專利名稱：中頻反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備中反應(yīng)氣體的供氣裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種鍍膜設(shè)備中的供氣裝置，特別適合于用作中頻反應(yīng)濺射制備SiO2膜設(shè)備中的供氧裝置。
中頻反應(yīng)濺射鍍膜系統(tǒng)中反應(yīng)氣體的供氣裝置設(shè)計對鍍膜系統(tǒng)所需形成的穩(wěn)定的閉環(huán)控制將起到關(guān)鍵性的作用，現(xiàn)有反應(yīng)濺射鍍膜系統(tǒng)中反應(yīng)氣體的供氣裝置設(shè)計難以滿足工藝要求，其存在的不足在于1、布?xì)夤艿捞峁┑交砻娴姆磻?yīng)氣體難以做到均勻，造成鍍到基片上的鍍膜成分及膜厚不均勻；2、部分反應(yīng)氣體未布到基片表面而是到了靶表面，造成靶中毒；3、壓電閥對反應(yīng)氣體流量的調(diào)控必須很快反映到基片表面，要求壓電閥以后的管道盡可能的短，但許多供氣裝置由于結(jié)構(gòu)上的原因，難以做到。
本實用新型的目的意在克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種布?xì)饩鶆颉兄卸粳F(xiàn)象得到有效抑制的中頻反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備中反應(yīng)氣體的供氣裝置。
實現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案一種中頻反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備中反應(yīng)氣體的供氣裝置，包括真空室、進氣管和壓電閥，在真空室內(nèi)置有靶、反應(yīng)氣體布?xì)夤芎凸ぷ鳉怏w布?xì)夤?，接有壓電閥的進氣管與反應(yīng)氣體布?xì)夤芟嗤?，在真空室?nèi)兩靶的對稱軸線上置有管道兩邊呈對稱開有若干通氣出孔的氣體布?xì)夤?，兩根工作氣體布?xì)夤苤糜趦砂械耐鈧?cè)軸線上，工作氣體布?xì)夤苌暇鶆蜷_有布?xì)饪住?br> 真空室內(nèi)有具折角的擋板，反應(yīng)氣體布?xì)夤苤糜趽醢宓恼劢莾?nèi)。
進氣管與反應(yīng)氣體布?xì)夤茉趦芍话械膸缀螌ΨQ中心相通。
壓電閥置于貼近真空室外壁處。
采用上述方案，由于在真空室內(nèi)兩靶的對稱軸線部位布?xì)?，保證在靶的長邊方向布?xì)饩鶆?，布?xì)夤艿捞峁┑交砻娴姆磻?yīng)氣體做到了均勻布?xì)?，為鍍到基片上的鍍膜成分及膜厚均勻提供了先決條件。由于上述結(jié)構(gòu)合理，本實用新型經(jīng)實際以硅作靶，氧氣作反應(yīng)氣體，氬氣作工作氣體，基片玻璃運行表明，硅的氧化絕大部分都在基片表面進行，氧氣分子較少到達硅靶表面，若在氧氣布?xì)夤苌霞右徽劢菗醢?，氧氣分子通過擋板折射到基片表面，氧氣分子到達硅靶表面的幾率大大減小，硅靶中毒現(xiàn)象進一步得到有效抑制。另外，壓電閥貼近真空室外壁處，保證了使壓電閥對氧氣流量的調(diào)控很快反映到基片表面。本實用新型完全滿足透明導(dǎo)電玻璃對鍍制SiO2膜層的布?xì)赓|(zhì)量要求。
以下結(jié)合附圖對本實用新型作進一步的說明


圖1是本實用新型的一種結(jié)構(gòu)圖。
圖2是
圖1中的A-A視圖。
圖3是
圖1中反應(yīng)氣體布?xì)夤茉趲缀沃行奶幍臋M向剖視圖。
實施例結(jié)合
圖1～圖3，一種中頻反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備中反應(yīng)氣體的供氣裝置，包括真空室1、靶2、反應(yīng)氣體(氧氣)布?xì)夤?、具折角的擋板7、反應(yīng)氣體進氣管8、壓電閥4和工作氣體(氬氣)布?xì)夤?。在真空室1內(nèi)兩靶2的對稱軸線上有管道兩邊呈對稱開有若干通氣出孔的反應(yīng)氣體布?xì)夤?，反應(yīng)氣體布?xì)夤?置于擋板7的折角內(nèi)，接有壓電閥4的反應(yīng)氣體進氣管8與反應(yīng)氣體布?xì)夤?在兩只靶2的幾何對稱中心相通，擋板7的相應(yīng)處開有通孔，壓電閥4接于貼近真空室1的外壁處，兩根工作氣體布?xì)夤?置于兩靶2的外側(cè)軸線上，工作氣體布?xì)夤?上均勻開有布?xì)饪住９ぷ鲿r，通過外接中頻電源對兩個硅靶2進行電極濺射，在從工作氣體布?xì)夤苤谐鰜淼臍鍤庾饔孟?，濺射出的硅與從氧氣布?xì)夤?的通孔出來的通過擋板7折射到基片3表面的氧氣分子進行氧化，在基片3上鍍制成導(dǎo)電玻璃的SiO2膜層，本實用新型對中頻反應(yīng)鍍制SiO2膜層成分及膜厚均勻起到關(guān)鍵作用。
權(quán)利要求1.一種中頻反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備中反應(yīng)氣體的供氣裝置，包括真空室、進氣管和壓電閥，在真空室內(nèi)置有靶、反應(yīng)氣體布?xì)夤芎凸ぷ鳉怏w布?xì)夤?，接有壓電閥的進氣管與反應(yīng)氣體布?xì)夤芟嗤?，其特征在于在真空室?nèi)兩靶的對稱軸線上置有管道兩邊呈對稱開有若干通氣出孔的氣體布?xì)夤埽瑑筛ぷ鳉怏w布?xì)夤苤糜趦砂械耐鈧?cè)軸線上，工作氣體布?xì)夤苌暇鶆蜷_有布?xì)饪住?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述中頻反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備中反應(yīng)氣體的供氣裝置，其特征在于真空室內(nèi)有具折角的擋板，反應(yīng)氣體布?xì)夤苤糜趽醢宓恼劢莾?nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述中頻反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備中反應(yīng)氣體的供氣裝置，其特征在于進氣管與反應(yīng)氣體布?xì)夤茉趦芍话械膸缀螌ΨQ中心相通。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述中頻反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備中反應(yīng)氣體的供氣裝置，其特征在于壓電閥置于貼近真空室外壁處。
專利摘要一種中頻反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備中反應(yīng)氣體的供氣裝置,在真空室內(nèi)兩靶的對稱軸線上置有管道兩邊呈對稱開有若干通氣出孔的反應(yīng)氣體布?xì)夤?反應(yīng)氣體布?xì)夤苤糜诰哒劢堑膿醢逭劢莾?nèi),接有壓電閥的進氣管與反應(yīng)氣體布?xì)夤茉趦芍话械膸缀螌ΨQ中心相通,兩根工作氣體布?xì)夤苤糜趦砂械耐鈧?cè)軸線上,工作氣體布?xì)夤苌暇鶆蜷_有布?xì)饪住１緦嵱眯滦筒細(xì)饩鶆?能有效抑制靶的中毒現(xiàn)象,能滿足鍍制SiO
文檔編號C23C14/34GK2443972SQ0024894
公開日2001年8月22日 申請日期2000年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2000年8月18日
發(fā)明者許生, 高文波, 周海軍, 徐龍海, 范垂禎 申請人:深圳威士達真空系統(tǒng)工程有限公司