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一種晶體硅組件串焊模板的制作方法

文檔序號:8705029閱讀:384來源:國知局
一種晶體硅組件串焊模板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種晶體硅組件,具體涉及一種晶體硅組件串焊模板。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,常見的光伏組件有晶體硅組件和薄膜組件,其中晶體硅組件由于原材料豐富、制作工藝成熟、光電轉(zhuǎn)化效率高等優(yōu)勢,占據(jù)了光伏組件的大部分市場份額。晶體硅組件制作流程包括電池片單焊、電池片串焊、層疊、層壓、削邊、裝框、固化等幾個工序。其中電池片串焊是制作過程中十分重要的一步,它是將單個電池片按一定的順序排成一列,然后用導(dǎo)電的金屬焊帶串聯(lián)焊接起來。手工進行串焊操作時,為保證焊接的電池片之間間距一致,所得的電池串整齊有序,即需要使用串焊模板。現(xiàn)有串焊模板是根據(jù)組件尺寸及電池排布結(jié)構(gòu)的要求,串焊模板都是一次成型的,即模板制作完成后,其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)無法調(diào)整,單個模板只能適用于特定片間距的晶體硅組件的串焊。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種晶體硅組件串焊模板,可以根據(jù)需要靈活調(diào)整被串焊電池片的間距,一板多用,節(jié)省資源。
[0004]本實用新型解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種晶體硅組件串焊模板,包括主基板、側(cè)壁和托盤,其特征在于:還包括若干定位基板,所述定位基板設(shè)有側(cè)邊,所述定位基板上設(shè)有橫向定位擋條,在所述定位基板上下側(cè)邊上和側(cè)壁上分別設(shè)有位置對應(yīng)的定位孔,所述定位基板和側(cè)壁之間通過螺桿穿過定位孔定位連接;在所述主基板上設(shè)有橫向基準擋條及以橫向基準擋條為中心向左右分別均勻分布的若干矩形擋條槽,所述擋條槽一側(cè)設(shè)有刻度線,所述矩形定位基板上的橫向定位擋條在擋條槽內(nèi)移動實現(xiàn)電池片間距的調(diào)整。
[0005]作為一種優(yōu)選,所述定位基板的數(shù)量與擋條槽數(shù)量匹配,所述擋條槽寬度為16?20_,所述定位基板寬度略大于擋條槽寬度。
[0006]作為一種優(yōu)選,所述定位孔的間距為0.5mm或1mm。
[0007]作為一種優(yōu)選,所述螺桿一端設(shè)有螺帽,另一端設(shè)有螺紋。
[0008]作為一種優(yōu)選,所述刻度線總長為16?20mm,其每格的間距為0.5mm或1mm。
[0009]作為進一步的改進,所述主基板一側(cè)還設(shè)有與擋條槽位置對應(yīng)的縱向擋條。
[0010]本實用新型串焊模板設(shè)計的電池片間距可調(diào)范圍在2?5mm。也可增大擋條槽寬度及刻度范圍,實現(xiàn)更大的電池片間距可調(diào)值范圍。
[0011]本實用新型為常見的72片156多晶組件使用的串焊模板,可以一次性串焊12片電池片,為保證串焊效果,模板中電池片間距設(shè)計值最小一般為2mm。以72片156多晶組件的串焊模板為例,設(shè)置擋條槽寬度為18mm ;所述刻度線8總長為18mm,其每格的間距為1_。對上述設(shè)計的串焊模板的使用方法進行如下說明:
[0012]本實用新型是通過將螺桿插入主基板不同的孔中或定位基板側(cè)邊上不同的孔中來調(diào)節(jié)橫向定位擋條的位置,從而實現(xiàn)電池片間距的調(diào)節(jié)。電池片間距最小為2mm,若串焊要求從電池片間距2mm調(diào)整至4mm,分別調(diào)整定位基板上橫向定位擋條在擋條槽內(nèi)的位置,具體調(diào)整值如下,橫向基準擋條左邊的橫向定位擋條由右向左分別向左移動2mm、4mm、6mm、8mm、1mm和12mm ;同理,橫向基準擋條右邊的橫向定位擋條由左向右也分別向左移動2mm、4mm、6mm、8mm、1mm和12mm ;這樣相鄰擋條槽內(nèi)橫向擋條之間的距離即均調(diào)整為4mm。類似的,若串焊要求電池片間距為3mm或5mm時,按上述方法制作。本實用新型電池片間距可調(diào)值范圍設(shè)計在2_?5_,可以按照本實用新型設(shè)計思路,增大擋條槽寬度及旁邊刻度范圍,即可實現(xiàn)更大的可調(diào)值范圍。
[0013]本實用新型的有益效果是:通過定位基板上設(shè)置的橫向定位擋條在擋條槽內(nèi)移動實現(xiàn)電池片間距的調(diào)整,結(jié)構(gòu)簡單,調(diào)整操作方便,實現(xiàn)了一個串焊模板滿足了不同片間距的串焊要求,一板多用,節(jié)省資源。
【附圖說明】
[0014]圖1為本實用新型實施例1的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖2為本實用新型實施例1圖1的左側(cè)圖。
[0016]圖3為本實用新型實施例1設(shè)有橫向定位擋條的定位基板示意圖。
[0017]圖4為本實用新型實施例1圖3的仰視圖。
[0018]圖5為本實用新型實施例1螺桿的示意圖。
[0019]下面結(jié)合附圖對本實用新型做進一步說明。
【具體實施方式】
[0020]實施例1:結(jié)合附圖所示,一種晶體硅組件串焊模板,包括主基板1、側(cè)壁2和托盤3,還包括十二個定位基板4,定位基板4設(shè)有四個側(cè)邊,所述定位基板4中間設(shè)有橫向定位擋條9,所述擋條槽7寬度為18mm,所述定位基板4寬度略大于擋條槽6寬度。通過橫向定位擋條9在擋條槽7內(nèi)移動實現(xiàn)電池片間距的調(diào)整。在定位基板4上下側(cè)邊上和側(cè)壁2上分別設(shè)有位置對應(yīng)的定位孔5,所述定位孔5的間距為1mm。所述定位基板4和側(cè)壁2之間通過螺桿穿過定位孔5定位連接,該螺桿為一端設(shè)有螺帽11,另一端設(shè)有螺紋12。在擋條槽7 —側(cè)設(shè)有刻度線8,所述刻度線8總長為18mm,其每格的間距為1mm。所述主基板I 一側(cè)還設(shè)有與擋條槽7位置對應(yīng)的縱向擋條10。
[0021]實施例2:另一種晶體硅組件串焊模板,其中所述擋條槽7寬度為20mm ;所述刻度線8總長為20mm,其它與實施例1相同。
[0022]實施例3:再一種晶體硅組件串焊模板,其中所述擋條槽7寬度為16mm ;所述定位孔5的間距為0.5mm ;所述刻度線8總長為16mm,其每格的間距為0.5mm。其它與實施例1相同。
【主權(quán)項】
1.一種晶體硅組件串焊模板,包括主基板(I)、側(cè)壁(2)和托盤(3),其特征在于:還包括若干定位基板(4),所述定位基板(4)設(shè)有側(cè)邊,所述定位基板(4)上縱向設(shè)有橫向定位擋條(9),在所述定位基板(4)上下側(cè)邊上和側(cè)壁(2)上分別設(shè)有位置對應(yīng)的定位孔(5),所述定位基板(4)和側(cè)壁(2)之間通過螺桿穿過定位孔(5)定位連接;在所述主基板(I)上設(shè)有橫向基準擋條(6)及以橫向基準擋條(6)為中心向左右分別均勻分布的若干矩形擋條槽(7),所述擋條槽(7) —側(cè)設(shè)有刻度線(8),所述矩形定位基板(4)上的橫向定位擋條(9)在擋條槽(7)內(nèi)移動實現(xiàn)電池片間距的調(diào)整。
2.如權(quán)利要求1所述的一種晶體硅組件串焊模板,其特征在于:所述定位基板(4)的數(shù)量與擋條槽(7)數(shù)量匹配,所述擋條槽(7)寬度為16?20mm,所述定位基板(4)寬度略大于擋條槽(7)寬度。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種晶體硅組件串焊模板,其特征在于:所述定位孔(5)的間距為0.5mm或1mm。
4.如權(quán)利要求1或2所述的一種晶體硅組件串焊模板,其特征在于:所述刻度線(8)總長為16?20mm,其每格的間距為0.5mm或1mm。
5.如權(quán)利要求1或2所述的一種晶體硅組件串焊模板,其特征在于:所述螺桿一端設(shè)有螺帽(11),另一端設(shè)有螺紋(12)。
6.如權(quán)利要求1或2所述的一種晶體硅組件串焊模板,其特征在于:所述主基板(I)一側(cè)還設(shè)有與擋條槽(7 )位置對應(yīng)的縱向擋條(1 )。
【專利摘要】本實用新型公開了一種晶體硅組件串焊模板,包括主基板、側(cè)壁和托盤,還包括若干定位基板,所述定位基板設(shè)有側(cè)邊,所述定位基板上設(shè)有橫向定位擋條,在所述定位基板上下側(cè)邊上和側(cè)壁上分別設(shè)有位置對應(yīng)的定位孔,所述定位基板和側(cè)壁之間通過螺桿穿過定位孔定位連接;在所述主基板上設(shè)有橫向基準擋條及以橫向基準擋條為中心向左右分別均勻分布的若干矩形擋條槽,所述擋條槽一側(cè)設(shè)有刻度線,所述矩形定位基板上的橫向定位擋條在擋條槽內(nèi)移動實現(xiàn)電池片間距的調(diào)整。本實用新型可以根據(jù)需要靈活調(diào)整被串焊電池片的間距,一板多用,節(jié)省資源。
【IPC分類】B23K3-08, B23K37-04, H01L31-18
【公開號】CN204413353
【申請?zhí)枴緾N201520088932
【發(fā)明人】劉俊輝, 劉亞鋒, 金浩, 陳康平
【申請人】浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2015年2月9日
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