專利名稱：電場發(fā)光顯示裝置的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電場發(fā)光(Electro LuminescenceEL)顯示裝置的制造方法，詳言之涉及一種透過屏蔽將EL組件形成在基板面上的EL顯示裝置的制造方法。
該EL組件系具有例如依序?qū)盈B形成有以下的構造由ITO(氧化銦錫)等的透明電極構成的陽極；由MTDATA(4，4-bis(3-methylphenyllamino)biphenyl)或(4，4，4-tris(3-methylphenylamino)triphenylanine)等構成的空穴輸送層；包含喹吖酮(Quinacridone)衍生物的Bebq2(10-benzo[h]quinolionlberylliumcomplex)等構成的發(fā)光層；由Bebq2等構成的電子輸送層；以及由鎂·銦合金等構成的電極。然后，在該EL組件中，將所需要的電壓施加在上述電極間，藉此由陽極所注入的空穴，與由陰極所注入的電子會在發(fā)光層的內(nèi)部再結合，激發(fā)形成發(fā)光層的有機分子而產(chǎn)生激發(fā)子，同時該激發(fā)子在放射鈍化的過程從發(fā)光層放出光，該光透過透明絕緣基板從透明的陽極放出至外部而可獲得所需要的發(fā)光。
此外，使用有該EL組件的顯示裝置，亦即EL顯示裝置，在構成為彩色畫像的顯示裝置時，是將分別對應于紅(R)、綠(G)、藍(B)3原色而發(fā)光的EL組件配置成例如矩陣狀的點矩陣(dot matrix)的顯示裝置。而就驅(qū)動由上述的點矩陣構成的EL組件的方式而言，有單純矩陣方式與主動矩陣方式。
其中，單純矩陣方式系與掃描信號同步而從外部直接驅(qū)動在顯示面板上配置成矩陣狀而形成各點的EL組件的方式，且僅以EL組件構成顯示裝置的顯示面板。
主動矩陣方式則是在配置成矩陣狀而形成各點的EL組件上設置像素驅(qū)動組件(主動組件)，使該像素驅(qū)動組件具有依照掃描信號而切換導通(ON)/關斷(OFF)狀態(tài)的開關的功能。然后，透過呈導通狀態(tài)的像素驅(qū)動組件而將資料信號(顯示信號、視頻信號)傳送至EL組件的陽極，且借此將該資料信號寫入EL組件中，而進行EL組件的驅(qū)動。
另一方面，形成如上述的顯示裝置所使用的EL組件時大多使用真空蒸鍍法。利用該真空蒸鍍法的EL組件的形成基本上使用兩個步驟(1)在真空室內(nèi)，對基板中形成EL組件的部分以外的部分施加屏蔽，并且將該已施加屏蔽的基板面朝垂直下方而設置的步驟；以及(2)從該基板下方將形成上述發(fā)光層的材料等、構成EL組件的材料予以加熱使之蒸發(fā)，藉以在該基板面上蒸鍍形成該等材料的步驟。
然而，上述樣態(tài)中為了要在基板面上形成EL組件，必須非常高精度地進行基板與屏蔽的位置對準。但是，當該位置對準之際，將形成EL組件的基板面作為下面而將其支持時，該基板面幾乎全為形成EL組件等的顯示面板領域，因此無法將該面直接載置。亦即，必須利用適當?shù)闹С直?support hand)等支持顯示面板領域以外的基板端部。但是，以上述的樣態(tài)支持基板時，自然而然將容易在基板的中央部產(chǎn)生彎曲。因此，使基板移動至屏蔽側時基板的中央部會先與屏蔽接觸，在該狀態(tài)形成為了進行上述位置對準而使基板與屏蔽相對移動的情形，會因基板膜面產(chǎn)生傷痕等而無法適當?shù)剡M行該位置對準。
而且，從位置對準精度的觀點或從蒸鍍精度的觀點來看，也最好是使上述基板與屏蔽在極為接近的狀態(tài)，由此點來看上述問題也相當嚴重。
此外，不限定于上述真空蒸鍍法，使用其它方法來形成EL組件時，以及必須作上述基板與屏蔽的正確的位置對準時，因基板的彎曲而導致位置對準變得困難的上述事實也大致相同。
權利要求1的發(fā)明是將基板與設置在該基板下方的屏蔽予以位置對準，且通過前述屏蔽使電場發(fā)光組件材料附著形成于前述基板而形成顯示裝置的顯示部，其特征在于預先將前述屏蔽固定于保持臺上所配置的屏蔽框架，并且在該等保持臺及屏蔽框架的至少一方先形成用以支持前述基板的多個銷，而在由該銷支持住前述基板的狀態(tài)下進行前述位置對準。
權利要求2的發(fā)明系如權利要求1項的發(fā)明，其中以相對于前述基板面保持對稱性的狀態(tài)配置前述銷。
權利要求3項的發(fā)明系如權利要求1或2的發(fā)明，其中使前述銷可在垂直方向上伸縮。
權利要求4的發(fā)明系如權利要求3的發(fā)明，其中使前述銷至少可收縮至前述屏蔽的高度，且在前述位置對準完成后使該銷收縮至前述屏蔽的高度。
權利要求5項的發(fā)明系如權利要求1至4任一項的發(fā)明，其中對于利用前述銷加以支持的基板的3個以上的邊再以邊支持機構支持該等各邊，而在此狀態(tài)下進行前述位置對準。
權利要求6的發(fā)明系如權利要求1至5任一項的發(fā)明，其中至少前述位置對準在真空容器內(nèi)進行。
權利要求7的發(fā)明是在將利用前述銷加以支持的基板上面再以靜電吸著予以支持的狀態(tài)下，進行前述位置對準。
圖2(a)及(b)為表示主動矩陣方式的EL顯示裝置的部分剖面構造的剖視圖。
圖3為針對本發(fā)明的EL顯示裝置的制造方法的第1實施形態(tài)，表示其制造程序的流程圖。
圖4為表示在第1實施形態(tài)中的真空室內(nèi)的屏蔽與玻璃基板的位置對準樣態(tài)的斜視圖。
圖5(a)及(b)為表示第1實施形態(tài)的屏蔽與玻璃基板的配置樣態(tài)的俯視圖。
圖6為模式地顯示第1實施形態(tài)中的EL組件的蒸鍍形成樣態(tài)的側視圖。
圖7(a)至(c)為用以說明玻璃基板的尺寸及支持樣態(tài)和該玻璃基板所產(chǎn)生的彎曲的關系圖。
圖8為表示第1實施形態(tài)中的玻璃基板的支持樣態(tài)的剖視圖。
圖9為表示本發(fā)明的EL顯示裝置的制造方法的第2實施形態(tài)中的玻璃基板的支持樣態(tài)的剖視圖。


圖10為表示本發(fā)明的EL顯示裝置的制造方法的第3實施形態(tài)中的玻璃基板的支持樣態(tài)的圖解斜視圖。
圖11為表示第3實施形態(tài)的EL組件的蒸鍍形成程序的流程圖。
圖12為表示作為上述各實施形態(tài)的變形例的玻璃基板的支持樣態(tài)的俯視圖。組件符號說明1玻璃基板 1a、30a對準標記2多晶硅層 3柵極絕緣膜4層間絕緣膜 5平坦化絕緣膜10絕緣膜 11透明電極12空穴輸送層 13發(fā)光層14電子輸送層 15電子注入層16、62、63電極30屏蔽30h開口部 30p面板形成部31屏蔽框架32CCD攝影機33銷 34保持臺40、Sa、Sb源極50邊支持構件60靜電吸著裝置61吸著部64蓄電池 a、b TFTCa、Cb溝道CE電容電極CL保持電容電極線 Da、Db漏極Ga、Gb柵極GL柵極信號線DL漏極信號線 IL驅(qū)動電源線
(第1實施形態(tài))以下，一面參照圖式一面說明，將本發(fā)明的EL顯示裝置的制造方法具體化成主動矩陣方式的彩色EL顯示裝置的制造方法的第1實施形態(tài)。
圖1是有關為本實施形態(tài)的制造對象的EL顯示裝置的EL組件(本實施形態(tài)為有機EL組件圖中以EL表示)與其外圍部的俯視圖。如圖1所示，該EL顯示裝置大體而言具備由EL組件所形成的顯示點(dot)；以及相對于該等顯示點而分別設置的主動組件，即薄膜晶體管(TFT)。
具體而言，如圖1所示，就用以進行EL組件的驅(qū)動控制的信號線而言，是以矩陣狀形成有柵極信號線GL及漏極信號線DL。然后，對應于該等各信號線的交叉部而形成有EL組件(顯示點)。而且，該EL顯示裝置中，為了能顯示彩色畫像，各顯示點對應于各原色R、G、B的任一個而形成。
此外，就用以個別進行該等各EL組件的驅(qū)動控制的組件而言形成有如下的組件。首先，在上述各信號線的交叉部附近形成有與柵極信號線GL相連接，透過該柵極信號線GL的活化而成為能動的作為開關組件的薄膜晶體管(TFT)a。該TFTa的源極Sa系與由鉻(Cr)或鉬(Mo)等的高熔點金屬構成的電容電極CE相連接，通過該TFTa形成能動，可將來自漏極信號線DL的電壓施加在電容電極CE上。
該電容電極CE與用以驅(qū)動EL組件的薄膜晶體管(TFT)b的柵極Gb相連接。此外，TFTb的源極Sb與作為EL組件的陽極的透明電極11相連接，該TFTb的漏極Db與成為將電流供給至EL組件的電流源的驅(qū)動電源線IL相連接。藉此，通過從上述電容電極CE施加電壓至柵極Gb，可將來自驅(qū)動電源線IL的電流供給至EL組件。
另一方面，形成有保持電容電極CL，以在保持電容電極線CL與上述電容電極CE之間蓄積電荷。通過該保持電容電極線CL及電容電極CE間的保持電容量可保持施加在上述TFTb的柵極Gb的電壓。
圖2為圖1的部分剖視圖。其中，圖2(a)表示沿著D-D線的剖面；圖2(b)表示沿著E-E線的剖面。如圖2所示，上述EL顯示裝置是在玻璃基板或由合成樹脂、導體、半導體基板等構成的玻璃基板1上依序?qū)盈B形成薄膜晶體管、EL組件的。
在此，作為對上述電容電極CE進行充電控制的開關晶體管的TFTa形成如圖2(a)所示的樣態(tài)。亦即，在上述玻璃基板1上形成有多晶硅層2。在該多晶硅層2上形成有上述源極Sa及漏極Da，還有溝道Ca、在溝道Ca兩側所形成的低濃度領域(Lightly Doped Drain)LDD；以及上述保持電容電極CE。然后，在該等多晶硅層2及保持電容電極CE上形成有柵極絕緣膜3；由鉻(Cr)或鉬(Mo)等的高熔點金屬構成的上述柵極信號線GL或門極電極Ga；以及保持電容電極線CL。而且，在該等上面形成有以硅氧化膜及硅氮化膜的順序?qū)盈B的層間絕緣膜4。并且，該層間絕緣膜4對應于上述漏極Da而開口，通過在該開口部填充鋁等的導電物，該漏極Da可與上述漏極信號線DL取得電性的接觸。再者，在該等漏極信號線DL與上述層間絕緣膜4上形成有由例如有機樹脂構成，用以使表面平坦的平坦化絕緣膜5。
另一方面，用以驅(qū)動EL組件的上述TFTb是以如圖2(b)所示的樣態(tài)形成。亦即，在上述玻璃基板1上，形成有與圖2(a)所示相同的多晶硅層2。在該多晶硅層2上形成有TFTb的溝道Cb、源極Sb、漏極Db。然后，在該多晶硅層2上形成有與圖2(a)所示者相同的柵極絕緣膜3，并且在該柵極絕緣膜3之中溝道Cb上方形成有由鉻(Cr)或鉬(Mo)等的高熔點金屬構成的柵極Gb。在該等柵極Gb以與門極絕緣膜3上依序?qū)盈B形成有與圖2(a)所示相同的層間絕緣膜4、平坦化絕緣膜5。而且，層間絕緣膜4之中，與上述漏極Db對應的部分開口，通過在該開口部填充鋁等的導電物，可取得該漏極Db與上述驅(qū)動電源線IL的電性的接觸。此外，層間絕緣膜4及平坦化絕緣膜5之中，與上述源極Sb對應的部分開口，通過在該開口部填充鋁等的導電物，可取得該源極Sb與ITO(Indium Tin Oxide)等的透明電極11的電性的接觸。該透明電極11形成EL組件的陽極。
上述EL組件依序?qū)盈B形成有以下的構件而成。
a.透明電極11b.空穴輸送層12由NBP構成c.發(fā)光層13紅(R)…于主要材料(Alq3)摻入紅色的摻雜劑(DCJTB)。
綠(G)…于主要材料(Alq3)摻入綠色的摻雜劑(Coumarin6)。
藍(B)…于主要材料(BAlq)摻入藍色的摻雜劑(Perylene)。
d.電子輸送層14由Alq3構成。
e.電子注入層15由氟化鋰(LiF)構成。
f.電極(陰極)16由鋁(Al)構成。
在此，上述以略稱記載的材料的正式名稱如下。
·“NBP”…N，N‘-Di((naphthalene-1-yl)-N，N’-diphenyl-benzidine)·“Alq3”…Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum·“DCJTB”…(2-(1，1-Dimethylethyl)-6(2-(2，3，6，7-tetrahydro-1，1，7，7-tetramethyl-1H，5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl)-4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile。
·“Coumarin6”…3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin。
·“Balq”…(1，1’-Bisphenyl-4-Olato)bis(2-methyl-8-quinolinplate-N1，08)Aluminum。
該等空穴輸送層12、電子輸送層14、電子注入層15、電極16在圖2(a)所示的領域上也共同形成。但是，發(fā)光層13因?qū)谕该麟姌O11而形成為島狀，因此未形成在圖2(a)所示的領域上。另外，圖2中在平坦化絕緣膜5上形成有絕緣膜10。
接著，說明本實施形態(tài)的EL顯示裝置的制造方法。
圖3表示本實施形態(tài)的EL顯示裝置的制造程序。如圖3所示，該一連串的制造程序中，首先在上述玻璃基板1上形成TFT及透明電極11(步驟100)，再形成上述空穴輸送層12(步驟110)。
如上述形成有空穴輸送層12的上述玻璃基板1使形成有該空穴輸送層12的面朝垂直下方，以插入真空室(chamber)內(nèi)(步驟120)。在圖4所示的樣態(tài)，在該室內(nèi)設置有預先配合上述發(fā)光層13的形狀而開口(省略圖標)的例如由鎳(Ni)構成的屏蔽30。詳言之，該屏蔽30通過保持臺34上所設置的屏蔽框架31加以固定。
然后，當將形成有上述空穴輸送層12的玻璃基板1插入真空室內(nèi)，則進行該玻璃基板1與位在其下方的屏蔽30的位置對準。亦即，利用如圖4所示的CCD(Charge Coupled Device)攝影機32等，一面監(jiān)控屏蔽30內(nèi)所形成的對準標記(alignment mark)30a以及玻璃基板1上所形成的對準標記1a的各位置，一面進行玻璃基板1與屏蔽30的位置對準使該等對準標記30a、1a一致(圖3的步驟130)。該圖4所示的對準標記30a及1a是為了容易看見而顯示的較大，然而實際上是呈縱50μm、橫50μm的十字形。
而且，實際上，上述步驟是對應于彩色顯示裝置的各原色R、G、B而個別進行的。亦即，形成有空穴輸送層12的玻璃基板1依序插入用以形成對應于上述各原色R、G、B的發(fā)光層13的各真空室內(nèi)。然后，在該等各真空室內(nèi)具備只有在與上述透明電極(陽極)11中預定原色的發(fā)光所使用的透明電極(陽極)11對應的部分開口的屏蔽，以作為上述屏蔽。亦即，在各真空室內(nèi)具備對應于R、G、B的任一色的屏蔽。藉此，可在真空室中將與各原色對應的發(fā)光層分別形成在預定位置上。
圖5(a)表示位置對準在屏蔽30的玻璃基板1(圖中以虛線表示)的配置樣態(tài)。在本實施形態(tài)中，該屏蔽30是為了使多數(shù)顯示面板能由一張的玻璃基板形成而構成。詳言之，本實施形態(tài)中的屏蔽30如圖5(a)所例示可同時形成16張顯示面板，并具備16個面板形成部30p。而且，該等16個面板形成部30p是藉由各具備4個面板形成部30p的4個屏蔽30所形成。而且，如圖5(b)所示，該等各面板形成部30p配合該原色的發(fā)光所使用的上述透明電極11而形成有開口部30h。
在圖5(a)所示的樣態(tài)進行屏蔽30與玻璃基板1的位置對準時，玻璃基板1由屏蔽框架31等加以支持。然后，在圖4中，從配置在保持臺34的下方的蒸鍍源40將上述發(fā)光層13的材料予以加熱使之蒸發(fā)，藉此使該材料透過上述屏蔽的開口部蒸鍍在玻璃基板1表面上(圖3的步驟140)。
圖6以圖解顯示隔著該屏蔽30的發(fā)光層的形成樣態(tài)。如圖6所示，各透明電極(陽極)11中，在各真空室內(nèi)對應于該原色的透明電極的形成領域以外由屏蔽30所覆蓋。然后，對應于該原色的EL材料(有機EL材料)在蒸鍍源40內(nèi)被加熱、氣化，而透過屏蔽30的開口部30h蒸鍍形成在玻璃基板1(正確來說為其空穴輸送層12)上。
如上述，在各真空室內(nèi)蒸鍍形成有對應的原色的發(fā)光層的玻璃基板1從該等發(fā)光層形成用真空室取出，并在另一真空室內(nèi)形成上述電子輸送層14、電子注入層15、電極(陰極)16(圖3的步驟150)。然而，實際上，該等電子輸送層14、電子注入層15、電極(陰極)16的形成是在個別的真空室內(nèi)進行的。
然而，在上述樣態(tài)中，在真空室內(nèi)進行上述玻璃基板1與屏蔽30的位置對準之際，在玻璃基板1及屏蔽上產(chǎn)生彎曲等的情形系如前述。尤其是如本實施形態(tài)使用可同時形成多個片顯示面板的大型玻璃基板1的情形，多半會增大該玻璃基板1的彎曲。
以下，根據(jù)圖7說明該玻璃基板的尺寸、支持樣態(tài)與該玻璃基板所產(chǎn)生的彎曲的關系。
圖7(a)表示各玻璃基板的尺寸及其支持樣態(tài)與該玻璃基板所產(chǎn)生的彎曲的關系。圖7(a)所示的情況1是將以圖7(b)所示的支持樣態(tài)支持長度K的玻璃基板時的彎曲量，以該玻璃基板的材質(zhì)別表示的數(shù)據(jù)。相對于此，情況2中，將以圖7(b)的支持樣態(tài)支持長度L(L＞K)的玻璃基板時的彎曲量，以該玻璃基板的材質(zhì)別表示的數(shù)據(jù)。另一方面，情況3是將以圖7(c)所示的支持樣態(tài)支持長度K的玻璃基板時的彎曲量，以該玻璃基板的材質(zhì)別表示的數(shù)據(jù)。
如圖7(a)所明示，將玻璃基板予以線支持(圖7(b))較點支持(圖7(c))更可抑制彎曲情形。再者，根據(jù)圖7(a)可知玻璃基板的長度越短越可抑制彎曲。附帶說明，如將重力加速度設為g、泊松(Poisson)比為σ、玻璃密度為ρ、玻璃楊式模量為E、玻璃厚度為t，則以圖7(b)所示的樣態(tài)支持玻璃基板時的彎曲n可以下述式子(c1)表示。
n＝K4gρ(1-σ2)/6.4Et2…(c1)由上述式子(c1)可知，玻璃基板的長度越長彎曲量就會飛躍性地增大。
因此，如圖5(a)所示，本實施形態(tài)在屏蔽框架31上設有由樹脂及金屬等構成的多個銷33。該銷33系如圖8所示，與玻璃基板1的抵接面形成球面，在進行玻璃基板1與屏蔽30的位置對準時，通過形成該球面的抵接面而支持玻璃基板1。藉此，于位置對準時，不會損傷玻璃基板1且可抑制其彎曲。并且，該銷33系配置成相對于玻璃基板1的面而保持對稱性的樣態(tài)。
此外，本實施形態(tài)中，銷33是例如在下部形成具有彈簧(包含板簧)的可伸縮的構成。藉此，由于銷33會隨玻璃基板1本身的重量而收縮，因此可確實地支持玻璃基板1。并且可使銷33至少收縮至屏蔽30的高度。藉此，位置對準完成后可透過玻璃基板1本身的重量或來自外部的力量使銷33收縮至屏蔽30的高度。而且，取代此，若設定成透過銷33的收縮使該銷33的高度設定成較屏蔽30的高度為高，則可保持屏蔽與玻璃基板之間的間隙。
根據(jù)以上說明的本實施形態(tài)，可獲得以下的效果。
(1)一面利用銷33支持玻璃基板1一面進行位置對準，藉此于位置對準時可適當?shù)匾种撇ＡЩ?所產(chǎn)生的彎曲，同時可防止玻璃基板1的蒸鍍面因屏蔽30而受到損傷。
(2)使銷33成為可朝垂直方向伸縮的構成。藉此，進行玻璃基板1與屏蔽30的位置對準之后，可使屏蔽30等對玻璃基板1的支持圓滑進行，或可藉由該銷33支持基板1而保持屏蔽30與玻璃基板1的間隙。
(第2實施形態(tài))以下，以與上述第1實施形態(tài)的不同點為中心，一面參照圖式一面說明將本發(fā)明的EL顯示裝置的制造方法具體化成主動矩陣方式的彩色EL顯示裝置的制造方法的第2實施形態(tài)。
本第2實施形態(tài)，是在按照第1實施形態(tài)的玻璃基板1與屏蔽30的位置對準之際，還用了以下的基板支持手法。
亦即，本實施形態(tài)中，進行玻璃基板1的位置對準之際，利用靜電吸著支持該玻璃基板1的上面。亦即，在真空室內(nèi)利用比大氣壓低的壓力吸著玻璃基板1的上面等方式是無法支持的。因此，藉由利用靜電吸著支持玻璃基板1的上面，可在真空室內(nèi)吸著支持玻璃基板1。
圖9表示該靜電吸著原理。如圖9所示，本實施形態(tài)所使用的靜電吸著裝置60系在由陶瓷等構成的吸著部61內(nèi)所具備的一對電極62，63上分別連接有蓄電池64的陽極及陰極的裝置。透過該靜電吸著裝置60吸著支持玻璃基板1，可抑制玻璃基板1所產(chǎn)生的彎曲。
根據(jù)以上說明的本實施形態(tài)，除了第1實施形態(tài)的上述(1)及(2)的效果之外，可獲得以下的效果。
(3)利用靜電吸著吸著支持玻璃基板1的上面。藉此，當進行玻璃基板1與屏蔽30的位置對準之際，可適當?shù)匾种撇ＡЩ?所產(chǎn)生的彎曲，進而可更確實地進行玻璃基板1與屏蔽30的位置對準。
而且上述第2實施形態(tài)還可作以下的變更實施。
·也可在利用靜電吸著裝置60支持的狀態(tài)下進行EL組件的蒸鍍形成。
(第3實施形態(tài))以下，以與上述第2實施形態(tài)的不同點為中心，一面參照圖式一面說明將本發(fā)明的EL顯示裝置的制造方法具體化成主動矩陣方式的彩色EL顯示裝置的制造方法的第3實施形態(tài)。
該第3實施形態(tài)，是在按照第2實施形態(tài)的玻璃基板1與屏蔽30的位置對準之際，還用了以下的支持手法。
亦即，本實施形態(tài)中，在圖10所示的樣態(tài)以邊支持構件50支持玻璃基板1的四邊，藉此可抑制玻璃基板1所產(chǎn)生的彎曲。亦即，如參照圖7時所說明，玻璃基板1所未被支持的邊的長度越長彎曲會越增大，因此通過以邊支持的方式支持玻璃基板1的四邊，可抑制因玻璃基板1的長度增加而發(fā)生的彎曲增大。
而且，該四邊的支持是在玻璃基板1與邊支持構件50的接觸部相對于玻璃基板1的面，亦即在各相對向的邊間保持對稱性的樣態(tài)下進行。藉此，可抑制玻璃基板1所產(chǎn)生的彎曲。
再者，本實施形態(tài)中，透過各邊支持構件50而將與屏蔽30相對向的玻璃基板1的面的端邊予以線支持。如此，透過邊支持構件50沿著玻璃基板1的各邊予以線支持，藉此該邊支持構件50能夠不與玻璃基板1的顯示領域接觸而支持玻璃基板1。
詳言之，如圖10所示，該邊支持構件50呈L字形，將玻璃基板1的下方，換言之將形成有空穴輸送層12的側的面載置在該邊支持構件50上，藉以支持該玻璃基板1。
然后，該等各邊支持構件50的長度設定成較玻璃基板1的各邊的長度要短。具體而言，是將邊支持構件50中載置玻璃基板1的部分的長度設定成較對應于玻璃基板1的外周的屏蔽框架31中相鄰接的2個屏蔽框架31間的長度要短。藉此，可避免圖5(a)所示的屏蔽框架31與邊支持構件50的干涉。亦即，玻璃基板1與屏蔽30的位置對準完成后，即將邊支持構件50予以拆除。藉由以上述方式設定該邊支持構件50的長度，可在圖5(a)一點鏈線表示的位置，達成邊支持構件50對玻璃基板1的支持，同時亦可容易地進行該邊支持構件50的去除。
在此，參照圖11，總括本實施形態(tài)中的玻璃基板1與屏蔽30的位置對準程序。
該一連串的程序中，將玻璃基板1插入真空室內(nèi)時(步驟200)，一面透過上述靜電吸著裝置60及邊支持構件50支持玻璃基板1，一面使其往屏蔽30側移動(步驟210)。然后，玻璃基板1與銷33接觸后進行該玻璃基板1與屏蔽30的位置對準(步驟220)。然后，位置對準完成時，一面透過靜電吸著裝置60及邊支持構件50支持玻璃基板1，一面使該玻璃基板1下降。然后，在玻璃基板1為屏蔽30所支持或由銷33所支持的狀態(tài)下，將靜電吸著裝置60及邊支持構件50予以去除(步驟230)。如此，可進行與屏蔽30的位置對準，并且將EL材料蒸鍍形成至玻璃基板1(步驟240)。
根據(jù)以上說明的本實施形態(tài)，除了第1實施形態(tài)的上述(1)及(2)的效果，以及第2實施形態(tài)的上述(3)的效果之外，還可獲得以下的效果。
(4)一面透過邊支持構件50支持玻璃基板1的四邊，一面進行該玻璃基板1以及屏蔽30的位置對準。藉此，可更適當?shù)匾种撇ＡЩ?所產(chǎn)生的彎曲。
而且，上述第3實施形態(tài)還可如以下方式變更實施。
·也可在以邊支持構件50支持玻璃基板1的狀態(tài)下，將EL材料蒸鍍形成至該玻璃基板1上。也可在此時并用由靜電吸著支持玻璃基板1。
·有關玻璃基板1的四邊的支持樣態(tài)并不限定于上述邊支持構件50。例如，如圖12所示，也可使用將各邊以等間隔分成3等份的2個等分點予以支持的支持構件。即使因此玻璃基板的邊的長度有變長的情形，也由于將四邊予以支持而可抑制彎曲。再者，四邊的支持樣態(tài)并不限定于圖12所例示者。但是，各邊的支持樣態(tài)最好是形成可保有對稱性。
·此外，不限定于四邊支持，就基板的至少3個以上的邊而言只要將該等各邊予以支持即可。
(其它的實施形態(tài))其它，就與上述各實施形態(tài)共通而可變更的要素而言有以下要素。
·用于多個的顯示面板的屏蔽的配置樣態(tài)并不限定于如圖5所例示的分割成四個屏蔽。只要在變更該屏蔽之際，屏蔽框架的形狀也在可固定屏蔽的樣態(tài)下作適當變更即可。
·并不限定于同時形成多個的顯示面板者。
·而且，屏蔽框架31的構成也不限定于圖5(a)所例示者。
·并不限定于真空蒸鍍法中玻璃基板等的EL組件形成基板與屏蔽的位置對準時玻璃基板所產(chǎn)生的彎曲，本發(fā)明抑制位置對準時基板彎曲的效果在其它方法中也同樣有效。
·利用屏蔽的每一R、G、B的各領域的EL組件的形成并不限定于發(fā)光層的形成。例如就空穴輸送層、電子輸送層、電子注入層而言，欲變更它們在R、G、B上的成膜量時等，可以如上述各實施形態(tài)中的發(fā)光層的形成步驟一般透過屏蔽而形成。因而本發(fā)明也可適用于該時的屏蔽與基板的位置對準。
·本發(fā)明并不限定于主動矩陣方式的EL顯示裝置，也可用單純矩陣方式等任意的EL顯示裝置的制造。
·銷33的配置樣態(tài)并不限定于上述者。只要是可在顯示領域以外的領域支持玻璃基板1的配置即可。此外，也可在屏蔽框架31的保持臺34上形成銷等以代替在屏蔽框架31上設置銷。
·銷33的構成也可不是如上述的可伸縮的構成。此種情形，一面通過該銷33支持玻璃基板1一面進行位置對準與EL材料的蒸鍍形成。
·另外，EL組件材料并不限定于上述實施形態(tài)所例示者，可使用可達成的任意的EL組件材料作為EL顯示裝置。再者，屏蔽等的素材也不限定于上述實施形態(tài)所例示者。
發(fā)明效果根據(jù)權利要求1項的發(fā)明，可在以銷支持基板的狀態(tài)下進行屏蔽與基板的位置對準。因而在該位置對準之際，可抑制基板所產(chǎn)生的彎曲，進而可適當?shù)剡M行位置對準。
根據(jù)權利要求2的發(fā)明，通過在相對于基板面保持對稱性的樣態(tài)下配置銷，可更加抑制基板的彎曲。
根據(jù)權利要求3的發(fā)明，由于銷可朝垂直方向伸縮，因此基板與銷接觸時銷會依基板本身的重量施加在其上的力量大小而收縮。因而，基板與屏蔽的位置對準之際可更適當?shù)匾种苹宓膹澢?br> 根據(jù)權利要求4的發(fā)明，位置對準完成后可使基板下降至屏蔽的位置。
根據(jù)權利要求5的發(fā)明，在通過銷及邊支持機構支持基板的狀態(tài)下進行位置對準，可更加適當?shù)剡M行該位置對準。
根據(jù)權利要求6的發(fā)明，若利用真空蒸鍍法進行電場發(fā)光組件的附著形成，可迅速地進行該蒸鍍形成。
根據(jù)權利要求7的發(fā)明，即使在真空容器內(nèi)也可適當?shù)貙⒒鍙钠渖厦嬗枰灾С帧?br> 此外，上述實施形態(tài)中，所例示的雖是開關晶體管的源極與EL組件的陽極相連接的情形，但也可是源極與陰極相連接的構造。
權利要求
1.一種電場發(fā)光顯示裝置的制造方法，其將基板與配置在該基板下方的屏蔽予以位置對準，且透過前述屏蔽使電場發(fā)光組件材料吸著形成于前述基板而形成顯示裝置的顯示部，其特征在于預先將前述屏蔽固定于保持臺上所配置的屏蔽框架，并且在該等保持臺及屏蔽框架的至少一方先形成用以支持前述基板的多個銷，而在由該銷支持住前述基板的狀態(tài)下進行前述位置對準。
2.如權利要求1所述的電場發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于以相對于前述基板面保持對稱性的狀態(tài)配置前述銷。
3.如權利要求1或2的電場發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于使前述銷可在垂直方向上伸縮。
4.如權利要求3所述的電場發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于使前述銷至少收縮至前述屏蔽的高度，且在前述位置對準完成后使該銷收縮至前述屏蔽的高度。
5.如權利要求1至4任一項所述的電場發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于對于利用前述銷加以支持的基板的3個以上的邊再以邊支持機構支持該等各邊，而在此狀態(tài)下進行前述位置對準。
6.如權利要求1至5任一項所述的電場發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于至少前述位置對準系在真空容器內(nèi)進行。
7.如權利要求6所述的電場發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于在將利用前述銷加以支持的基板上面再以靜電吸著予以支持的狀態(tài)下，進行前述位置對準。
全文摘要
本發(fā)明提供一種透過屏蔽形成電場發(fā)光組件之際，可更適當?shù)剡M行屏蔽與基板的位置對準的電場發(fā)光顯示裝置的制造方法。其中玻璃基板1將構成電場發(fā)光組件的發(fā)光層所蒸鍍形成的面朝垂直下方而插入真空室內(nèi)。該真空室內(nèi)設置有屏蔽30。透過該屏蔽30的開口部而使上述發(fā)光層的材料附著形成在玻璃基板1上，即可附著形成發(fā)光層。在進行該玻璃基板1與屏蔽30的位置對準之際，玻璃基板1由銷33所支持。
文檔編號C23C14/04GK1395452SQ0212516
公開日2003年2月5日 申請日期2002年6月28日 優(yōu)先權日2001年6月29日
發(fā)明者山田努, 西川龍司, 大今進 申請人:三洋電機株式會社