專利名稱：一種納米粒子表面物理化學(xué)結(jié)構(gòu)裁剪包覆方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用等離子體放電方法在納米粒子表面包覆一層薄膜的方法。具體的是關(guān)于一種納米粒子表面物理化學(xué)結(jié)構(gòu)裁剪包覆方法，是在真空等離子體條件下通過對脈動射頻等離子體進(jìn)行放電參數(shù)的調(diào)制，按照包覆對象的不同，選擇性地裁剪設(shè)計包覆膜的化學(xué)物理結(jié)構(gòu)，從而達(dá)到裁剪設(shè)計納米粒子的表面物理化學(xué)結(jié)構(gòu)的目的。
背景技術(shù)：
目前，各種結(jié)構(gòu)類與功能類納米粒子材料的研究與應(yīng)用正引起越來越多的關(guān)注。形成納米復(fù)合材料時，只有當(dāng)其中任一相的尺寸達(dá)到100納米以下或更低時，其小尺寸帶來的特異功能性才能體現(xiàn)。但此時，表面原子占總原子數(shù)的比例激增，表面能迅速增大，粒子的團(tuán)聚現(xiàn)象愈加嚴(yán)重，因而要使納米粒子在基體中達(dá)到納米級的分散很難。
由于納米材料分散性能很大程度上受納米粒子表面性能影響，因而表面改性是常用的改進(jìn)納米粒子分散性的方法之一，對納米材料體現(xiàn)其特異功能至關(guān)重要。各種液態(tài)方法，如偶聯(lián)劑、表面活性劑、有機(jī)低聚物等，主要通過改變表面化學(xué)結(jié)構(gòu)改善納米粒子的分散性。但應(yīng)用中存在使用溫度低，包覆過程需要反復(fù)進(jìn)行固液分離操作等不足。氣態(tài)方法如激光濺射、等離子體包覆等，可以通過簡單的一步法進(jìn)行包覆。等離子體包膜是通過放電裂解各類聚合或非聚合性的單體，氣相聚合沉積，通過反應(yīng)活性種與納米粒子表面的物理和化學(xué)結(jié)合，在納米粒子表面包覆極薄的一層膜。目前國內(nèi)外正開始這方面的研究，如D Shi等應(yīng)用射頻連續(xù)波等離子體聚合方法，在尺寸10nm到150nm的Al2O3和ZnO納米粒子表面獲得極薄的均勻薄膜(D Shi etal.，Appl.Physics Letter，2001，78(9)1243-1245)；Dorothee V.Szabo等用微波等離子體在Fe3O4納米粒子表面包覆聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜(Dorothee V.Szabo et al.，Advanced Materials，1999，11(15)1313-1316)。上述納米粒子的等離子體包覆大都使用射頻連續(xù)波等離子體方法，它對單體原有結(jié)構(gòu)破壞極大，較難保留原有單體含氧、含氮等的官能團(tuán)，如COOH、OH、NH2等，聚合包覆得到的膜層有很高的交聯(lián)度，因此滲透性很低，而且不溶不熔，在調(diào)控沉積膜化學(xué)結(jié)構(gòu)方面靈活性小。最近發(fā)展起來的脈動射頻等離子體在材料表面改性方面，可通過對射頻等離子體進(jìn)行脈動調(diào)制，使放電在“開”與“關(guān)”之間間歇進(jìn)行，“開”時產(chǎn)生自由基，在“關(guān)”的間歇，可以進(jìn)行常規(guī)自由基聚合，從而可選擇性地“裁剪”保留特定的單體分子官能團(tuán)。如Licheng M.Han等人將其用于全氟烷基苯在平面玻璃或硅片上的膜沉積，選擇性保留單體中耐熱苯環(huán)和對絕緣性能有貢獻(xiàn)的CF官能團(tuán)，獲得低介電常數(shù)和高熱穩(wěn)定性的功能膜涂層(Licheng M.Han，et al.，1997，Langmuir，135941)。張菁等在乙烯基乙酸脈動射頻等離子體聚合的研究中，當(dāng)脈動比減小時，玻片上聚合膜結(jié)構(gòu)中羧基、羥基的含量呈上升趨勢(張菁等，物理學(xué)報，2003，52(7)1707-1712)然而，利用等離子體聚合方法進(jìn)行納米粒子包覆還存在著如何對單一粒子而非粒子團(tuán)聚體進(jìn)行包覆的難題。由于前述納米粒子的表面能很高等原因，納米粒子極易產(chǎn)生團(tuán)聚，要在單個的納米粒子而非粒子的團(tuán)聚體表面進(jìn)行包覆就顯得異常困難。而且在等離子體聚合方法進(jìn)行納米粒子包覆時，選擇性地“裁剪”保留特定的單體分子官能團(tuán)，也是有待解決的問題。
因此針對這兩個難題需要尋找改進(jìn)方法，以提高單一粒子包覆的均勻性，并針對不同應(yīng)用目的更靈活地裁剪改變包覆膜的表面物理及化學(xué)結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
針對克服納米粒子包覆時易產(chǎn)生團(tuán)聚的問題，以提高單一粒子包覆的均勻性，以及根據(jù)不同應(yīng)用目的更靈活地裁剪包覆膜的表面物理化學(xué)結(jié)構(gòu)兩個目的，本發(fā)明提出一種納米粒子表面物理化學(xué)結(jié)構(gòu)裁剪包覆方法。其作用原理是首先使納米粒子帶電，粒子產(chǎn)生同性的等離子體鞘電位，利用顆粒同性鞘電位相斥作用，并通過流化或剪切作用施加切向力，使軟團(tuán)聚易于破壞，納米粒子動態(tài)地不斷更新暴露于等離子體聚合氣氛中，氣態(tài)單體活性種易于滲入粒子間而產(chǎn)生均勻沉積包覆。同時調(diào)控等離子體聚合放電條件，如放電的時間、功率、脈動比等，調(diào)控包覆膜的物理化學(xué)結(jié)構(gòu)，獲得物理化學(xué)結(jié)構(gòu)可變的納米粒子表面，以適用于不同的應(yīng)用目的。
本發(fā)明納米粒子表面物理化學(xué)結(jié)構(gòu)裁剪包覆方法，包括以下步驟(1)被包覆納米粒子預(yù)先經(jīng)高壓靜電發(fā)生器作用，使之帶電?？刹捎檬惺鄹邏红o電發(fā)生器，放電時間1-20分鐘，電壓10-100KV，取出后立即置入等離子體反應(yīng)器(如圖1所示)的多孔分配板上；(2)反應(yīng)器抽真空至本底真空度≤10Pa，將單體與載氣按比例混合成混合氣體，通過多孔分配板以一定的速度流向?qū)氲入x子體反應(yīng)器，使粒子處于流化狀態(tài)，而且通過粒子間靜電相斥作用，使軟團(tuán)聚易于通過流化或剪切作用破壞，氣態(tài)單體原子或基團(tuán)易于滲入粒子間均勻沉積包覆。單體與載體的混合體積比是1-10∶1-95，控制混合氣體流速5-150sccm(每分鐘標(biāo)準(zhǔn)立方升)，反應(yīng)器真空度達(dá)15-300Pa。
(3)開啟脈動射頻等離子體發(fā)生器與攪拌器。通過電容耦合線圈在反應(yīng)器內(nèi)形成放電，使導(dǎo)入的單體放電聚合，并包覆在納米粒子表面。脈動射頻等離子體發(fā)生器頻率13.56MHz，最大功率600W。反應(yīng)器可以進(jìn)行脈動調(diào)制，使放電在“開”與“關(guān)”之間間歇進(jìn)行，脈動比(“開”的時間除以“開”和“關(guān)”的時間總和)為1-100％，“開”的時間范圍為1μs-50ms，等離子體反應(yīng)器電極為電容耦合式，放電功率2-500W，聚合包覆時間視包覆厚度需要而定，可為0.1-15小時。在反應(yīng)結(jié)束后，包覆后的納米粒子可在過濾收集器收集或在反應(yīng)器下部收集。等離子體反應(yīng)器內(nèi)的攪拌器是由斜度為0-45°的1-40對的刀形葉片組成，葉片寬0.5-2.0cm，通過電機(jī)帶動，攪拌速度50-2000轉(zhuǎn)/分，攪拌器安裝高度10-50cm，以提高軟團(tuán)聚的破壞程度，更新粒子表面，使其動態(tài)分散于等離子體氣氛中，達(dá)到單一粒子均勻包覆的效果。
所述單體可為常溫常壓下或減壓后能形成氣態(tài)的化合物(惰性氣體及氧、氮、氫等非聚合沉積類氣體除外)，可以選自丙氨酸、甘氨酸、賴氨酸，丙烯酰胺，乙烯基乙酸、丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯、四氟化碳、六氟丙烯、六甲基二硅氧烷、乙烯、乙炔、甲烷、乙醇、丙酮，四羥乙基鈦、四甲氧基硅烷、二乙基鋅、四甲基錫或硫酸銅等，載氣可為帶一定壓力的非聚合性氣體，如氬、氮、氧、氫、壓縮空氣等。
等離子體反應(yīng)器內(nèi)多孔分配板如圖2所示。多孔分配板上的孔的下部直徑d1∶孔的上部直徑d2＝1∶1-5，孔的下部直徑的高度∶孔的總高度＝1-4∶5，孔面積占板面積的1/10～8/10，d2為1～50mm。多孔分配板上覆蓋有孔徑50-600目的不銹鋼濾網(wǎng)或?yàn)V紙。這樣安排可使氣體分布均勻，因而納米粒子受到適宜的氣體沖力而處于良好的流化狀態(tài)。
本發(fā)明具有下列特點(diǎn)與效果1、本發(fā)明方法在包覆時由于納米粒子帶電，可以利用粒子產(chǎn)生的同性的等離子體鞘電位間的相斥作用，并通過氣流流化和剪切作用施加切向力，使軟團(tuán)聚易于破壞，納米粒子動態(tài)地不斷更新暴露于等離子體聚合氣氛中，氣態(tài)單體活性種易于滲入粒子間而產(chǎn)生均勻沉積包覆。
2、將射頻等離子體進(jìn)行脈動調(diào)制，用于單體的聚合，可較大程度地提高聚合包覆膜中含氧、含氮、含硫等官能團(tuán)的保留率，調(diào)控包覆粒子與基體聚合物的相容性。也可包覆粒子表面具有可進(jìn)一步反應(yīng)的官能團(tuán)。克服射頻連續(xù)波等離子體包覆膜常見的不溶不熔、高度交聯(lián)的缺陷，調(diào)控包覆膜的化學(xué)結(jié)構(gòu)，從而形成化學(xué)結(jié)構(gòu)可裁剪控制的納米粒子表面。
3、控制調(diào)節(jié)脈動射頻等離子體條件，如功率、脈動比、流速、單體配比、時間等，可調(diào)節(jié)控制包覆層厚度、表面拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，改變粒子表面物理結(jié)構(gòu)。從而改變包覆粒子的流動性、比重、與基體材料的結(jié)合緊密程度、吸附性等。這樣，通過包膜的空間物理位阻，可以阻止納米粒子團(tuán)聚成較大的顆粒，通過化學(xué)相容性及包膜的物理粗糙度等，增進(jìn)與基體聚合物的分散性，降低納米粒子的團(tuán)聚性，以體現(xiàn)小尺寸給納米粒子帶來的特殊效應(yīng)等。
4、包覆反應(yīng)在常溫干態(tài)進(jìn)行，可適用于溶解性及非溶解性納米粒子的包覆，以及對溫度敏感的粒子的包覆。并且克服溶劑重復(fù)分離等操作，對環(huán)境污染小，包覆工藝相對簡單。
5、包覆單體選擇范圍廣，可進(jìn)行有機(jī)、無機(jī)、金屬薄膜的包覆，用于各類納米復(fù)合粒子及納米/聚合物復(fù)合材料、納米/金屬復(fù)合材料等的研制。也可用于各類納米復(fù)合顆粒的研制等，形成無機(jī)/有機(jī)、無機(jī)/金屬、金屬/有機(jī)、無機(jī)/金屬/有機(jī)等納米復(fù)合粒子。


圖1是等離子體包覆反應(yīng)器裝置示意圖。
圖2是等離子體反應(yīng)器內(nèi)的多孔分配板示意圖其中d1孔的下部直徑h1孔下部直徑的高度
d2孔的上部直徑h2孔的總高度。
圖3是等離子體丙烯酸包覆前后TiO2納米粒子的HRTEM圖其中a未包覆 b等離子體包覆后。
圖4是等離子體經(jīng)丙烯酸包覆前后TiO2納米粒子的EDS譜圖其中a未包覆 b等離子體包覆后。
圖5是等離子體六甲基二硅氧烷包覆的Cr2O3納米粒子的HRTEM圖。
圖6是等離子體六甲基二硅氧烷膜的AFM圖其中a脈動比3％，脈動“開”的時間為15ms，放電功率3Wb連續(xù)波，放電功率30W。
圖7是等離子體六甲基二硅氧烷膜的AFM剖面粗糙度比較圖其中a脈動比3％，脈動“開”的時間為15ms，放電功率3Wb連續(xù)波，放電功率30W。
圖8是不同等子體包覆條件下的TiO2納米粒子的紅外光譜圖其中a未包覆b丙烯酸包覆，脈動比2％c丙烯酸包覆，脈動比40％。
圖9是不同包覆條件對TiO2納米粒子紫外吸光性的影響。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1 納米粒子TiO2的等離子體聚合均勻包覆采用圖1所示的等離子體包覆反應(yīng)器裝置進(jìn)行包覆試驗(yàn)。首先將包覆對象TiO納米粒子，平均粒徑30nm左右，預(yù)先經(jīng)50KV高壓靜電發(fā)生器作用5分鐘，使之帶電，取出后立即置入等離子體反應(yīng)器6下部的多孔分配板3(詳細(xì)結(jié)構(gòu)參見圖2)上。反應(yīng)器6由真空系統(tǒng)7抽真空至本底真空度5Pa。將單體丙烯酸與載氣氬氣分別通過流量計1計量，按體積比為1∶50，在氣體混合器2中均勻混合后，通過多孔分配板3，以10sccm的流速導(dǎo)入等離子體反應(yīng)器6，使粒子處于流化狀態(tài)，真空度下降至150Pa。開啟脈動射頻等離子體發(fā)生器5與攪拌器4。發(fā)生器5通過電容耦合線圈在反應(yīng)器6內(nèi)形成放電，使導(dǎo)入的單體放電聚合，并包覆在納米粒子表面。脈動射頻等離子體發(fā)生器5頻率13.56MHz，最大功率600W。反應(yīng)器6進(jìn)行脈動調(diào)制，放電的脈動比100％，“開”的時間為1ms，放電時間為4小時，放電功率為20W。攪拌器4是由斜度為30°的30對刀形葉片組成，葉片寬1cm，攪拌速度1000轉(zhuǎn)/分，攪拌器安裝高度20cm，以提高軟團(tuán)聚的破壞程度，更新粒子表面使其動態(tài)分散于等離子體氣氛中，達(dá)到單一粒子均勻包覆的效果。在反應(yīng)結(jié)束后，包覆后粒子在過濾收集器8收集或在反應(yīng)器6下部收集。
包覆后樣品經(jīng)高分辨透射電鏡(HRTEM)檢測(圖3)，未包覆的TiO2納米粒子可見其晶體的層狀結(jié)構(gòu)(圖3中a)，但外表面未見半透明的無定形有機(jī)包覆層或其它層狀晶體結(jié)構(gòu)的包覆層，而經(jīng)丙烯酸等離子體聚合包覆的TiO2除可見其晶體的層狀結(jié)構(gòu)外，外圈可見一層半透明的無定形丙烯酸等離子體聚合物有機(jī)包覆層，均勻包覆在TiO2層狀晶體外圈，厚度約為5nm左右(圖3中b)。X光能量散射譜(EDS)表明，包覆前鈦峰強(qiáng)度較高(圖4中a)，包覆后鈦峰強(qiáng)度下降為零(圖4中b)，氧峰、碳峰強(qiáng)度上升，說明包覆的等離子體聚丙烯酸薄膜相當(dāng)有效且均勻，所以鈦元素不再被檢測到。
實(shí)施例2 Cr2O3納米粒子等離子體包覆條件影響包覆厚度的試驗(yàn)采用圖1所示的等離子體包覆反應(yīng)器裝置，操作步驟參照實(shí)施例1。
以Cr2O3納米粒子為包覆對象，平均粒徑150nm，經(jīng)20KV高壓靜電發(fā)生器作用1分鐘使之帶電，立即置入等離子體反應(yīng)器6中，抽真空至本底真空度4Pa，通入六甲基二硅氧烷與氮的混合氣體，兩種氣體的體積比為10∶50，流速60sccm，真空度下降至200Pa。開啟等離子體發(fā)生器5與攪拌器4，控制放電的功率為40W，放電時間為8小時，放電的脈動比50％，脈動“開”的時間為2ms，攪拌速度500轉(zhuǎn)/分。
包覆后樣品經(jīng)高分辨透射電鏡(HRTEM)檢測(見圖5)，結(jié)果表明，粒子表面都均勻包覆一層厚度約為25nm左右的等離子體聚合的六甲基二硅氧烷薄膜。
實(shí)施例3 脈動射頻等離子體包覆條件影響包覆膜表面粗糙度的試驗(yàn)采用圖1所示的等離子體包覆反應(yīng)器裝置。
為了觀察脈動射頻等離子體包覆條件與包覆膜表面粗糙度的關(guān)系，選擇平整的玻璃片為涂層對象，清洗干凈后，置入等離子體反應(yīng)器6中，抽真空至本底真空度4Pa，通入六甲基二硅氧烷與氬氣的混合氣體，兩種氣體的體積比為10∶90，流速10sccm，使真空度下降至30Pa。開啟等離子體發(fā)生器5，放電聚合。放電時間為1小時，聚合結(jié)束，取出樣品做原子力顯微鏡(AFM)分析，所得樣品的原子力顯微鏡圖見圖6。圖6中a放電功率為3w、脈動比3％、脈動“開”的時間為15ms，圖6中b放電功率為30w，連續(xù)波。亮度越大，代表平面高度越高。圖7中a和b為圖6中a和b樣品的剖面圖。曲線高低代表膜剖面的起伏。從該AFM的檢測結(jié)果可知，低脈動比、低功率的條件下(圖6中a、圖7中a)，包膜為納米級的顆粒膜組成，包膜起伏粗糙度為數(shù)納米；連續(xù)波高功率情況下(圖6中b、圖7中b)，包膜為微米級的大顆粒膜組成，包膜起伏粗糙度為數(shù)微米。改變包膜條件，可以有效改變包膜的粗糙度。
實(shí)施例4 包覆條件影響TiO2納米粒子表面化學(xué)結(jié)構(gòu)的試驗(yàn)采用圖1所示的等離子體包覆反應(yīng)器裝置，操作步驟參照實(shí)施例1。
采用圖1所示的等離子體包覆反應(yīng)器裝置，操作步驟參照實(shí)施例1。
包覆對象TiO2納米粒子，平均粒徑30nm左右，TiO2納米粒子預(yù)先經(jīng)35KV高壓靜電發(fā)生器作用3分鐘，使之帶電，立即置入等離子體反應(yīng)器6中，抽真空至本底真空度3Pa，通入丙烯酸與氬氣的混合氣體，兩種氣體的體積比為5∶50，流速35sccm，使真空度下降至85Pa。開啟等離子體發(fā)生器5與攪拌器4，控制放電的功率為20w，放電時間為2小時，攪拌速度1000轉(zhuǎn)/分，放電的脈動比為2％、40％。
包覆處理后的TiO2納米粒子樣品與KBr粉按照一定比例共混碾磨壓片，經(jīng)Nicolet公司生產(chǎn)的NEXUS-670型傅里葉光譜儀測定包覆TiO2納米粒子的紅外光譜，以測試包覆TiO2納米粒子的化學(xué)結(jié)構(gòu)如圖8所示。圖8中(a)為未經(jīng)包覆的TiO2納米粒子的紅外光譜圖，圖8中(b)和(c)分別為脈動比2％、40％時包覆處理的TiO2納米粒子的紅外光譜圖。由于包覆層薄，紅外透射譜測試的結(jié)構(gòu)也不僅僅反映表面，所以圖8中(a)(b)(c)可見，400-700cm-1范圍都有很強(qiáng)的吸收峰，這是Ti-O-Ti鍵的特征吸收峰，在3300cm-1附近都有較寬的由于水的吸附等引起的-OH的伸縮振動峰。1631cm-1附近的吸收峰也是由于表面羥基化產(chǎn)生的-OH的伸縮振動峰。經(jīng)脈動比2％的丙烯酸等離子體包覆處理之后，在1433cm-1附近出現(xiàn)了一新的肩峰，脈動比40％時，這一肩峰發(fā)展成為一新吸收峰。由于這一位置的吸收與CH3-O-或CH2-O-等基團(tuán)中CH變形振動有關(guān)，該峰相對強(qiáng)度的高低，說明不同脈動比條件下，包覆膜中類似CH3-O-或CH2-O的酯基的含量不一。不同包覆條件，可以改變包膜化學(xué)結(jié)構(gòu)中基團(tuán)的含量，甚至種類。
實(shí)施例5 包覆條件影響TiO2納米粒子紫外吸光性能的試驗(yàn)采用圖1所示的等離子體包覆反應(yīng)器裝置，操作步驟參照實(shí)施例1。
包覆對象TiO2納米粒子，平均粒徑30nm左右，TiO2納米粒子經(jīng)100KV高壓靜電發(fā)生器作用1分鐘，立即置入等離子反應(yīng)器6中。抽真空至本底真空度3Pa，通入六甲基二硅氧烷與氬氣的混合氣體，兩種氣體的體積比為5∶95，流速50sccm，使真空度下降至150Pa。開啟等離子體發(fā)生器5與攪拌器4，控制放電的功率為60w，放電時間為4小時，攪拌速度2000轉(zhuǎn)/分，放電的脈動比為5％、15％、40％。
處理后樣品經(jīng)乙二醇配成0.015％的懸浮液，倒入0.5cm的石英比色皿中，用752分光光度計測其在紫外一可見光的吸收值。所得結(jié)果如圖9所示。不同的脈動比下，由于包覆層的物理化學(xué)結(jié)構(gòu)不同，包覆的TiO2納米粒子在乙二醇溶液中吸光性就不同。因?yàn)榉稚⑿院茫瑘F(tuán)聚粒徑小，對紫外光的吸收性好。所以吸光性的好壞也代表了分散性的好壞。從圖9可見，盡管在不同脈動比條件下包覆的TiO2納米粒子在乙二醇溶液中吸光性不同，但都比未包覆TiO2納米粒子的乙二醇溶液的吸光性好，也說明包覆的TiO2納米粒子在乙二醇溶液中分散性比未包覆TiO2納米粒子的分散性好。
權(quán)利要求
1.一種納米粒子表面物理化學(xué)結(jié)構(gòu)裁剪包覆方法，其特征在于該方法包括以下步驟(1)被包覆納米粒子使之帶電，取出后置入等離子體反應(yīng)器內(nèi)；(2)反應(yīng)器抽真空至本底真空度≤10Pa，導(dǎo)入單體與載體的混合氣體，流速為5-150sccm，單體與載氣的混合體積比是1-10∶1-95，反應(yīng)器真空度達(dá)15-300Pa。(3)開啟脈動射頻等離子體發(fā)生器和攪拌器，在反應(yīng)器內(nèi)形成放電，導(dǎo)入的單體放電聚合并包覆在納米粒子表面，反應(yīng)器進(jìn)行脈動調(diào)制，使脈動比為1-100％，開的時間范圍為1μs-50ms，放電功率2-500W，放電時間0.1-15小時，攪拌器攪拌速度為50-2000轉(zhuǎn)/分。
2.如權(quán)利要求1所述的包覆方法，其特征在于所述單體選自丙氨酸、甘氨酸、賴氨酸，丙烯酰胺，乙烯基乙酸、丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯、四氟化碳、六氟丙烯、六甲基二硅氧烷、乙烯、乙炔、甲烷、乙醇、丙酮、四羥乙基鈦、四甲氧基硅烷、二乙基鋅、四甲基錫或硫酸銅。
3.如權(quán)利要求1所述的包覆方法，其特征在于所述的載氣是氬、氮、氧、氫、壓縮空氣。
4.如權(quán)利要求1所述的包覆方法，其特征在于被包覆納米粒子置于等離子體反應(yīng)器內(nèi)的多孔分配板上，并通過多孔分配板導(dǎo)入單體與載氣的混合氣體。
5.如權(quán)利要求4所述的包覆方法，其特征在于所述多孔分配板上孔的下部直徑∶孔的上部直徑＝1∶1-5，孔的下部直徑的高度∶孔的總高度＝1-4∶5，孔面積占板面積的1/10～8/10，孔的上部直徑為1～50mm。
6.如權(quán)利要求1所述的包覆方法，其特征在于所述的攪拌器是由斜度為0-45°的1-40對的刀形葉片組成，葉片寬0.5-2.0cm，攪拌器安裝高度10-50cm。
全文摘要
一種納米粒子表面物理化學(xué)結(jié)構(gòu)裁剪包覆方法。通過對射頻等離子體進(jìn)行調(diào)制，控制脈動比、時間、功率等放電條件，進(jìn)而控制官能團(tuán)的種類、含量、沉積層厚度、包膜的粗糙度等，可在包覆對象例如TiO
文檔編號C23C14/12GK1488462SQ03150458
公開日2004年4月14日 申請日期2003年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月20日
發(fā)明者張菁, 朱峰, 王迎, 楊沁玉, 周榮銘, 張 菁 申請人:東華大學(xué)