專利名稱：一種新型的陰極電弧離子鍍膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型所述的是一種新型的陰極電弧離子鍍膜裝置，屬于等離子體加速器型鍍膜技術(shù)。
陰極電弧蒸發(fā)離化源中的等離子體加速力可調(diào)，陰極電弧蒸發(fā)離化源提供的等離子體狀態(tài)的物質(zhì)，處在電弧放電的高密度帶電粒子發(fā)射狀態(tài)，并在源的內(nèi)部永久磁體的磁場和外繞大電流線圈磁場的作用下，獲得加速，又在施加于勻速運動的板材的負偏壓的作用下，沉積于板材表面，使板材上得到的膜層可以精確控制，且保證膜厚分布均勻，從而可以產(chǎn)生與膜層厚度有嚴格關(guān)聯(lián)的新膜層色調(diào)，如紅色、綠色、藍色等。
進板過程關(guān)真空鎖4，板材進入上料真空室1，加熱并啟動旋片機械泵-羅茨泵機組，真空抽到6.6Pa，開高真空閥使上料真空室1及真空鍍膜室2真空度同時抽到近似于2×10-2pa，開真空鎖4，板材由上料真空室1進入到真空鍍膜室2.
鍍膜過程打開陰極電弧蒸發(fā)離化源6，板材從上料真空室1，平移并經(jīng)過真空鍍膜室2鍍膜，再移動到下料真空室3，如果膜厚要調(diào)整，可逆向移動板材，既經(jīng)過3→2→1一段工藝設定的時間，直到完成鍍膜。
出板過程下料真空室3先抽至近于2×10-2pa，打開室2與室3之間的真空鎖，板材由真空鍍膜室2進入下料真空室3，關(guān)此真空鎖，稍冷卻，向下料真空室3充大氣，出板。
權(quán)利要求1.一種新型的陰極電弧離子鍍膜裝置，其特征在該裝置包括上料真空室、真空鍍膜室、下料真空室、陰極電弧蒸發(fā)離化源、等離子體加速區(qū)，所述真空鍍膜室置于上料真空室和下料真空室之間，中間由左真空鎖、右真空鎖相隔開，置于真空鍍膜室中的陰極電弧蒸發(fā)離化源為圓形、矩形、圓柱形中的任何一種，等離子體加速區(qū)與真空鍍膜室相通，陰極電弧蒸發(fā)離化源置于等離子體加速區(qū)的端部。
2.如權(quán)利要求1所述的一種新型的陰極電弧離子鍍膜裝置，其特征在于陰極電弧蒸發(fā)離化源表面與被鍍板材表面之間的距離為50-1500mm.
專利摘要一種新型的陰極電弧離子鍍膜裝置，屬于等離子體加速器型離子鍍膜技術(shù)，本裝置是掃描式離子鍍膜裝置，由上料真空室、真空鍍膜室、下料真空室、陰極電弧蒸發(fā)離化源、等離子體加速區(qū)，所述真空鍍膜室置于上料真空室與下料真空室之間，中間由左真空鎖、右真空鎖相隔開，置于真空鍍膜室中的陰極電弧蒸發(fā)離化源為圓形、矩形、圓柱形中的任何一種，等離子體加速區(qū)與真空鍍膜室相通，陰極電弧蒸發(fā)離化源置于等離子體加速區(qū)的端部。
文檔編號C23C14/24GK2525100SQ0121984
公開日2002年12月11日 申請日期2001年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月20日
發(fā)明者王殿儒, 張金平, 程云立, 王百湘 申請人:北京長城鈦金公司