專利名稱：應(yīng)用于氧化硅層均質(zhì)化工藝的上管治具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種應(yīng)用于氧化硅層均質(zhì)化工藝的上管治具，適用于四乙氧基硅烷工藝使氧化硅層均質(zhì)化的方法，其中包括一內(nèi)爐管上管治具，適用于將內(nèi)爐管與外爐管作同軸對(duì)準(zhǔn)。
一般以四乙氧基硅烷為前驅(qū)物所產(chǎn)生的氧化硅材質(zhì)是在一爐管式低壓化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器中進(jìn)行，請(qǐng)參照

圖1，圖1為繪示公知直立式爐管式低壓化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的剖面示意圖。反應(yīng)器100包括一外爐管102和一內(nèi)爐管104，外爐管102一般是由不銹鋼材質(zhì)所制成，內(nèi)爐管104一般是由經(jīng)高溫回火之后的石英爐管。內(nèi)爐管104置于外爐管102內(nèi)，內(nèi)爐管104和外爐管102需同軸對(duì)準(zhǔn)。載有晶圓片(未繪示于圖上)的經(jīng)回火的石英晶舟106置于內(nèi)爐管104中，以進(jìn)行沉積工藝。
反應(yīng)器另有一真空系統(tǒng)(未繪示于圖上)以移除反應(yīng)室內(nèi)的廢氣。但在沉積的過程中，仍無(wú)可避免的會(huì)在內(nèi)爐管104及外爐管102上形成氧化硅材質(zhì)的殘留。這些氧化硅的殘留有可能會(huì)在沉積的過程中剝落而污染晶圓片，因此，在經(jīng)過一定次數(shù)的沉積工藝之后，需將內(nèi)爐管取出進(jìn)行預(yù)防性保養(yǎng)(Preventive Maintenance，PM)，然后將內(nèi)爐管放回外爐管之內(nèi)。
請(qǐng)參照?qǐng)D2A，圖2A為繪示一外爐管的仰視示意圖。外爐管200包括一承載座(Adaptor)202，承載座202適用于承放內(nèi)爐管。在承載座202上具有缺口204以及在承載座202的頂面具有凹陷206。同時(shí)請(qǐng)參照?qǐng)D2B，圖2B為繪示一內(nèi)爐管的仰視示意圖。內(nèi)爐管210具有凸緣212。
將內(nèi)爐管210升起，凸緣212對(duì)準(zhǔn)承載座202上的缺口204。當(dāng)內(nèi)爐管210的位置高于承載座202時(shí)，旋轉(zhuǎn)內(nèi)爐管210，將凸緣212對(duì)準(zhǔn)承載座202頂面上的凹陷206。接著，降下內(nèi)爐管210，將凸緣212安置于凹陷206之內(nèi)而將內(nèi)爐管置于承載座202之上，而初步完成了內(nèi)爐管的安裝作業(yè)。
因?yàn)榘枷?06必須略大于凸緣212，以方便安置，所以在內(nèi)爐管210重新安裝上去時(shí)，內(nèi)爐管210和外爐管200的同軸對(duì)準(zhǔn)間會(huì)產(chǎn)生相當(dāng)大的偏差。內(nèi)爐管210在適用于四乙氧基硅烷工藝時(shí)所做的設(shè)計(jì)和適用于沉積多晶硅或氮化硅所做的設(shè)計(jì)相比之下內(nèi)徑較窄，因此，晶舟(未繪示于圖上)置入后，晶圓片(未繪示于圖上)邊緣和內(nèi)爐管210壁間的距離不等。因?yàn)樵谒囊已趸柰楣に囍袑?duì)晶圓片邊緣和內(nèi)爐管壁間的距離差異很敏感。晶圓片邊緣和內(nèi)爐管壁間的距離越小的位置，沉積的氧化硅材質(zhì)就會(huì)越厚；圓片邊緣和內(nèi)爐管壁間的距離越大的位置，沉積的氧化硅材質(zhì)就會(huì)越薄。此一特性會(huì)造成在晶圓上所沉積的氧化硅材質(zhì)厚度不均勻的問題。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2A，公知的解決方法為在凹陷206的側(cè)壁214上裝置墊片(未繪示于圖上)，以縮小凸緣212與側(cè)壁214間的間隙，即便如此，內(nèi)爐管210和外爐管200的同軸對(duì)準(zhǔn)最大仍會(huì)產(chǎn)生約3厘米的偏差。
請(qǐng)參照?qǐng)D3，圖3為晶圓片和內(nèi)爐管的相對(duì)位置以及位于其上各檢測(cè)點(diǎn)所量得氧化硅層的厚度，一晶圓片300與內(nèi)爐管302的相對(duì)位置如圖3所示，此一氧化硅層是以四乙氧基硅烷工藝沉積2000埃的厚度，可容許均勻度的標(biāo)準(zhǔn)差在40埃以下，但由圖3九個(gè)檢測(cè)點(diǎn)所得的數(shù)值可以計(jì)算出標(biāo)準(zhǔn)差高達(dá)60.9埃。
另外，根據(jù)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在一能形成均勻氧化硅層的設(shè)備中，只要內(nèi)爐管移動(dòng)超過0.5厘米，也就是內(nèi)外爐管間的同軸對(duì)準(zhǔn)誤差超過0.5厘米，所形成的氧化硅層的不均勻度就超過可接受的范圍，而影響后續(xù)的工藝，造成總體工藝合格率的下降。
因此，在每一次預(yù)防性保養(yǎng)之后，設(shè)備工程師必須去較準(zhǔn)內(nèi)爐管的位置以使內(nèi)外爐管能夠同軸對(duì)準(zhǔn)。較準(zhǔn)的方法是通過每一批四乙氧基硅烷工藝所得到晶圓片上氧化硅材質(zhì)的均勻度為依據(jù)，依經(jīng)驗(yàn)推動(dòng)內(nèi)爐管上的一個(gè)控制把手來移動(dòng)內(nèi)爐管以改變內(nèi)爐管與外爐管間的相對(duì)位置。當(dāng)晶圓片上氧化硅層的均勻度在可接受的范圍之內(nèi)，工藝才能繼續(xù)進(jìn)行。
這樣的校正方法，相當(dāng)?shù)馁M(fèi)時(shí)，因而會(huì)降低產(chǎn)能。尤有更甚者，這樣的校正方法全憑經(jīng)驗(yàn)摸索，無(wú)法將其規(guī)格化，若是一個(gè)有經(jīng)驗(yàn)的設(shè)備工程師還好，但對(duì)一個(gè)缺乏經(jīng)驗(yàn)的設(shè)備工程師而言，這個(gè)校正方法將會(huì)耗時(shí)更長(zhǎng)甚而無(wú)法達(dá)到均勻度的要求，期望他能通過此校正方法迅速的完成內(nèi)外爐管的同軸對(duì)準(zhǔn)，不諦是緣木求魚。
另外，還有一個(gè)變量可以控制晶圓片上形成的氧化硅層的均勻度，那就是晶圓片在晶舟上的位置。機(jī)械手臂由一組設(shè)定的位置參數(shù)(X，Y)決定晶圓片置于晶舟上的位置。晶舟置入內(nèi)爐管內(nèi)的位置是固定的，所以位置參數(shù)(X，Y)可以決定晶圓片與內(nèi)爐管壁間的間隙的距離因而控制形成的氧化硅層的均勻度，但前提是內(nèi)爐管必須固定。每一次預(yù)防性保養(yǎng)的后內(nèi)爐管的位置都會(huì)變動(dòng)，因此，調(diào)整位置參數(shù)(X，Y)并不具有任何意義。但若能固定內(nèi)爐管的位置，則通過調(diào)整位置參數(shù)(X，Y)來調(diào)整氧化硅層的均勻度將成為可行。
本發(fā)明的再一目的是提供一內(nèi)爐管上管治具，可以將內(nèi)爐管定位，因而可以以調(diào)整機(jī)械手臂設(shè)定的位置參數(shù)(X，Y)來改變晶舟的上晶圓片的位置，而能達(dá)成形成均勻的氧化硅層的結(jié)果。
本發(fā)明的又一目的在提供一標(biāo)準(zhǔn)操作程序(S.O.P)，可以輕易的解決以四乙氧基硅烷工藝形成的氧化硅層的均勻度的問題，并可大幅提高工藝的穩(wěn)定性。
本發(fā)明所提供的內(nèi)爐管上管治具，適用于校正內(nèi)爐管與外爐管間的相對(duì)位置而能使內(nèi)爐管與外爐管同軸對(duì)準(zhǔn)，此依上管治具包括一支撐器、一定位器、及控制支撐器與定位定位的第一轉(zhuǎn)盤與第二轉(zhuǎn)盤。其中，支撐器包括第一裝置及支撐圓，定位器包括第二裝置及定位圓。第一裝置可以為第一圓盤，第二裝置可以為第二圓盤。支撐圓可以為支撐桿，定位圓可以為定位桿，支撐圓包括至少三支撐桿且定位圓也至少包括三定位桿。
第二圓盤位于第一圓盤的上方而且與第一圓盤以同一軸心連結(jié)。第一轉(zhuǎn)盤位于第一圓盤下方并和第一圓盤以同一軸心連結(jié)，用來控制支撐圓。第二轉(zhuǎn)盤位于第一轉(zhuǎn)盤下方，并和第一轉(zhuǎn)盤以同一軸心連結(jié)，用來控制定位圓。支撐圓位于第一圓盤上，當(dāng)轉(zhuǎn)動(dòng)第一轉(zhuǎn)盤時(shí)，支撐圓可以同心圓的方式向外撐開或項(xiàng)內(nèi)收縮。定位圓則位于第二圓盤上，當(dāng)轉(zhuǎn)動(dòng)第二轉(zhuǎn)盤時(shí)，支撐圓可以同心圓的方式向外撐開或項(xiàng)內(nèi)收縮。
將內(nèi)爐管依原先的方式裝至于外爐管內(nèi)。其中先將內(nèi)爐管上的凸緣對(duì)準(zhǔn)外爐管的承載座上的缺口將內(nèi)爐管升起，當(dāng)內(nèi)爐管的位置高于外爐管的承載座時(shí)，旋轉(zhuǎn)內(nèi)爐管，將凸緣對(duì)準(zhǔn)外爐管的承載座頂面上的凹陷，降下內(nèi)爐管，將凸緣安置于凹陷內(nèi)而將內(nèi)爐管置于外爐管之承載座上，而初步完成了內(nèi)爐管的安裝作業(yè)。
接著，將上管治具伸入爐管之中，其中第二圓盤高于內(nèi)爐管的底部而第一圓盤低于外爐管的承載座。轉(zhuǎn)動(dòng)上管治具上的第一轉(zhuǎn)盤，使位于第一圓盤上的支撐圓向外撐開，撐住外爐管的內(nèi)壁，此時(shí)，此上管治具的中心軸和外爐管的中心軸可以同軸對(duì)準(zhǔn)。然后，轉(zhuǎn)動(dòng)上管治具上的第二轉(zhuǎn)盤，使位于第二圓盤上的定位圓向外撐開，若內(nèi)爐管未和外爐管同軸對(duì)準(zhǔn)，定位圓將會(huì)有一邊和內(nèi)爐管的內(nèi)壁先接觸。繼續(xù)旋轉(zhuǎn)第二轉(zhuǎn)盤讓定位圓繼續(xù)向外擴(kuò)張，此時(shí)定位圓先與內(nèi)爐管接觸的一邊會(huì)推動(dòng)內(nèi)爐管朝接觸點(diǎn)法線的方向移動(dòng)，直到定位圓完全撐住內(nèi)爐管的內(nèi)壁為止，使第一圓盤與內(nèi)爐管同軸對(duì)準(zhǔn)。因?yàn)樯瞎苤尉咭呀?jīng)和外爐管同軸對(duì)準(zhǔn)了，所以經(jīng)過這樣的操作當(dāng)可以使內(nèi)外爐管輕易的完成同軸對(duì)準(zhǔn)的動(dòng)作。
因?yàn)闄C(jī)械手臂設(shè)定的位置參數(shù)(X，Y)可以決定晶圓片與內(nèi)爐管壁間的間隙的距離，因此，在能夠固定內(nèi)爐管的位置的前提下，改變位置參數(shù)(X，Y)來控制形成的氧化硅層的均勻度因而可行。利用一連串的實(shí)驗(yàn)找出位置參數(shù)(X，Y)的變化與晶圓片上形成的氧化硅層均勻度變化兩者之間的關(guān)系，例如，X的數(shù)值每增加1，可以從晶圓片九個(gè)檢測(cè)點(diǎn)所得到的數(shù)值知道四乙氧基硅烷工藝的氧化硅材質(zhì)的厚度的變化量。由多次實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，可以定出位置參數(shù)(X，Y)的變化與氧化硅層均勻度的關(guān)系而定出一組參數(shù)T，在試陣(Test Run)之后依此參數(shù)T直接修正晶圓片的位置，而使氧化硅層均勻度更佳。
另外，在具有內(nèi)爐管上管治具和參數(shù)T之后，更可以提供一新的校準(zhǔn)程序，在預(yù)防保養(yǎng)之后可以很快且很方便的達(dá)成四乙氧基硅烷工藝氧化硅層厚度均勻化的目的。期較準(zhǔn)流程如下先以內(nèi)爐管上管治具將內(nèi)爐管裝入外爐管并同軸對(duì)準(zhǔn)。檢查晶舟本身是否筆直，若晶舟筆直則輸入一組位置參數(shù)(X，Y)并由機(jī)械手臂一此位置參數(shù)(X，Y)將晶圓片置入晶舟之中，若晶舟不筆直則須調(diào)整一水平值以使晶舟筆直。進(jìn)行一次試陣，進(jìn)行氧化硅層的沉積。檢查晶舟上端晶圓片上氧化硅層的均勻度，并依此數(shù)值來調(diào)整位置參數(shù)(X，Y)。檢查晶舟下端晶圓片上氧化硅層的均勻度，并依此數(shù)值調(diào)整擋溫片而使熱流更為均勻。經(jīng)過如此的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)程序，即使是新手也可迅速的完成校準(zhǔn)，四乙氧基硅烷工藝形成的氧化硅層的均勻度問題的解決將可以標(biāo)準(zhǔn)化，大幅提高工藝的穩(wěn)定性。
圖4為本發(fā)明所提供的內(nèi)爐管上管治具；圖5A及圖5B為本發(fā)明所提供的上管治具的操作方式；以及圖6為標(biāo)準(zhǔn)操作程序的流程圖。
100反應(yīng)器102、200、502外爐管104、210、302、500內(nèi)爐管106晶舟202、504承載座204缺口206凹陷212凸緣214側(cè)壁300晶圓片400、510上管治具402、404、512、514圓盤406、522、524定位桿408、518支撐桿410、412、516、520轉(zhuǎn)盤414、418拉伸彈簧422、424凸輪426墊片428、430軸
432、434傳動(dòng)軸承506、508軸心526、28箭頭530、532內(nèi)側(cè)壁另外，利用此一內(nèi)爐管上管治具和參數(shù)T，可以提供一新的校準(zhǔn)程序，在預(yù)防保養(yǎng)之后可以很快且很方便的達(dá)成四乙氧基硅烷工藝氧化硅層厚度均勻化的目的。
實(shí)施例1為了讓本發(fā)明所提供的內(nèi)爐管上管治具更加清楚起見，茲提供一較佳實(shí)施例說明如下請(qǐng)參照?qǐng)D4，圖4為本發(fā)明所提供的內(nèi)爐管上管治具400，適用于校正內(nèi)爐管(未繪示于圖上)與外爐管(未繪示于圖上)間的相對(duì)位置而能使內(nèi)爐管與外爐管同軸對(duì)準(zhǔn)。此上管治具400包括圓盤402、404、定位桿406、支撐桿408，轉(zhuǎn)盤410、412，拉伸彈簧414、418，凸輪422、424，墊片426，軸428、430以及傳動(dòng)軸承432、434。
圓盤402位于圓盤404的上方并與圓盤404連結(jié)，而且與圓盤404具有同一軸心401。轉(zhuǎn)盤412位于圓盤404下方并和圓盤404連結(jié)，而且與圓盤404具有同一軸心401。轉(zhuǎn)盤412經(jīng)由軸430和凸輪424連結(jié)以控制支撐桿408。軸430具有軸心401。轉(zhuǎn)盤410位于轉(zhuǎn)盤412下方并與其連結(jié)，并和轉(zhuǎn)盤412具有同一軸心401。轉(zhuǎn)盤410經(jīng)由軸428和凸輪422連結(jié)以控制定位桿406。軸428具有軸心401。支撐桿406位于圓盤402上，經(jīng)由傳動(dòng)軸承434與凸輪422連結(jié)。當(dāng)轉(zhuǎn)動(dòng)轉(zhuǎn)盤410時(shí)經(jīng)由軸428同時(shí)使凸輪422跟著轉(zhuǎn)動(dòng)，凸輪422經(jīng)由傳動(dòng)軸承434帶動(dòng)定位桿406以同心圓的方式向外撐開或向內(nèi)收縮。轉(zhuǎn)盤412位于圓盤404下方并與其連結(jié)，并和圓盤404具有同一軸心401。轉(zhuǎn)盤412經(jīng)由軸430和凸輪424連結(jié)以控制支撐桿408。軸430具有軸心401。支撐桿408位于圓盤404上，經(jīng)由傳動(dòng)軸承432與凸輪424連結(jié)。當(dāng)轉(zhuǎn)動(dòng)轉(zhuǎn)盤412時(shí)經(jīng)由軸430同時(shí)使凸輪424跟著轉(zhuǎn)動(dòng)，凸輪424經(jīng)由傳動(dòng)軸承432帶動(dòng)支撐桿408以同心圓的方式向外撐開或向內(nèi)收縮。
定位桿406及支撐桿408上具有拉伸彈簧414、418分別與圓盤402、404連結(jié)。拉伸彈簧414、418適用于定位桿406及支撐桿408向外撐開或向內(nèi)收縮時(shí)作為緩沖器之用。另外，定位桿406及支撐桿408的末端分別具有墊片426。因?yàn)槎ㄎ粭U406及支撐桿408的材質(zhì)為金屬，426的功用在于定位桿406及支撐桿408與內(nèi)、外爐管壁(未繪示于圖上)接觸時(shí)當(dāng)一緩沖止滑墊，以避免定位桿406及支撐桿408與內(nèi)、外爐管壁接觸時(shí)會(huì)滑動(dòng)或刮傷爐管壁。
上管治具的操作方式請(qǐng)參照?qǐng)D5A及圖5B。請(qǐng)先參照?qǐng)D5A，將內(nèi)爐管500安置外爐管502的承載座504之上，其中內(nèi)爐管500的凸緣(未繪示于圖上)安置于外爐管502的承載座504的凹陷(未繪示于圖上)之內(nèi)而初步完成了內(nèi)爐管500的安裝作業(yè)。由圖5A可以看出內(nèi)爐管500的軸心506和外爐管502的軸心508并未能對(duì)準(zhǔn)且向右偏移。
接著，將上管治具510伸入外爐管502之中，其中上管治具510的圓盤512高于內(nèi)爐管500的底部而圓盤514低于外爐管502的承載座504。轉(zhuǎn)動(dòng)上管治具510上的轉(zhuǎn)盤516，使位于圓盤514上的支撐桿518向外撐開，撐住外爐管502的內(nèi)壁，此時(shí)，此上管治具510的軸心和外爐管的軸心508可以同軸對(duì)準(zhǔn)。然后，轉(zhuǎn)動(dòng)上管治具510上的轉(zhuǎn)盤520，使位于圓盤512上的定位桿522、524分別朝著箭頭526、528的方向向外撐開，定位桿522會(huì)先觸及內(nèi)爐管500的內(nèi)側(cè)壁530。當(dāng)定位桿522繼續(xù)向外延伸，此時(shí)定位桿522會(huì)推動(dòng)內(nèi)爐管500朝箭頭526的方向移動(dòng)，直到支撐桿524撐住內(nèi)爐管500的內(nèi)壁532為止，請(qǐng)參照?qǐng)D5B。這會(huì)使圓盤512與內(nèi)爐管500同軸對(duì)準(zhǔn)。因?yàn)樯瞎苤尉?10已經(jīng)和外爐管502同軸對(duì)準(zhǔn)了，所以經(jīng)過這樣的操作當(dāng)可以使內(nèi)外爐管輕易的完成同軸對(duì)準(zhǔn)的動(dòng)作。
實(shí)施例2在提供一內(nèi)爐管上管治具，可以將內(nèi)爐管定位之后，可以以調(diào)整控制機(jī)械手臂放置晶圓片于晶舟上的位置參數(shù)(X，Y)，經(jīng)由多次實(shí)驗(yàn)由位置參數(shù)(X，Y)的變化與氧化硅層均勻度的關(guān)系而定出一組參數(shù)T。在具有上管治具及參數(shù)T兩樣工具后，可以提供一標(biāo)準(zhǔn)操作程序(S.O.P)，可以輕易的解決以四乙氧基硅烷工藝形成的氧化硅層的均勻度的問題，并可大幅提高工藝的穩(wěn)定性。
因此，本發(fā)明提供一標(biāo)準(zhǔn)操作程序，適用于爐管在預(yù)防保養(yǎng)之后，用以迅速達(dá)成四乙氧基硅烷工藝的穩(wěn)定性和均勻性。此一標(biāo)準(zhǔn)工藝可以程序化而利用一微處理器來進(jìn)行。請(qǐng)參照?qǐng)D6，圖6為標(biāo)準(zhǔn)操作程序的流程圖。首先，步驟600先以如實(shí)施例1所述的方法將內(nèi)外爐管對(duì)準(zhǔn)，輸入一組位置參數(shù)(X1，Y1)由機(jī)械手臂依一組輸入的位置參數(shù)(X1，Y1)將晶圓片置入晶舟，在將晶舟置入內(nèi)爐管。步驟602判斷晶舟是否筆直。如果晶舟不筆直則由步驟604進(jìn)形水平調(diào)整之后進(jìn)入步驟606，開始四乙氧基硅烷工藝沉積氧化硅層。若晶舟筆直則直接進(jìn)入步驟606，開始四乙氧基硅烷工藝沉積氧化硅層。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D6，四乙氧基硅烷工藝沉積氧化硅層完成后進(jìn)入步驟608，量測(cè)晶圓片上九個(gè)檢測(cè)點(diǎn)上氧化硅層的厚度得到一組數(shù)據(jù)A，量測(cè)晶舟下端晶圓片間相同位置氧化硅層厚度得到一組數(shù)據(jù)B。進(jìn)行步驟610，將數(shù)據(jù)A輸入，微處理器將依據(jù)數(shù)據(jù)A及參數(shù)T將位置參數(shù)由(X1，Y1)調(diào)整成(X2，Y2)。接著，進(jìn)入步驟612，將數(shù)據(jù)B輸入，微處理器將判斷晶舟下端晶圓片間相同位置氧化硅層厚度是否均勻，若均勻度不好，進(jìn)入步驟614，微處理器將依據(jù)數(shù)據(jù)B將擋溫片往氧化硅層較薄的晶圓片處調(diào)整而完成標(biāo)準(zhǔn)操作程序。若均勻度良好，則進(jìn)入步驟616完成標(biāo)準(zhǔn)操作程序。
依此一標(biāo)準(zhǔn)程序，以四乙氧基硅烷工藝沉積厚度2000埃的氧化硅層時(shí)，同一片晶圓片上氧化硅層均勻度的標(biāo)準(zhǔn)差由30埃至40埃降至10埃至20埃。以四乙氧基硅烷工藝沉積厚度1000埃的氧化硅層時(shí)，同一片晶圓片上氧化硅層均勻度的標(biāo)準(zhǔn)差由20埃至25埃降至10埃至15埃。另外，請(qǐng)參照下表，下表是使用同一沉積爐管及晶舟，在兩次預(yù)防保養(yǎng)后分別使用公知的方法及本發(fā)明所揭露的標(biāo)準(zhǔn)程序分別進(jìn)行四乙氧基硅烷工藝氧化硅層均勻度的調(diào)整，然后在整個(gè)工作周期中所得到的Cp值與Cpk值。其中1表示使用公知的方法而2是使用本發(fā)明所揭露的標(biāo)準(zhǔn)程序，Cp為工藝精準(zhǔn)(Capability of Precision)而Cpk代表工藝能力指數(shù)。一般而言，Cp及Cpk的值越高表示四乙氧基硅烷工藝形成的氧化硅層均勻度越好。

表1由表1的數(shù)據(jù)可知，依本發(fā)明提供一標(biāo)準(zhǔn)操作程序，確實(shí)可以迅速達(dá)到四乙氧基硅烷工藝的穩(wěn)定性和均勻性。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用于氧化硅層均質(zhì)化工藝的上管治具，其特征是，該治具至少包含一支撐器；一定位器，位于該支撐器的上方并與該支撐器同軸；一第一控制器，可控制該支撐器作同心圓式的擴(kuò)張或收縮；以及一第二控制器，可控制該定位器作同心圓式的擴(kuò)張或收縮。
2.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于氧化硅層均質(zhì)化工藝的上管治具，其特征是，上述的該支撐器可以為一支撐圓。
3.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于氧化硅層均質(zhì)化工藝的上管治具，其特征是，上述的該定位器可以為一定位圓。
4.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于氧化硅層均質(zhì)化工藝的上管治具，其特征是，上述的該支撐器可以為至少三支撐桿。
5.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于氧化硅層均質(zhì)化工藝的上管治具，其特征是，上述的該定位器可以為至少三定位桿。
6.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于氧化硅層均質(zhì)化工藝的上管治具，其特征是，更包括一第一傳動(dòng)軸承、一第一軸，該第一軸的頂端連結(jié)該第一傳動(dòng)軸承，該第一軸的下端連結(jié)該第一控制器，該第一軸與該第一裝置同軸，該第一傳動(dòng)軸承連結(jié)該支撐器。
7.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于氧化硅層均質(zhì)化工藝的上管治具，其特征是，更包括一第二傳動(dòng)軸承、一第二軸，該第二軸的頂端連結(jié)該第二傳動(dòng)軸承，該第二軸的下端連結(jié)該第二控制器，該第二軸與該第二裝置同軸，該第二傳動(dòng)軸承連結(jié)該支撐器。
全文摘要
一種應(yīng)用于氧化硅層均質(zhì)化工藝的上管治具，適用于四乙氧基硅烷工藝使氧化硅層均質(zhì)化的方法，其中包括一內(nèi)爐管上管治具，適用于將內(nèi)爐管與外爐管作同軸對(duì)準(zhǔn)。另外尚包括一標(biāo)準(zhǔn)程序，可以輕易的解決以四乙氧基硅烷工藝形成的氧化硅層的均勻度的問題，并可大幅提高工藝的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)C23C16/06GK1459835SQ0212022
公開日2003年12月3日 申請(qǐng)日期2002年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月20日
發(fā)明者林永斌 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司