專利名稱：：基于原位傳感器的半導(dǎo)體處理工序控制的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是關(guān)于一般半導(dǎo)體制造的。本發(fā)明尤其是關(guān)于在制造工藝中，通過使用原位傳感器(insitusensor)控制制法參數(shù)(recipeparameter)來控制半導(dǎo)體處理的技術(shù)的。
背景技術(shù)：
：在集成電路制造中，一般會在單一的半導(dǎo)體晶片上同時構(gòu)建多個集成電路。然后，該晶片將經(jīng)歷把單個集成電路從該晶片分離(例如抽取)的分離工藝(singulationprocess)。在某些制造階段，常常需要拋光半導(dǎo)體晶片的表面。一般而言，拋光半導(dǎo)體晶片是為去除高形貌、如晶格損傷等的表面缺陷、劃痕、粗糙或嵌入的污垢或灰塵微粒。這種拋光工藝通常稱為機(jī)械拋光(MP)，并被用于提高半導(dǎo)體裝置的質(zhì)量和可靠性。這種工藝通常在所述晶片上制造各種器件和集成電路期間進(jìn)行。該拋光工藝還包括引入化學(xué)拋光液(slurry)以使在半導(dǎo)體表面薄膜之間的去除速率(removalrate)和選擇性更高。這種拋光工藝通常稱之為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。該拋光工藝中遇到的一個問題就是半導(dǎo)體表面的非均勻去除。去除速率直接與施加在該晶片上的向下壓力、該臺板和該晶片的旋轉(zhuǎn)速度、拋光液微粒密度和尺寸、拋光液成分和在該拋光墊和該晶片表面之間的該有效接觸面積成正比。由該拋光臺板引起的去除還與在臺板上的該徑向位置有關(guān)。同樣，由于許多其它原因包括邊緣效應(yīng)、空轉(zhuǎn)及消耗裝置等，去除速率在該整個晶片上也是不同的。常規(guī)拋光工藝的另一個問題是難于去除已經(jīng)涂鍍在該半導(dǎo)體晶片上的非均勻膜或?qū)?。在集成電路制造期間，以不均勻的方式沉積或生長的特定層或膜產(chǎn)生了不均勻的表面，該表面隨后將被拋光。這種層或膜的厚度可能非常小(在0.5至5.0微米的量級)，因此，可去除的非均勻的余量很小。當(dāng)試圖拋光該半導(dǎo)體晶片上的翹曲表面時產(chǎn)生了相似的問題。在制造集成電路期間，當(dāng)晶片經(jīng)受各種熱循環(huán)時可能發(fā)生翹曲。此翹曲的結(jié)果是該半導(dǎo)體表面具有高低區(qū)域，因此該高的區(qū)域?qū)⒈仍摰偷膮^(qū)域拋光程度大。這些拋光問題產(chǎn)生的結(jié)果是同一半導(dǎo)體晶片的各個區(qū)表現(xiàn)出不同的拋光速度。例如，一個區(qū)的拋光速度可以比其它區(qū)的高許多，這使得在高速度區(qū)去除的材料太多或者在低速度區(qū)去除的材料太少。與拋光半導(dǎo)體晶片關(guān)聯(lián)產(chǎn)生的一個綜合問題就是當(dāng)上述固有拋光問題發(fā)生時，難于監(jiān)控拋光條件以檢測和矯正它們。在拋光工藝開始之前通常對該晶片進(jìn)行多個預(yù)拋光測量，并接著對其進(jìn)行多個相似的后拋光測量以確定該拋光工藝是否產(chǎn)生所需要的形貌、厚度和均勻性。但是，這些預(yù)拋光和后拋光測量都是勞動密集型的工作，會導(dǎo)致產(chǎn)出低。傳統(tǒng)技術(shù)以能實時控制拋光工藝著稱。在這些技術(shù)中，通過原位傳感器來實時收集拋光數(shù)據(jù)。在該晶片拋光過程中，該數(shù)據(jù)被用來調(diào)整由敷料器(applicator)施加的壓力。但是，這些技術(shù)不能利用該數(shù)據(jù)來修改拋光晶片時間長短，以控制在該晶片上的晶片內(nèi)均勻性。同樣，它們不能把由該原位傳感器收集的該數(shù)據(jù)與其它信息結(jié)合。而且，使用這些技術(shù)得到的數(shù)據(jù)只用在單個拋光過程中，特別是僅用作當(dāng)拋光過程應(yīng)當(dāng)停止時的指示，而不是用在細(xì)調(diào)(finetuning)該拋光工藝或用在后續(xù)晶片的該拋光過程中。結(jié)果，提供的控制水平仍不是最佳的。因此，需要處理這些晶片的更有效的技術(shù)。發(fā)明概述本發(fā)明通過利用由原位傳感器(即在處理期間能夠收集數(shù)據(jù)的傳感器)收集的數(shù)據(jù)，在半導(dǎo)體處理設(shè)備中控制晶片的性能，從而解決了所述上述問題。在本發(fā)明的至少一些實施例中，在按照晶片制法參數(shù)執(zhí)行工藝的過程中，收集與晶片性能有關(guān)的數(shù)據(jù)。這樣，通過修改該制法參數(shù)來調(diào)整該工藝，該制法參數(shù)按照由原位傳感器收集的與該晶片性能有關(guān)的該數(shù)據(jù)和由用于預(yù)測晶片產(chǎn)出的工藝模型預(yù)測結(jié)果之間的該比較結(jié)果來修改。然后，利用由該原位傳感器收集的該數(shù)據(jù)由該設(shè)備執(zhí)行后續(xù)工藝。在本發(fā)明的至少一些實施例中，需要控制的該晶片性能包括晶片厚度。在這些實例中，所述設(shè)備可包括多個拋光臺(polishingstation)，其帶有可控制拋光參數(shù)例如拋光時間的裝置，為更好控制和更準(zhǔn)確地執(zhí)行該工藝過程中，來自所述的每個原位傳感器的數(shù)據(jù)可被發(fā)送到控制系統(tǒng)。而且，在本發(fā)明的至少一些實施例中，用于該晶片模型的輸入數(shù)據(jù)可以由原位、在線(inline)或上游設(shè)備傳感器中的任何傳感器收集。這樣，在用于該模型以生成制法參數(shù)之前，來自所述傳感器收集的數(shù)據(jù)組合可以結(jié)合起來。而且，由該在線或上游設(shè)備傳感器收集的數(shù)據(jù)可以被用來校準(zhǔn)該原位傳感器。附圖簡介參照本發(fā)明的如下詳細(xì)說明并結(jié)合附圖，可以更全面地了解，同樣也將更容易地理解本發(fā)明的多個對象、特征和優(yōu)點(diǎn)，其中圖1是化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備的至少一個實例的透視圖；圖2描述了可與圖1的CMP設(shè)備結(jié)合使用的控制系統(tǒng)的框圖；圖3顯示可由圖1的該CMP設(shè)備20執(zhí)行的多個參數(shù)曲線的至少一些實例；圖4描述了可由控制本發(fā)明的制造工藝執(zhí)行的至少一個工藝實例；圖5描述了按照本發(fā)明的原理的可用于最優(yōu)化制法參數(shù)的建模工藝的至少一個實例；圖6描述了可由控制本發(fā)明的制造工藝執(zhí)行的至少一個工藝實例；圖7描述試圖作為本發(fā)明實施例的一部分和與至少一些實施例一起使用的計算裝置方案的高級框圖；及圖8顯示本發(fā)明至少一些實施例的可用于存儲計算機(jī)執(zhí)行工藝的內(nèi)存介質(zhì)的一個實例。具體實施例方式按照本發(fā)明的至少一些實施例，本發(fā)明提供了在半導(dǎo)體處理設(shè)備中，利用從原位傳感器收集的數(shù)據(jù)控制晶片性能的技術(shù)。尤其是，在本發(fā)明的至少一些實施例中，在制造或最優(yōu)化后續(xù)工藝的其它的相似工藝過程中，試圖使用來自原位傳感器收集的數(shù)據(jù)。在這種情況下，本發(fā)明的至少一些實施例的技術(shù)試圖使用這些信息與后續(xù)晶片的該處理結(jié)合。圖1描述了可用于執(zhí)行本發(fā)明的至少一些方案的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備20的至少一個實例?，F(xiàn)在參照圖1，該CMP設(shè)備20包括下機(jī)械基座22，該基座上安裝有臺面(tabletop)23和可移動的上外蓋(upperoutercover未示出)。臺面23支撐多個拋光臺(polishingstation)25和用于裝載和卸載該基片(例如晶片)10的傳送臺(transferstation)27。該傳送臺與三個拋光臺可以形成大體正方形的分布。每個拋光臺包括其上放置拋光墊(polishingpad)32的可旋轉(zhuǎn)臺板(platen)30。如果基片10是直徑為8英寸(200毫米)或12英寸(300毫米)的圓盤，那么臺板30和拋光墊32的直徑將分別約為20或30英寸。臺板30可以連接到位于機(jī)械基座22內(nèi)的臺板驅(qū)動馬達(dá)(platendrivemotor未顯示)。對于大多數(shù)拋光處理，該臺板驅(qū)動馬達(dá)以每分鐘30到200轉(zhuǎn)的速度轉(zhuǎn)動臺板30，雖然也可以用較低或較高的旋轉(zhuǎn)速度。每個拋光臺25還可以包括相關(guān)的墊調(diào)節(jié)裝置(padconditionerapparatus)40以維持該拋光墊的該磨蝕條件。通過組合的拋光液(slurry)/沖洗臂(rinsearm)52向拋光墊32的表面施加包含反應(yīng)劑(例如用于氧化物拋光的去離子水)和化學(xué)反應(yīng)催化劑(例如用于氧化物拋光的氫氧化鉀)的拋光液50。如果拋光墊32是標(biāo)準(zhǔn)墊，拋光液50還可以包括磨蝕顆粒(例如用于氧化物拋光的二氧化硅)。典型地，用充足的拋光液覆蓋和沾濕整個拋光墊32。拋光液/沖洗臂52包括幾個噴嘴(未顯示)，在每次拋光和調(diào)節(jié)(conditioning)周期結(jié)束時，對拋光墊32提供高壓沖洗。包括轉(zhuǎn)盤支撐板(carouselsupportplaten)66和蓋68的可旋轉(zhuǎn)多頭轉(zhuǎn)盤(multi-headcarousel)60位于下機(jī)械基座22的上方。轉(zhuǎn)盤支撐板66由中心柱(centerpost)62支撐，并由組裝在機(jī)械基座22內(nèi)的轉(zhuǎn)盤馬達(dá)驅(qū)動其繞轉(zhuǎn)盤軸(carouselaxis)64旋轉(zhuǎn)。多頭轉(zhuǎn)盤60包括四個載頭(carrierhead)系統(tǒng)70，其被相對于軸64以等角間隔安裝在轉(zhuǎn)盤支撐板66上。其中的三個該載頭系統(tǒng)接收和固定基片并通過把這些基片壓在拋光臺25的該拋光墊上進(jìn)行拋光。其中的一個該載頭系統(tǒng)從傳送臺27接收基片并把該基片傳送到傳送臺27。該轉(zhuǎn)盤馬達(dá)可以環(huán)繞其上安裝有該基片的該載頭系統(tǒng)，相對于在該拋光臺和傳送臺之間的轉(zhuǎn)盤軸64旋轉(zhuǎn)。每個載頭系統(tǒng)包括拋光或載頭100。每個載頭100相對其自身軸獨(dú)立地旋轉(zhuǎn)，并沿在轉(zhuǎn)盤支撐板66中形成的徑槽(radialslot)72獨(dú)立地橫向擺動。載體驅(qū)動桿(carrierdriveshaft)74從槽72穿過以將載頭旋轉(zhuǎn)馬達(dá)76(通過除去蓋68的四分之一可見)與載頭100連接起來。每個頭有一個載體驅(qū)動桿和馬達(dá)。每個馬達(dá)和驅(qū)動桿可由滑板(slider未顯示)支撐，該滑板可由徑向驅(qū)動馬達(dá)沿著該槽方向線性驅(qū)動，以橫向擺動該載頭。在實際拋光過程中，三個該載頭被放置在三個該拋光臺上或其上方。每個載頭100降下基片與拋光墊32接觸。一般地，載頭100把該基片固定在對著該拋光墊的位置并沿該基片的該背面分布力。該載頭還把來自該驅(qū)動桿的扭矩傳送到該基片。在美國專利6159079中有相似設(shè)備的介紹，現(xiàn)將其全部的公開內(nèi)容收編在此以供參考。例如CMP設(shè)備的一個商業(yè)實施例可能是由美國加利福尼亞州圣克拉拉市的應(yīng)用材料有限公司提供的多個處理臺或設(shè)備的任何設(shè)備，例如包括任意數(shù)量的CMP設(shè)備的MirramesaTM和RefexionTM線。而且，當(dāng)圖1描述的所述設(shè)備用于執(zhí)行該拋光工藝并包括任意拋光臺時，應(yīng)該理解本發(fā)明的原理可以與各種其它類型的半導(dǎo)體制造工藝和處理裝置(processingresource)例如非CMP設(shè)備、刻蝕設(shè)備、沉積設(shè)備及電鍍設(shè)備等結(jié)合使用。處理裝置的其它實例包括拋光臺、室和/或電鍍槽等裝置。圖2描述了可用于控制CMP設(shè)備20(例如控制該設(shè)備的各個拋光方面)的控制系統(tǒng)的框圖。尤其是，可以實時使用原位傳感器210測量在執(zhí)行制造工藝之前、期間和之后的一個或多個晶片的性能(盡管在本發(fā)明的至少一些實施例中特別關(guān)注執(zhí)行過程中的測量)。作為一個例子，原位傳感器210包括晶片厚度測量設(shè)備，用于測量在拋光期間的晶片面的形貌。例如，原位傳感器210以激光干涉測量(laserinterferometermeasuring)設(shè)備的形式實施測量，為了達(dá)到測量目的，應(yīng)用了光波干涉。適合于與本發(fā)明結(jié)合使用的原位傳感器的一個例子包括由美國加利福尼亞州圣克拉拉市的應(yīng)用材料有限公司提供的原位去除監(jiān)控儀(InSituRemovalMonitor)。同樣，原位傳感器210可包括測量電容變化的設(shè)備、測量摩擦變化的設(shè)備及測量波傳播(當(dāng)在拋光期間去除膜和層時)的聲波機(jī)構(gòu)(acousticmechanism)，所有這些都可用于實時檢測厚度。而且，應(yīng)注意到本發(fā)明的至少一些實施例試圖使用能夠測量氧化層和銅層的原位傳感器。本發(fā)明的至少一些實施例設(shè)計的晶片性能測量設(shè)備的另一些例子包括總臨界尺寸(CD臨界尺寸)測量設(shè)備和能夠執(zhí)行對凹陷、腐蝕和殘余、和/或微粒監(jiān)測等測量的設(shè)備。仍參照圖2，晶片性能例如厚度數(shù)據(jù)和/或由原位傳感器210檢測的其它信息，在制造工藝?yán)鐠伖夤に囬_始、期間或之后，可實時發(fā)送到控制系統(tǒng)215。因此，如果該制造工藝是拋光步驟，應(yīng)用控制系統(tǒng)215控制獲得特定晶片外形(以下將更詳細(xì)論述)所需的每個該步驟。因此，控制系統(tǒng)215除了可連接到原位傳感器210，還可連接到CMP設(shè)備20的部件以監(jiān)測和控制多個制造工藝。控制系統(tǒng)215利用從原位傳感器210接收的數(shù)據(jù)調(diào)整或修改任意數(shù)量的操作參數(shù)以獲得一個或多個目標(biāo)晶片性能。作為一個例子，從原位傳感器210接收的厚度信息可能表明在晶片某個區(qū)(例如中心區(qū))的厚度比所需厚度大。因此作為響應(yīng)，可能使用控制系統(tǒng)215以增加某個步驟的拋光時間。例如，控制系統(tǒng)215可以執(zhí)行一個在該中心區(qū)以較大速率拋光的拋光步驟。如以下將討論的，每個步驟的執(zhí)行都是為了產(chǎn)生特定晶片外形。因此，通過修改操作參數(shù)(例如在上述實例中通過增加特定拋光步驟的該時間)可以獲得某些晶片外形。除了拋光時間，還可以控制其它任意數(shù)量的參數(shù)以產(chǎn)生需要的外形或晶片性能，包括例如拋光速率、壓力、拋光液組分和流速等?？梢允褂枚鄠€載頭系統(tǒng)70執(zhí)行多個制造或拋光步驟。在這方面，在本發(fā)明的至少一些實施例中的該原位傳感器被設(shè)想成每個載頭系統(tǒng)的一部分，而每個載頭系統(tǒng)可連接到一個或多個中心控制系統(tǒng)包括，例如控制系統(tǒng)215。這樣，可以分別監(jiān)測來自每個該原位傳感器的反饋信息。如上所述，可利用這些制造步驟的任一個來影響特定的晶片參數(shù)(或者以晶片厚度體現(xiàn)的外形)。例如，可采用一個制造步驟(例如拋光步驟)從基片外邊緣區(qū)去除較大量的余量。相似地，也可以采用其它制造步驟從該基片中心區(qū)域去除較大量的余量。圖3顯示可由該CMP設(shè)備20通過控制載頭例如載頭100(圖1)產(chǎn)生特定晶片厚度而獲得的多個拋光曲線的至少一些實例。例如，曲線1表示從該晶片的中心區(qū)去除較大量的余量。另一方面，曲線2表示在整個該晶片上近乎均勻地去除余量。曲線3表示在該中心區(qū)均勻地拋光而在外邊緣區(qū)重拋光。曲線4表示使該載頭系統(tǒng)在外邊緣邊區(qū)重拋光而在基片中心區(qū)去除較少的余量。此外，其它載頭系統(tǒng)等可與本發(fā)明的本原理結(jié)合使用。圖4描述了本發(fā)明的至少一些實施例設(shè)計的可控制制造工藝執(zhí)行的一個工藝實例。首先，收集輸入晶片性能或預(yù)測量信息，例如晶片厚度，并發(fā)送到在該控制系統(tǒng)中執(zhí)行的算法工具(步驟405)。如以下將討論的，該輸入晶片性能進(jìn)入晶片模型，晶片模型生成用于獲得最佳或目標(biāo)晶片性能的制法參數(shù)。這些輸入晶片性能可以由任意種裝置接收或收集，這些裝置包括例如在線傳感器410或在制造步驟之前或之后位于特定設(shè)備或臺板上的傳感器(例如在拋光步驟之前位于拋光設(shè)備中的傳感器)。這種在線工藝的一個實例采用與測量技術(shù)結(jié)合的設(shè)備(例如由以色列雷霍沃特市(Rehovot)的NovaMeasuringInstrumentsInc.提供的Nova2020TM或由美國加利福尼亞州圣克拉拉的Nanometric提供的Nano9000TM)。還可以由上游測量設(shè)備或前饋設(shè)備415(例如在拋光步驟之前位于拋光設(shè)備上游的設(shè)備)接收輸入晶片的性能。在該實施例中，通過在前制造步驟結(jié)束或期間的另一設(shè)備的傳感器可測量該性能并發(fā)送給該即時設(shè)備或臺板的該工藝使用。這些設(shè)備的實例包括外部計量設(shè)備，例如由美國加利福尼亞州的圣何塞市(SanJose)的KLA-Tencor提供的RS-75TM。在其它實例中，通過設(shè)置與該即時設(shè)備結(jié)合工作的原位傳感器獲得該輸入晶片性能。在這些實例中，在執(zhí)行該工藝之前，在基片的每個該區(qū)通過掃描該載頭和原位傳感器獲得數(shù)據(jù)。如上所述，這種原位傳感器的一個實例包括由美國加利福尼亞州圣克拉拉市的應(yīng)用材料有限公司提供的原位去除監(jiān)測儀。本發(fā)明的至少一些實施例試圖結(jié)合從該上述傳感器任意組合接收的數(shù)據(jù)來產(chǎn)生制法參數(shù)。同樣，本發(fā)明的至少一些實施例試圖利用從在線和上游設(shè)備接收的數(shù)據(jù)來校準(zhǔn)原位傳感器。在晶片性能被送到該控制系統(tǒng)之后，使用晶片制造模型以最優(yōu)化或生成制法參數(shù)(步驟425)，該制法參數(shù)是作為其可用于產(chǎn)生一個或多個最優(yōu)或目標(biāo)晶片性能而預(yù)測的。即，使用該輸入晶片性能來動態(tài)地生成該晶片制法。一般來說，該制法包括計算機(jī)程序和/或規(guī)則、說明、操作和對每個晶片或基片執(zhí)行的以產(chǎn)生滿足某種目標(biāo)或最優(yōu)特性(包括例如厚度或均勻性)的晶片的工序。典型地，該制法包括獲得特定產(chǎn)出所需的多個步驟。例如，通過由一個或多個設(shè)備的組合進(jìn)行的特定步驟或步驟組合執(zhí)行圖3的每個所述曲線。因此，根據(jù)所需最終晶片性能和從上述傳感器接收的輸入晶片性能，該模型可以預(yù)測預(yù)期的能夠生成那些所需最終性能(例如厚度或均勻性)的制法參數(shù)范圍。同樣地，根據(jù)該數(shù)據(jù)，生成制法以最優(yōu)化例如該基片的該晶片內(nèi)范圍(withinwaferrange即該整個晶片的該厚度)。隨后，動態(tài)地校準(zhǔn)原位傳感器210(步驟430)。例如，使用在線或上游設(shè)備傳感器數(shù)據(jù)來重置原位傳感器以適應(yīng)該制造工藝正常操作引起的任何變化。一旦原位傳感器210已經(jīng)被校準(zhǔn)，開始制造步驟(步驟435)。在拋光步驟或工藝的狀態(tài)下，載頭100降下基片使其與拋光墊32接觸。具體來說，按照由該控制系統(tǒng)的該模型產(chǎn)生的該制法參數(shù)確定的壓力和時間將基片10放到拋光墊32中。須再次指出，雖然在本文中介紹了該實施例的拋光工藝過程，在本發(fā)明原理的范圍內(nèi)還可以構(gòu)想其它制造工藝。在拋光期間，原位傳感器210連續(xù)地測量該基片的晶片性能(步驟440)。例如，通過原位傳感器210可實時動態(tài)地測量該基片的該厚度。隨后，用該數(shù)據(jù)(例如厚度或其它信息)與由該控制系統(tǒng)模型預(yù)測出的該期望結(jié)果比較(步驟445)。即，該原位傳感器數(shù)據(jù)被用來將實際測量結(jié)果與該模型預(yù)測值比較。因此，本發(fā)明的至少一些實施例試圖在該模型預(yù)測結(jié)果和實際測量數(shù)據(jù)之間建立根據(jù)模型的控制或比較表。接下來，此比較結(jié)果被用來修改該制造工藝。以利用基片的厚度為例，如果該測量的或?qū)嶋H的厚度比期望的厚度厚或薄(步驟450)，就相應(yīng)地修改該制造步驟的參數(shù)。例如，如果該測量基片的厚度大于預(yù)測厚度，可延長或增加該拋光時間(步驟455)。同樣，如果該測量基片的厚度比預(yù)測厚度薄，那么將縮短或減少該拋光時間。另一方面，如果該實際測量性能(例如厚度)是最佳的或在目標(biāo)范圍內(nèi)(步驟450)，那么包括例如獲得該目標(biāo)厚度的時間的該操作參數(shù)(步驟460)被保存，并作為反饋信息用到該下一個晶片。例如，數(shù)據(jù)或信息表明拋光時間比為獲得特定外形而預(yù)測的(如通過模型)拋光時間短，則數(shù)據(jù)或信息可被保存并被用于后續(xù)晶片的拋光中。特別是，模型的后續(xù)預(yù)測將會依據(jù)此保存的數(shù)據(jù)修改。因此，至少本發(fā)明的一些實施例試圖將從一個流程(run)中收集的數(shù)據(jù)應(yīng)用到后續(xù)的流程中。這樣，利用原位傳感器數(shù)據(jù)，本發(fā)明的至少一些實施例的該工藝可被用來執(zhí)行“晶片內(nèi)”控制。此外，原位傳感器的信息可被用于流程到流程(runtorun)的控制及分辨臺板和臺板行為。例如，如上所論述的，動態(tài)地利用來自每個原位傳感器的數(shù)據(jù)來測量生產(chǎn)率，而不是利用所有該臺板的平均值。同樣，來自上游設(shè)備傳感器和在線傳感器的輸入數(shù)據(jù)可被用來校準(zhǔn)原位傳感器。參照圖5，描述了可用于最優(yōu)化本發(fā)明的該制法參數(shù)的模型工藝的一個實例。特別是，將通過例如原位傳感器、在線傳感器或上游設(shè)備傳感器測量的輸入晶片性能送到控制系統(tǒng)。例如，可以送入該進(jìn)入晶片532的該厚度、獲得特定外形534所需的該時間和/或拋光壓力536。這樣，該模型510生成例如按照產(chǎn)生特定產(chǎn)出或目標(biāo)性能需要而預(yù)測的該制法參數(shù)520，例如在晶片范圍522內(nèi)和/或最終厚度524。因此，使用從該傳感器收集的該數(shù)據(jù)，晶片模型可預(yù)測獲得最佳或目標(biāo)結(jié)果所需要的該參數(shù)。圖6描述了用于說明本發(fā)明所構(gòu)思的原理的另一個實施例。在此特定實施例中，用于銅工藝(例如用于從晶片上去除銅的工藝)的拋光設(shè)備采用具有多步驟的制法。此制法采用多個步驟，其中包括整體去除(bulkremoval)步驟和端點(diǎn)(endpoint)步驟。該整體去除步驟是用來去除大量銅的。與整體去除步驟相反，端點(diǎn)步驟是一個較慢拋光步驟，因此該端點(diǎn)步驟是用來在端點(diǎn)結(jié)束該拋光工藝的。在此實施例中，該工藝可被用于解決端點(diǎn)時間變化大的問題，從而產(chǎn)生更一致的整體結(jié)果和效果。此外，雖然圖6描述的實例是以銅工藝來展示的，應(yīng)該了解，這里所描述的技術(shù)可以容易地與其它類型工藝一起使用，包括例如氧化物工藝。通過監(jiān)測由原位傳感器210測量的該端點(diǎn)時間(endpointtime)，并將其作為反饋信息用到后續(xù)流程，可調(diào)整每個步驟的該拋光時間以利用例如該整體去除步驟的更高拋光速率的優(yōu)點(diǎn)。圖6中描述的該實施例是從上游設(shè)備或在線傳感器(步驟607)和/或原位傳感器(步驟609)接收晶片制法數(shù)據(jù)(步驟605)開始的。接下來，該工藝進(jìn)行到整體去除步驟(步驟610)，如上所述，可去除基片上的大量余量。該整體去除步驟持續(xù)進(jìn)行由該晶片制法確定的預(yù)定時間量(步驟615)。在該整體去除步驟之后，該工藝進(jìn)行到以比該整體去除速率慢的速率拋光的端點(diǎn)去除步驟(步驟620)。該端點(diǎn)去除步驟一直進(jìn)行到獲得可接受的端點(diǎn)參數(shù)(步驟625)，例如晶片厚度。然后停止拋光。一旦該拋光步驟完成，就測量每個步驟達(dá)到該晶片端點(diǎn)所需的實際時間(步驟630)。分析該測量的數(shù)據(jù)以辨別是否某一步驟可調(diào)整以提高效率(步驟635)。例如，端點(diǎn)去除步驟較長，可能表明可以增加該整體去除步驟。在這種情況下，例如可以通過增加10秒整體去除步驟時間來顯著減少40秒的端點(diǎn)去除時間。相應(yīng)地，在此實施例中，如果該端點(diǎn)去除時間較長，可以增加該整體去除時間(步驟640)。在任何情況下，無論是否調(diào)整時間，該實際測量時間(步驟645)被存儲并作為反饋信息用到后續(xù)流程。結(jié)果，該數(shù)據(jù)可用于在后續(xù)工藝中的流程到流程的控制。圖7顯示圖2的控制系統(tǒng)215的其內(nèi)部硬件的一個實例的框圖，其實例包括許多不同類型的計算機(jī)中的任何計算機(jī)，例如由美國加利福尼亞州圣克拉拉市的英特爾公司制造的具有奔騰TM微處理器的計算機(jī)?？偩€756作為主要信息連線，互連系統(tǒng)215的所述其它部件。CPU758是該系統(tǒng)的該中心處理單元，實施執(zhí)行此發(fā)明的該即時工藝及其它程序所需要的計算和邏輯運(yùn)算。只讀存儲器(ROM)760和隨機(jī)存儲器(RAM)762構(gòu)成該系統(tǒng)的該主要存儲器。磁盤控制器764將一個或多個磁盤與該系統(tǒng)總線756連接。這些磁盤驅(qū)動器是例如，軟盤驅(qū)動器770，或CDROM或DVD(數(shù)字化視頻光盤)驅(qū)動器766，或內(nèi)或外硬盤驅(qū)動器768。CPU758可以是任意數(shù)量的不同類型的處理器，包括那些由英特爾公司或美國伊利諾伊州紹姆堡(Schaumberg)的摩托羅拉公司制造的處理器。這些內(nèi)存/存儲裝置可以是任意數(shù)量不同類型的內(nèi)存裝置例如DRAM和SRAM及各種類型的存儲裝置，包括磁和光介質(zhì)。此外，該內(nèi)存/存儲裝置還可以是一種傳輸形式。顯示器接口772與顯示器748連接并使得來自該總線756的信息在顯示器748上顯示。顯示器748也可以是可選擇的附件。例如，利用通信端口774可實現(xiàn)與外圍設(shè)備，例如上面所述的該系統(tǒng)的例如其它元件的通信。例如，端口774可與連接到CMP設(shè)備20的總線/網(wǎng)絡(luò)相連。光纖和/或電纜和/或?qū)w和/或光通信(例如，紅外線等)和/或無線通信(例如，射頻RF等)可以用作在該外部裝置和通信端口774之間的傳送介質(zhì)。外圍接口754連接該鍵盤750和該鼠標(biāo)752，把輸入數(shù)據(jù)傳送到總線756。除了這些部件，該控制系統(tǒng)還可選擇性包括紅外線發(fā)送器778和/或紅外線接收器776。當(dāng)利用該計算機(jī)系統(tǒng)與通過紅外信號傳輸來發(fā)送/接收數(shù)據(jù)的一個或多個該處理部件/臺結(jié)合時，可選擇性地使用紅外線發(fā)送器。除了使用紅外線發(fā)送器或紅外線接收器，該控制系統(tǒng)還可選擇性地使用低功率無線發(fā)送器780和/或低功率無線接收器782。該低功率無線發(fā)送器發(fā)送該信號，該信號由該制造工藝的部件接收，并且通過低功率無線接收器接收來自該部件的信號。圖8是可用于存儲計算機(jī)可讀代碼或指令(包括所述模型、制法等)的示例性計算機(jī)可讀內(nèi)存介質(zhì)884的說明。作為一個實例，介質(zhì)884可與圖7所示的磁盤驅(qū)動器一起使用。典型地，內(nèi)存介質(zhì)如軟盤或CDROM或數(shù)字化視頻光盤將包括用于單字節(jié)語言的多字節(jié)位(locale)和用于控制該上述系統(tǒng)以使該計算機(jī)執(zhí)行這里所述的該功能的該程序信息。作為選擇，ROM760和/或RAM762還可以用于存儲該程序信息，該程序信息用于指示中央處理單元758執(zhí)行與該即時工藝有關(guān)的所述操作。適合存儲信息的計算機(jī)可讀介質(zhì)的其它實例包括磁、電子、或光(包括全息)存儲及其組合等。此外，本發(fā)明的至少一些實施例試圖采用該計算機(jī)可讀介質(zhì)作為傳輸手段。如前所述本發(fā)明的實施例設(shè)計了可以駐留在內(nèi)存/存儲裝置中的用于執(zhí)行本發(fā)明的所述各個方案的軟件的各個部分?？傊瑧?yīng)該強(qiáng)調(diào)指出本發(fā)明的實施例的該各個部分可以應(yīng)用于硬件、軟件或其組合。在這些實施例中，在硬件和/或軟件中使用執(zhí)行各個部件和步驟以實現(xiàn)本發(fā)明的功能。任何現(xiàn)有的或未來開發(fā)的計算機(jī)軟件語言和/或硬件元件都可以用在本發(fā)明的這些實施例中。例如，利用C或C++編程語言實現(xiàn)上述的至少一些功能。還應(yīng)意識并理解，上文中所述發(fā)明的所述特定實施例僅是對本發(fā)明總原理的說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合在前所闡釋的原理可以做出多種改進(jìn)。權(quán)利要求1.一種在半導(dǎo)體處理設(shè)備中，利用從原位傳感器收集的數(shù)據(jù)控制晶片性能的方法，所述方法包括以下步驟(1)按照工藝模型設(shè)定與所述晶片性能有關(guān)的制法參數(shù)，其中所述模型用于預(yù)測晶片產(chǎn)出；(2)按照所述制法參數(shù)用該設(shè)備在晶片上執(zhí)行工藝；(3)在執(zhí)行所述工藝期間，用所述原位傳感器收集與所述晶片性能有關(guān)的數(shù)據(jù)；(4)按照由所述原位傳感器收集的與所述晶片性能有關(guān)的所述數(shù)據(jù)與由所述模型預(yù)測的結(jié)果之間的比較結(jié)果，通過修改所述制法參數(shù)來調(diào)整所述工藝；及(5)將通過所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)用到由該設(shè)備在后續(xù)晶片上執(zhí)行的工藝中。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述性能包括晶片厚度。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述設(shè)備包括拋光裝置。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述設(shè)備包括多個處理裝置，每個所述處理裝置包括原位傳感器，而且，在執(zhí)行所述工藝期間，其中來自一個原位傳感器的數(shù)據(jù)可實時發(fā)送到另一個處理裝置。5.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括從在線傳感器收集數(shù)據(jù)的步驟；及在處理所述后續(xù)晶片之前，將從所述在線傳感器收集的所述數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)結(jié)合。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中從所述在線傳感器收集的數(shù)據(jù)被用于校準(zhǔn)所述原位傳感器。7.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括從位于上游設(shè)備中的傳感器收集數(shù)據(jù)的步驟；及在處理所述后續(xù)晶片之前，將從所述上游設(shè)備收集的所述數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)結(jié)合。8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中從所述上游設(shè)備收集的數(shù)據(jù)被用于校準(zhǔn)所述原位傳感器。9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述參數(shù)包括處理時間。10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中由所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)被用于在由所述設(shè)備處理的后續(xù)晶片上的流程到流程的控制。11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述設(shè)備包括多個處理裝置，每個所述處理裝置包括原位傳感器，而且其中來自一個原位傳感器的數(shù)據(jù)可與來自另一個原位傳感器的數(shù)據(jù)實時相比以比較來自每個所述處理裝置的結(jié)果。12.一種在半導(dǎo)體處理設(shè)備中，利用從原位傳感器收集的數(shù)據(jù)控制晶片性能的方法，所述方法包括以下步驟(1)在按照晶片制法參數(shù)執(zhí)行工藝期間，用所述原位傳感器收集與所述晶片性能有關(guān)的數(shù)據(jù)；(2)按照由所述原位傳感器收集的與所述晶片性能有關(guān)的所述數(shù)據(jù)與由用于預(yù)測晶片產(chǎn)出的工藝模型預(yù)測的結(jié)果之間的比較結(jié)果，通過修改所述制法參數(shù)來調(diào)整所述工藝；及(3)將由所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)用于由該設(shè)備在后續(xù)晶片上執(zhí)行的工藝中。13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述調(diào)整步驟包括增加或減少處理時間。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述處理時間包括拋光時間。15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述設(shè)備包括多個處理裝置，每個處理裝置包括原位傳感器，而且，在執(zhí)行所述工藝期間，其中來自一個原位傳感器的數(shù)據(jù)可以實時發(fā)送到另一個處理裝置。16.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括收集來自在線傳感器的數(shù)據(jù)的步驟；及在處理所述后續(xù)晶片之前，將從所述在線傳感器收集的所述數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的數(shù)據(jù)結(jié)合。17.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括從位于上游設(shè)備中的傳感器收集數(shù)據(jù)的步驟；及在處理所述后續(xù)晶片之前，把從所述上游設(shè)備收集的所述數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的數(shù)據(jù)結(jié)合。18.如權(quán)利要求12所述的方法，其中由所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)被用于在由所述設(shè)備處理的后續(xù)晶片上的流程到流程的控制。19.一種控制晶片性能的系統(tǒng)，包括能夠按照與晶片性能有關(guān)的制法參數(shù)執(zhí)行處理晶片的工藝的半導(dǎo)體處理設(shè)備；配置成在執(zhí)行所述工藝期間收集與所述晶片性能有關(guān)的數(shù)據(jù)的原位傳感器；及可用于按照預(yù)測晶片產(chǎn)出的工藝模型設(shè)定所述制法參數(shù)的處理器，其中所述處理器用于通過修改所述制法參數(shù)來調(diào)整所述工藝，而所述制法參數(shù)按照由所述原位傳感器收集的與所述晶片性能有關(guān)的所述數(shù)據(jù)和由所述模型預(yù)期的結(jié)果之間的比較結(jié)果來修改，而且，其中所述處理器將所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)用于由該設(shè)備在后續(xù)晶片上執(zhí)行的工藝中。20.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中所述晶片性能包括晶片厚度。21.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中所述設(shè)備包括拋光裝置。22.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中所述設(shè)備包括多個處理裝置，每個所述處理裝置包括原位傳感器，而且，在執(zhí)行所述工藝期間，其中來自一個原位傳感器的數(shù)據(jù)可以實時地被發(fā)送到另一個處理裝置。23.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，還包括用于收集數(shù)據(jù)的在線傳感器，在處理所述后續(xù)晶片之前，其中從所述在線傳感器收集的所述數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)結(jié)合。24.如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中從所述在線傳感器收集的數(shù)據(jù)被用于校準(zhǔn)所述原位傳感器。25.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，還包括用于收集數(shù)據(jù)的位于上游設(shè)備中的傳感器，而且，在處理所述后續(xù)晶片之前，其中從所述上游設(shè)備收集的所述數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)結(jié)合。26.如權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中從所述上游設(shè)備收集的數(shù)據(jù)被用于校準(zhǔn)所述原位傳感器。27.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中所述參數(shù)包括處理時間。28.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中由所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)被用于在由所述設(shè)備處理的后續(xù)晶片上的流程到流程的控制。29.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中所述設(shè)備包括多個處理裝置，每個所述處理裝置包括原位傳感器，來自一個原位傳感器的數(shù)據(jù)可與來自另一個原位傳感器的數(shù)據(jù)實時相比以比較來自每個裝置的結(jié)果。30.一種控制晶片性能的系統(tǒng)，包括按照晶片制法參數(shù)，在由半導(dǎo)體處理設(shè)備執(zhí)行的工藝過程中用于收集與所述晶片性能有關(guān)數(shù)據(jù)的原位傳感器；配置成通過修改所述制法參數(shù)來調(diào)整所述處理的處理器，該制法參數(shù)按照由所述原位傳感器收集的與所述晶片性能有關(guān)的所述數(shù)據(jù)和由用于預(yù)測晶片產(chǎn)出的工藝模型預(yù)期的結(jié)果之間的比較結(jié)果來修改；及其中所述處理器被配置成將所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)用于由該設(shè)備在后續(xù)晶片上執(zhí)行的工藝中。31.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中所述處理器配置成可以增加或減少該設(shè)備的處理時間。32.如權(quán)利要求31所述的系統(tǒng)，其中所述處理時間包括拋光時間。33.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中所述設(shè)備包括多個處理裝置，每個所述處理裝置包括原位傳感器，而且，在執(zhí)行所述工藝期間，其中來自一個原位傳感器的數(shù)據(jù)可以實時被發(fā)送到另一個處理裝置。34.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，還包括配置成用于收集數(shù)據(jù)的在線傳感器，而且，在處理所述后續(xù)晶片之前，其中所述在線傳感器適合于將所述收集的數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)結(jié)合。35.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，還包括配置成用于收集數(shù)據(jù)的位于上游設(shè)備中的傳感器，在處理所述后續(xù)晶片之前，其中所述傳感器適合于將所述收集的數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)結(jié)合。36.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其中由所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)被用于在由所述設(shè)備處理的后續(xù)晶片上的流程到流程的控制。37.一種在半導(dǎo)體處理設(shè)備中，利用從原位傳感器收集的數(shù)據(jù)控制晶片性能的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括按照工藝模型設(shè)定與所述晶片性能有關(guān)的制法參數(shù)的裝置，其中所述模型用于預(yù)測晶片產(chǎn)出；按照所述制法參數(shù)，用該設(shè)備在晶片上執(zhí)行工藝的裝置；在執(zhí)行所述工藝期間，用所述原位傳感器收集與所述晶片性能有關(guān)的數(shù)據(jù)的裝置；通過修改所述制法參數(shù)調(diào)整所述工藝的裝置，該制法參數(shù)按照由所述原位傳感器收集的與所述晶片性能有關(guān)的所述數(shù)據(jù)和由所述模型預(yù)測的結(jié)果之間的比較結(jié)果來修改；及在由該設(shè)備在后續(xù)晶片上執(zhí)行的工藝中，利用由所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)的裝置。38.如權(quán)利要求37所述的系統(tǒng)，其中所述性能包括晶片厚度。39.如權(quán)利要求37所述的系統(tǒng)，其中所述設(shè)備包括拋光裝置。40.如權(quán)利要求37所述的系統(tǒng)，其中所述設(shè)備包括多個處理裝置，每個所述處理裝置包括原位傳感器，而且，在執(zhí)行所述工藝期間，其中來自一個原位傳感器的數(shù)據(jù)可以實時被發(fā)送到另一個處理裝置。41.如權(quán)利要求37所述的系統(tǒng)，還包括用于從在線傳感器收集數(shù)據(jù)的裝置；及在處理所述后續(xù)晶片之前，用于將從所述在線傳感器收集的所述數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)結(jié)合的裝置。42.如權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中從所述在線傳感器收集的數(shù)據(jù)被用于校準(zhǔn)所述原位傳感器。43.如權(quán)利要求37所述的系統(tǒng)，還包括用于從位于上游設(shè)備中的傳感器收集數(shù)據(jù)的裝置；及在處理所述后續(xù)晶片之前，用于將從所述上游設(shè)備收集的所述數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)結(jié)合的裝置。44.如權(quán)利要求43所述的系統(tǒng)，其中從所述上游設(shè)備收集的數(shù)據(jù)被用于校準(zhǔn)所述原位傳感器。45.如權(quán)利要求37所述的系統(tǒng)，其中所述參數(shù)包括處理時間。46.如權(quán)利要求37所述的系統(tǒng)，其中由所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)被用于在由所述設(shè)備處理的后續(xù)晶片上的流程到流程的控制。47.如權(quán)利要求37所述的系統(tǒng)，其中所述設(shè)備包括多個處理裝置，每個所述處理裝置包括原位傳感器，而且其中來自一個原位傳感器的數(shù)據(jù)可與來自另一個原位傳感器的數(shù)據(jù)實時相比以比較來自每個所述處理裝置的結(jié)果。48.一種在半導(dǎo)體處理設(shè)備中，利用從原位傳感器收集的數(shù)據(jù)控制晶片性能的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括按照晶片制法參數(shù)執(zhí)行工藝的過程中，用所述原位傳感器收集與所述晶片性能有關(guān)的數(shù)據(jù)的裝置；通過修改所述制法參數(shù)調(diào)整所述處理的裝置，該制法參數(shù)按照由所述原位傳感器收集的與所述晶片性能有關(guān)的所述數(shù)據(jù)和由用于預(yù)測晶片產(chǎn)出的工藝模型預(yù)測的結(jié)果之間的比較結(jié)果來修改；及由該設(shè)備在后續(xù)晶片上執(zhí)行的工藝中，使用由所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)的裝置。49.如權(quán)利要求48所述的系統(tǒng)，其中用于調(diào)整的所述裝置包括增加或減少處理時間的裝置。50.如權(quán)利要求49所述的系統(tǒng)，其中所述處理時間包括拋光時間。51.如權(quán)利要求48所述的系統(tǒng)，其中所述設(shè)備包括多個處理裝置，每個所述處理裝置包括原位傳感器，而且，在執(zhí)行所述工藝過程中，其中來自一個原位傳感器的數(shù)據(jù)可以實時發(fā)送到另一個處理裝置。52.如權(quán)利要求48所述的系統(tǒng)，還包括用于從在線傳感器收集數(shù)據(jù)的裝置；及在處理所述后續(xù)晶片之前，用于將從所述在線傳感器收集的所述數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)結(jié)合的裝置。53.如權(quán)利要求48所述的系統(tǒng)，還包括用于從位于上游設(shè)備中的傳感器收集數(shù)據(jù)的裝置；及在處理所述后續(xù)晶片之前，將從所述上游設(shè)備收集的所述數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)結(jié)合的裝置。54.如權(quán)利要求48所述的系統(tǒng)，其中由所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)被用于在由所述設(shè)備處理的后續(xù)晶片上的流程到流程的控制。55.一種在半導(dǎo)體處理設(shè)備中，利用從原位傳感器收集的數(shù)據(jù)控制晶片性能的計算機(jī)可讀介質(zhì)，所述計算機(jī)可讀介質(zhì)包括按照工藝模型設(shè)定與所述晶片性能有關(guān)的制法參數(shù)的計算機(jī)可讀指令，其中所述模型用于預(yù)測晶片產(chǎn)出；按照所述制法參數(shù)用該設(shè)備在晶片上執(zhí)行工藝的計算機(jī)可讀指令；在執(zhí)行所述工藝期間，用所述原位傳感器收集與所述晶片性能有關(guān)的數(shù)據(jù)的計算機(jī)可讀指令；通過修改所述制法參數(shù)來調(diào)整所述工藝的計算機(jī)可讀指令，該制法參數(shù)是按照由所述原位傳感器收集的與所述晶片性能有關(guān)的所述原位數(shù)據(jù)和由所述模型預(yù)測的結(jié)果之間的比較結(jié)果來修改的；及在由該設(shè)備在后續(xù)晶片上執(zhí)行的工藝中，利用由所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)的計算機(jī)可讀指令。56.如權(quán)利要求55所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述性能包括晶片厚度。57.如權(quán)利要求55所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述設(shè)備包括拋光裝置。58.如權(quán)利要求55所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述設(shè)備包括多個處理裝置，每個所述處理裝置包括原位傳感器，而且，在執(zhí)行所述工藝過程中，其中來自一個原位傳感器的數(shù)據(jù)可以實時被發(fā)送到另一個處理裝置。59.如權(quán)利要求55所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，還包括用于從在線傳感器收集數(shù)據(jù)的計算機(jī)可讀指令；及用于在處理所述后續(xù)晶片之前，將從所述在線傳感器收集的所述數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)結(jié)合的計算機(jī)可讀指令。60.如權(quán)利要求59所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中從所述在線傳感器收集的數(shù)據(jù)被用于校準(zhǔn)所述原位傳感器。61.如權(quán)利要求55所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，還包括用于從位于上游設(shè)備中的傳感器收集數(shù)據(jù)的計算機(jī)可讀指令；及在處理所述后續(xù)晶片之前，用于將從所述上游設(shè)備收集的所述數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)結(jié)合的計算機(jī)可讀指令。62.如權(quán)利要求61所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中從所述上游設(shè)備中收集的數(shù)據(jù)被用于校準(zhǔn)所述原位傳感器。63.如權(quán)利要求55所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述參數(shù)包括處理時間。64.如權(quán)利要求55所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中由所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)被用于在由所述設(shè)備處理的后續(xù)晶片上的流程到流程的控制。65.如權(quán)利要求55所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述設(shè)備包括多個處理裝置，每個所述處理裝置包括原位傳感器，而且，其中來自一個原位傳感器的數(shù)據(jù)可與來自另一個原位傳感器的數(shù)據(jù)實時相比以比較來自每個裝置的結(jié)果。66.一種在半導(dǎo)體處理設(shè)備中，利用從原位傳感器收集的數(shù)據(jù)控制晶片性能的計算機(jī)可讀介質(zhì)，所述計算機(jī)可讀介質(zhì)包括按照晶片制法參數(shù)執(zhí)行的工藝過程中，用于利用所述原位傳感器收集與所述晶片性能有關(guān)的數(shù)據(jù)的計算機(jī)可讀指令；通過修改所述制法參數(shù)調(diào)整所述工藝的計算機(jī)可讀指令，該制法參數(shù)按照由所述原位傳感器收集的與所述晶片性能有關(guān)的所述數(shù)據(jù)和由用于預(yù)測晶片產(chǎn)出的工藝模型預(yù)測的結(jié)果之間的比較結(jié)果來修改；及在由該設(shè)備在后續(xù)晶片上執(zhí)行的工藝中，使用由所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)的計算機(jī)可讀指令。67.如權(quán)利要求66所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中用于調(diào)整的計算機(jī)可讀指令包括用于增加或減少處理時間的計算機(jī)可讀指令。68.如權(quán)利要求67所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述處理時間包括拋光時間。69.如權(quán)利要求66所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述設(shè)備包括多個處理裝置，每個所述處理裝置包括原位傳感器，而且，在執(zhí)行所述工藝過程中，其中來自一個原位傳感器的數(shù)據(jù)可以實時被發(fā)送到另一個所述處理裝置。70.如權(quán)利要求66所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，還包括用于從在線傳感器收集數(shù)據(jù)的計算機(jī)可讀指令；及在處理所述后續(xù)晶片之前，用于將從所述在線傳感器收集的所述數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)結(jié)合的計算機(jī)可讀指令。71.如權(quán)利要求66所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，還包括用于從位于上游設(shè)備中的傳感器收集數(shù)據(jù)的計算機(jī)可讀指令；及在處理所述后續(xù)晶片之前，將從所述上游設(shè)備收集的所述數(shù)據(jù)與從所述原位傳感器收集的所述數(shù)據(jù)結(jié)合的計算機(jī)可讀指令。72.如權(quán)利要求66所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中由所述原位傳感器收集的數(shù)據(jù)被用于在由所述設(shè)備處理的后續(xù)晶片上的流程到流程的控制。全文摘要利用從原位傳感器收集的數(shù)據(jù)，通過半導(dǎo)體處理設(shè)備控制晶片的性能。首先，在按照晶片制法參數(shù)執(zhí)行的工藝中，通過原位傳感器收集與晶片性能有關(guān)的數(shù)據(jù)。隨后，通過修改該制法參數(shù)來調(diào)整工藝，該制法參數(shù)按照由與該晶片性能有關(guān)的該原位傳感器收集的該數(shù)據(jù)和由用于預(yù)測晶片產(chǎn)出的工藝模型所預(yù)測的該結(jié)果之間的比較結(jié)果來修改。接下來，利用由該原位傳感器收集的該數(shù)據(jù)執(zhí)行后續(xù)工藝。在本發(fā)明的至少一些實施例中，該數(shù)據(jù)可用于在由該設(shè)備處理的后續(xù)晶片上的流程到流程的控制。文檔編號B24B37/04GK1602546SQ02812287公開日2005年3月30日申請日期2002年6月17日優(yōu)先權(quán)日2001年6月19日發(fā)明者A·P·桑穆加孫達(dá)拉姆,A·T·施瓦姆申請人:應(yīng)用材料有限公司