虻谝槐Ｗo(hù)層111移位，并因而，可能不易于在基板101上形成切割區(qū)域101a，并且為避免如此，可能必須很大地提高第二激光束LB2的強度。然而，根據(jù)本示例性實施方式，可容易地擴(kuò)大去除區(qū)域Illa的寬度，并因而，可以改善在第二激光束LB2照射時的精度的裕度。因此，可容易地形成切割區(qū)域101a。
[0088]此外，第一保護(hù)層111的每單位面積自第一激光束LBl施加的能量可以減少，并因而可以最小化、防止或減少對第一保護(hù)層111和基板1I的熱損害。
[0089]圖9至圖14是用于描述根據(jù)另一個示例性實施方式的切割基板101的方法的視圖。
[0090]首先，參照圖9，第一保護(hù)層111形成在基板101的表面上。例如，第一保護(hù)層111可形成在基板101的上表面上。
[0091]基板101和第一保護(hù)層111與以上示例性實施方式中描述的基板101和第一保護(hù)層111相同，并因而，可省略一些重復(fù)的詳細(xì)描述。此外，如圖2中所示，根據(jù)一些示例性實施方式，在基板101與第一保護(hù)層111之間還可包括第一粘合層112。
[0092]之后，參照圖10，在第一保護(hù)層111上形成多個初步去除區(qū)域111b。根據(jù)一些示例性實施方式，兩個初步去除區(qū)域Illb可以形成為在第一保護(hù)層111上彼此間隔開。
[0093]例如，通過朝向第一保護(hù)層111的表面照射初步的第一激光束多次，可以形成多個初步去除區(qū)域111b，上述第一保護(hù)層111的該表面與第一保護(hù)層111面對基板101的表面相對。多個初步去除區(qū)域Illb形成為彼此間隔開，并具有寬度(例如，預(yù)定寬度)。此外，多個初步去除區(qū)域Illb可具有高度(例如，預(yù)定高度)。例如，初步去除區(qū)域Illb可具有比第一保護(hù)層111的厚度小的高度。相應(yīng)地，當(dāng)初步的第一激光束照射到第一保護(hù)層111上以形成多個初步去除區(qū)域11 Ib時，可以減少或防止對基板101的損害。
[0094]根據(jù)一些示例性實施方式，如圖10中所示，初步去除區(qū)域Illb可具有與第一保護(hù)層111的總厚度相對應(yīng)的高度。
[0095]之后，如圖11中所示，去除區(qū)域Illa形成為包括多個初步去除區(qū)域Illb和多個初步去除區(qū)域Illb之中的(例如，之間的)區(qū)域。例如，通過朝向與第一保護(hù)層111面對基板101的表面相對的表面照射中心第一激光束，并且將中心第一激光束至少照射到彼此分開的、多個初步去除區(qū)域Illb之中的區(qū)域上，可以形成去除區(qū)域111a。
[0096]去除區(qū)域Illa可具有與第一保護(hù)層111的總厚度相對應(yīng)的高度。根據(jù)一些示例性實施方式，去除區(qū)域Illa的高度Hl可與第一保護(hù)層111的厚度的一部分相對應(yīng)。
[0097]具有寬度的去除區(qū)域Illa可具有一個或多個寬度。根據(jù)一些示例性實施方式，去除區(qū)域Illa可具有寬度W2和寬度W1。寬度W2是去除區(qū)域Illa鄰近于基板101的部分的寬度，并且寬度Wl是去除區(qū)域Illa距離基板101最遠(yuǎn)的部分的寬度，其中，寬度W2可小于寬度W1。
[0098]根據(jù)一些示例性實施方式，當(dāng)?shù)谝徽澈蠈?12如圖2中所示形成在基板101與第一保護(hù)層111之間時，去除區(qū)域Illa還可形成在第一粘合層112上。
[0099]當(dāng)照射第一激光束LBl時，基板101的上表面的一部分可以不被去除。此外，根據(jù)一些示例性實施方式，可以去除基板101的上表面的非常小的部分。
[0100]初步的第一激光束和中心第一激光束可以是各種類型的激光束。
[0101]根據(jù)一些示例性實施方式，初步的第一激光束和中心第一激光束可以是相對于第一保護(hù)層111具有低透射率的類型。相應(yīng)地，當(dāng)?shù)谝患す馐鳯Bl照射到第一保護(hù)層111上時，可以減少第一激光束LBl在垂直于第一保護(hù)層111厚度方向的方向上的分布。
[0102]根據(jù)一些示例性實施方式，初步的第一激光束和中心第一激光束中至少一個的焦點F可以被散焦以與第一保護(hù)層111的表面分開。
[0103]如參照圖3B所描述的，當(dāng)?shù)谝患す馐鳯Bl照射到第一保護(hù)層111上以使得第一激光束LBl的焦點F與第一保護(hù)層111的表面分開時，第一保護(hù)層111的去除區(qū)域Illa可相對較大，并且可以降低第一保護(hù)層111的每單位面積被施加的能量，從而減少或防止了第一激光束LBl在基板101上的影響。
[0104]其后，如圖12中所示，朝向去除區(qū)域Illa照射第二激光束LB2并且相應(yīng)地照射到去除區(qū)域111a。第二激光束LB2可以為各種類型。例如，第二激光束LB2可以是具有數(shù)飛秒到數(shù)百飛秒脈沖寬度的脈沖激光束。
[0105]如圖13中所示，通過照射第二激光束LB2，在基板101上形成切割區(qū)域101a。例如，第二激光束LB2可至少去除基板1I的與去除區(qū)域111 a交疊的區(qū)域，從而形成切割區(qū)域1la0
[0106]通過切割區(qū)域101a，基板101可被切成多個區(qū)域。
[0107]根據(jù)一些示例性實施方式，如圖14中所示，第一保護(hù)層111可以被去除。
[0108]根據(jù)本示例性實施方式中的切割基板的方法，在基板101上形成第一保護(hù)層111后，在基板101上形成切割區(qū)域101a。相應(yīng)地，可保護(hù)基板101免于損壞，并且例如，當(dāng)基板101由對熱敏感的材料(諸如有機材料)形成時，可以減少在切割過程期間可能對基板101產(chǎn)生的熱損害。此外，根據(jù)一些示例性實施方式，如果在執(zhí)行切割過程以使得第一保護(hù)層111可相對容易地從基板101去除后再去除第一保護(hù)層111，則可以減少基板101的表面損害。
[0109]此外，根據(jù)本示例性實施方式，在將第一保護(hù)層111形成于基板101的表面上之后，再朝向第一保護(hù)層111照射初步的第一激光束以形成多個分開的初步去除區(qū)域。然后，將中心第一激光束相應(yīng)地至少照射到初步去除區(qū)域之中的區(qū)域，以形成與初步去除區(qū)域和初步去除區(qū)域之中的區(qū)域相對應(yīng)的去除區(qū)域111a。相應(yīng)地，可以減少或防止對基板101的損害，同時可容易地形成具有較大寬度的去除區(qū)域111a。
[0110]在形成去除區(qū)域Illa之后，朝向去除區(qū)域Illa照射第二激光束LB2，以去除基板101與去除區(qū)域11 Ia交疊的區(qū)域，從而形成切割區(qū)域101a。相應(yīng)地，可以最小化或減少對基板101的損害，并且可以在基板101上執(zhí)行精確的切割過程。
[0111]此外，根據(jù)本示例性實施方式，因為去除區(qū)域Illa的寬度可容易地擴(kuò)大，所以當(dāng)照射第二激光束LB2時改善了精度裕度，并因而，可以容易地形成切割區(qū)域1 Ia。
[0112]圖15至圖20是用于描述根據(jù)另一個示例性實施方式的切割基板101的方法的視圖。
[0113]首先，參照圖15，在基板101的表面上形成第一保護(hù)層111。例如，第一保護(hù)層111可形成在基板101的上表面上。
[0114]形成基板101和第一保護(hù)層111的材料與圖1的示例性實施方式中描述的材料相同，并因而，將省略一些重復(fù)的詳細(xì)描述。
[0115]在基板101的表面上形成第二保護(hù)層121，基板101的該表面與基板101的面對第一保護(hù)層111的表面相對。第二保護(hù)層121可保護(hù)基板101的表面。第二保護(hù)層121可由各種材料形成。例如，第二保護(hù)層121可由一種或多種絕緣材料形成。
[0116]根據(jù)一些示例性實施方式，第二保護(hù)層121可以膜類型附著于基板101。例如，第二保護(hù)層121可以為包含有機材料的膜。例如，第二保護(hù)層121可以為PET膜。
[0117]根據(jù)一些示例性實施方式，第二保護(hù)層121可包括從以下材料組成的群組中選擇的至少一種:PC、PPT、PEN、COP、COC、PMMA、P1、PAR、PES、PE1、硅樹酯、氟樹脂以及改性環(huán)氧樹脂。
[0118]根據(jù)一些示例性實施方式，如圖16中所示，在基板101與第二保護(hù)層121之間還可形成第二粘合層122。圖16是圖15的區(qū)域K的放大視圖。
[0119]第二保護(hù)層121可通過第二粘合層122附著于基板101的表面。
[0120]第二粘合層122可包括各種粘合材料。
[0121 ]根據(jù)一些示例性實施方式，第二粘合層122可包含丙烯基材料，并且由此，在后續(xù)處理過程中第二保護(hù)層121可不易于與基板101分離，以保護(hù)基板101。
[0122]此外，雖然未示出，但根據(jù)一些示例性實施方式，還可在基板101和第一保護(hù)層111之間形成第一粘合層112。
[0123]第二保護(hù)層121的厚度可以比第一保護(hù)層111的厚度小。根據(jù)一些示例性實施方式，第一保護(hù)層111是切割過程期間激光束直接照射到其上的區(qū)域，并因而，第一保護(hù)層111可以形成為較厚，以防止基板101由于熱量而改性，并保護(hù)基板101。第二保護(hù)層121與比基板101距離激光束遠(yuǎn)的區(qū)域相對應(yīng)，并因而，減少了對為了防止由于激光束造成的改性而增加第二保護(hù)層121的厚度的需求。
[0124]然后，參照圖17，朝向第一保護(hù)層111照射第一激光束以形成去除了第一保護(hù)層111的一部分的去除區(qū)域111a。
[0125]通過使用參照圖3A和圖3B描述的方法可以執(zhí)行形成去除區(qū)域Illa的過程。此外，根據(jù)一些示例性實施方式，通過參照圖10和圖11描述的過程可以形成去除區(qū)域111a。
[0126]去除區(qū)域Illa可具有與第一保護(hù)層111的總厚度相對應(yīng)的高度。根據(jù)一些示例性實施方式，去除區(qū)域Illa的高度可與第一保護(hù)層111厚度的一部分相對應(yīng)。
[0127]然后，如圖18中所示，朝向去除區(qū)域Illa照射第二激光束，并且相應(yīng)地照射到去除區(qū)域111a，以在基板101上形成切割區(qū)域101a。例如，通過至少去除基板101的與去除區(qū)域Illa交疊的區(qū)域，第二激光束可形成切割區(qū)域101a。
[0128]此外，在第二保護(hù)層121的與基板101的切割區(qū)域1la交疊的區(qū)域上形成切割區(qū)域121a0
[0129]根據(jù)一些示例性實施方式，當(dāng)如參照圖16所描述，基板101與第二保護(hù)層121之間布置有第二粘合層122時，如圖19中所示，在第二粘合層122上還形成切割區(qū)域121a。
[0130]基板101通過切割區(qū)域1la可被切成多個區(qū)域。
[0131]根據(jù)一些示例性實施方式，如圖20中所示，第一保護(hù)層111可以被去除。
[0132]根據(jù)本示例性實施方式的切割基板的方法包括在將第一保護(hù)層111形成于基板101上之后，再在基板101上形成切割區(qū)域101a。相應(yīng)地，基板101可以被容易地保護(hù)，并且特別地，當(dāng)基板101由對熱敏感的材料(諸如有機材料)形成時，可以減少在切割過程期間會對基板101產(chǎn)生的不必要的熱損害。此外，根據(jù)一些示例性實施方式，如果在執(zhí)行切割過程以使得第一保護(hù)層111可以相對容易地從基板101去除之后再去除第一保護(hù)層111，則可以減少對基板101的表面損害。
[0133]此外，根據(jù)本示例性實施方式，在與基板101面對第一保護(hù)層111的表面相對的表面上形成第二保護(hù)層121，從而有效保護(hù)基板101。例如，當(dāng)基板101由諸如塑料的柔性材料形成時，可減輕在基板101的切割過程中可施加到基板101的振動、熱量等，以減少或防止對基板101的損害。
[0134]此外，在通過朝向第一保護(hù)層111照射第一激光束形成去除區(qū)域Illa之后，繼而朝向去除區(qū)域111 a照射第二激光束，以去除基板1I的與去除區(qū)域111 a交疊的區(qū)域，從而形成切割區(qū)域101a。相應(yīng)地，對基板101的損害可以被最小化，并且可以執(zhí)行相對于基板101的精確切割過程。
[0135]例如，根據(jù)一些示例性實施方式，當(dāng)照射第一激光束時，可使第一激光束的焦點F散焦為與第一保護(hù)層111分開，以使得去除區(qū)域Ula的寬度可變得較大。相應(yīng)地，當(dāng)將第二激光束相應(yīng)地照射到去除區(qū)域11 Ia時，第二激光束可容易地與去除區(qū)域11 Ia交疊。
[0136]圖21至圖28是用于描述根據(jù)示例性實施方式的制造顯示裝置200的方法的視圖。
[0137]首先，參照圖21，在基板201的表面上形成有第一保護(hù)層211。詳細(xì)地，第一保護(hù)層211形成在基板201的上表面上。
[0138]基板201可包括各種材料。例如，基板201可由玻璃、金屬或者其它有機材料形成。
[0139]根據(jù)一些示例性實施方式，基板201可由柔性材料形成。例如，基板201可形成為容易彎曲、成弧形、折疊或卷繞。
[0140]根據(jù)一些示例性實施方式，基板201可由超薄的玻璃、金屬或者塑料形成。例如，當(dāng)基板201由塑料形成時，基板201可由PI形成。然而，這是示例，并且可使用各種材料來形成基板201。
[0141]可在基板201的表面上形成第一保護(hù)層211，以保護(hù)基板201的表面。第一保護(hù)層211可由各種材料形成。例如，第一保護(hù)層211可由絕緣材料形成。
[0142]根據(jù)一些示例性實施方式，第一保護(hù)層211可以膜類型附著于基板201。例如，第一保護(hù)層211可以為包含有機材料的膜。例如，第一保護(hù)層211可以為PET膜。
[0143]圖22為圖21的區(qū)域K的放大視圖，并且圖23為圖22的顯示單元DU的示例性結(jié)構(gòu)的視圖。
[0144]參照圖22，顯示單元DU形成在基板201上。顯示單元DU可以是配置為產(chǎn)生可見光線的各種類型。例如，如圖23中所示，顯示單元DU可包括第一電極FE、第二電極SE以及中間層頂。
[0145]中間層IM布置在第一電極FE與第二電極SE之間。
[0146]第一電極FE可由各種材料形成。也就是，第一電極FE可包括，例如，從由透明導(dǎo)電氧化物組成的群組中選擇的至少一個，諸如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(Ιη203)、銦鎵氧化物(IGO)以及鋅鋁氧化物(ΑΖ0)。此外，第一電極FE可包括具有高反射率的金屬，諸如銀。
[0147]中間層頂可包括有機發(fā)射層，并且有機發(fā)射層可由低分子量有機材料或高分子量有機材料形成。根據(jù)一些示例性實施方式中，除有機發(fā)射層外，中間層頂還可包括從由空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層組成的群組中選擇的至少一個。
[0148]第二電極SE可由各種導(dǎo)電材料形成。例如，第二電極SE可包括L1、Ca、LiF、Al、Mg或者Ag。第二電極SE可形成為包括L1、Ca、LiF、Al、Mg以及Ag中的至少一種的單層或多層，并且第二電極SE還可包括包含L1、Ca、LiF、Al、Mg以及Ag中至少兩種的合金。
[0149]盡管未示出，但顯示單元DU可包括電連接到第一電極FE或第二電極SE的電路單元。例如，顯示單元DU可包括至少一個薄膜晶體管。
[0150]如圖22中所示，第一保護(hù)層211可覆蓋顯示單元DU。
[0151]根據(jù)一些示例性實施方式，第一保護(hù)層211可以不覆蓋顯示單元DU。也就是，第一保護(hù)層211可僅形成在基板201的特定區(qū)域上，也就是，該區(qū)域包括在其中執(zhí)行基板201的切割過程的區(qū)域，而不是包括基板201的整個區(qū)域，并且第一保護(hù)層211可以不覆蓋顯示單元
DU0
[0152]之后，參照圖24A，朝向第一保護(hù)層211照射第一激光束LBl。例如，可朝向第一保護(hù)層211的表面照射第一激光束LBl，第一保護(hù)層211的該表面為與第一保護(hù)層211面對基板201的表面相對的表面。
[0153]第一激光束LBl可以是各種類型的激光束。
[0154]根據(jù)一些示例性實施方式，第一激光束LBl可以是相對于第一保護(hù)層211具有低透射率的類型。相應(yīng)地，當(dāng)將第一激光束LBI照射到第一保護(hù)層211上時，可以減少第一激光束LBl在垂直于第一保護(hù)層211厚度方向的方向(圖24A的X軸方向)上的分布。
[0155]根據(jù)一些示例性實施方式，如圖24B中所示，當(dāng)朝向第一保護(hù)層211的表面照射第一激光束LBl時，第一激光束照射設(shè)備LBS可控制為放射第一激光束LBl，以使得第一激光束LBl的焦點F與第一保護(hù)層211的表面分開。例如，可以控制第一激光束照射設(shè)備LBS的光學(xué)構(gòu)件。
[0156]參照圖24B，第一激光束LBl的焦點F與第一保護(hù)層211的表面間隔開。也就是，第一激光束LBl可以不是聚焦束而是可以為散焦束。當(dāng)將第一激光束LBl照射到第一保護(hù)層211上以使得第一激光束LBl的焦點F與第一保護(hù)層211的表面分開(例如，分離一段距離)時，可由第一激光束LBl照射第一保護(hù)層211表面的較大面積，并且可以減少施加到第一保護(hù)層211的每單位面積的能量。
[0157]如圖25中所示，通過朝向第一保護(hù)層211照射第一激光束LBl，形成去除區(qū)域211a，在去除區(qū)域211a，第一保護(hù)層211的一部分被去除。
[0158]去除區(qū)域211a可具有與第一保護(hù)層211的總厚度相對應(yīng)的高度。根據(jù)一些示例性實施方式，去除區(qū)域211a的高度可與第一保護(hù)層211厚度的一部分相對應(yīng)。
[0159]去除區(qū)域211a具有寬度，并且去除區(qū)域211a可具有一個或多個寬度。根據(jù)一些示例性實施方式，去除區(qū)域211a鄰近于基板201的區(qū)域的寬度可以與去除區(qū)域211a遠(yuǎn)離基板201的區(qū)域的寬度不同。去除區(qū)域211a的鄰近于基板201的區(qū)域的寬度可以小于去除區(qū)域211 a的遠(yuǎn)離基板201的區(qū)域的寬度。
[0160]當(dāng)照射第一激光束LBl時，基板201的上表面的一部分可以不被去除。此外，根據(jù)一些示例性實施方式，可以去除基板201的上表面的非常小的部分。
[0161]如圖24B中所示，當(dāng)將第一激光束LBl照射到第一保護(hù)層211上以使得第一激光束LBl的焦點F與第一保護(hù)層211的表面分開(例如，分離一段距離)時，第一保護(hù)層211的去除區(qū)域211a可形成為具有較大寬度，并且可以減少施加到第一保護(hù)層211的每單位面積的能量，從而減少或防止第一激光束LBl在基板201上的影響。
[0162]去除區(qū)域211a和顯示單元DU可彼此間隔開。
[0163]根據(jù)一些示例性實施方式，去除區(qū)域21 Ia可與顯示單元DU至少部分地交疊。
[0164]然后，如圖26中所示，朝向去除區(qū)域211a照射第二激光束LB2并且相應(yīng)地照射到去除區(qū)域211a。第二激光束LB2可以為各種類型。例如，第二激光束LB2可以是具有數(shù)飛秒到數(shù)百飛秒脈沖寬度的脈沖激光束。
[0165]當(dāng)?shù)诙す馐鳯B2是具有數(shù)飛秒到數(shù)百飛秒脈沖寬度的脈沖激光束時，當(dāng)?shù)诙す馐鳯B2照射到基板201上時可以降低或者防止對基板201的熱損害。
[0166]如圖27中所示，通過照射第二激光束LB2，在基板201上形成切割區(qū)域20la。例如，第二激光束LB2至少去除基板201的與去除區(qū)域211a交疊的區(qū)域，以形成切割區(qū)域201a。
[0167]切割區(qū)域201a可與顯示單元DU間隔開。
[0168]根據(jù)一些示例性實施方式，切割區(qū)域201a可與顯示單元DU至少部分地交疊。
[0169]通過切割區(qū)域201a，基板201可以被切割成多個區(qū)域。此外，最后，制造出具有基板201和顯示單元DU的顯示裝置200?；谇懈顓^(qū)域201a，鄰近于顯示裝置200的區(qū)域可以為虛擬區(qū)域200D。根據(jù)一些示例性實施方式，基于切割區(qū)域201a，可在鄰近于顯示裝置200的區(qū)域上布置另一個顯示裝置取代虛擬區(qū)域200D。
[0170]根據(jù)一些示例性實施方式，如圖28中所示，可去除第一保護(hù)層211。
[0171]根據(jù)一些示例性實施方式，當(dāng)形成去除區(qū)域211a時，可以使用參考圖10和圖11描述的過程。
[0172]根據(jù)本示例性實施方式的切割基板的方法包括在將第一保護(hù)層211形成于基板201上之后，再在基板201上形成切割區(qū)域201a。相應(yīng)地，基板201可以被容易地保護(hù)，并且當(dāng)基板201由對熱敏感的材料(諸如有機材料)形成時，可以減少在切割過程中可能發(fā)生的對基板201的熱損害。此外，如果在執(zhí)行切割過程以使得第一保護(hù)層211可以從基板201容易地去除之后再去除第一保護(hù)層211，則可以減少基板201的表面損害。此外，由此，顯示單元DU可具有更少的熱損害或熱效應(yīng)，或者可以防止在顯示單元DU上的熱損害或熱效應(yīng)。
[0173]此外，根據(jù)本示例性實施方式，在基板201的表面上形成第一保護(hù)層211，然后，朝向第一保護(hù)層211照射第一激光束LBl以形成去除區(qū)域211a。之后，朝向去除區(qū)域211a照射第二激光束LB2以去除基板201的與去除區(qū)域21 Ia交疊的區(qū)域，從而形成切割區(qū)域20 Ia。通過該過程，可以執(zhí)行相對于基板201的精確切割過程，同時最小化基板201的損害。
[0174]例如，根據(jù)一些示例性實施方式，當(dāng)照射第一激光束LBl時，可使第一激光束LBl散焦，以使得第一激光束LBl的焦點F與第一保護(hù)層211間隔開，以使去除區(qū)域211a具有較大寬度。由此，當(dāng)?shù)诙す馐鳯B2相應(yīng)地照射到去除區(qū)域211a時，第二激光束LB2可容易地與去除區(qū)域211a交疊。
[0175]此外，根據(jù)一些示例性實施方式，當(dāng)形成去除區(qū)域211a時，可以照射初步的第一激光束，以形成多個間隔開的初步去除區(qū)域。然后，可相應(yīng)地向至少初步去除區(qū)域之中的區(qū)域照射中心第一激光束，以形成與初步去除區(qū)域和初步去除區(qū)域之間的區(qū)域相對應(yīng)的去除區(qū)域21 la。相應(yīng)地，可以減少或防止對基板201的損害，同時可容易地形成具有較大寬度的去除區(qū)域211a。
[0176]當(dāng)?shù)诙す馐鳯B2不與去除區(qū)域211a交疊時，第二激光束LB2變?yōu)槌虻谝槐Ｗo(hù)層211移位，并因而，在基板201上可能不易于形成切割區(qū)域201a，為避免如此，可能必須極大地提高第二激光束LB2的強度。然而，根據(jù)本示例性實施方式，去除區(qū)域211a的寬度可容易地擴(kuò)大，并因而，可以改善在照射第二激光束LB2時的精度的裕度，從而可以容易地形成切割區(qū)域201a。
[0177]此外，可以減少自第一激光束LBl施加的第一保護(hù)層211的每單位面積的能量，并因而可以最小化、減少或防止對第一保護(hù)層211和基板201的熱損害。
[0178]圖29至圖36是用于描述根據(jù)另一個示例性實施方式的制造顯示裝置200的方法的視圖。
[0179]首先，參照圖29，第一保護(hù)層211形成在基板201的表面上。詳細(xì)地，第一保護(hù)層211形成在基板201的上表面上。
[0180]形成基板201和第一保護(hù)層221的具體材料與參照圖21描述的示例性實施方式中的材料相同，并因而，可省略一些詳細(xì)描述。
[0181]根據(jù)一些示例性實施方式，如圖30中所示，在基板201與第一保護(hù)層211之間還可包括第一粘合層212。圖30是圖29的Kl的示例性放大視圖。
[0182]通過第一粘合層212，第一保護(hù)層211可附著于基板201的表面。
[0183]第一粘合層212可包括各種粘合材料。
[0184]根據(jù)一些示例性實施方式，第一粘合層212可包含硅基材料，并且由此，在后續(xù)過程中可將第一粘合層212從基板201去除，并因而，可將第一保護(hù)層211從基板201上去除。
[0185]圖31為圖29的K2的放大視圖，并且圖32是圖31的一些示例性實施方式的視圖。
[0186]參照圖31，顯示單元DU形成在基板201上。顯示單元DU可以是配置為產(chǎn)生可見光線的各種類型。雖然未示出，但顯示單元DU可包括圖23中描述的部件。
[0187]如圖22中所示，第一保護(hù)層211可覆蓋顯示單元DU。此外，第一粘合層212可布置在顯示單元DU與第一保護(hù)層211之間。
[0188]根據(jù)一些示例性實施方式，第一保護(hù)層211可以不覆蓋顯示單元DU。也就是，第一保護(hù)層211可以僅形成在基板201的區(qū)域上，S卩，包括在其上將執(zhí)行基板201的切割過程的區(qū)域的區(qū)域上，而不是形成于基板201的全部區(qū)域上，并且第一保護(hù)層211可不覆蓋顯示單元
DU0
[0189]此外，如圖30中所示，顯示單元DU可以不布置在第一保護(hù)層211的將在后續(xù)過程中在其上形成去除區(qū)域211a的區(qū)域上。根據(jù)一些示例性實施方式，顯示單元DU可以形成為與第一保護(hù)層211的將在后續(xù)過程中在其上形成去除區(qū)域211a的區(qū)域至少部分交疊。
[0190]參照圖32，在顯示單元DU上形成封裝單元EU。詳細(xì)地，封裝單元EU布置在顯示單元DU與第一粘合層212之間。
[0191]封裝單元EU可以形成在顯示單元DU上，以防止或減小水或外界空氣侵入顯示單元DU。根據(jù)一些示例性實施方式，封裝單元EU可覆蓋顯示單元DU。
[0192]封裝單元EU可由各種材料形成。例如，封裝單元EU可包括有機材料或無機材料。
[0193]根據(jù)一些示例性實施方式，封裝單元EU可包括至少一個有機層或者至少一個無機層。例如，封裝單元EU可包括有機層和無機層交替堆疊超過一次的結(jié)構(gòu)。
[0194]之后，參照圖33，朝向第一保護(hù)層211照射第一激光束，以形成第一保護(hù)層211的一部分被去除的去除區(qū)域211a。
[0195]通過使用參照圖24A或圖24B描述的方法可以執(zhí)行形成去除區(qū)域211a的過程。此夕卜，根據(jù)一些示例性實施方式，當(dāng)形成去除區(qū)域211a時，可以使用參照圖10和圖11描述的方法。
[0196]去除區(qū)域211a和顯示單元DU可彼此間隔開。根據(jù)一些示例性實施方式，去除區(qū)域211a可與顯示單元DU至少部分交疊。
[0197]根據(jù)一些示例性實施方式，如圖34所示，當(dāng)?shù)谝徽澈蠈?12如圖30中所示地布置在基板201與第一保護(hù)層211之間時，還可在第一粘合層212上形成去除區(qū)域212a。
[0198]然后，如圖35中所示，朝向去除區(qū)域211a照射第二激光束，并且相應(yīng)地照射到去除區(qū)域211a，以在基板201上形成切割區(qū)域201a。例如，第二激光束可至少去除基板201的與去除區(qū)域211a交疊的區(qū)域，以形成切割區(qū)域201a。
[0199]切割區(qū)域201a可與顯示單元DU間隔開。根據(jù)一些示例性實施方式，切割區(qū)域201a可與顯示單元DU至少部分交疊。
[0200]通過切割區(qū)域201a，基板201可被切割成多個區(qū)域。此外，最后，制造出具有基板201和顯示單元DU的顯示裝置200?；谇懈顓^(qū)域201a，鄰近于顯示裝置200的區(qū)域可以為虛擬區(qū)域200D。根據(jù)一些示例性實施方式，基于切割區(qū)域201a，可在在鄰近于顯示裝置200的區(qū)域上布置另一個顯示裝置，取代虛擬區(qū)域200D。
[0201]根據(jù)一些示例性實施方式，如圖36中所示，第一保護(hù)層211可以被去除。
[0202]根據(jù)本示例性實施方式的切割基板的方法包括在將第一保護(hù)層211形成于基板201上之后，再在基板201上形成切割區(qū)域201a。相應(yīng)地，基板201可以被相對容易地保護(hù)，并且當(dāng)基板201由對熱敏感的材料(諸如有機材料)形成時，可以減少在切割過程中可能發(fā)生的對基板201的熱損害。此外，如果在執(zhí)行切割過程以使得第一保護(hù)層211可以從基板201容易地去除之后再去除第一保護(hù)層211，則可以減少基板201的表面損害。此外，由此，顯示單元DU可具有更少的熱損害或熱效應(yīng)，或者可以防止顯示單元DU上的熱損害或熱效應(yīng)。此外，當(dāng)在第一保護(hù)層211覆蓋顯示單元DU時或者在封裝單元EU覆蓋顯示單元DU時執(zhí)行切割過程，可減少或防止對顯示單元DU的損害。
[0203]此外，根據(jù)本示例性實施方式，在基板201的表面上形成第一保護(hù)層211，然后，朝向第一保護(hù)層211照射第一激光束LBl以形成去除區(qū)域211a。之后，朝向去除區(qū)域211a照射第二激光束LB2，以去除基板201的與去除區(qū)域21 Ia交疊的區(qū)域，從而形成切割區(qū)域20Ia。相應(yīng)地，可以執(zhí)行相對于基板201的精確切割過程，同時最小化或減小基板201的損害。
[0204]圖37至圖43是用于描述根據(jù)另一個示例性實施方式的制造顯示裝置200的方法的視圖。
[0205]首先，參照圖37，第一保護(hù)層211形成在基板201的表面上。詳細(xì)地，第一保護(hù)層211形成在基板201的上表面上。
[0206]基板201和第一保護(hù)層221中包括的具體材料與圖21中描述的材料相同，并因而，
可省略一些詳細(xì)描述。
[0207]第二保護(hù)層221形成在基板201的與朝向第一保護(hù)層211的基板201的表面相對的表面上。第二保護(hù)層221可保護(hù)基板201的表面。第二保護(hù)層221可由各種材料形成。例如，第二保護(hù)層221可由絕緣材料形成。
[0208]根據(jù)一些示例性實施方式，第二保護(hù)層221可以膜類型附著于基板201。例如，第二保護(hù)層221可以為包含有機材料的膜。詳細(xì)地，第二保護(hù)層221可以為PET膜。
[0209]根據(jù)一些示例性實施方式，如圖38中所示，在基板201與第二保護(hù)層221之間還可包括第二粘合層222。圖38是圖37的Kl的示例性放大視圖。第二保護(hù)層221可以通過第二粘合層222附著于基板201的表面。
[0210]第二粘合層222可包括各種粘合材料。根據(jù)一些示例性實施方式，第二粘合層222可包含丙烯基材料，并且由此，在后續(xù)處理過程中第二保護(hù)層221可不易于與基板201分離，從而保護(hù)基板201。
[0211]根據(jù)一些示例性實施方式，如參照圖30所描述，在基板201與第一保護(hù)層211之間還可包括第一粘合層212。此外，根據(jù)一些示例性實施方式，第一粘合層212可布置在第一保護(hù)層211與顯示單元DU之間。根據(jù)另一個實施方式，第一粘合層212可布置在第一保護(hù)層211與封裝單元EU之間。
[0212]圖39是圖37的K2的放大視圖。
[0213]參照圖39，顯示單元DU形成在基板201上。顯示單元DU可以是配置為顯示可見光線的各種類型。雖然未示出，但顯示單元DU可包括圖23中描述的部件。
[0214]如圖22中所示，第一保護(hù)層211可覆蓋顯示單元DU。此外，根據(jù)一些示例性實施方式，可在顯示單元DU與第一保護(hù)層211之間布置第一粘合層。
[0215]根據(jù)另一個示例性實施方式，第一保護(hù)層211可以不覆蓋顯示單元DU。也就是，第一保護(hù)層211可以僅形成在基板201的、在其上將執(zhí)行基板201的切割過程的區(qū)域上，而不是形成在基板201的整個表面上，并且第一保護(hù)層211可以不覆蓋顯示單元DU。
[0216]此外，在第一保護(hù)層211的、后續(xù)過程中在其上將形成去除區(qū)域211a的區(qū)域上可以不包括顯示單元DU。根據(jù)一些示例性實施方式，顯示單元DU可以形成為與第一保護(hù)層211的、后續(xù)過程中在其上將形成去除區(qū)域211a的區(qū)域至少部分交疊。
[0217]如圖32所示，還可在顯示單元DU上包括封裝單元EU。
[0218]之后，參照圖40，朝向第一保護(hù)層211照射第一激光束以形成第一保護(hù)層211的區(qū)域被去除的去除區(qū)域211 a。
[0219]通過使用參照圖24A或圖24B描述的方法可以執(zhí)行形成去除區(qū)域211a的過程。此夕卜，根據(jù)一些示例性實施方式，當(dāng)形成去除區(qū)域211a時，可以使用參照圖10和圖11描述的方法。
[0220]去除區(qū)域211a和顯示單元DU可彼此間隔開。根據(jù)一些示例性實施方式，去除區(qū)域211a可與顯示單元DU至少部分交疊。
[0221]之后，如圖41中所示，朝向去除區(qū)域211a照射第二激光束并且相應(yīng)地照射到去除區(qū)域211a，以在基板201上形成切割區(qū)域201a。例如，第二激光束可至少去除基板201的與去除區(qū)域211a交疊的區(qū)域，以形成切割區(qū)域201a。
[0222]切割區(qū)域201a可與顯示單元DU間隔開。根據(jù)一些示例性實施方式，切割區(qū)域201a可與顯示單元DU至少部分交疊。
[0223]此外，切割區(qū)域221a形成在第二保護(hù)層221的與基板201的切割區(qū)域201a交疊的區(qū)域上。
[0224]根據(jù)一些示例性實施方式，當(dāng)如圖38中所示在基板201和第二保護(hù)層221之間布置有第二粘合層222時，如圖42中所示，還在第二粘合層222上形成切割區(qū)域221a。
[0225]基板201可通過切割區(qū)域201a被切割成多個區(qū)域。此外，最后，制造出具有基板201和顯示單元DU的顯示裝置200?；谇懈顓^(qū)域201a，鄰近于顯示裝置200的區(qū)域可以為虛擬區(qū)域200D。根據(jù)一些示例性實施方式，基于切割區(qū)域201a，在鄰近于顯示裝置200的區(qū)域上可以布置另一個顯示裝置，取代虛擬區(qū)域200D。
[0226]根據(jù)一些示例性實施方式，如圖43中所示，第一保護(hù)層211可以被去除。
[0227]根據(jù)本示例性實施方式的切割基板的方法包括在將第一保護(hù)層211形成于基板201上之后，再在基板201上形成切割區(qū)域201a。相應(yīng)地，基板201可以被容易地保護(hù)，并且當(dāng)基板201由對熱敏感的材料(諸如有機材料)形成時，可以減少在切割過程中可能發(fā)生的對基板201的熱損害。此外，如果在執(zhí)行切割過程以使得第一保護(hù)層211可以從基板201容易地去除之后再去除第一保護(hù)層211，則可以減少基板201的表面損害。此外，由此，顯示單元DU可具有更少的熱損害或熱效應(yīng)，或者可以防止或減少顯示單元DU上的熱損害或熱效應(yīng)。此夕卜，當(dāng)在第一保護(hù)層211覆蓋顯示單元DU時或者在封裝單元EU覆蓋顯示單元DU時執(zhí)行切割過程，可減少或防止對顯示單元DU的損害。
[0228]此外，根據(jù)本示例性實施方式，在與基板201的面對第一保護(hù)層211的表面相對的表面上形成第二保護(hù)層221，從而有效保護(hù)基板201。特別地，當(dāng)基板201由諸如塑料的柔性材料形成時，可減輕在基板201的切割過程中施加到基板201的振動、熱量等，以減少或防止對基板201的損害。
[0229]此外，根據(jù)本示例性實施方式，在基板201的表面上形成第一保護(hù)層211，并且然后，朝向第一保護(hù)層211照射第一激光束LBl以形成去除區(qū)域211a。之后，朝向去除區(qū)域211a照射第二激光束LB2以去除基板201與去除區(qū)域211a交疊的區(qū)域，從而形成切割區(qū)域201a。相應(yīng)地，可以執(zhí)行相對于基板201的精確切割過程，同時最小化或減小基板201的損害。
[0230]圖44和圖45為用于描述通過使用根據(jù)示例性實施方式的制造顯示裝置的方法制造的顯示裝置200的布置的平面圖。
[0231]也就是，圖44和圖45可描述根據(jù)示例性實施方式的過程，該示例性實施方式對應(yīng)于圖21至28的示例性實施方式、圖29至36的示例性實施方式以及圖37至43的示例性實施方式中的至少一個。
[0232]圖44和45包括了這樣的過程，在該過程中通過相對于母基板執(zhí)行切割過程形成切割區(qū)域201a并且通過切割區(qū)域201a形成四個顯示裝置200。
[0233]這是一個示例性實施方式，并且切割區(qū)域201a可具有各種形狀。此外，通過切割區(qū)域201a可形成的顯示裝置200的形狀和尺寸可以變化。
[0234]參照圖44，基于切割區(qū)域201a，形成顯示裝置200和與顯示裝置200相鄰的虛擬區(qū)域200D。也就是，切割區(qū)域201a的一側(cè)對應(yīng)于顯示裝置200，并且切割區(qū)域201a的另一側(cè)對應(yīng)于虛擬區(qū)域200D。根據(jù)一些示例性實施方式，如圖44中所示，用于劃分顯示裝置200和虛擬區(qū)域200D的切割區(qū)域201a可形成在顯示裝置200和虛擬區(qū)域200D之間。
[0235]作為另一個示例，參考圖45，基于切割區(qū)域201a，布置顯示裝置200和與該顯示裝置200相鄰的至少一個另一顯示裝置200。也就是，切割區(qū)域201a的一側(cè)對應(yīng)于顯示裝置200并且切割區(qū)域201a的另一側(cè)對應(yīng)于另一顯示裝置200。根據(jù)一些示例性實施方式，如圖45中所示，切割區(qū)域201a可形成為分割顯示裝置200和另一個相鄰的顯示裝置200。
[0236]如上所述，根據(jù)以上示例性實施方式中的一個或多個，可提供切割基板的方法和制造顯示裝置的方法，由此減少了基板中的損害并提高了切割過程的效率。
[0237]應(yīng)理解，本文中描述的示例性實施方式應(yīng)僅以描述性含義進(jìn)行理解并且不是出于限制的目的。在每個示例性實施方式中對特征或方面的描述通常應(yīng)認(rèn)為可用于其它示例性實施方式中的其它類似特征或方面。
[0238]盡管參考附圖已經(jīng)描述了一個或多個示例性實施方式，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解在沒有偏離由所附權(quán)利要求及其等同物限定的精神和范圍的情況下，可以在其中做出形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
【主權(quán)項】
1.切割基板的方法，所述方法包括: 在所述基板的第一表面上形成第一保護(hù)層； 形成所述第一保護(hù)層的一部分被去除的去除區(qū)域，所述第一保護(hù)層的所述部分是通過以第一激光束在所述第一保護(hù)層的所述部分照射所述第一保護(hù)層而去除的；以及 在以所述第一激光束照射所述第一保護(hù)層后，通過去除所述基板的一部分形成切割區(qū)域，所述基板的所述部分是通過在所述去除區(qū)域以第二激光束照射所述基板而去除的。2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述第一保護(hù)層與所述基板之間形成第一粘合層。3.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在形成所述切割區(qū)域后，從所述基板去除所述第一保護(hù)層。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，以所述第一激光束照射所述第一保護(hù)層包括控制所述第一激光束以使得所述第一激光束的焦點與所述第一保護(hù)層的上表面間隔開。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二激光束為脈沖激光束并具有飛秒級到百飛秒級的脈沖寬度。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述去除區(qū)域包括: 在所述第一保護(hù)層上形成彼此間隔開的多個初步去除區(qū)域，其中所述多個初步去除區(qū)域是通過在所述多個初步去除區(qū)域以所述第一激光束照射所述第一保護(hù)層形成的；以及在所述多個初步去除區(qū)域之間的區(qū)域以所述第一激光束照射所述第一保護(hù)層。7.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述基板的、與所述基板的所述第一表面相對的第二表面上形成第二保護(hù)層。8.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括在所述第二保護(hù)層與所述基板之間形成第二粘合層。9.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括通過去除所述第二保護(hù)層的一部分形成所述切割區(qū)域，所述第二保護(hù)層的所述部分是通過在所述第二保護(hù)層的所述部分以所述第二激光束照射所述第二保護(hù)層而去除的。10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第二保護(hù)層比所述第一保護(hù)層薄。11.制造顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括在基板上形成的顯示單元，所述方法包括: 在所述基板的第一表面上形成第一保護(hù)層； 形成所述第一保護(hù)層的一部分被去除的去除區(qū)域，所述第一保護(hù)層的所述部分是通過以第一激光束照射所述第一保護(hù)層而去除的；以及 在以所述第一激光束照射所述第一保護(hù)層后，通過去除所述基板的一部分形成切割區(qū)域，所述基板的所述部分是通過在所述去除區(qū)域以第二激光束照射所述基板而去除的。12.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括: 將所述顯示單元定位在所述基板的所述第一表面上， 其中，所述顯示單元與所述基板上的所述切割區(qū)域分開。13.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括: 將所述顯示單元定位在所述基板的所述第一表面上， 其中，所述顯示單元與所述基板上的所述切割區(qū)域交疊。14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一保護(hù)層覆蓋所述顯示單元。15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一保護(hù)層與所述顯示單元不交疊。16.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述顯示單元上形成封裝單元，其中所述封裝單元布置在所述顯示單元與所述第一保護(hù)層之間。17.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述第一保護(hù)層與所述基板之間形成第一粘入[3口 /Ζλ O18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述第一粘合層在所述第一保護(hù)層與所述顯示單元之間。19.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在形成所述切割區(qū)域后，從所述基板去除所述第一保護(hù)層。20.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，以所述第一激光束照射所述第一保護(hù)層包括控制所述第一激光束以使得所述第一激光束的焦點與所述第一保護(hù)層的上表面間隔開。21.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第二激光束為脈沖激光束，并且具有飛秒級到百飛秒級的脈沖寬度。22.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成所述去除區(qū)域包括: 在所述第一保護(hù)層上形成彼此間隔開的多個初步去除區(qū)域，所述多個初步去除區(qū)域是通過在所述多個初步去除區(qū)域以所述第一激光束照射所述第一保護(hù)層形成的；以及在所述多個初步去除區(qū)域之間的區(qū)域以所述第一激光束照射所述第一保護(hù)層。23.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述基板的、與所述基板的所述第一表面相對的第二表面上形成第二保護(hù)層。24.如權(quán)利要求23所述的方法，還包括在所述第二保護(hù)層與所述基板之間形成第二粘入[3口 /Ζλ O25.如權(quán)利要求23所述的方法，還包括通過去除所述第二保護(hù)層的一部分形成所述切割區(qū)域，所述第二保護(hù)層的所述部分是通過在所述第二保護(hù)層的所述部分以所述第二激光束照射所述第二保護(hù)層而去除的。26.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述第二保護(hù)層比所述第一保護(hù)層薄。27.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述切割區(qū)域形成為使得基于所形成的切割區(qū)域形成所述顯示裝置和與所述顯示裝置相鄰的虛擬區(qū)域，以及 所述切割區(qū)域在所述顯示裝置與所述虛擬區(qū)域之間。28.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述切割區(qū)域形成為使得基于所形成的切割區(qū)域形成所述顯示裝置和與所述顯示裝置相鄰的另一顯示裝置，以及 所述切割區(qū)域在所述顯示裝置與所述另一顯示裝置之間。
【文檔編號】B23K26/36GK106064275SQ201610160327
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年3月21日 公開號201610160327.4, CN 106064275 A, CN 106064275A, CN 201610160327, CN-A-106064275, CN106064275 A, CN106064275A, CN201610160327, CN201610160327.4
【發(fā)明人】柳廷和, 金兌龍, 金孝真, 丁一榮, 韓圭完, 柳濟(jì)吉, 李振豪
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