專利名稱：一種表面處理源的制作方法
技術領域：
本發(fā)明為一種表面處理源，應用于物體表面鍍膜時的一種輔助機構，本發(fā)明不能起到表面鍍膜的作用，而是在表面鍍膜的工作源工作的同時，對工作源產生的物質進行離子化處理，使其形成離子化與常態(tài)的混合體。
二、技術背景在物體表面進行鍍膜時，按離子化程度來分類，可分為離子鍍膜和非離子鍍膜。在離子鍍膜時，離化率非常高，在物體表面形成的膜層致密性能好，但是缺點在于想制造的膜層的材料必須是導電材料，而且由導電材料離子化再化合為化合物的過程中，化合并不徹底，常常形成多種化合價的混合物，導致生產的產品的性能不完全確定，即可用于生產，但成品的合格率不高；非離子鍍膜時，鍍膜的材料不一定為導電材料，經常是化合物，由化合物本身鍍?yōu)橥N類的化合物，應該是容易達到膜層的化合態(tài)的，但在實際工作中，由于在表面鍍膜中所用物質很難做到完全均勻一致，而且化合態(tài)的能量是比較低的，導致形成表面膜層時，不是理論上的膜層性能，膜層的結合力也相對比較低。
三、發(fā)明的目的由此引出了本發(fā)明的目的，表面鍍膜時，使用的材料最好為膜層同種類的材料，而且在物體表面形成膜層時，能量相對要高一些，這樣膜層的結合力會大一些。采取的理論上的方法是，在工作源的基礎上再增加一個輔助源，使膜層的材料由基本材料，鍍制為膜層材料的過程中，經過這個輔助源工作區(qū)，使形成膜層的材料部分離化，物質化合價中低價的變?yōu)楦邇r的，同時部分物質由化合物變?yōu)殡x子化，增加形成膜層時的能量，這樣膜層的結合力就會大一些。
四、發(fā)明的技術方案本發(fā)明的技術方案是表面處理源獨立設置一個陽極，這個陽極不是表面鍍膜時鍍膜源，也不是放置被鍍工件的托盤。本發(fā)明的表面處理源工作時，陰極(陰離子裝置)與所設置的陽極之間是由離子導通的，也就是陰極與該陽極之間為本發(fā)明的表面處理源工作區(qū)，這樣鍍膜時，鍍膜源的材料鍍到被鍍工件的過程中，經過本發(fā)明的表面處理源的陰極同陽極之間的工作區(qū)時，產生離化。
五、同現(xiàn)有技術的比較同現(xiàn)有技術比較，在工件表面鍍制膜層時，陽極設置的位置是不同的。
在前面說明書講述的離子鍍膜時，通常采用電弧源或濺射源時，陽極為需要鍍制的材料，同時工件托盤要加正電壓；非離子鍍膜，采用離子源輔助時，陽極同離子源設計在一起，同時在工件托架上施加的正電壓相當于陽極的十分之一電壓左右，離子源的離子大部分在陰極同陽極之間，一少部分由于工件托架上正電壓的吸引跑到陰陽極之外，跑出來的離子可以對鍍膜起到輔助作用，但有效的部分也就是跑出來的部分，相對較少，原因是工件托架上的電壓很低，等于離子源的工作能力大部分被浪費了，是無效功。如果提高工件托架上的電壓又會帶來其他問題，在此不再詳述。
六

附圖表示了前面講述的工作源(即圖中蒸鍍源)與工件托盤和本發(fā)明的表面處理源的陰極(即圖中陰離子裝置)與陽極之間的位置關系。
七具體實施例方式
本發(fā)明的表面處理源在實際使用中，作為一種輔助裝置，可以在表面鍍制膜層的沒備中，方便的安置，而不需要對其原有的部件工作性能進行改變，這樣就方便了本發(fā)明的推廣應用，位置可參照附圖所示，也可根據(jù)已有設備的實際空間位置，按照本說明的方法即鍍膜時，鍍膜源的材料鍍到被鍍工件的過程中，必須經過本發(fā)明的表面處理源的陰極(陰離子裝置)同陽極之間的工作區(qū)。
除了這個獨立設置的陽極，必須設置外，也可以設置輔助陽極。在被鍍工件托盤上，不需要加電位。
權利要求
1一種表面處理源，含有陰極陽極，其特征在于獨立設置一個陽極。
2根據(jù)權利要求1的表面處理源，其特征為這個陽極不是表面鍍膜時鍍膜源，也不是放置被鍍工件的托盤，鍍膜時，鍍膜源的材料鍍到被鍍工件的過程中，經過這個表面處理源的陰極同陽極之間的工作區(qū)，而且鍍膜源與這個表面處理源的陰極或陽極沒有電位關系，被鍍工件也與這個表面處理源的陰極或陽極沒有電位關系。
全文摘要
一種表面處理源，應用于物體表面鍍膜時的一種輔助機構?？梢栽黾有纬赡訒r的能量，增大膜層的結合力，方法是獨立設置一個陽極。
文檔編號C23C16/503GK1438357SQ02157368
公開日2003年8月27日 申請日期2002年12月23日 優(yōu)先權日2002年2月10日
發(fā)明者馬翌軍 申請人:馬翌軍