專(zhuān)利名稱(chēng)：Cvd裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及CVD裝置，本發(fā)明特別是涉及CVD裝置，該CVD裝置適合在下述場(chǎng)合，于多個(gè)面上形成膜，在該場(chǎng)合，具有等離子體形成空間與膜形成空間分離開(kāi)的結(jié)構(gòu)，象薄膜晶體管，集成電路等那樣，在襯底上，形成薄膜。
在采用等離子體的襯底處理裝置中，一般，要求提高處理的效率與降低成本。最好，可通過(guò)提高處理效率，在相同的真空容器內(nèi)部，一次性地同時(shí)對(duì)多塊襯底進(jìn)行處理。于是，在過(guò)去，人們提出有在同一真空腔內(nèi)，可同時(shí)進(jìn)行多塊襯底的處理的裝置(JP特開(kāi)昭59-14633號(hào)文獻(xiàn)等)。在這樣的裝置中，通常，在真空腔的中間處，設(shè)置襯底固定件，以襯底固定件為中心，在其兩側(cè)，設(shè)置RF(Radio Frequecy射頻)外加電極。在RF外加電極上，分別連接有另一射頻電源。如果向相應(yīng)的RF外加電極，供給RF功率，則在襯底固定件與相應(yīng)的RF外加電極之間，產(chǎn)生等離子體。由此，薄膜疊置于設(shè)在襯底固定件上的襯底上。
但是，上述等離子體CVD裝置具有下述這樣的缺點(diǎn)。
第1，在相應(yīng)的RF外加電極上，必須要求各自的射頻電源，成本增加。第2，如果在1個(gè)真空容器內(nèi)，同時(shí)使用多個(gè)射頻電源，則產(chǎn)生電磁波的干涉。該電磁波的干涉使放電不穩(wěn)定，或使等離子體產(chǎn)生不均勻。另外，不穩(wěn)定的放電對(duì)膜的特性造成較大的妨礙。在過(guò)去，為了消除該電磁波的干涉，采用調(diào)整相互的電源的頻率，相位的方法。但是，為了通過(guò)這樣的方法，解決電磁波的干涉，故必須要求復(fù)雜的裝置，調(diào)整，另外，成本增加。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，第1項(xiàng)發(fā)明的CVD裝置作為前述的方案，按照下述方式構(gòu)成，該方式為等離子體產(chǎn)生空間按照與設(shè)置有襯底的膜形成空間分離的方式設(shè)置，從在上述等離子體產(chǎn)生空間中產(chǎn)生的等離子體中，將活性類(lèi)等離子體取出到上述膜形成空間中，在上述膜形成空間中，根據(jù)CVD作用，在上述襯底上，形成膜。另外，按照下述方式構(gòu)成，該方式為在真空容器的內(nèi)部，具有由外加電極與接地電極形成的結(jié)構(gòu)體，上述等離子體產(chǎn)生空間設(shè)置于上述結(jié)構(gòu)體的內(nèi)部，從分別不同的方向與上述結(jié)構(gòu)體相對(duì)，并且同時(shí)在按照上述RF外加電極，接地電極，襯底的位置關(guān)系設(shè)置的多個(gè)襯底上，形成膜。
按照上述第1項(xiàng)發(fā)明，由于分離型的，具有等離子體產(chǎn)生空間的CVD裝置按照下述方式構(gòu)成，該方式為在真空容器的內(nèi)部，具有由外加電極與接地電極形成的結(jié)構(gòu)體，等離子體產(chǎn)生空間設(shè)置于結(jié)構(gòu)體的內(nèi)部，從分別不同的方向與上述結(jié)構(gòu)體相對(duì)，并且同時(shí)在按照上述RF外加電極，接地電極，襯底的位置關(guān)系設(shè)置的多個(gè)襯底上，形成膜，故可在接地電極的外側(cè)，制作膜形成區(qū)域，可設(shè)置多個(gè)襯底，在多個(gè)面上形成膜。另外，通過(guò)簡(jiǎn)單的方案，實(shí)現(xiàn)形成電極裝置部的結(jié)構(gòu)體，可使制作成本較低。
第2項(xiàng)發(fā)明的CVD裝置涉及上述的方案，其中，最好，向上述RF外加電極，供給射頻功率的射頻電源的數(shù)量，與上述接地電極，或上述襯底的個(gè)數(shù)不相關(guān)，而為1個(gè)。
按照上述的第2項(xiàng)發(fā)明，由于向上述RF外加電極，供給射頻功率的射頻電源的數(shù)量，與上述接地電極，或上述襯底的個(gè)數(shù)不相關(guān)，而為1個(gè)，故可降低射頻電源所需要的成本，可使膜形成的成本較低。
第3項(xiàng)發(fā)明的CVD裝置涉及上述的方案，其中，最好，上述RF外加電極與接地電極均呈平板狀，在上述RF外加電極的兩側(cè)，按照平行方式設(shè)置上述接地電極，并且在2個(gè)接地電極的相應(yīng)的外側(cè)，按照平行方式設(shè)置上述襯底。
按照上述的第3項(xiàng)發(fā)明，由于上述RF外加電極與接地電極均呈平板狀，在上述RF外加電極的兩側(cè)，按照平行方式設(shè)置上述接地電極，并且在2個(gè)接地電極的相應(yīng)的外側(cè)，按照平行方式設(shè)置上述襯底，故可在2個(gè)面上形成膜。
第4項(xiàng)發(fā)明的CVD裝置涉及上述的方案，其中，最好，上述RF外加電極的整個(gè)外周由上述接地電極圍繞。
第5項(xiàng)發(fā)明的CVD裝置涉及上述的方案，其中，最好，上述RF外加電極和接地電極均呈球形，或多面體形。
第6項(xiàng)發(fā)明的CVD裝置涉及上述的方案，其中，最好，上述RF外加電極和接地電極均呈筒狀。
按照上述第4，第5，第6項(xiàng)發(fā)明，特別是，由于RF外加電極的整個(gè)外周按照3維，或2維尺寸由接地電極圍繞，故可在接地電極的周?chē)鈧?cè)，形成較寬的膜形成區(qū)域，可設(shè)置多塊襯底，在多個(gè)面上，形成膜。
第7項(xiàng)發(fā)明的CVD裝置涉及上述的方案，其中，最好，上述RF外加電極具有將等離子體產(chǎn)生用氣體送入上述等離子體產(chǎn)生空間的結(jié)構(gòu)，并且上述接地電極具有通過(guò)不同的通路，將上述活性類(lèi)等離子體與材料氣體送入上述膜形成空間的結(jié)構(gòu)。
按照上述第7項(xiàng)發(fā)明，由于上述RF外加電極具有將等離子體產(chǎn)生用氣體送入上述等離子體產(chǎn)生空間的結(jié)構(gòu)，并且上述接地電極具有通過(guò)不同的通路，將上述活性類(lèi)等離子體與材料氣體送入上述膜形成空間的結(jié)構(gòu)，故確保形成分離型的具有等離子體產(chǎn)生空間的CVD裝置，基于本發(fā)明的多個(gè)面上的膜的形成適合于這樣的方案的CVD裝置。
下面對(duì)本發(fā)明的CVD裝置的作用進(jìn)行描述。
在本發(fā)明的CVD裝置中，通過(guò)CVD的作用，在襯底的表面上，形成膜。從等離子體產(chǎn)生空間中的等離子體中，僅僅將活性類(lèi)等離子體取出到膜形成空間中，在膜形成空間中，使活性類(lèi)等離子體與材料氣體(SiH4等)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，將膜物質(zhì)疊置于襯底的表面上。等離子體產(chǎn)生空間設(shè)置于下述結(jié)構(gòu)體中，該結(jié)構(gòu)體由位于內(nèi)側(cè)的RF外加電極與位于外側(cè)的接地電極構(gòu)成。此外，在RF外加電極與接地電極之間，形成用于產(chǎn)生等離子體的空間。膜形成空間形成于外側(cè)的接地電極的外側(cè)的區(qū)域，襯底按照與該接地電極相對(duì)的方式，設(shè)置于接地電極的外側(cè)區(qū)域。將所需的射頻功率供給RF外加電極。向RF外加電極供給射頻(RF)的射頻電源的個(gè)數(shù)與接地電極，襯底的數(shù)量無(wú)關(guān)，僅僅為1個(gè)，可通過(guò)簡(jiǎn)單的方案，形成該裝置。另外，由于可通過(guò)一個(gè)射頻電源構(gòu)成，即使在不采用多個(gè)射頻電源的情況下，也可以，故可降低成本。通過(guò)射頻能量，對(duì)送入等離子體形成空間的等離子體形成用氣體，進(jìn)行放電，產(chǎn)生等離子體。
在上面描述中，RF外加電極與接地電極的形式不受到特別地限定。RF外加電極位于接地電極的內(nèi)側(cè)的區(qū)域，在RF外加電極與接地電極之間的空間，產(chǎn)生等離子體，從所產(chǎn)生的等離子體中，取出活性類(lèi)等離子體，通過(guò)形成于接地電極上的通路，將其供給位于接地電極的外側(cè)區(qū)域的膜形成空間。膜形成空間可位于接地電極的外側(cè)，襯底可以任意塊設(shè)置于接地電極的外側(cè)位置，可進(jìn)行膜的形成處理。象這樣，實(shí)現(xiàn)可在多個(gè)面上形成膜的方案。在于多個(gè)面上形成膜時(shí)，襯底按照與接地電極相對(duì)的方式設(shè)置，但是，該設(shè)置位置可通過(guò)選擇不同的方向而任意地確定。
在通常的方案中，RF外加電極與接地電極均呈平板狀，在1個(gè)RF外加電極的兩個(gè)外側(cè)，以平行方式設(shè)置有接地電極，另外，在2個(gè)接地電極的相應(yīng)外側(cè)，以平行方式設(shè)置處理對(duì)象的襯底。通過(guò)該方案，2塊襯底構(gòu)成膜形成對(duì)象。通過(guò)2塊襯底，夾持下述結(jié)構(gòu)體，該結(jié)構(gòu)體按照分離的方式于CVD裝置的腔內(nèi)。RF外加電極與接地電極通過(guò)絕緣體連接，電極以外的部位由絕緣部件圍繞，RF外加電極與接地電極之間的空間除去氣體通路以外而保持在封閉的狀態(tài)。
當(dāng)上述兩個(gè)電極均呈球形，或多面體形時(shí)，內(nèi)側(cè)的RF外加電極位于外側(cè)的接地電極的內(nèi)部空間，其整個(gè)外周由接地電極圍繞。接地電極的外側(cè)周?chē)赏耆米髂ば纬蓞^(qū)域，可將膜疊置于多塊襯底的表面上。
當(dāng)上述兩個(gè)電極均呈筒狀時(shí)，RF外加電極的整個(gè)外周由接地電極圍繞。上述筒狀可采用比如，圓筒狀，或方形筒狀。筒狀的RF外加電極與接地電極的兩個(gè)端部通過(guò)絕緣部件連接。按照上述方案，在筒狀的接地電極的外側(cè)周?chē)O(shè)置多塊膜形成對(duì)象的襯底。
在上述各方案中，RF外加電極具有將等離子體形成用氣體送入等離子體形成空間的結(jié)構(gòu)，并且接地電極具有通過(guò)不同的通路，將活性類(lèi)等離子體與材料氣體送入膜形成空間的結(jié)構(gòu)。在形成于RF外加電極與接地電極之間的等離子體形成空間，用于產(chǎn)生等離子體的氣體(N2，H2，O2等)利用RF外加電極的內(nèi)部，并且通過(guò)形成于接地電極中的氣體通路而供給。另外，為了在形成于接地電極的外側(cè)的膜形成空間中，形成CVD的環(huán)境，接地電極具有將等離子體中的活性類(lèi)等離子體擴(kuò)散于膜形成空間的孔，以及用于供給材料氣體(SiH4等)的結(jié)構(gòu)。將活性類(lèi)等離子體與材料氣體供給到膜形成空間的接地電極按照下述方式構(gòu)成，該方式為活性類(lèi)等離子體與材料氣體僅僅在膜形成空間內(nèi)反應(yīng)，在襯底表面上，疊置膜，在膜形成空間以外的部位，不反應(yīng)。


圖1為以示意方式表示本發(fā)明的CVD裝置的有代表性的實(shí)施例的主要部分的縱向剖視圖；圖2為圖1所示的組成的平面圖；圖3為本發(fā)明的CVD裝置的另一實(shí)施例的主要部分的剖視圖；圖4為圖3所示的實(shí)施例的主要部分的平面圖；圖5為以示意方式表示本發(fā)明的CVD裝置的還一實(shí)施例的縱向剖視圖。
下面根據(jù)附圖，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行描述。
圖1和圖2表示本發(fā)明的CVD裝置的有代表性的實(shí)施例。另外，在圖中，真空容器本身的圖示省略。真空容器內(nèi)部保持在所需的真空狀態(tài)。使真空容器的內(nèi)部處于真空狀態(tài)的排氣機(jī)構(gòu)的圖示也省略。本實(shí)施例的CVD裝置為形成雙面(兩面)膜用的裝置。等離子體產(chǎn)生用結(jié)構(gòu)體11主要由1個(gè)RF外加電極12和2個(gè)接地電極13構(gòu)成。RF外加電極12與接地電極13具有平板狀的形式，其按照從兩側(cè)，通過(guò)接地電極13夾持RF外加電極12的方式，并且以相互平行的方式相對(duì)地設(shè)置。RF外加電極12與接地電極13之間的靠近自己一側(cè)與相對(duì)側(cè)的側(cè)面部，以及頂端部和底端部通過(guò)絕緣部件14連接。由此，在RF外加電極12和各接地電極13之間，形成空間15。該空間15為等離子體產(chǎn)生空間，在對(duì)作為放電電極的RF外加電極12，外加射頻功率的場(chǎng)合，在該空間，產(chǎn)生放電，等離子體形成(在下面稱(chēng)為“放電空間15”)。在位于兩側(cè)的2個(gè)接地電極13中的與RF外加電極12相反側(cè)的中空容器內(nèi)部，設(shè)置于保持在接地電極的襯底固定件16。在該襯底固定件16中的與結(jié)構(gòu)體11相對(duì)的面上，安裝有襯底17。薄膜疊置于襯底17的表面上。
平板狀的RF外加電極12具有一定的厚度，在其內(nèi)部，形成有使等離子體產(chǎn)生用氣體通過(guò)的氣體通路12a。從氣體供給管18，向該等離子體產(chǎn)生用氣體通路12a，供給等離子體的產(chǎn)生用的等離子體產(chǎn)生用氣體(N2，H2，O2等)。另外，在RF外加電極12中的與接地電極13相對(duì)的壁部分上，形成有多個(gè)氣體吹出孔19。從氣體供給管18，進(jìn)入等離子體產(chǎn)生用氣體通路12a的等離子體產(chǎn)生用氣體象箭頭20所示的那樣，通過(guò)氣體吹出孔19，送入放電空間15。另外，在平板狀的接地電極13上，形成有作為活性類(lèi)等離子體供給孔26，該孔26用于象箭頭25那樣，從等離子體中，將活性類(lèi)等離子體送入膜形成空間21，該等離子體是在用于在其內(nèi)部，象箭頭22那樣，將材料氣體(SiH4等)送入膜形成空間21中的多個(gè)材料氣體通路23和材料氣體供給孔24與放電空間15中產(chǎn)生的。另外，由于在接地電極13上，用于將材料氣體送入膜形成空間21的材料氣體通路23，以及用于將活性類(lèi)等離子體送入膜形成空間21的活性類(lèi)等離子體供給孔26在結(jié)構(gòu)上，是分離的，故在膜形成空間21中，最初，材料氣體與活性類(lèi)等離子體反應(yīng)。
在上述方案中，標(biāo)號(hào)27表示射頻電源(RF)。該射頻電源27與RF外加電極12連接。另外，2個(gè)接地電極13和2個(gè)襯底固定件16分別接地。在RF外加電極12與其兩側(cè)的接地電極13之間，分別同時(shí)地外加從單一的射頻電源27供給的射頻的電壓。
如果采用上述實(shí)施例，則CVD裝置的真空容器的全部空間通過(guò)圖中未示出的排氣機(jī)構(gòu)，保持在所需的真空狀態(tài)。在該狀態(tài)，在放電空間15，通過(guò)RF外加電極12內(nèi)部，送入材料氣體，并且在該RF外加電極12與兩側(cè)的接地電極13之間，從射頻電源27，供給射頻電壓，此時(shí)，在放電空間15中，產(chǎn)生放電，產(chǎn)生等離子體。在放電空間15中產(chǎn)生的等離子體中包含的活性類(lèi)等離子體，通過(guò)形成于接地電極13上的活性類(lèi)等離子體供給孔26，在膜形成空間21中擴(kuò)散。另外，由于在2個(gè)接地電極13的每個(gè)電極中，具有使材料氣體通過(guò)的材料氣體通路23和材料氣體供給孔24，故通過(guò)這些結(jié)構(gòu)，將材料氣體送入膜形成空間21中。送入到膜形成空間21中的材料氣體與活性類(lèi)等離子體產(chǎn)生反應(yīng)，根據(jù)CVD的作用，膜疊置于襯底17的表面上。
象根據(jù)前述的實(shí)施例知道的那樣，在本實(shí)施例的CVD裝置中，在將放電空間15與膜形成空間21分離的方案中，上述放電空間15可由下述結(jié)構(gòu)體實(shí)現(xiàn)，該結(jié)構(gòu)體由平板狀的1個(gè)RF外加電極12與位于其兩側(cè)的2個(gè)接地電極13組成，可在各接地電極13中的，和與RF外加電極12相對(duì)的面相對(duì)一側(cè)的空間中，形成膜形成空間21，可同時(shí)在真空容器內(nèi)部的2塊襯底17的相應(yīng)表面上，形成膜。此外，由于可采用單一射頻電源27，在RF外加電源12與2個(gè)接地電源13的每個(gè)電源13之間，外加射頻電壓，故可減小膜形成裝置的制作成本。
下面參照?qǐng)D3和圖4，對(duì)本發(fā)明的另一實(shí)施例進(jìn)行描述。按照本實(shí)施例，在CVD裝置中，可進(jìn)行2個(gè)面以上的多個(gè)面上的膜的成形。在圖3中，在前述的實(shí)施例中描述的同一部件采用同一標(biāo)號(hào)。在本實(shí)施例中，形成在與膜形成空間30分離的等離子體產(chǎn)生空間的結(jié)構(gòu)體31中，RF外加電極32與接地外側(cè)電極33按照均呈圓筒狀的方式形成。上述RF外加電極32位于接觸電極33的內(nèi)側(cè)空間，圓筒狀的RF外加電極32與接地電極33象圖4所示的那樣，設(shè)置于同心圓的位置。圓筒形的RF外加電極32的整個(gè)圓周由圓筒形的接地電極33圍繞。供給設(shè)置于RF外加電極32的內(nèi)部的等離子體產(chǎn)生用氣體的結(jié)構(gòu)(氣體通路32a)，以及將該等離子體產(chǎn)生用氣體送入放電空間34中的氣體吹出孔19的結(jié)構(gòu)，與前述的實(shí)施例相同。另外，接地電極33中的，將等離子體中的活性類(lèi)等離子體送入膜形成空間的結(jié)構(gòu)，以及使等離子體產(chǎn)生用氣體通過(guò)，并且借助氣體吹出孔19，將該氣體送入放電空間34的結(jié)構(gòu)，與前述的實(shí)施例相同。另外，RF外加電極32與接地電極33的兩端部分別通過(guò)絕緣部件35連接，RF外加電極32與接地電極33之間的放電空間34形成等離子體產(chǎn)生空間。在RF外加電極32與接地電極33之間，通過(guò)射頻電源27而外加射頻功率的方案，在接地電極33的外側(cè)，設(shè)置襯底，形成膜形成空間的方案與前述的實(shí)施例的場(chǎng)合相同。形成膜形成空間的真空容器的圖示省略。通過(guò)以上的方案，在圓筒形的RF施加電極32，以及其周?chē)慕拥仉姌O33之間，產(chǎn)生等離子體，將活性類(lèi)等離子體與材料氣體送入形成于接地電極33的外側(cè)周?chē)哪ば纬煽臻g，在多個(gè)襯底的多個(gè)面上，形成膜。
在具有上述方案的CVD裝置中，與膜形成空間分離的等離子體產(chǎn)生空間，形成于均呈圓筒形的RF外加電極32與接地電極33之間，在接地電極33的外側(cè)周?chē)?，形成膜形成空間，即，用于通過(guò)CVD作用，進(jìn)行膜的成形的區(qū)域。作為膜形成對(duì)象的襯底可象圖4中的虛線36所示的那樣，設(shè)置于接地電極33的周?chē)臻g的任意的部位，由此，可獲得在接地電極33的周?chē)鷶U(kuò)大的膜形成區(qū)域，這樣，可在多個(gè)襯底上，進(jìn)行多個(gè)面的膜的成形。
在上述的實(shí)施例中，RF外加電極32和接地電極33呈圓筒狀，但是并不限于此。它們既可呈筒形，也呈比如，方筒狀。
下面參照?qǐng)D5，對(duì)本發(fā)明的還一實(shí)施例進(jìn)行描述。如果本實(shí)施例，在CVD裝置中，可進(jìn)行2個(gè)面以上的多個(gè)面的膜的成形。在圖中，在與前述的實(shí)施例中描述的部件同一的部件采用同一標(biāo)號(hào)。在本實(shí)施例中，形成與膜形成空間分離的等離子體產(chǎn)生空間的結(jié)構(gòu)體41中的RF外加電極42與接地電極43按照均呈球形的方式形成。上述RF外加電極42位于接地電極43的內(nèi)部空間，球形的RF外加電極42與接地電極43按照中心位置保持一致，以同心球的結(jié)構(gòu)的方式設(shè)置。由此，球形的RF外加電極42的整個(gè)外周由球形的接觸電極43圍繞。供給設(shè)置于RF外加電極42的內(nèi)部的等離子體產(chǎn)生用氣體的結(jié)構(gòu)，以及將該等離子體產(chǎn)生用氣體送入等離子體產(chǎn)生空間44的氣體吹出孔的結(jié)構(gòu)，與前述的實(shí)施例相同。此外，接地電極43內(nèi)部的，將等離子體中的活性類(lèi)等離子體送入膜形成空間的結(jié)構(gòu)，以及使等離子體產(chǎn)生用氣體通過(guò)，并且借助氣體吹出孔，將該氣體送入膜形成空間45的結(jié)構(gòu)，與前述的實(shí)施例相同。標(biāo)號(hào)46表示形成CVD裝置的真空容器，該真空容器46也呈球形。在RF外加電極42與接地電極43之間，通過(guò)射頻電源27而外加射頻電壓的方案，在接地電極43的外側(cè)，設(shè)置襯底，形成膜形成空間的方案與前述的實(shí)施例的場(chǎng)合相同。通過(guò)以上的方案，在球形的RF施加電極42，以及其周?chē)慕拥仉姌O43之間，產(chǎn)生等離子體，將活性類(lèi)等離子體與材料氣體送入形成于接地電極43的外側(cè)周?chē)哪ば纬煽臻g，在圖中未示出的多個(gè)襯底的多個(gè)面上，形成膜。
在具有上述方案的CVD裝置中，與膜形成空間分離的等離子體產(chǎn)生空間，形成于均呈圓筒形的RF外加電極42與接地電極43之間，在接地電極33的外側(cè)周?chē)?，形成膜形成空間45，即，用于通過(guò)CVD作用，進(jìn)行膜的成形的區(qū)域。作為膜形成對(duì)象的襯底可設(shè)置于接地電極43的外側(cè)周?chē)娜S空間的任意的部位，由此，可獲得在接地電極33的周?chē)鷶U(kuò)大的膜形成區(qū)域，這樣，可在多個(gè)襯底上，進(jìn)行多個(gè)面的膜的成形。
在上述實(shí)施例中，RF外加電極42和接地電極43均呈球形，但是并不限于此，其也可為，比如，多面體形狀。
基于上述CVD裝置的多個(gè)面上的膜的形成適合于比如，移動(dòng)膜的形成，可容易在大面積的玻璃襯底，卷狀的薄膜上，疊置膜。
權(quán)利要求
1.一種CVD裝置，在該CVD裝置中，等離子體產(chǎn)生空間按照與設(shè)置有襯底的膜形成空間分離的方式設(shè)置，從在上述等離子體產(chǎn)生空間中產(chǎn)生的等離子體中，將活性類(lèi)等離子體取出到上述膜形成空間中，在上述膜形成空間中，根據(jù)CVD作用，在上述襯底上，形成膜，其特征在于在真空容器的內(nèi)部，具有由外加電極與接地電極形成的結(jié)構(gòu)體，上述等離子體產(chǎn)生空間設(shè)置于上述結(jié)構(gòu)體的內(nèi)部，從分別不同的方向與上述結(jié)構(gòu)體相對(duì)，并且同時(shí)在按照上述RF外加電極，接地電極，襯底的位置關(guān)系設(shè)置的多個(gè)襯底上，形成膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CVD裝置，其特征在于向上述RF外加電極，供給射頻功率的射頻電源的數(shù)量，與上述接地電極，或上述襯底的個(gè)數(shù)不相關(guān)，而為1個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的CVD裝置，其特征在于上述RF外加電極與接地電極均呈平板狀，在上述RF外加電極的兩側(cè)，按照平行方式設(shè)置上述接地電極，并且在2個(gè)接地電極的相應(yīng)的外側(cè)，按照平行方式設(shè)置上述襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CVD裝置，其特征在于上述RF外加電極的整個(gè)外周由上述接地電極圍繞。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的CVD裝置，其特征在于上述RF外加電極和接地電極均呈球形，或多面體形。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的CVD裝置，其特征在于上述RF外加電極和接地電極均呈筒狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任何一項(xiàng)所述的CVD裝置，其特征在于上述RF外加電極具有將等離子體產(chǎn)生用氣體送入上述等離子體產(chǎn)生空間的結(jié)構(gòu)，并且上述接地電極具有通過(guò)不同的通路，將上述活性類(lèi)等離子體與材料氣體送入上述膜形成空間的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
CVD裝置具有與膜形成空間分離的等離子體產(chǎn)生空間，將活性類(lèi)等離子體，從等離子體中取出，在膜形成空間中，根據(jù)CVD作用，在襯底上形成膜，另外，具有由RF外加電極和接地電極構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體。等離子體產(chǎn)生空間設(shè)置于上述兩個(gè)電極之間，并且RF外加電極由接地電極包圍。在從分別不同的方向與上述結(jié)構(gòu)體相對(duì)，并且按照RF外加電極，接地電極，襯底的位置關(guān)系設(shè)置的多個(gè)襯底上，同時(shí)地形成膜。向RF外加電極供給RF功率的射頻電源的數(shù)量與接地電極，或襯底的個(gè)數(shù)無(wú)關(guān)，而為1個(gè)。如果采用該CVD裝置，采用分離型等離子體產(chǎn)生空間，將活性類(lèi)等離子體供給到膜形成空間，可在多個(gè)面上形成膜，使在多個(gè)面上形成膜時(shí)的成本降低，使裝置的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化。
文檔編號(hào)C23C16/50GK1421543SQ02153329
公開(kāi)日2003年6月4日 申請(qǐng)日期2002年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月26日
發(fā)明者佐藤正律 申請(qǐng)人:安內(nèi)華股份有限公司