專利名稱：液晶顯示裝置的制造裝置和液晶顯示裝置的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置的制造裝置和液晶顯示裝置的制造方法，特別是涉及驅動電路一體式液晶顯示裝置及該驅動電路一體式液晶顯示裝置的制造方法。
在使用薄膜晶體管(TFT:Thin Film Transistor)的驅動電路一體式液晶顯示裝置中，象素區(qū)的TFT僅僅起著向象素電極充電和電荷保持開關這2個作用。為此，對象素區(qū)的TFT所要求的性能，不需要象對一般的半導體裝置所要求的那樣精確的閾值電壓的控制。因此，在象素區(qū)的TFT中使用的薄膜半導體使用非晶硅就足夠了。
近些年來，人們開發(fā)出了使用采用對非晶硅進行激光退火的辦法形成的多晶硅TFT的技術，積極地制造使用該多晶硅TFT的液晶顯示裝置。這種類型的液晶顯示裝置，采用一體性地形成驅動電路區(qū)和象素區(qū)的辦法，具有使得低價格化或顯示象素的高精細化成為可能的優(yōu)點。該多晶硅TFT，由于必須具有驅動電路的器件所要求的特性，故必須保持高精度的閾值電壓。為此就產生了新的課題。
在使用非晶硅的現有液晶顯示裝置的制造工序中，通常，在非晶硅的成膜處理的前工序中，為了除去異物或提高非晶硅膜的貼緊力，要進行清洗處理。圖12示出了現有的從清洗工序到成膜處理工序為止的路徑的氣氛環(huán)境。在清洗處理工序中有物理清洗工序110和化學清洗工序120。裝載于基板盒106內的基板111用自動搬運車(AFV:Automatic Guided Vehicle)140搬運到裝載機143內，再用搬運機器人104運進物理清洗室，實施物理清洗處理。在這里，在說‘基板’時，除去石英基板等的基板本身之外，還包括已施行過處理的基板。首先，用UV燈泡151照射紫外光除去有機物，接著用刷洗或機械清洗等的物理清洗單元152進行清洗，經水洗處理單元154和干燥處理單元155后，被送出至卸載機145。此外，在化學清洗工序120中，雖然具備實施用藥液進行的化學清洗的化學清洗單元53，但是入口和出口的基板的處理與物理清洗工序是一樣的。這些清洗結束后的基板，在超凈房間的氣氛中被收納于開放的基板盒107內，用AGV搬運至成膜處理室102的裝載機/卸載機146上。在這里，基板111被搬運機器人104從基板盒106中取出來，在成膜處理室內實施非晶硅的成膜處理。接著，再次暴露于超凈房間氣氛內進行搬運，在激光退火處理室內進行以非晶硅的結晶化為目的的激光退火處理。這些基板按照與成膜處理裝置的空閑時間之間的關系，在保管庫130內進行保管，基底膜也有時候長期地暴露于超凈房間氣氛中。到此為止，在該搬運或保管之間，對于微粒子一直都在進行高等級的防止附著管理。
但是，就如從上述的基板對于超凈房間氣氛是開放的這一點可以明白的那樣，對于基板表面的化學污染來說，沒有進行充分的管理。象這樣的化學性的污染的影響，對于僅僅在象素區(qū)使用的非晶硅TFT來說，是完全不成問題的等級的污染。但是，對于構成驅動電路的多晶硅TFT來說，則將會產生由金屬等的污染引起的摻雜效應或由有機污染引起的影響多晶硅TFT的晶粒生長的影響。為此，將使閾值電壓發(fā)生變動、在基板內發(fā)生不均一，在驅動電路中產生誤動作，因而使得生產成品率下降。
于是，本發(fā)明的目的在于，提供可以防止起因于與超凈房間氣氛進行接觸的化學性的污染，不產生閾值電壓的變動等的液晶顯示裝置的制造裝置和液晶顯示裝置的制造方法。
本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造裝置，具備對基板進行清洗的清洗處理室、對于在清洗處理室中清洗完畢的基板進行成膜處理的成膜處理室、和從清洗處理室向成膜處理室移送基板而不暴露于外氣中的外氣隔斷移送裝置。
倘采用該構成，由于在清洗后不會暴露于超凈房間氣氛內，故可以防止化學性的污染。為此，將消除起因于因金屬等的污染引起的摻雜效應或由有機污染引起的影響多晶硅TFT的晶粒生長不均一的發(fā)生等而引起的閾值電壓的變動。其結果是，可以避免起因于驅動電路的誤動作等而使生產成品率降低的事態(tài)。另外，上述的基板，指的是先前定義的基板。
在上述本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造裝置中，外氣隔斷移送裝置具備既是從清洗處理室到成膜處理室移送基板的通路，又隔斷外氣的外氣隔斷通路、和在該外氣隔斷通路內搬運基板的搬運機。
倘采用該構成，自動地搬運基板而不會暴露于外氣中，將變得容易起來。此外，采用進行自動化的辦法，縮短等待時間或搬運時間變得容易起來，因而制造的高效率化是可能的。
在上述本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造裝置中，外氣隔斷移送裝置具備把在清洗處理室內清洗完畢的基板搬運至可以與外氣隔斷的密閉基板盒內而不會暴露于外氣中的基板搬入裝置、和在成膜處理室中從密閉基板盒內取出基板的基板取出裝置。
倘采用該構成，由于可以保持存放在密封基板盒內而不會暴露于外氣中的狀態(tài)不變地搬運基板，故可以避免化學污染和清洗后的微粒子附著。另外，從清洗處理室的卸載機部分向成膜處理室的裝載機部分進行的密封基板盒的搬運，既可以用AGV之類的搬運機進行，也可以用手動進行。
在上述本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造裝置中，還具備基板盒裝載室、和具有搬運機器人的搬運機器人室(load-lock室)，基板盒裝載室、清洗處理室和成膜處理室都被配置在搬運機器人的周圍，并與搬運機器人室進行連絡以便可以用搬運機器人送入送出基板。
倘采用該構成，就可以從基板盒裝載室經由清洗處理室到成膜處理室，用搬運機器人連續(xù)地搬運基板而不會暴露于外氣中。其結果是，除去可以防止化學性的污染或清洗后的微粒子的附著之外，還可以實現成膜處理的短時間化和高效率化。此外，還可以使裝進上述各個室內的裝置小型化以在超凈房間內實現節(jié)省空間。在以上所說的本發(fā)明的第1～4種液晶顯示裝置的制造裝置中，外氣隔斷通路或密封基板盒的內部，理想的是外氣是減壓到103Pa以下的氣氛、氮氣氣氛或干燥空氣氣氛。由于基板在上述氣氛中不會受到化學性的污染或清洗后的微粒子的附著，此外這些氣氛可以廉價地實現，故不會提高造價。
在上述本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造裝置中，還具備既是與外氣隔斷通路進行連絡且已與外氣隔斷的處理室，又對基板施行退火處理的退火處理室。
倘采用該構成，可以對成膜后的膜進行退火處理而不會暴露于外氣中。為此，可以在防止化學性的污染的狀態(tài)下使成膜后的非晶硅膜經退火處理后變成為多晶硅膜。
在上述本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造裝置中，具備可以在退火處理室中對基板進行激光退火處理的光學調整單元。
倘采用該構成，就可以在低溫下使非晶硅膜變成為晶粒直徑大的多晶硅膜。為此，除去可以防止化學性的污染之外，還可以制造具有可以在驅動電路中使用的性能的TFT。
在上述本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造裝置中，成膜處理室具備與外氣隔斷通路進行連絡的第1成膜處理室和與外氣隔斷通路進行連絡的第2成膜處理室。
倘采用該構成，那些在第1成膜室內成膜的怕化學性污染的膜，例如多晶硅膜，就可以從基底膜一側或上側就是說從柵極絕緣膜一側防止化學性污染。其結果是，可以得到穩(wěn)定的閾值電壓，可以實現成品率的提高。
在上述本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造裝置中，外氣隔斷通路或密封基板盒具有與外氣大體上隔斷的那種程度的不嚴密的密封構造，在外氣隔斷通路或密封基板盒的內部，對基板呈現惰性的惰性氣體，對于外氣保持正壓力。在這種情況下，理想的是還具備化學過濾器，氮氣或干燥空氣通過該化學過濾器被導入外氣隔斷通路或密封基板盒內。
該構成可以更為廉價地實現嚴密的密閉構造。為此，可以廉價地防止化學性污染或微粒子附著，可以更進一步地享受成品率提高的效果。
本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，具備把在玻璃基板的上邊具有基底膜的基板裝入清洗處理室內進行清洗處理的工序，從上述清洗處理室內取出清洗完畢的基板不暴露于外氣中地裝入成膜處理室內的工序，和在成膜處理室中在基板的上邊形成非晶硅膜的工序。
倘采用該構成，由于怕化學性污染的非晶硅膜不會從下側受到化學性污染或微粒子的附著，故不會引起誤動作，可以維持高的生產成品率。
在上述本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法中，具備在形成了非晶硅膜之后，接著，不暴露于外氣中地使已形成了非晶硅膜的基板進行退火，以使之變成為多晶硅膜的工序。
倘采用該構成，則在象素區(qū)內可以實現高精細化，在驅動電路區(qū)的驅動晶體管中，則可以廉價且穩(wěn)定地確保高精度閾值電壓。此外，還可以一體性地形成象素區(qū)和驅動電路區(qū)，可以實現在液晶顯示裝置中受到重視的小型化。
在上述本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法中，在形成多晶硅膜的工序之后，還具備接著不暴露于外氣中地移送到另外的成膜處理室中去的工序，和在該另外的成膜處理室內，在多晶硅膜的上邊形成柵極絕緣膜的工序。
倘采用該構成，則多晶硅無論從基底膜一側還是從柵極絕緣膜一側都不會受到化學性污染或清洗后的微粒子的附著。其結果是，可以更進一步地抑制閾值電壓的變動，可以更為確實地避免生產成品率的降低。
圖1是實施例1的清洗-成膜處理一體式的液晶顯示裝置的制造裝置的概略構成圖。
圖2是圖1的UV照射單元的模式性的剖面圖。
圖3是圖1的旋轉式濕法清洗單元的模式性的剖面圖。
圖4是實施例1的LPCVD裝置的概略構成圖。
圖5是實施例1的PCVD裝置的概略構成圖。
圖6是對在實施例2中從清洗處理室向成膜處理室搬運基板的機構進行說明的說明圖。
圖7是對在實施例2中從清洗處理室向成膜處理室搬運基板的另外一種機構進行說明的說明圖。
圖8是在實施例3中，在玻璃基板的上邊形成了基底膜、形成了非晶硅膜之后，進行退火使之結晶化，使晶體管部分圖形化的階段的剖面圖。
圖9是形成柵極絕緣膜，向源/漏區(qū)內注入雜質離子形成了柵極布線的階段的剖面圖。
圖10是形成了層間絕緣膜、源/漏電極和保護絕緣膜的階段的剖面圖。
圖11是液晶顯示裝置的驅動電路區(qū)和顯示象素區(qū)的剖面圖。
圖12示出了從清洗工序向成膜處理工序的現有的搬運工序的氣氛。
其次，用


本發(fā)明的實施例。
(實施例1)參看圖1，本裝置具有基板盒裝載機5、設置有旋轉式的濕法清洗單元(以下，叫做‘清洗單元’)9的清洗單元室1a、UV照射單元室1b和CVD裝置室2，基板11在各個室之間的移動，用設置在中央部分的搬運機器人室(load-lock室)3中的搬運機器人4對基板按塊進行搬運。搬運機器人室3、UV照射單元室1b、清洗單元室1a和CVD裝置室2不論哪一個都變成為大體上密閉的不嚴密的密閉構造，各自都具有可以用管道(未畫出來)引導氣體的構造，可以導入用化學過濾器7除去了污染物質的氮氣或干燥空氣。在各個室內，進行引導氣體的流量控制使得相對于本裝置外的氣氛變成為正壓，使本裝置外的氣氛不得混入進來。在通往搬運機器人室3的各個室的入口處，設置開閉自由的門8，變成為在各個室內的基板處理期間中可以與搬運機器人室進行氣氛隔離的構成。在基板盒裝載機室5與搬運機器人室8之間，也設置開閉自由的門8，除基板的授受時以外該門8就關閉起來。特別是在把清洗完畢的基板向CVD裝置室搬運時，必須對搬運機器人室3的氣氛進行控制。在進行成膜處理的CVD裝置室內，當然，與通常的真空裝置一樣，用泵抽成真空或使之減壓。
其次，對各個單元(裝置)進行說明。參看圖2，與基板11的尺寸相吻合的UV照射單元21，以0.2個/cm的密度具備150W左右的低輸出式的UV燈泡22。此外，把載物臺作成為可動構造，以燈泡節(jié)距的一半的振幅，搖動基板1使得可以均一地進行UV照射。還可以采用用波長172nm的準分子UV燈泡來取代該UV燈泡的辦法提高有機物的除去效率。參看圖3，這里所具備的清洗處理裝置，只要是與在液晶顯示裝置的制造中一般使用的(生產)線內照相制版裝置的清洗單元或顯影單元同等性能的裝置即可。該清洗單元9具備利用基板的旋轉機構、懸臂的刷洗清洗機構12和可以進行機械清洗機構等的物理清洗和利用可以放出藥液或潤洗液的噴嘴的化學清洗這兩者的懸臂機構13。理想的是根據在清洗中所使用的藥液，使基板支持載物臺或防止藥液飛散的杯子的材質變成為耐藥液性。在這里，可以使用被覆上聚四氟乙烯的不銹鋼，以便作為藥液可以使用氟酸系藥液。在物理清洗機構與藥液之間的組合之間產生了不合適的情況下，也可以另外設置旋轉式的物理清洗單元。在這種情況下，也可以使用氧化性的藥液。
其次，示出CVD裝置的例子。這些CVD裝置，不論在哪一種的CVD裝置中，都可以是與在一般的液晶顯示裝置中使用的CVD裝置同樣的裝置。參看圖4，該LPCVD裝置30，具有在室內支持基板的石英舟23，可用泵(未畫出來)等進行減壓的排氣機構和具備導入成膜氣體的質量流控制器(MFC)32和閥門31的管道系統(tǒng)。此外，如圖5所示，在等離子體CVD裝置中，把具備導入成膜氣體的MFC32和閥門31等的管道連接到帶有等離子體發(fā)生機構的成膜處理室39上。此外，還具備搬運機器人室36和設置有機器人38的預備室37這么2個室，以便可以在低壓狀態(tài)下進行基板11的預備加熱或冷卻和與成膜處理室之間進行基板的授受。此外，成膜處理室39分別獨立地具有借助于泵抽成低壓的排氣機構。除去帶有該CVD裝置之外，也可以配置激光退火室，用來在同樣的氣氛內由非晶硅結晶化為多晶硅。作為激光退化裝置，可以是在300℃左右的低溫下生成多晶硅的一般的裝置。
用上述裝置得到的作用如下。從清洗處理到成膜處理進而到激光退火處理的工序可以自動地連續(xù)進行處理而不會接觸外氣。其結果是，可以減輕對基板的化學污染或微粒子附著。此外，采用向這樣的不嚴密的密閉構造內導入控制氣氛的氣體的辦法可以進一步地減輕污染附著。作為要使用的氣體，只要是象氮氣或干燥空氣那樣的安全且比較廉價的氣體即可，理想的是導入通過化學過濾器除去了污染物質的氣體。由于各室都采用了不嚴密的密閉構造，故在對液晶顯示裝置用的大型的玻璃基板進行處理的情況下，與作成為完全密閉構造的情況比較，可以實現裝置成本的大的降低。此外，本裝置，在成膜裝置內使用LPCVD裝置的情況下，效果特別高。其理由是在令使用LPCVD法成膜的非晶硅結晶化以形成多晶硅的情況下，LPCVD的成膜速度特別慢，基底的污染的影響大大地表現出來的緣故。起因于該污染的影響，多晶硅的結晶性易于變動，其結果是完成后的TFT的特性強烈地受污染的影響。倘采用本實施例的裝置，則可以抑制上述的變動從而可以制作穩(wěn)定的特性的TFT。
此外，作為裝置構成，采用以搬運機器人為中心來配置各個單元的辦法，裝置將變得非常緊湊，使裝置的省空間化成為可能。此外，在本實施例中，由于使用了UV照射單元和另外的濕法清洗裝置這兩方，故可以確實地防止有機物和金屬的污染。此外，當使用氧化性的處理液時，將會進一步提高有機物的除去效果。但是，特別是在可以把污染限定為有機物的情況下，作為清洗單元可以僅僅使用UV照射單元。在這種情況下，裝置的大小，可以作成為在現有的成膜裝置的搬運機器人與成膜室之間僅僅安裝上UV照射單元的非常緊湊的裝置，可以改善節(jié)省空間的效果。
(實施例2)參看圖6，清洗裝置可以是在液晶顯示裝置的制造中一直使用的現有的清洗裝置，具備UV照射單元51、燈泡清洗或機械清洗等的物理清洗單元52、用藥液進行清洗的化學清洗單元53、水洗單元54和干燥單元55。在成膜處理室2內具備與在實施例1中說明的CVD裝置同等性能的CVD裝置。在清洗處理室44的卸載機43中，具備把基板放入到具備帶有可以密閉的橡膠襯墊的門的基板盒18內，借助于使基板盒的門閉合的辦法把基板密封封入到基板盒內的機構(未畫出來)。此外，在成膜處理室2的裝載機46中，具備打開密閉基板盒的門的機構(未畫出來)。該密閉基板盒18，既可以用AGV等從清洗處理室搬運至成膜處理室，從清洗處理室到成膜處理室也可以用傳送帶自動搬運。
此外，清洗處理室的卸載機45和成膜處理室的裝載機46，在入口和出口這兩方都設有開閉自由的門8，在門關閉的狀態(tài)下具有大體上變成為密閉構造的不嚴密的密閉構造。更詳細地說變成為這樣的構造把通過化學過濾器的氮氣或干燥空氣引導至這些卸載機45和裝載機46內，借助于流量控制對外氣保持正壓，不讓外氣混入進來。
作為密閉基板盒內的氣氛，也可以照原樣不加變動地封入作為清洗處理室的卸載機45的氣氛的干燥空氣?；蛘撸部梢园雅c卸載機45的氣氛無關的已除去了污染物質的氮氣或干燥空氣直接送進基板盒內后進行封入，這樣做可以確實地實施基板盒內的氣氛管理。此外，由于即便是在密閉之后把基板盒內抽成103Pa以下的真空，仍可以使氣氛的污染物質降低到1/100這種程度，故可以充分地降低附著于基板上的污染物質。
作為另外的方法，如圖7所示，也可以作成為這樣把清洗室的卸載機45和成膜室的裝載機46之間當作大體上的密閉構造的通路48，對該不嚴密的密閉構造48進行氣氛控制。倘采用該構成，則可以省略上述的密閉基板盒18中的密閉機構和對密閉基板盒的開閉機構。在這種情況下，也象在實施例1中說明的那樣，在液晶顯示裝置用的大型玻璃基板的處理中，與完全密閉的構造比較起來，可以大大地降低裝置成本。
另外，實施例1和實施例2雖然說明的都是作為成膜裝置使用CVD裝置的情況，但對于清洗后的微粒子附著會導致成品率降低的濺射裝置，不言而喻，也可以應用本發(fā)明。
(實施例3)其次，用給實施例1或2所示的制造裝置附加上激光退火室的本發(fā)明的裝置，說明制造液晶顯示裝置的驅動電路部分的多晶硅TFT的方法。首先，如圖8所示，在玻璃基板11的表面上，例如，用PECVD作為基底膜連續(xù)形成硅氮化膜和硅氧化膜這二者的2層膜62。其次，用上述的清洗·成膜·退火一體式的裝置，連續(xù)地進行清洗處理和用LPCVD裝置實施的成膜處理和激光退火處理。作為清洗處理，進行UV照射處理、刷洗清洗和機械清洗，然后，用臭氧水或HF系清洗液進行藥液清洗。之后，不使之接觸外氣那樣地把基板搬運至成膜處理室內進行成膜處理。作為成膜處理，用圖4所示的LPCVD裝置形成60nm左右的非晶硅膜。再在不暴露于外氣中地用附加到上述裝置上設置的激光退火裝置使非晶硅進行退火變成為多晶硅之后，如圖8所示，用干法刻蝕使之圖形化后形成晶體管區(qū)域64。其次，如圖9所示，作為柵極絕緣膜，例如借助于TEOS(原硅酸四乙酯)PECVD，形成70nm左右的硅氧化膜65。然后，設置光刻膠，向n型晶體管76的溝道區(qū)69的兩端低濃度地注入磷離子形成n-型雜質區(qū)的LDD(LightlyDoped Domain，輕摻雜區(qū))75。其次，例如形成Cr膜，使之圖形化形成柵極電極66。然后依次注入磷離子、硼離子形成將成為源/漏區(qū)的n+型雜質區(qū)67和p型雜質區(qū)，分別制作成n型晶體管76和p型晶體管77。在注入磷離子和硼離子時，要向n型晶體管內注入磷離子，向p型晶體管內注入硼離子。
其次，如圖10所示，在作為保護膜用TEOS PECVD形成了硅氧化膜71之后，在400℃下進行激光退火。用干法刻蝕在保護膜上形成接觸孔的開口，再用濺射器連續(xù)地淀積100nm的Cr膜、400nm的Al系合金膜和100nm的Cr膜，使之圖形化，形成源/漏電極72。之后，以溝道部分為對象，在氫等離子體中進行多晶硅的氫化處理，在進行了特性的提高或穩(wěn)定化之后，用硅氮化膜等形成絕緣膜74。把用這樣的工藝制作的n型晶體管76和p型晶體管77組合起來，構成具備驅動電路的CMOS電路。
在上述的驅動電路區(qū)的制作中，對于在同一玻璃基板上制作的顯示象素區(qū)，同一種類的層也可以用與驅動電路區(qū)同一定時進行成膜處理。如圖11所示，在顯示象素區(qū)內形成的器件部分，除去形成象素用的由2個n型晶體管構成的象素晶體管89和具有上部電極86、下部電極85的電容88這一點之外，驅動電路區(qū)的器件部分沒有什么變動。顯示象素區(qū)的成膜步驟與驅動電路區(qū)的成膜平行地一體性地進行。在下部玻璃基板一側，在形成了絕緣膜74之后，在顯示象素區(qū)內，通過接觸孔把象素電極連接到顯示象素區(qū)的n型晶體管上，然后再在其上邊形成配向膜84。在顯示象素區(qū)的上部玻璃基板81上，疊層彩色濾色片82、相向電極83，在其上邊形成配向膜84。然后保持間隙間隔地把經過上述處理的上部和下部的玻璃基板粘接起來，向其間隙內注入液晶78，完成液晶顯示裝置(圖11)。
若用上述的方法制造的液晶顯示裝置，則可以防止由來自多晶硅的上層和下層的有機物或金屬形成的對溝道部分的污染。為此，就不會發(fā)生歸因于由于在激光退火后金屬雜質向多晶硅中的混入而產生的閾值電壓Vth的變動或歸因于由于基底的雜質的影響而形成的結晶化時的晶體生長的變動等的TFT特性劣化。此外，TFT的閾值電壓的波動，電容絕緣膜的耐壓也都不成問題，產品的生產成品率、耐久性、可靠性等的一切方面的改善成為可能。在本實施例中，特別是在特性方面效果高的溝道部分的成膜工序和激光退火工序中，導入了給實施例1的裝置附加上激光退火裝置的裝置。但是，由于具有降低清洗后的微粒子再附著的效果，故借助于應用到其它的濺射成膜等中去的辦法，可以提高濺射成膜的生產成品率。
(實施例4)對于實施例3所示的液晶顯示裝置，由于采用使用實施例2中的裝置的辦法，可以用藥液槽等清洗處理基板，故可以對強酸性的藥液或高溫的藥液實施溫度控制的辦法進行清洗。例如，可以使用在半導體裝置的制造中經常使用的RCA清洗液、就是說可以使用由H2SO4+H2O2+H2O構成的清洗液或NH3+H2O2+H2O、HCl+H2O2+H2O、HF+H2O等的清洗液。這些清洗液，根據除去對象物或對玻璃基板表面的損傷情況等適當地進行組合，各自的處理，在常溫～100℃左右的適當的溫度下進行。借助于這些清洗處理，就可以除去污染物質，然后，不使之附著污染物質地進行成膜或退火。在用上述的方法形成的液晶顯示裝置中，由于在溝道部分的上層或下層中不存在由有機物或金屬形成的污染，不存在激光退火后的由多晶硅中的金屬引起的Vth的變動或對結晶化的結晶性的影響，故不會發(fā)生TFT的特性劣化。此外，還可以減輕各次成膜前的微粒子的再附著。其結果是，TFT的閾值電壓Vth的波動、電容絕緣膜的耐壓都不成問題、在生產成品率、耐久性、可靠性的一切方面都可以得到改善。
權利要求
1．一種液晶顯示裝置的制造裝置，具備對液晶顯示裝置的基板(11)進行清洗的清洗處理室(1a、1b、44)；對于在上述清洗處理室中清洗完畢的上述基板進行成膜處理的成膜處理室(2)；從上述清洗處理室向上述成膜處理室移送上述基板而不暴露于外氣中的外氣隔斷移送裝置(3、4、18、48)。
2．權利要求1所述的液晶顯示裝置的制造裝置，上述外氣隔斷移送裝置(3、4、18、48)，具備既是從上述清洗處理室(1a、1b、44)到上述成膜處理室(2)移送上述基板的通路，又隔斷外氣的外氣隔斷通路(48)、和在該外氣隔斷通路內搬運上述基板的搬運機。
3．權利要求1所述的液晶顯示裝置的制造裝置，上述外氣隔斷移送裝置具備把在上述清洗處理室內清洗完畢的上述基板搬運至可以與外氣隔斷的密閉基板盒(18)內而不會暴露于外氣中的基板搬入裝置(4、45)，和在上述成膜處理室中從上述密閉基板盒內取出上述基板的基板取出裝置(4、46)。
4．權利要求1所述的液晶顯示裝置的制造裝置，還具備基板盒裝載室(5)和具有搬運機器人(4)的搬運機器人室(3)，上述基板盒裝載室(5)、上述清洗處理室(1a、1b、44)和上述成膜處理室(2)都被配置在上述搬運機器人(4)的周圍，并與上述搬運機器人室(3)進行連絡以便可以用上述搬運機器人(4)送入送出上述基板(11)。
5．權利要求2所述的液晶顯示裝置的制造裝置，還具備既是與上述外氣隔斷通路進行連絡且已與外氣隔斷的處理室，又對上述基板施行退火處理的退火處理室。
6．權利要求5所述的液晶顯示裝置的制造裝置，在上述退火處理室中，具備可以對上述基板進行激光退火處理的光學調整單元。
7．權利要求2所述的液晶顯示裝置的制造裝置，上述成膜處理室(2)具備與上述外氣隔斷通路進行連絡的第1成膜處理室和與上述外氣隔斷通路進行連絡的第2成膜處理室。
8．權利要求2所述的液晶顯示裝置的制造裝置，上述外氣隔斷通路(48)具有與外氣大體上隔斷的那種程度的不嚴密的密封構造，在上述外氣隔斷通路的內部，對上述基板呈現惰性的惰性氣體，對于外氣保持正壓力。
9．權利要求3所述的液晶顯示裝置的制造裝置，上述密封基板盒(18)具有與外氣大體上隔斷的那種程度的不嚴密的密封構造，在上述密封基板盒的內部，對上述基板呈現惰性的惰性氣體，對于外氣保持正壓力。
10．權利要求8所述的液晶顯示裝置的制造裝置，還具備化學過濾器(7)，通過該化學過濾器把上述惰性氣體導入上述外氣隔斷通路(48)。
11．權利要求9所述的液晶顯示裝置的制造裝置，還具備化學過濾器(7)，通過該化學過濾器把上述惰性氣體導入上述密閉基板盒(18)。
12．一種液晶顯示裝置的制造方法，具備把在玻璃基板(11)的上邊具有基底膜(62)的基板裝入清洗處理室(1a、1b、44)內進行清洗處理的工序；從上述清洗處理室內取出上述清洗完畢的基板，不暴露于外氣中地裝入成膜處理室(2)內的工序；在上述成膜處理室中在上述基板的上邊形成非晶硅膜的工序。
13．權利要求12所述的液晶顯示裝置的制造方法，具備在形成了上述非晶硅膜之后，接著，不暴露于外氣中地使已形成了上述非晶硅膜的基板進行退火，使之變成為多晶硅膜的工序。
14．權利要求13所述的液晶顯示裝置的制造方法，在形成上述多晶硅膜的工序之后，具備接著不暴露于外氣中地移送到另外的成膜處理室中去的工序，和在該另外的成膜處理室內，在上述多晶硅膜的上邊形成柵極絕緣膜(65)的工序。
全文摘要
可以得到能夠防止起因于與外部氣氛接觸的化學性污染的液晶顯示裝置的制造裝置和液晶顯示裝置的制造方法。具備清洗處理室(1a、1b)、在清洗處理室內清洗完畢的層的上邊進行成膜處理的成膜處理室(2)、從清洗處理室向成膜處理室移動基板(11)而不會暴露于外氣中的外氣隔斷移送裝置(3、4)。
文檔編號C23C16/02GK1307326SQ0013649
公開日2001年8月8日 申請日期2000年12月27日 優(yōu)先權日2000年1月26日
發(fā)明者久保田健, 小松紀和 申請人:三菱電機株式會社, 精工愛普生株式會社