專利名稱：真空成膜裝置及真空成膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是涉及用于在真空中一邊使基板行走一邊在所述基板上構(gòu)圖形成薄膜的真空成膜裝置及真空成膜方法。
背景技術(shù)：
隨著攜帶電話及筆記本電腦等可移動終端的普及，對作為其電源的二次電池的作用也更加重視。而且，伴隨著大容量高速通信、彩色動畫的高速通信等要求，需要二次電池更小型、輕量化與高容量。
為了實現(xiàn)二次電池的高容量化，電極特別是負極活性物質(zhì)的開發(fā)很重要。以實現(xiàn)高能密度為目的，試做了在銅箔等導(dǎo)電性基板上由真空成膜方法形成作為負極活性物質(zhì)的金屬鋰箔、在其上形成保護膜的鋰離子二次電池，與具有以碳為主要成分的層上由真空成膜方法形成硅等理論容量大的活性物質(zhì)的復(fù)合負極的高容量的二次電池等。為了得到這樣高容量的二次電池的電極，研究開發(fā)了使用真空成膜技術(shù)形成高容量化可能的活性物質(zhì)層的方法。
為了使用真空成膜技術(shù)形成大量的二次電池用電極，使用連續(xù)供給銅箔等導(dǎo)電性基板(支撐體)連續(xù)真空成膜的技術(shù)。而且，為了確保導(dǎo)電性基板與接頭片的接觸，希望導(dǎo)電性基體的形成接頭片的部分為非蒸鍍部分，使用連續(xù)的圖案成膜技術(shù)。
為了在金屬帶條上連續(xù)形成薄膜圖案，已知的有開口部在長度方向以一定的間隔而形成的帶條掩膜與金屬帶條緊密接觸而行走的技術(shù)(特開昭59-6372號公報、特開昭59-84516號公報、特開2000-183500號公報)。在該技術(shù)中，通過掩膜的開口部，在金屬帶條上形成目的的粘附物，把該金屬帶條與所述掩膜分別卷取。
然而，在特開昭59-6372號公報所示的方法中，受到重力及鏈輪的張力，掩膜及金屬帶條發(fā)生松弛與撓曲的可能性大，在金屬帶條的目的位置粘附蒸發(fā)物就困難。為了避開這些，由鏈輪而增強拉伸時，掩膜的開口部變形，在成膜中金屬帶條被切斷的可能性增高。特別是，在供料及卷取以外的、在金屬帶條上成膜的過程中(參照同公報中第六頁、圖6)，由于沒有對金屬帶條及掩膜適度按壓的機構(gòu)(例如導(dǎo)向輥及滾筒(can roll)等)，特別容易受到上述影響。
在特開2000-183500號公報所示的方法中，雖然是使掩膜與基板沿著導(dǎo)向輥(蒸鍍輥)行走而構(gòu)圖成膜，但在反復(fù)成膜的過程中，在掩膜上堆積蒸發(fā)物質(zhì)，該堆積的蒸發(fā)物質(zhì)有在行走中剝落，成為污染原因的情況。而且，在掩膜行走中容易產(chǎn)生位置偏差，存在有容易撓曲等與特開昭59-6372號公報所示技術(shù)同樣的問題。
此外，在通過這些掩膜進行圖案化的情況下，進而在成膜后的掩膜與金屬條帶分離的情況下存在有薄膜的一部分剝離的問題。在以上這些中任意一種的情況下，由于需要將卷取掩膜的機構(gòu)設(shè)置于真空槽內(nèi)，所以存在有裝置的容積增大、裝置的結(jié)構(gòu)復(fù)雜等問題。而且，在大量生產(chǎn)時，由于如上所述在掩膜上堆積了蒸發(fā)物質(zhì)，所以必須將掩膜更換，或?qū)⒀谀は磧艉笤倮?，有操作性低下的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是基于上述問題而提出，其目的在于提供控制性良好且穩(wěn)定的形成具有所希望的圖案形狀的薄膜的技術(shù)。
在第一視點中，本發(fā)明提供的真空成膜裝置，是在基板上形成具有所希望的圖案形狀的薄膜的真空成膜裝置，其特征在于設(shè)置有使基板行走的行走裝置、包含構(gòu)成薄膜的蒸發(fā)物質(zhì)的蒸發(fā)源、以及將從所述蒸發(fā)源向所述基板的所述蒸發(fā)物質(zhì)的移動進行間歇式遮斷的遮斷裝置，且所述遮斷裝置存在于所述蒸發(fā)源與所述基板之間，與所述基板離間設(shè)置。
在第一視點的真空成膜裝置中，遮斷裝置將蒸發(fā)物質(zhì)從蒸發(fā)源向基板的移動間歇式地遮斷。其結(jié)果是能夠控制性良好且穩(wěn)定地形成具有所希望的圖案形狀的薄膜。在第一視點的真空成膜裝置中，使用與基板離間設(shè)置的遮斷裝置，取代在歷來技術(shù)中所使用的掩膜。由此，能夠防止在歷來的技術(shù)中所產(chǎn)生的膜的位置偏差、黏附于掩膜的沉積物質(zhì)在行走中剝落所產(chǎn)生的污染。而且，沒有必要進行掩膜的交換或洗凈。進而，由于也沒有必要設(shè)置用于卷取掩膜的機構(gòu)，所以能夠簡化裝置的結(jié)構(gòu)。
進而，通過將遮斷裝置與基板離間而設(shè)置，能夠有效地防止歷來技術(shù)中成為問題的薄膜的剝離。
而且，在歷來的技術(shù)中，為了使掩膜緊密接合，必須對基板施加大的張力，但在本發(fā)明中，由于遮斷裝置與基板離間而設(shè)置，就沒有這樣的必要。其結(jié)果是能夠解決成膜中基板的切斷等問題。
在本發(fā)明第一視點的真空成膜裝置中，還可以在蒸發(fā)源與基板之間設(shè)置將蒸發(fā)物質(zhì)導(dǎo)向基板的蒸發(fā)物質(zhì)供給部，在這種情況下，遮斷裝置配置于蒸發(fā)物質(zhì)供給部的一部分，具有將蒸發(fā)物質(zhì)從蒸發(fā)源向基板的移動間歇式地遮斷的結(jié)構(gòu)。這樣，遮斷裝置就能夠確實與基板離間而設(shè)置，能夠確實防止薄膜的一部分脫落或成膜中基板的切斷。
蒸發(fā)物質(zhì)供給部在基板側(cè)具有既定形狀的開口部，是能夠根據(jù)該開口部的形狀而對蒸發(fā)物質(zhì)向基板的供給量及供給范圍進行規(guī)定限制的結(jié)構(gòu)。開口部的形狀，例如希望是狹縫狀。這是由于能夠?qū)ο蚧骞┙o的蒸發(fā)物質(zhì)的量進行更精密的控制，能夠控制性良好地形成所希望圖案的薄膜。
在第一視點的真空成膜裝置中，可以是設(shè)置有多個所述遮斷裝置的結(jié)構(gòu)。這樣，能夠高生產(chǎn)性地制造由同種或異種材料所構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。而且，上述真空成膜裝置還可以是具有包含不同蒸發(fā)物質(zhì)的多種蒸發(fā)源的結(jié)構(gòu)。這樣，能夠由連續(xù)的工序在基板上蒸鍍多種材料，能夠以高的生產(chǎn)性制造多層結(jié)構(gòu)的薄膜。
在第二視點中，本發(fā)明提供的真空成膜裝置的特征在于，設(shè)置有用于供給基板的送料輥、用于卷取從所述送料輥所送出的所述基板的卷取輥、含有用于在所述基板上實施真空成膜的蒸發(fā)物質(zhì)的蒸發(fā)源、設(shè)置在所述蒸發(fā)源與所述基板之間且具有狹縫開口部的遮蔽部件、以及設(shè)置在所述遮蔽部件與所述蒸發(fā)源之間且對從所述蒸發(fā)源向所述基板上的所述蒸發(fā)物質(zhì)的移動進行間歇式遮斷的開閉器(shutter)機構(gòu)。
在本發(fā)明第二視點的真空成膜裝置中，由蒸發(fā)源所發(fā)生的蒸發(fā)物質(zhì)經(jīng)由狹縫狀的開口部導(dǎo)向于基板，進行成膜。由于具有蒸發(fā)物質(zhì)的供給由狹縫狀的開口部所規(guī)定限制、且開閉器機構(gòu)對蒸發(fā)物質(zhì)從蒸發(fā)源向基板的移動進行間歇式遮斷的結(jié)構(gòu)，所以能夠控制性良好地形成具有所希望圖案形狀的薄膜。在第二視點的真空成膜裝置中，使用開閉器機構(gòu)取代歷來技術(shù)中所使用的掩膜。由于該開閉器機構(gòu)是與基板相離間而設(shè)置，所以能夠防止在歷來的技術(shù)中所產(chǎn)生的膜的位置偏差、黏附于掩膜上的沉積物質(zhì)在行走中剝落所產(chǎn)生的污染。而且，沒有必要進行掩膜的交換或洗凈。進而，由于也沒有必要設(shè)置用于卷取掩膜的機構(gòu)，所以能夠簡化裝置的結(jié)構(gòu)。而且，還能夠有效地消除薄膜的剝落或成膜中基板的切斷等問題。
在第二視點的真空成膜裝置中，在遮蔽部件與開閉器機構(gòu)中還可以設(shè)置加熱裝置。作為加熱裝置，可以使用加熱器機構(gòu)等。這樣，能夠?qū)φ诒尾考c開閉器機構(gòu)上黏附的蒸發(fā)物質(zhì)進行加溫，使其成為液體。結(jié)果是能夠?qū)ι鲜鲳じ降恼舭l(fā)物質(zhì)進行回收與再利用。
在第二視點的真空成膜裝置中，能夠在所述送料輥與所述卷取輥之間設(shè)置有用于能夠在目的位置正確成膜的導(dǎo)向輥。
在第二視點的真空成膜裝置中，能夠在所述送料輥與所述卷取輥之間設(shè)置有松緊調(diào)節(jié)輥。由于設(shè)置了松緊調(diào)節(jié)輥，在同一工序中，在最初成膜的面的另一側(cè)面的目的位置上也能夠正確地成膜，使生產(chǎn)效率提高。
在第二視點的真空成膜裝置中，能夠在所述送料輥與所述卷取輥之間設(shè)置有決定所述基板的位置的位置檢測器。由于具有位置檢測器，所以能夠正確地檢測出基板上應(yīng)該成膜的位置，結(jié)果是能夠高精度地成膜。
在第二視點的真空成膜裝置中，可以是所述遮蔽部件具有多個狹縫狀開口部，與各狹縫狀開口部相對應(yīng)設(shè)置有開閉器機構(gòu)的結(jié)構(gòu)。在這樣的結(jié)構(gòu)中，經(jīng)由狹縫狀開口部的蒸發(fā)物資的供給，由與各狹縫狀開口部相對應(yīng)設(shè)置的開閉器機構(gòu)所規(guī)定限制。由從各狹縫狀開口部所供給的蒸發(fā)物質(zhì)，能夠高生產(chǎn)性地制造由同種或異種材料所構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。
在第二視點的真空成膜裝置中，可以是設(shè)置有包含不同蒸發(fā)物質(zhì)的多種蒸發(fā)源的結(jié)構(gòu)。這樣，能夠由連續(xù)的工序在基板上沉積多種材料，能夠以高的生產(chǎn)性制造多層結(jié)構(gòu)的薄膜。
在第三視點中，本發(fā)明是在基板上形成具有所希望的圖案形狀的薄膜的真空成膜方法，其特征在于具有使基板向一個方向行走的步驟、在基板行走中從所述蒸發(fā)源發(fā)生蒸發(fā)物質(zhì)并導(dǎo)向所述基板上的步驟、以及在基板行走中使在所述基板與所述蒸發(fā)源之間且離間基板而設(shè)置的遮斷裝置進行間歇式動作的步驟。
在本發(fā)明的第三視點的真空成膜方法中，遮斷裝置對蒸發(fā)物質(zhì)從蒸發(fā)源向基板的移動進行間歇式遮斷。結(jié)果是能夠控制性良好地形成具有所希望圖案的薄膜。在本發(fā)明中，使用與基板離間設(shè)置的遮斷裝置，取代在歷來技術(shù)中所使用的掩膜。由此，能夠防止在歷來的技術(shù)中所產(chǎn)生的膜的位置偏差、黏附于掩膜上的沉積物質(zhì)在行走中剝落所產(chǎn)生的污染、成膜中基板的切斷等問題。而且，沒有必要進行掩膜的交換或洗凈。進而，由于也沒有必要設(shè)置用于卷取掩膜的機構(gòu)，所以能夠簡化裝置的結(jié)構(gòu)。
在第三視點的真空成膜方法中，作為遮斷裝置，例如可以使用開閉器機構(gòu)。還可以設(shè)置多個遮斷裝置，通過在使用一個遮斷裝置成膜后，連續(xù)地使用其它遮斷裝置重復(fù)成膜而形成薄膜。而形成上述薄膜。這樣，能夠高生產(chǎn)性地制造由同種或異種材料所構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。
在第四視點中，本發(fā)明是在導(dǎo)電性基板上形成具有所希望的圖案形狀的活性物質(zhì)層的真空成膜方法，具有使導(dǎo)電性基板向一個方向行走的步驟、在基板行走中從蒸發(fā)源發(fā)生活性物質(zhì)并導(dǎo)向基板上的步驟、以及在基板行走中使在于所述基板與所述蒸發(fā)源之間且離間基板而設(shè)置的遮斷裝置進行間歇式動作的步驟。
在本發(fā)明的第四視點的電池用電極的制造方法中，遮斷裝置對蒸發(fā)物質(zhì)從蒸發(fā)源向基板的移動進行間歇式遮斷。結(jié)果是能夠控制性良好地穩(wěn)定地形成具有所希望圖案的活性物質(zhì)層。在本發(fā)明中，使用與基板離間設(shè)置的遮斷裝置，取代在歷來技術(shù)中所使用的掩膜。由此，能夠防止在歷來的技術(shù)中所產(chǎn)生的膜的位置偏差、黏附于掩膜上的沉積物質(zhì)在行走中剝落所產(chǎn)生的污染、成膜中基板的切斷等問題。而且，沒有必要進行掩膜的交換或洗凈。進而，由于也沒有必要設(shè)置用于卷取掩膜的機構(gòu)，所以能夠簡化裝置的結(jié)構(gòu)。
在第四視點的電池用電極的制造方法中，作為遮斷裝置，例如可以使用開閉器機構(gòu)。另外，還可以設(shè)置有多個遮斷裝置，通過在使用一個遮斷裝置成膜后，連續(xù)地使用其它遮斷裝置重復(fù)成膜，能夠形成所述活性物質(zhì)層。這樣，能夠高生產(chǎn)性地制造由同種或異種材料所構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。


圖1是表示實施例1中所使用的真空成膜裝置內(nèi)部結(jié)構(gòu)一例的概略圖。
圖2是說明本發(fā)明的薄膜的圖案形成工序一例的概念圖。
圖3是表示為了通過導(dǎo)向輥的曲面而進行薄膜的圖案形成工序的真空成膜裝置內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一部分的概略圖。
圖4是表示由實施例1、2及比較例1、2中所使用的涂敷而使石墨圖案化的銅箔的概略圖。
圖5是在實施例1、2所得到的石墨上由蒸鍍使SiLi圖案化的負極的概略圖。
圖6是與比較例1、2中所使用的銅箔的表面相對應(yīng)的圖案掩膜的概略圖。
圖7是與比較例1、2中所使用的銅箔的背面相對應(yīng)的圖案掩膜的概略圖。
圖8是表示比較例1中所使用的真空成膜裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一部分的概略圖。
圖9是表示實施例2中所使用的真空成膜裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一部分的概略圖。
圖10是表示比較例2中所使用的真空成膜裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一部分的概略圖。
具體實施例方式
下面參照附圖，根據(jù)本發(fā)明實施形式，對本發(fā)明進一步加以說明。
參照圖1，圖1表示了用于在柔性基板上圖案化薄膜的真空成膜裝置的結(jié)構(gòu)。在把來自蒸發(fā)源6a、6b的蒸發(fā)物在柔性基板1的目的位置上真空成膜時，開閉器8a、8b，對經(jīng)由遮蔽部件9a、9b開口部的蒸發(fā)物的移動進行遮斷。由此，在柔性基板1上形成具有既定形狀圖案的薄膜。
為了柔性基板1的從供料到卷取，設(shè)置有用于供給柔性基板1的供料輥2a，為了高精度地移動柔性基板1、將來自蒸發(fā)源6a、6b的蒸發(fā)物在柔性基板1的目的位置上成膜而設(shè)置的兩個導(dǎo)向輥3a，以及用于卷取由導(dǎo)向輥3a所送來的薄膜被圖案化的柔性基板1的卷取輥2b。而且，為了能夠在柔性基板1的既定位置正確地成膜，應(yīng)在成膜前的工序中使用位置檢測器7a預(yù)先把握柔性基板1的位置。
參照圖2，圖2是表示由圖1的導(dǎo)向輥3a而開閉開閉器8a、8b，通過遮蔽部件9a、9b來進行的圖案化(構(gòu)圖)原理的說明圖。圖中的實線(例如線a-b)是柔性基板1的截面、表示形成薄膜的部分(薄膜形成的長度全部相同)。而且，實線中途間斷的部分(例如b-c之間)是未形成薄膜的部分(間隔)(間隔的長度全部相同)。a-c之間的長度稱為節(jié)距。
在本實施形式中，作為一例，設(shè)計成為使用兩個蒸發(fā)源6a、6b(兩次沉積)形成目的厚度的薄膜。位于蒸發(fā)源6a、6b上部的兩個遮蔽部件(9a、9b)的節(jié)距與柔性基板1的形成薄膜的長度(例如線a-b)相等。遮蔽部件9a的上部是開狀態(tài)，是蒸發(fā)物質(zhì)通過的區(qū)域。為了達到高精度的圖案化，優(yōu)選遮蔽部件9a與柔性基板1之間的距離小，例如在數(shù)mm以下有效。柔性基板1為①的狀態(tài)、a點與遮蔽部件開口部的左端為一致狀態(tài)時，第一開關(guān)器8a為開狀態(tài)。這里，如果知道了由位置檢測器7a對柔性基板1的a點的檢測與柔性基板1的行走速度的關(guān)系，就能夠正確地進行開閉器的開閉。
由于柔性基板1以控制的速度向箭頭方向移動，所以如②的狀態(tài)所示，蒸發(fā)物質(zhì)通過遮蔽部件的開口部在基板的a-b上順次成膜。在③狀態(tài)、b點移動到遮蔽部件的右端時，第一開閉器(shutter)8a關(guān)閉。接著，在④狀態(tài)、c點移動到遮蔽部件開口部的左端時，第一開閉器8a打開。此時，第二開閉器(shutter)8b也打開時，如⑤的狀態(tài)所示，在a-b之間進行二次成膜，同時在c-d之間也進行第一次成膜。進而，在⑥的狀態(tài)，當(dāng)b點及d點分別移動到遮蔽部件(9a、9b)的開口部的右端時，a-b上目的厚度的成膜完了。關(guān)閉兩個開閉器(8a、8b)，在c點及e點移動到各自的遮蔽部件開口部的左端部時，由兩個開閉器(8a、8b)的打開，在c-d上實行第二次成膜，在e-f上實行第一次成膜。
重復(fù)上述工序，能夠?qū)崿F(xiàn)向柔性基板1的高精度的無掩膜圖案化。通過由加熱器將遮蔽部件(9a、9b)、腔室內(nèi)的防黏板10、開閉器(8a、8b)等設(shè)定為所希望的溫度，能夠?qū)じ轿锶芙?，回收于回收容?1。
在上述實施形式中，在對柔性基板1進行真空成膜時，是使用兩個導(dǎo)向輥3a，將柔性基板1在直線(平面)上展開成膜，但本發(fā)明并不限于此，例如，可以如圖3所示，通過將柔性基板1沿著導(dǎo)向輥3a的曲面與導(dǎo)向輥3a一起移動，將遮蔽板長度不同的遮蔽部件(9a、9b)配置于導(dǎo)向輥3a下的既定位置，可以達到同樣的圖案化。
在上述實施形式中，作為間歇遮斷蒸發(fā)物質(zhì)移動的機構(gòu)，表示的是設(shè)置有開閉器(shutter)機構(gòu)的例子，但并不限于開閉器機構(gòu)，由其他的結(jié)構(gòu)也可以實施本發(fā)明。例如，采用將蒸發(fā)源的加熱間歇式停止的機構(gòu)，也能夠?qū)⑽镔|(zhì)的移動間歇式地遮斷。
而且，在上述實施形式中，雖然是以設(shè)置有兩個狹縫狀開口部為例進行了說明，但即使是一個開口部也能夠達到同樣的圖案化。
通過設(shè)置兩個以上的狹縫狀開口部，能夠縮短達到目的厚度的成膜時間，能夠使柔性基板的行走速度下降，從而使該柔性基板不易被破壞，由于一個蒸發(fā)源的蒸發(fā)速度可以較小，所以能夠減少來自蒸發(fā)源的輻射熱。其結(jié)果是能夠取得抑制對于基板及在基板上預(yù)先形成的薄膜的不良影響等效果。
在疊層兩種以上薄膜的情況下，設(shè)置兩個以上的狹縫狀開口部，且來自與各個狹縫狀開口部相對應(yīng)的蒸發(fā)源的蒸發(fā)物質(zhì)為兩種以上。由此，薄膜的疊層能夠由一個工序完成，可得到提高生產(chǎn)效率的效果。而且，在由使用歷來的掩膜的方法疊層兩種以上薄膜的情況下，掩膜上所黏附的蒸發(fā)物質(zhì)，有混入其他蒸發(fā)物質(zhì)的疊層中該其他物質(zhì)蒸發(fā)源的可能性。但是，在本發(fā)明中，由于不使用掩膜，所以具有能夠克服上述問題的優(yōu)點。
遮蔽部件的形狀也不限于圖1所示的突出的形狀，可以是設(shè)置了平面狀的開口部的形狀等，可以適宜選擇。
在上述實施形式中，是以柔性基板作為基板的例進行的說明，但本發(fā)明的基板也不限于柔性基板，還可以使用玻璃板、金屬板、塑料板等。而且，在本發(fā)明的實施形式中，作為基板行走裝置，是以設(shè)置有供料機構(gòu)及卷取機構(gòu)的裝置為例進行的說明，但供料裝置或卷取裝置也并非一定必須，也可以由其他的裝置，例如帶式傳送機來實施本發(fā)明。
以上說明的真空成膜裝置與薄膜制造方法，可以作為電池、二次電池、各種包裝薄膜、各種封裝用薄膜、涂層玻璃、磁記錄介質(zhì)、有機EL裝置、無機薄膜EL裝置、薄膜電容器等的制造裝置及制造方法的一部分而使用。
實施例1在實施例1中，作為非水電解液二次電池用的負極，說明在經(jīng)圖案化的石墨上，使用圖1的真空成膜裝置，對于負極集電體(銅箔)的單面逐次圖案化形成由硅鋰合金(SiLi)所構(gòu)成的薄膜層的方法。還有在以下的實施形式及比較例中，使用含有硅鋰合金(SiLi)的蒸發(fā)源(6a～6d)。
如圖4所示，在作為柔性基板的負極集電體中使用長約2000m，厚10μm的銅箔20，在其上沉積由石墨構(gòu)成的層21a。該由石墨構(gòu)成的層21a，是在銅箔20的兩面上涂敷膏狀物、干燥后得到的層，所述膏狀物是在石墨粉末中混合作為膠粘材料的溶解于N-甲基-2-吡咯烷酮的聚偏氟乙烯與賦予導(dǎo)電性的材料后得到的。干燥后，把涂敷有石墨的銅箔20，在壓縮的同時卷取。石墨層21a的厚度約為70μm。如圖4所示，在銅箔20的表面?zhèn)?，左端部?m、右端部有6.42m的未涂敷的部分。石墨層21a從左端部7m的位置開始以0.43m的節(jié)距(涂敷部0.41m、間隔0.02m)形成，存在有4620個。另一方面，在銅箔20的背面?zhèn)?，左端部?m、右端部有6.48m的未涂敷的部分。石墨層涂敷部從左端部7m的位置開始以0.43m的節(jié)距(涂敷部0.35m、間隔0.08m)形成，存在有4620個。
為了對銅箔20的表面?zhèn)葓D案化，使圖1的遮蔽部件9a、9b的節(jié)距為0.43m，狹縫(開口部)在銅箔的行進方向上為5cm寬度，在與行進方向垂直的方向上為0.16m的寬度而形成。
在上述經(jīng)圖案化的石墨層21a上，由真空蒸鍍法圖案化厚度為3μm的SiLi層21b。作為銅箔20的初期設(shè)置狀態(tài)，在圖1所示的真空成膜裝置的供料輥2a上，安裝預(yù)先制作的銅箔20，同時使銅箔20沿著導(dǎo)向輥3a而移動，把銅箔20的前端安裝于卷取輥2b，驅(qū)動全部或一部分的輥，給予銅箔20以適度的張力，將銅箔20不發(fā)生松弛與撓曲地、平面狀地設(shè)置于蒸發(fā)源6a、6b上。遮蔽部件9a、9b與銅箔20的間隙為0.5mm。蒸發(fā)源(6a、6b)與銅箔20的距離為25cm。
使真空排氣裝置18工作，進行排氣，使真空腔室內(nèi)的真空度達到1×10-4Pa之后，進行成膜。
通過驅(qū)動全部的輥，使銅箔20以任意的速度行走。在銅箔20的表面?zhèn)鹊氖珜?1a上SiLi層(厚度3μm)21b的正確成膜，是伴隨著銅箔20的行走，由位置檢測器7a認識銅箔20的表面上的石墨層21a的端部，控制行走速度，開閉由前面說明的開閉器(8a、8b)的成膜方法而進行。成膜后，使用氣體導(dǎo)入閥19將氬氣氣體導(dǎo)入腔室內(nèi)，打開腔室，取出卷取于卷取輥2b的銅箔20。
接著對上述取出的銅箔20的背面進行圖案化。為了對銅箔20的背面?zhèn)葓D案化，使遮蔽部件9a、9b的節(jié)距為0.43m，狹縫(開口部)在銅箔的行進方向上為5cm寬度，在與行進方向垂直的方向上為0.16m的寬度而形成。
使真空排氣裝置18工作，進行排氣，使在真空腔室內(nèi)的真空度達到1×10-4Pa之后，進行成膜。
向銅箔20的背面?zhèn)鹊氖珜?1a的SiLi層(厚度3μm)21b的正確成膜，是使用這樣的成膜方法，即，伴隨著銅箔20的行走，由位置檢測器7b認識銅箔20的背面上的石墨層21a的端部，控制行走速度，開閉由前面說明的開閉器(8a、8b)，而在石墨層21a上圖案化SiLi層(厚度3μm)21b，使用卷取輥2b卷取銅箔20。成膜后，使用氣體導(dǎo)入閥19，將氬氣氣體導(dǎo)入腔室內(nèi)，打開腔室，取出卷取于卷取輥2b的銅箔20。
上述制作的銅箔上負極圖案的狀態(tài)示于圖5。確認了正如設(shè)計的那樣，在銅箔20的表面?zhèn)?，左端部?m、右端部有6.42m的未蒸鍍的部分。確認了在石墨層21a上SiLi層(厚度3μm)21b正確地形成，是從左端部7m的位置開始以0.43m的節(jié)距(涂敷部0.41m、間隔0.02m)而形成，全部的負極圖案達到了4620個。另一方面，確認了正如設(shè)計的那樣，在銅箔20的背面?zhèn)?，左端部?m、右端部有6.48m的未蒸鍍的部分。在石墨層21a上正確地形成SiLi層(厚度3μm)21b，從左端部7m的位置開始以0.43m的節(jié)距(涂敷部0.35m、間隔0.08m)形成，全部的負極圖案達到了4620個。
比較例1在比較例1中，圖案掩膜與銅箔重合同步行走，通過圖案掩膜的開口部而試驗了銅箔上電極的圖案化。
形成了石墨的銅箔20，使用了實施例1中所使用的銅箔。還有，為了進行與圖案掩膜的對位，適宜地設(shè)置了對準(zhǔn)標(biāo)記22(孔)。而且，圖案掩膜，是使用了從厚度約為20μm，寬度0.24m，長度約2000m的銅箔制作開口部22，表面鍍鎳的銅箔24。圖6(a)中表示了銅箔表面?zhèn)鹊氖珜拥膱D案，圖6(b)中表示用于對銅箔表面?zhèn)葓D案化的圖案掩膜的概略。在圖案掩膜中也設(shè)置有與銅箔20對位用的對準(zhǔn)標(biāo)記22。圖7(a)中表示了銅箔背面?zhèn)鹊氖珜?1a的圖案，圖7(b)中表示用于對銅箔背面?zhèn)冗M行圖案化的圖案掩膜的概略。在圖案掩膜中也設(shè)置有與銅箔20的對位用對位標(biāo)記22。
參照圖8，表示了比較例1中所使用的真空成膜裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)?；旧鲜怯摄~箔20的行走機構(gòu)以及與上述銅箔同步行走的掩膜移動機構(gòu)所構(gòu)成。銅箔20的從供料到卷取，是由供給銅箔20的供料輥2a，為了將銅箔20導(dǎo)入滾筒(can roller)17a而設(shè)置的導(dǎo)向輥14a，用于提高銅箔20與圖案掩膜12a及12b的緊密接合與同步進行的成膜精度的滾筒17a，用于使由滾筒17a所送來的銅箔20在卷取輥高精度行走的導(dǎo)向輥14b，以及用于卷取由導(dǎo)向輥14b所送來的銅箔20的卷取輥2b所構(gòu)成。圖案掩膜12a或12b的從供料到卷取，是由用于供給上述圖案掩膜的供料輥13a，為了將上述圖案掩膜12a或12b導(dǎo)入滾筒17a而設(shè)置的導(dǎo)向輥15a，用于卷取由滾筒15a所送來的上述圖案掩膜12a或12b的卷取輥13a所構(gòu)成。而且，使蒸發(fā)源6a與滾筒17a的最下部之間的距離為25cm。
首先，在上述銅箔表面?zhèn)鹊慕?jīng)圖案化的石墨層21a上，由真空蒸鍍法圖案化厚度為3μm的SiLi層21b。作為銅箔20的初期設(shè)置狀態(tài)，在圖8所示的供料輥2a上，安裝預(yù)先制作的銅箔20的卷心，在圖案掩膜供料輥13a上安裝預(yù)先制作的圖案掩膜12a(表面?zhèn)扔脠D6(b))。對合對位標(biāo)記22，使銅箔20及圖案掩膜12a緊密接合，同時使它們沿滾筒17a移動，分別使用導(dǎo)向輥14b、15b，在各自的卷取輥2b、13b上安裝銅箔20與圖案掩膜12a的前端。驅(qū)動全部或一部分的輥，給予銅箔20和圖案掩膜12a以適度的張力，將銅箔20和圖案掩膜不發(fā)生松弛與撓曲地緊密接合于蒸發(fā)源6a上的滾筒17a。
通過驅(qū)動全部的輥，使銅箔20與圖案掩膜12a以任意的速度同步行走，不使用開閉器機構(gòu)而從蒸發(fā)源連續(xù)地蒸發(fā)SiLi。在形成約1200m的膜時，圖案掩膜12a被切斷。成膜后，使用氣體導(dǎo)入閥19將氬氣氣體導(dǎo)入腔室內(nèi)，打開腔室，取出卷取于卷取輥2b的銅箔20。觀察了能夠成膜部分的銅箔20上的圖案，可知在石墨上有未形成SiLi層的部分，石墨上以外的區(qū)域也形成了SiLi層。這是由于在行走中銅箔20與圖案掩膜12a發(fā)生了偏差。而且，在銅箔20的薄膜層表面的一部分觀察到了損傷與剝落。這是由于銅箔20與圖案掩膜12a緊密接合行走，發(fā)生偏差時切削了薄膜。
接著，在上述銅箔背面?zhèn)鹊慕?jīng)圖案化的石墨層21a上，由真空蒸鍍法圖案化由SiLi所構(gòu)成的活性物質(zhì)。作為銅箔20的初期設(shè)置狀態(tài)，在圖8所示的供料輥2a上安裝預(yù)先制作的銅箔20的卷心，在圖案掩膜供料輥13a上安裝預(yù)先制作的圖案掩膜12a(背面?zhèn)扔脠D7(b))。對合對位標(biāo)記，使銅箔20及圖案掩膜12a緊密接合，同時使它們沿滾筒17a移動，分別使用導(dǎo)向輥14b、15b，在各自的卷取輥2b、13b上安裝銅箔20與圖案掩膜12b的前端。驅(qū)動全部或一部分的輥，給予銅箔20和圖案掩膜12b以適度的張力，將銅箔20和圖案掩膜不發(fā)生松弛與撓曲地緊密接合于蒸發(fā)源6a上的滾筒17a。
使真空排氣裝置18工作，進行排氣，使在真空腔室內(nèi)的真空度達到1×10-4Pa之后，進行成膜。
通過驅(qū)動全部的輥，使銅箔20與圖案掩膜12a以任意的速度同步行走，不使用開閉器機構(gòu)而從蒸發(fā)源連續(xù)地蒸發(fā)SiLi。在形成約500m的膜時，圖案掩膜被切斷。成膜后，使用氣體導(dǎo)入閥19將氬氣導(dǎo)入腔室內(nèi)，打開腔室，取出卷取于卷取輥2b的銅箔20。觀察了能夠成膜部分的銅箔20上的圖案，可知在石墨上有未形成SiLi層的部分，石墨上以外的區(qū)域也形成了SiLi層。這是由于在行走中銅箔20與圖案掩膜12a發(fā)生了偏差。而且，在銅箔20的薄膜層膜面的一部分觀察到了損傷與剝落。這是由于銅箔20與圖案掩膜12a緊密接合行走，發(fā)生偏差時切削了薄膜。
以上，在歷來的使圖案掩膜與銅箔同步(行走)而進行的成膜方法中，不能實現(xiàn)二次電池用的圖案化。
在歷來的使圖案掩膜與銅箔同步(行走)而進行的成膜方法中，除了基板用的行走裝置，在真空裝置內(nèi)也必須設(shè)置圖案掩膜用行走裝置，使裝置的結(jié)構(gòu)繁雜。而另一方面在實施例1的真空成膜裝置中，由于不使用圖案掩膜，所以沒有必要設(shè)置圖案掩膜用行走裝置，能夠使裝置的結(jié)構(gòu)簡化。
而且，在歷來的使圖案掩膜與銅箔同步(行走)而進行的成膜方法中，必須對基板及圖案掩膜雙方的行走進行控制。進而，還必須確認圖案掩膜對于在行走的基板的位置，因此，在所希望的位置正確地成膜是困難的。而另一方面在實施例1的真空成膜裝置中，由于遮蔽部件被固定，所以行走的構(gòu)成要素僅有基板。而且，能夠由位置檢測器正確地認識基板上應(yīng)該成膜的位置，基于該信息控制開閉器機構(gòu)。其結(jié)果是能夠在基板上高精度地成膜。
實施例2在本實施例2中，對作為非水電解液二次電池用的負極，在經(jīng)圖案化的石墨上，一貫在真空中，在石墨兩面上圖案化由硅鋰合金(SiLi)所構(gòu)成的薄膜層的真空成膜裝置與使用該裝置的圖案化方法加以說明。
帶有石墨的銅箔，使用了與實施例1中同樣的銅箔。圖9是表示用于在圖4的銅箔20的兩面的既定位置(石墨層21a)形成SiLi層21b的真空蒸鍍裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的概略圖。銅箔20的從供料到卷取，是由用于供給銅箔20的供料輥2a，為了高精度地移動銅箔20、將來自蒸發(fā)源(6a、6b)的蒸發(fā)物在銅箔20的表面?zhèn)茹~箔20上正確成膜而設(shè)置的兩個導(dǎo)向輥3a，為了高精度地移動由導(dǎo)向輥3a所送來的銅箔20、使銅箔20的背面面向蒸發(fā)源6c、6d而設(shè)置的兩個導(dǎo)向輥4a，為了能夠改變由導(dǎo)向輥4a所送來的銅箔20的速度、在背面?zhèn)鹊哪康奈恢贸赡ざO(shè)置的松緊調(diào)節(jié)輥5，擔(dān)當(dāng)向松緊調(diào)節(jié)輥5送銅箔20的導(dǎo)向輥4b，以將從松緊調(diào)節(jié)輥5所送來的銅箔20正確地送到導(dǎo)向輥3b為目的的導(dǎo)向輥4c，為了在從松緊調(diào)節(jié)輥5所送來的銅箔20背面?zhèn)鹊哪康奈恢贸赡ざO(shè)置的兩個導(dǎo)向輥3b，以及用于卷取從導(dǎo)向輥3b所送來的在兩面圖案化硅薄膜的銅箔20的卷取輥2b所構(gòu)成。
而且，為了正確地把握銅箔20上石墨層21a的位置、在石墨上正確地成膜，在成膜前的工序中設(shè)置利用銅箔面與石墨涂敷面的光反射率的位置檢測器7a、7b。用于對銅箔20的表面?zhèn)葓D案化的遮蔽部件9a、9b的節(jié)距為0.43mm，狹縫(開口部)在銅箔的行進方向上為5cm寬度，在與行進方向垂直的方向上為0.16m的寬度而形成。另一方面，用于對銅箔20的背面?zhèn)葓D案化的遮蔽部件9c、9d的節(jié)距為0.43mm，狹縫(開口部)在銅箔的行進方向上為5cm的寬度、在與行進方向垂直的方向上為0.16m的寬度而設(shè)置。
在上述經(jīng)圖案化的石墨層21a上，由真空蒸鍍法圖案化厚度為3μm的SiLi層21b。作為銅箔20的初期設(shè)置狀態(tài)，在圖9所示的真空成膜裝置的供料輥2a上，安裝預(yù)先制作的銅箔20的卷心，同時使銅箔20沿著導(dǎo)向輥3a→導(dǎo)向輥4a→導(dǎo)向輥4b→松緊調(diào)節(jié)輥5→導(dǎo)向輥4c→導(dǎo)向輥3b而移動，把銅箔20的前端安裝于卷取輥2b，驅(qū)動全部或一部分的輥給予銅箔20以適度的張力，將銅箔20不發(fā)生松弛與撓曲地、平面狀地設(shè)置于蒸發(fā)源上。遮蔽部件9a、9b、9c、9d與銅箔20的間隙為0.5mm。此外，蒸發(fā)源6a、6b、6c、6d與銅箔20的距離為25cm。
使真空排氣裝置18工作，進行排氣，使真空腔室內(nèi)的真空度達到1×10-4Pa之后，進行成膜。
通過驅(qū)動全部的輥，使銅箔20以任意的速度行走。向銅箔20的表面?zhèn)鹊氖珜?1a上的SiLi層(厚度3μm)21b的正確成膜，是利用這樣的成膜方法進行，即，伴隨著銅箔20的行走，由位置檢測器7a認識銅箔20的表面上的石墨層21a的端部，控制行走速度，開閉前面說明的開閉器8a、8b。向銅箔20的背面?zhèn)鹊氖珜?1a的SiLi層21b的正確成膜，是利用這樣的成膜方法進行，即，伴隨著銅箔20的行走，由位置檢測器7b認識銅箔20的背面上的石墨層21a的端部，控制行走速度，開閉前面說明的開閉器8c、8d的成膜方法而進行，通過這樣的方法，在石墨層21a上圖案化SiLi層21b，使用卷取輥2b卷取銅箔20。成膜后，使用氣體導(dǎo)入閥19將氬氣導(dǎo)入腔室內(nèi)，打開腔室，取出卷取于卷取輥2b的銅箔20。
上述所制作的銅箔的負極圖案狀態(tài)示于圖6。確認了在銅箔的表面?zhèn)扰c設(shè)計相同，左端部有7m、右端部有6.42m未蒸鍍的部分。確認了SiLi層(厚度3μm)21b在石墨層21a上從左端部7m的位置開始以0.43m(涂敷部0.41m、間隔0.02m)的節(jié)距正確地形成、并形成了4620個SiLi層21b的負極的存在。另一方面，確認了在銅箔20的背面?zhèn)?，左端部?m、右端部有6.48m的未蒸鍍的部分。確認了SiLi層(厚度3μm)21b在石墨層21a上從左端部7m的位置開始以0.43m節(jié)距(涂敷部0.41m、間隔0.02m)正確地形成、并形成了4620個SiLi層21b的負極的存在。
比較例2在比較例2中，進行了使比較例1所示的圖案掩膜與銅箔同步行走，一貫在真空中對銅箔的兩面圖案化而形成負極的嘗試。
形成了石墨的銅箔與圖案掩膜，使用了比較例1中所使用的銅箔與圖案掩膜。
參照圖10，表示了比較例2中所使用的用于一貫在真空中在銅箔的兩面形成負極圖案的真空成膜裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。銅箔20的從供料到卷取，是由用于供給銅箔20的供料輥2a，使銅箔20與圖案掩膜12a或12b緊密接合的同時、將來自蒸發(fā)源6a、6b的蒸發(fā)物成膜的滾筒17a，為了高精度移動從滾筒17a所送來的銅箔20、使銅箔20的背面面向蒸發(fā)源6c、6d而設(shè)置的兩個導(dǎo)向輥4a，為了能夠改變由導(dǎo)向輥4a所送來的銅箔20的速度、在背面?zhèn)鹊哪康奈恢贸赡ざO(shè)置的松緊調(diào)節(jié)輥5，擔(dān)負向松緊調(diào)節(jié)輥5送銅箔20的導(dǎo)向輥4b，以將從松緊調(diào)節(jié)輥5所送來的銅箔20正確地送到滾筒17b為目的的導(dǎo)向輥4c，使從松緊調(diào)節(jié)輥5所送來的銅箔20與圖案掩膜12b緊密接合的同時、使來自蒸發(fā)源6c、6d的蒸發(fā)物在銅箔20的背面?zhèn)瘸赡さ臐L筒17b，以及卷取從滾筒17b所送來的在兩面上圖案化SiLi薄膜的銅箔20的卷取輥2b所構(gòu)成。
用于對銅箔20的表面?zhèn)葓D案化的圖案掩膜12a的從供料到卷取，是由用于供給上述圖案掩膜的供料輥13a，為了將上述圖案掩膜導(dǎo)入滾筒17a而設(shè)置的導(dǎo)向輥15a，用于將從上述導(dǎo)向輥15a所送來的上述圖案掩膜12a導(dǎo)入卷取輥13b的導(dǎo)向輥15b，以及用于卷取從導(dǎo)向輥15b所送來的圖案掩膜的卷取輥13b所構(gòu)成。用于對銅箔20的背面?zhèn)葓D案化的圖案掩膜12b的從供料到卷取，是由用于供給上述圖案掩膜的供料輥13c，為了將上述圖案掩膜導(dǎo)入滾筒17b而設(shè)置的導(dǎo)向輥16a，用于將從滾筒17b所送來的上述圖案掩膜導(dǎo)入卷取輥13d的導(dǎo)向輥16b，以及用于卷取從導(dǎo)向輥16b所送來的上述圖案掩膜的卷取輥13d所構(gòu)成。
在銅箔的兩面上圖案化的石墨層21a上，由真空蒸鍍法圖案化由SiLi所構(gòu)成的活性物質(zhì)的膜。作為銅箔20的初期設(shè)置狀態(tài)，在圖10所示的供料輥2a上安裝預(yù)先制作的銅箔20的卷心，同時使銅箔20沿滾筒17a導(dǎo)向輥4a導(dǎo)向輥4b松緊調(diào)節(jié)輥5滾筒17b而移動，把銅箔20的前端安裝固定于卷取輥2b。
作為圖案掩膜12a、12b的初期狀態(tài)，使圖案掩膜12a、12b沿著導(dǎo)向輥15a、16a滾筒17a、17b導(dǎo)向輥15a、16a而移動，安裝于卷取輥13b、13d。而且，使圖案掩膜12a、12b的對位標(biāo)記22與銅箔20的對位標(biāo)記22相對合，成為受張力的狀態(tài)。
使真空排氣裝置18工作，進行排氣，使真空腔室內(nèi)的真空度達到1×10-4Pa之后，進行成膜。
通過驅(qū)動全部的輥，使銅箔20與圖案掩膜12a以任意的速度同步行走，不使用開閉器機構(gòu)而從蒸發(fā)源連續(xù)地蒸發(fā)SiLi。在銅箔20的表面?zhèn)刃纬杉s1200m的膜、背面?zhèn)刃纬杉s1100m的膜時，圖案掩膜被切斷。成膜后，使用氣體導(dǎo)入閥19將氬氣導(dǎo)入腔室內(nèi)，打開腔室，取出卷取于卷取輥2b的銅箔20。
觀察了成膜部分的銅箔20上的圖案，可知在石墨上有未形成SiLi層的部分，石墨上以外的區(qū)域也形成了SiLi層。這是由于在行走中銅箔20與圖案掩膜12a發(fā)生了偏差。而且，在銅箔20的薄膜層膜面的一部分觀察到了損傷與剝落。這是由于銅箔20與圖案掩膜12a緊密接合行走，發(fā)生偏差時切削了薄膜。取出了上述成膜500m、卷取于卷取輥2b上的銅箔20。
以上，在歷來的圖案掩膜與銅箔同步(行走)而進行的成膜方法中，不能實現(xiàn)二次電池用電極的圖案化。
以上，根據(jù)本發(fā)明，是通過由開閉器機構(gòu)等遮斷裝置將蒸發(fā)物質(zhì)從蒸發(fā)源向基板的移動間歇遮斷而進行成膜。結(jié)果是能夠控制性良好、穩(wěn)定地形成具有所希望圖案形狀的薄膜。由于遮斷裝置是與基板相離間而設(shè)置，所以能夠有效地解決在使用掩膜的歷來的技術(shù)中所產(chǎn)生的膜的位置偏差、黏附于掩膜的蒸鍍物質(zhì)在行走中剝落所產(chǎn)生的污染、成膜中基板的切斷等問題。
本發(fā)明可以適用于電池的電極、二次電池、各種包裝薄膜、各種封裝薄膜、涂層玻璃、磁記錄介質(zhì)、有機EL裝置、無機薄膜EL裝置、薄膜電容器等的制造。
權(quán)利要求
1.一種真空成膜裝置，其特征在于是在基板上形成具有所希望的圖案形狀的薄膜的真空成膜裝置，設(shè)置有使基板行走的行走裝置、包含構(gòu)成薄膜的蒸發(fā)物質(zhì)的蒸發(fā)源、以及將從所述蒸發(fā)源向所述基板的所述蒸發(fā)物質(zhì)的移動進行間歇式遮斷的遮斷裝置，且所述遮斷裝置存在于所述蒸發(fā)源與所述基板之間，與所述基板離間設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空成膜裝置，其特征在于設(shè)置有多個所述遮斷裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空成膜裝置，其特征在于設(shè)置有包含不同蒸發(fā)物質(zhì)的多種蒸發(fā)源。
4.一種真空成膜裝置，其特征在于設(shè)置有用于供給基板的送料輥、用于卷取從所述送料輥所送出的所述基板的卷取輥、含有用于在所述基板上實施真空成膜的蒸發(fā)物質(zhì)的蒸發(fā)源、設(shè)置在所述蒸發(fā)源與所述基板之間且具有狹縫開口部的遮蔽部件、以及設(shè)置在所述遮蔽部件與所述蒸發(fā)源之間、對從所述蒸發(fā)源向所述基板上的所述蒸發(fā)物質(zhì)的移動進行間歇式遮斷的開閉器機構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空成膜裝置，其特征在于在所述遮蔽部件或所述開閉器機構(gòu)中設(shè)置有加熱裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的真空成膜裝置，其特征在于在所述送料輥與所述卷取輥之間設(shè)置有導(dǎo)向輥。
7.根據(jù)權(quán)利要求4～6中任一項所述的真空成膜裝置，其特征在于在所述送料輥與所述卷取輥之間設(shè)置有松緊調(diào)節(jié)輥。
8.根據(jù)權(quán)利要求4～7中任一項所述的真空成膜裝置，其特征在于在所述送料輥與所述卷取輥之間設(shè)置有決定所述基板的位置的位置檢測器。
9.根據(jù)權(quán)利要求4～8中任一項所述的真空成膜裝置，其特征在于所述遮蔽部件具有多個狹縫狀開口部，與各狹縫狀開口部相對應(yīng)設(shè)置有開閉器機構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求4～9中任一項所述的真空成膜裝置，其特征在于設(shè)置有包含不同蒸發(fā)物質(zhì)的多種蒸發(fā)源。
11.一種真空成膜方法，其特征在于是在基板上形成具有所希望的圖案形狀的薄膜的真空成膜方法，具有使基板向一個方向行走的步驟、在基板行走中從蒸發(fā)源發(fā)生蒸發(fā)物質(zhì)并導(dǎo)向所述基板上的步驟、以及在基板行走中使在所述基板與蒸發(fā)源之間且與基板離間而設(shè)置的遮斷裝置進行間歇式動作的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的真空成膜方法，其特征在于所述遮斷裝置是開閉器機構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的真空成膜方法，其特征在于設(shè)置有多個遮斷裝置，通過在使用一個遮斷裝置成膜后，連續(xù)地使用其它遮斷裝置重復(fù)成膜而形成所述薄膜。
14.一種真空成膜方法，其特征在于是在導(dǎo)電性基板上形成具有所希望的圖案形狀的活性物質(zhì)層的真空成膜方法，具有使導(dǎo)電性基板向一個方向行走的步驟、在基板行走中從蒸發(fā)源發(fā)生活性物質(zhì)并導(dǎo)向基板上的步驟、以及在基板行走中使在于所述基板與蒸發(fā)源之間且與基板離間而設(shè)置的遮斷裝置進行間歇式動作的步驟。
15.一種電池用電極的制造方法，其特征在于在權(quán)利要求14所述的電池用電極的制造方法中，所述遮斷裝置是開閉器機構(gòu)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的電池用電極的制造方法，其特征在于設(shè)置有多個遮斷裝置，通過在使用一個遮斷裝置成膜后，連續(xù)地使用其它遮斷裝置重復(fù)成膜。
全文摘要
本發(fā)明的真空成膜裝置使用于將來自蒸發(fā)源(6a、6b)的蒸發(fā)物質(zhì)在柔性基板(1)的既定位置成膜的場合。在真空中使用輥(2a、2b、3a、3c)使柔性基板(1)行走的同時，通過開閉器(8a、8b)的開閉來控制經(jīng)由遮蔽部件(9a、9b)的開口部的蒸發(fā)物質(zhì)的移動。在柔性基板(1)上控制性高地形成具有既定形狀圖案的薄膜。由此提供將來自蒸發(fā)源(6a、6b)的蒸發(fā)物質(zhì)在柔性基板(1)的既定位置成膜時使用的真空成膜裝置。
文檔編號C23C14/56GK1578847SQ0282140
公開日2005年2月9日 申請日期2002年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月27日
發(fā)明者宇津木功二, 山本博規(guī), 宮地麻里子, 三浦環(huán), 森滿博, 坂內(nèi)裕, 山崎伊紀子 申請人:日本電氣株式會社