專利名稱：具有使用氟氣的清洗裝置的cvd設(shè)備以及在cvd設(shè)備中使用氟氣的清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用來形成高質(zhì)量均勻薄膜(例如在半導(dǎo)體如硅晶片用的基底材料的表面上的二氧化硅或氮化硅(Si3N4等))的化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備。
更具體地說，本發(fā)明涉及能夠在形成薄膜過程之后進(jìn)行清洗以除去附著在反應(yīng)室等內(nèi)壁上的副產(chǎn)物的CVD設(shè)備，也涉及清洗CVD設(shè)備的方法。
背景技術(shù)：
通常，薄膜如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4等)廣泛用于半導(dǎo)體元件中如薄膜晶體管、光電轉(zhuǎn)換元件等。現(xiàn)在主要使用下述三種形成薄膜的方法。
(1)物理氣相成膜技術(shù)如濺射或真空沉積更具體地說，所述技術(shù)包括使用物理方法將固體薄膜材料轉(zhuǎn)變成原子或自由基團(tuán)，然后將所述原子或自由基團(tuán)沉積在成形薄膜的表面上，從而形成薄膜；(2)熱CVD技術(shù)更具體地說，所述技術(shù)包括將所述氣相薄膜材料加熱到較高的溫度，以引發(fā)化學(xué)反應(yīng)，然后形成薄膜；以及(3)等離子體CVD技術(shù)更具體地說，所述技術(shù)包括將氣相薄膜材料轉(zhuǎn)變成等離子體，以引發(fā)化學(xué)反應(yīng)，然后形成薄膜。
具體地說，通常使用(3)中所述的等離子體CVD技術(shù)(等離子體增強的化學(xué)氣相沉積)，因為它可有效形成很薄且均勻的薄膜。
用于等離子CVD技術(shù)的等離子體CVD設(shè)備100的結(jié)構(gòu)通常如圖7所示。
更具體地說，所述等離子體CVD設(shè)備100包括保持在減壓狀態(tài)的反應(yīng)室102，在所述反應(yīng)室102中互相對置的上電極104和下電極106，所述上電極和下電極之間隔開一個恒定的距離。與成膜氣體源(圖中沒有顯示)相連的成膜氣體供應(yīng)通道108連接到上電極104，成膜氣體則通過上電極104輸送到所述反應(yīng)室102中。
而且，用來施加高頻的高頻施加器(applicator)110連接到所述反應(yīng)室102中接近上電極104的位置。另外，通過泵112排除氣體的排氣通道114連接到所述反應(yīng)室102上。
在具有所述構(gòu)造的等離子體CVD設(shè)備100中，例如，用來形成二氧化硅薄膜的單硅烷(SiH4)、N2O、N2、O2、Ar等以及用來形成氮化硅(Si3N4等)薄膜的單硅烷(SiH4)、NH3、N2、O2、Ar等通過成膜氣體供應(yīng)通道108和上電極104輸入到反應(yīng)室102中，所述反應(yīng)室102保持在例如130帕的減壓狀態(tài)。在這種情況下，通過例如高頻施加器110在所述電極104和106之間施加13.56MHz的高頻電源，所述電極104和106在反應(yīng)室102中相對放置。結(jié)果就形成高頻電場，在所述高頻電場中，電子撞擊成膜氣體中的中性分子，從而形成了高頻等離子體，這樣所述成膜氣體就分解成離子和自由基團(tuán)。由于離子和自由基團(tuán)的作用，就在半導(dǎo)體產(chǎn)品W如硅晶片的表面上形成硅薄膜，所述半導(dǎo)體產(chǎn)品位于所述電極(所述下電極106)中的一個上面。
在所述等離子體CVD設(shè)備100中，在成膜步驟中，薄膜材料如SiO2或Si3N4通過放電附著并沉積在反應(yīng)室102中的內(nèi)壁、電極等的表面上，而不是反應(yīng)室102中形成的半導(dǎo)體產(chǎn)品W上，這樣就得到了副產(chǎn)物。當(dāng)該副產(chǎn)物生長到一定厚度時，它可通過自重、應(yīng)力等剝離。因此，在所述成膜步驟中，作為雜質(zhì)的細(xì)?；烊肓怂霭雽?dǎo)體產(chǎn)品中，這樣就會造成污染。所以就不能制造高質(zhì)量的薄膜，就會造成半導(dǎo)體電路的斷開或短路。另外，也有可能使產(chǎn)率等下降。
因此，在等離子體CVD設(shè)備100中，例如通常使用加入的含氟化合物如CF4、C2F6或COF2以及O2(如果需要的話)等作為清洗氣來除去副產(chǎn)物，以在成膜步驟完成之后的任何時間除去所述副產(chǎn)物。
更具體地說，在使用所述清洗氣清洗常規(guī)等離子體CVD設(shè)備100的方法中，如圖7所示，在所述成膜步驟完成之后，包含含氟化合物如CF4、C2F6或COF2的清洗氣伴隨氣體如O2和/或Ar代替成膜過程中的成膜氣體。此后，通過成膜氣體供應(yīng)通道108和上電極104將所述清洗氣輸入保持在減壓狀態(tài)的所述反應(yīng)室102中。用與成膜過程中相同的方法，通過高頻施加器110在電極104和106之間施加高頻電源，所述電極104和106在所述反應(yīng)室102中相對放置。結(jié)果就形成了高頻電場，在所述電場中，電子撞擊清洗氣中的中性分子，形成的高頻等離子體就分解成離子和自由基團(tuán)。所述離子和自由基團(tuán)與附著以及沉積在反應(yīng)室102中的內(nèi)壁、電極等的表面上的副產(chǎn)物如SiO2或Si3N4起反應(yīng)。結(jié)果，所述副產(chǎn)物氣化成SiF4，并用泵112通過廢氣通道114與廢氣一起排到反應(yīng)室102的外面。
用作清洗氣的含氟化合物如CF4或C2F6是一種在大氣中具有較長壽命的穩(wěn)定化合物。而且，也存在這樣一個問題，即在清洗后很難進(jìn)行氣體排放過程，且處理成本上升。而且，CF4、C2F6和SF6的全球變暖因素(在100年內(nèi)的累積值)分別為6500、9200和23900，這是非常大的。因此，應(yīng)該認(rèn)識到其對于環(huán)境的不利影響。
而且，通過廢氣通道114排放到反應(yīng)室102的外面的氣體比例較高，例如在使用C2F6的情況下約60％。因此，它由于能使全球變暖而有不利的影響，并且其分解效率較低，清洗能力也較低。
此外，在等離子體清洗中，通?；烊肓艘欢康钠渌鼩怏w如氧氣或氬氣，因此也可與清洗氣一起使用。
在清洗氣和其它氣體的一種混合氣體類型中，當(dāng)在總氣體流量保持恒定的情況下提高清洗氣的含量時，通常會提高蝕刻速度。但是，如果清洗氣的濃度超過一定濃度時，就會存在使等離子體的形成變得不穩(wěn)定的問題，所述蝕刻速度就會變差，或者清洗均勻性就會變差。如果所用的清洗氣濃度為100％，那么特別地，就會存在這樣的問題，即形成的等離子體不穩(wěn)定、蝕刻速度下降以及清洗均勻性變差就會變得更加明顯，這樣就不能得到有用的東西。
因此，要將所述清洗氣稀釋到這樣的濃度，即其濃度下降到等于或小于蝕刻速度和清洗氣濃度曲線的最高濃度。為了防止蝕刻速度隨稀釋而下降，可通過在清洗過程中提高室壓或氣體流量來使清洗條件優(yōu)化。但是，如果在所述清洗過程中提高所述室壓或氣體流量，等離子體的形成就會變得不穩(wěn)定，且蝕刻均勻性就會變差，這樣所述清洗就不能有效地進(jìn)行。
因此，本發(fā)明人進(jìn)行了廣泛的研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)氟氣幾乎不影響環(huán)境，并且使用氟氣作為清洗氣，在總氣體流量約100sccm以及室壓約400帕的條件下，能穩(wěn)定地形成等離子體。另外，可進(jìn)行等離子體處理，得到極佳的蝕刻速度，也可保持極佳的清洗均勻性。
而且，已知等離子體形成的F原子很穩(wěn)定，且在使用氟氣作為清洗氣的情況下排放的氣體是氟氣，通過使用必需量的氟氣作為清洗氣，可有效地進(jìn)行清洗處理。
但是，用于形成氟氣的常規(guī)氟氣生成裝置具有這樣的結(jié)構(gòu)，即KF作為電解質(zhì)溶解在HF酐溶液中，并使用碳電極來電解電解質(zhì)得到氟氣。
所述常規(guī)氟氣生成裝置的尺寸比較大，且不能安全地使用。因此，對于專門的安全管理人員來說，必需進(jìn)行保養(yǎng)。如果氟氣生成裝置用在CVD設(shè)備中，就會增大CVD設(shè)備的尺寸，并且在保養(yǎng)和控制方面需要進(jìn)行復(fù)雜的工作。
在氟氣用作CVD設(shè)備的清洗氣的情況下，每一分鐘每塊晶片需要750sccm的清洗氣。為了處理3000塊晶片，所需的氟氣為100摩爾，即3.8千克。如果將所述量換算成29大氣壓的容量為47升的貯氣鋼瓶，一個反應(yīng)室就需要兩個鋼瓶。而且，當(dāng)用CVD設(shè)備中的氟氣鋼瓶代替常規(guī)氟氣生成裝置時，所述設(shè)備的尺寸也會增大，并且，所述鋼瓶的調(diào)換也會很復(fù)雜，從而造成了不方便。
在考慮實際情況的前體下，本發(fā)明的目的是提供能夠進(jìn)行清洗的CVD設(shè)備，其中副產(chǎn)物如SiO2或Si3N4(它附著或沉積在反應(yīng)室中的內(nèi)壁、電極等的表面上)可在成膜步驟有效地除去。此外，本發(fā)明提供了一種CVD設(shè)備，其排放的清洗氣的量很小，也減輕了對環(huán)境的影響(如全球變暖)，氣體使用效率也較高，又降低了成本，并且能夠制造高質(zhì)量的薄膜，清洗機構(gòu)尺寸也小。另外，本發(fā)明提供了使用CVD設(shè)備清洗CVD設(shè)備的方法。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題并達(dá)到上述目的，完成了本發(fā)明，本發(fā)明提供了具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備，所述CVD設(shè)備能將反應(yīng)氣體輸送到反應(yīng)室中，并在反應(yīng)室中的基底材料的表面上形成沉積薄膜，所述CVD設(shè)備包括氟氣生成裝置，它包括能量施加裝置，它能將能量施加給氟化合物使之發(fā)生反應(yīng)，生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分；以及氟氣濃縮/分離精煉裝置，它能將能量施加裝置產(chǎn)生的氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分進(jìn)行分離，從而分離精煉出所述氟氣組分，在使用所述CVD設(shè)備對所述基底材料進(jìn)行成膜處理后，由所述氟氣生成裝置分離精煉的氟氣接著轉(zhuǎn)變成等離子體，以除去附著在所述反應(yīng)室中的副產(chǎn)物。
而且，本發(fā)明提供了清洗CVD設(shè)備的方法，所述CVD設(shè)備可用來將反應(yīng)氣體輸送到反應(yīng)室中，在反應(yīng)室中的基底材料的表面上形成沉積薄膜，所述方法包括將能量施加給氟化合物使之發(fā)生反應(yīng)，從而形成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分；以及將產(chǎn)生的氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分進(jìn)行分離，從而分離精煉出所述氟氣組分，在使用CVD設(shè)備對所述基底材料進(jìn)行成膜處理后，將所述氟氣生成裝置分離和精煉的氟氣轉(zhuǎn)變成等離子體，以除去附著在所述反應(yīng)室中的副產(chǎn)物。
因此，僅僅通過施加能量可使氟化合物發(fā)生反應(yīng)，從而形成并分離氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。因此，能容易地分離精煉氟氣組分獲得氟氣。
因此，在使用CVD設(shè)備對所述基底材料進(jìn)行成膜處理后，將這樣獲得的氟氣轉(zhuǎn)變成等離子體。使用所述等離子體除去附著在所述反應(yīng)室中的副產(chǎn)物，就可以得到極佳的蝕刻速度。因此，就能保持極佳的清洗均勻性。
另外，相比使用電解的常規(guī)氟氣生成裝置，本發(fā)明氟氣生成裝置具有較小的尺寸，并且可有效地獲得氟氣。所述CVD設(shè)備本身的尺寸也能變小，且保養(yǎng)也能容易地進(jìn)行。
而且，本發(fā)明提供了具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備，其中能量施加裝置能夠加熱氟化合物，從而使氟化合物反應(yīng)形成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。
此外，本發(fā)明提供了清洗CVD設(shè)備的方法，其中氟化合物被加熱從而進(jìn)行反應(yīng)，并生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。
通過僅僅加熱所述氟化合物，使氟化合物反應(yīng)生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。結(jié)果，獲得了氟氣組分。因此，相比使用電解的常規(guī)氟氣生成裝置，其尺寸可以縮的更小，并且，可有效地獲得氟氣。所述CVD設(shè)備本身的尺寸也能減小，其保養(yǎng)也能容易地進(jìn)行。
另外，本發(fā)明提供了具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備，其中能量施加裝置可將等離子體施加給所述氟化合物，從而使氟化合物反應(yīng)，生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。
而且，本發(fā)明提供了清洗CVD設(shè)備的方法，其中將等離子體施加給氟化合物，從而使氟化合物反應(yīng)，生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。
通過僅僅將等離子體施加到氟化合物上，可使氟化合物反應(yīng)，生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。結(jié)果，獲得了氟氣組分。因此，相比使用電解的常規(guī)氟氣生成裝置，其尺寸也能縮的更小，并且，能夠有效地獲得氟氣。所述CVD設(shè)備本身的尺寸也能減小，且所述保養(yǎng)能夠容易地進(jìn)行。
此外，本發(fā)明提供了具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備，其中能量施加裝置能夠使氟化合物在催化劑的作用下反應(yīng)，從而產(chǎn)生氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。
而且，本發(fā)明提供了清洗CVD設(shè)備的方法，其中，氟化合物在催化劑的作用下反應(yīng)，從而生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。
僅僅通過使氟化合物在催化劑作用下反應(yīng)，可產(chǎn)生氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分，這樣就能獲得氟氣組分。因此，相比使用電解的常規(guī)氟氣生成裝置，其尺寸可縮的更小，并且，能夠有效地得到氟氣。所述CVD設(shè)備本身的尺寸也能減小，所述保養(yǎng)能夠容易地進(jìn)行。
此外，本發(fā)明提供了具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備，其中氟氣濃縮/分離精煉裝置能利用沸點差從除了氟氣組分之外的組分中分離出氟氣組分(能夠通過冷卻來達(dá)到)。
而且，本發(fā)明提供了清洗CVD設(shè)備的方法，其中可利用沸點差從除了氟氣組分之外的組分中分離出氟氣組分(能夠通過冷卻來達(dá)到)。
因此，可通過冷卻、液氮收集、電子冷卻等，利用沸點差從除了氟氣組分之外的組分中分離出氟氣組分。所以，相比使用了電解的常規(guī)氟氣生成裝置，其尺寸可縮得更小，并且，可有效地獲得氟氣。所述CVD設(shè)備本身的尺寸也能減小，且所述保養(yǎng)可容易地進(jìn)行。
另外，本發(fā)明的特征在于使用含氮的氟化合物。
如果所述氟化合物含氮，那么含氮的氟化合物的例子包括FNO和F3NO。所述FNO是一種穩(wěn)定的物質(zhì)。通過使用FNO作為氟氣源，能夠更穩(wěn)定地利用氟氣作為清洗氣。
而且，本發(fā)明的特征在于使用的氟化合物含氯。
因此，如果氟化合物含氯，那么例如該氟化合物是ClF3。在這種情況下，該ClF3分解成ClF和F2。對于ClF和F2，ClF的沸點是-101℃，而F2的沸點是-188.1℃，它們是不同的。例如，通過使用液氮、干冰等進(jìn)行收集等，能夠容易地分離出氟氣。
此外，本發(fā)明的特征在于所述氟化合物包含碘。
因此，如果所述氟化合物包含碘，那么例如該氟化合物是IF5或IF7。在這種情況下，產(chǎn)物如IF3的沸點與F2不同。所以，能使用制冷劑例如液氮、干冰等容易地分離出氟氣。
另外，本發(fā)明的特征在于所述氟化合物包含硫。
因此，如果所述氟化物包含硫，那么例如該氟化合物是SF6。在這種情況下，產(chǎn)物SO2F2的沸點是-83.1℃，SO2的沸點是-10℃，而F2的沸點是-188.1℃，它們相互之間是不同的。例如，通過使用液氮、干冰等進(jìn)行收集等，能夠容易地分離出氟氣。
而且，本發(fā)明的特征在于所述氟化合物包含碳。
因此，如果所述氟化合物包含碳，那么例如該氟化合物是CF4、COF2或C2F6。在這種情況下，產(chǎn)物如CO2(沸點為-78.5℃)、COF2(沸點為-83.1℃)、C2F6(沸點為-78.2℃)以及CF4與F2(沸點為-188.1℃)的沸點不同。因此，例如，通過使用液氮、干冰等進(jìn)行收集等，能夠容易地分離出氟氣。
附圖簡述

圖1是描述本發(fā)明具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備的第一個實例的示意圖。
圖2是描述圖1中清洗氣生成裝置40的示意圖。
圖3是描述本發(fā)明具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備的第二個實例的示意圖。
圖4是與圖2相同的示意圖，它描述了本發(fā)明具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備的第一個實例。
圖5是與圖2相同的示意圖，它描述了本發(fā)明具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備的第二個實例。
圖6是與圖2相同的示意圖，它描述了本發(fā)明具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備的第三個實例。
圖7是描述用于常規(guī)等離子體CVD方法的等離子體CVD設(shè)備的示意圖。
具體實施例方式
下面參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實例(實施例)。
圖1是描述本發(fā)明具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備的第一實例的示意圖。
如圖1所示，它描述了用于等離子體CVD方法的具有清洗機構(gòu)的等離子體CVD設(shè)備。CVD設(shè)備10包括保持在恒定真空狀態(tài)(減壓狀態(tài))的反應(yīng)室12。另外，通過位于所述反應(yīng)室12的底壁12c上的廢氣通道16，用機械增壓泵11、干燥氣泵14和毒性去除裝置13(使廢氣無毒性)，將內(nèi)部氣體排放到外面以使所述反應(yīng)室12保持在恒定的減壓狀態(tài)(真空狀態(tài))。
而且，位于反應(yīng)室12中的下電極18形成了一個平臺，以安裝基底材料A，從而在例如硅晶片等的表面上沉積(氣相沉積等)硅薄膜。所述下電極18穿過反應(yīng)室12的底壁12c，它能利用圖中沒有顯示的驅(qū)動機械在垂直方向上可以滑動，從而其位置是可調(diào)整的。在下電極18和底壁12c之間的一部分滑動部位上裝有密封部件(在圖中沒有顯示)如密封環(huán)，以在所述反應(yīng)室12中保持真空度。
另一方面，上電極20位于所述反應(yīng)室12的上部。而且，所述上電極20具有基底末端部分22，其穿過所述反應(yīng)室12的頂壁12a，與位于所述反應(yīng)室12的外面的高頻電源24相連。所述上電極20裝有高頻施加器25(圖中沒有顯示)如高頻施加線圈。而且，匹配線路(圖中沒有顯示)安裝在高頻施加器25和高頻電源24之間。因此，可將高頻電源24產(chǎn)生的高頻無損耗地傳播到高頻施加器25如高頻施加線圈上。
而且，反應(yīng)氣供應(yīng)通道26形成在所述上電極20上。另外，成膜氣通過所述反應(yīng)氣供應(yīng)通道26和所述上電極20從成膜氣供應(yīng)源28輸入到保持在減壓狀態(tài)的反應(yīng)室12中。
另一方面，清洗氣供應(yīng)通道30作為一個支路連接到所述反應(yīng)氣供應(yīng)通道26上。清洗氣能通過所述清洗氣供應(yīng)通道30從清洗氣生成裝置40輸入到所述反應(yīng)室12中。
具有所述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明CVD設(shè)備10以下述方式工作。
首先，用于在例如硅晶片等表面上沉積硅薄膜的基底材料A安裝在反應(yīng)室12中的下電極18的平臺上。因此，它與所述上電極20的距離可通過圖中沒有顯示的驅(qū)動機構(gòu)調(diào)整到預(yù)定值。
內(nèi)部氣體通過干燥氣泵14經(jīng)所述廢氣通道16排到外部，所述廢氣通道16位于所述反應(yīng)室12中的底壁12c上。所以，可保持恒定的真空狀態(tài)(減壓狀態(tài))例如10-2000帕的減壓狀態(tài)。
打開位于所述反應(yīng)氣供應(yīng)通道16上的開關(guān)閥52，并且通過所述反應(yīng)氣供應(yīng)通道26和上電極20，將成膜氣從所述成膜氣供應(yīng)源28輸入到保持在減壓狀態(tài)的反應(yīng)室12中。
同時，打開位于所述反應(yīng)氣供應(yīng)通道26上的開關(guān)閥52和位于所述廢氣通道16上的開關(guān)閥54。另一方面，關(guān)閉位于所述清洗氣供應(yīng)通道30上的開關(guān)閥56。
在這種情況下，優(yōu)選供應(yīng)用于形成二氧化硅(SiO2)薄膜的單硅烷(SiH4)、N2O、N2、O2、Ar等和用于形成氮化硅(Si3N4等)薄膜的單硅烷(SiH4)、NH3、N2、O2和Ar作為成膜氣，所述成膜氣是從例如所述成膜氣供應(yīng)源28輸入的。但是，所述成膜氣并沒有局限于上述這些，它們可適當(dāng)變化，例如根據(jù)所要形成的薄膜類型，乙硅烷(Si2H6)、TEOS(四乙氧基硅烷；Si(OC2H5)4)等也可用作成膜氣，而O2、O3等也可用作載氣。
利用所述高頻電源24形成的高頻，由所述高頻施加器25如高頻施加線圈在所述上電極20上產(chǎn)生高頻電場。此時，電子撞擊所述電場中的成膜氣的中性分子。結(jié)果，形成了高頻等離子體，此時所述成膜氣分解成離子和自由基團(tuán)。通過所述離子和自由基團(tuán)的反應(yīng)，在所述基底材料A(如位于所述下電極18上的硅晶片)的表面上形成硅薄膜。
在該CVD設(shè)備10中，在成膜步驟中，薄膜材料如SiO2或Si3N4也會附著并沉積在反應(yīng)室12的內(nèi)壁、電極等的表面上，而不是要成膜的半導(dǎo)體產(chǎn)品上。因此，在反應(yīng)室12中形成副產(chǎn)物。當(dāng)該副產(chǎn)物生長到一定厚度時，可通過自重、應(yīng)力等剝離和分散。所以，在該成膜步驟中，作為雜質(zhì)的細(xì)粒會混入所述半導(dǎo)體產(chǎn)品中，從而引起了污染。因此，就不能制得高質(zhì)量的薄膜，從而造成半導(dǎo)體電路的斷開或短路。另外，也可能使產(chǎn)率等減小。
因此，在本發(fā)明的CVD設(shè)備10中，由所述清洗氣生成裝置40供應(yīng)的清洗氣通過清洗氣供應(yīng)通道30輸入到反應(yīng)室12中。
更具體地說，在上述的薄膜形成完成之后，關(guān)閉位于所述反應(yīng)氣供應(yīng)通道26上的開關(guān)閥52，使所述成膜氣從所述成膜氣供應(yīng)源28輸送到所述反應(yīng)室12的供應(yīng)停止。
然后，打開位于所述清洗氣供應(yīng)通道30上的開關(guān)閥56，以通過所述清洗氣供應(yīng)通道30從所述清洗氣生成裝置40將所述清洗氣輸入到所述反應(yīng)室12中。
此后，利用所述高頻電源24產(chǎn)生的高頻，由所述高頻施加器25如高頻施加線圈在所述上電極20上形成高頻電場。結(jié)果形成了高頻等離子體。此時，所述清洗氣分解成離子和自由基團(tuán)，所述離子和自由基團(tuán)與附著并沉積在反應(yīng)室12的內(nèi)壁、電極等的表面上的副產(chǎn)物如SiO2或Si3N4進(jìn)行反應(yīng)。因此，所述副產(chǎn)物變成了氣體如SiF4。
隨后，變成氣體的副產(chǎn)物通過所述廢氣通道16排出。
如圖2所示，所述清洗氣生成裝置40包括能量施加裝置42。所述能量施加裝置能將能量施加到包含氟化合物的清洗氣原料上，從而使之反應(yīng)，以產(chǎn)生氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。
通過氟氣濃縮/分離精煉裝置44，從氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分(它們在所述能量供應(yīng)裝置42中產(chǎn)生)中分離精煉出氟氣組分。由所述氟氣濃縮/分離精煉裝置44分離精煉的氟氣組分通過所述清洗氣供應(yīng)通道30作為清洗氣輸入到所述反應(yīng)室12中。
另一方面，如果除了氟氣組分之外的組分(所述氟氣就是從中利用氟氣濃縮/分離精煉裝置44分離出來的)可以回收(圖中沒有顯示)，那么根據(jù)其組分可利用回收設(shè)備(圖中沒有顯示)進(jìn)行單獨回收。另一方面，如果除了氟氣組分之外的組分不需要回收，則可利用處理裝置(圖中沒有顯示)進(jìn)行單獨處理，并排出或用于其它處理。
對于包含所述氟化合物的清洗氣原料來說，可使用含氮的氟化合物。對于所述含氮的氟化合物來說，可使用例如NF3、FNO和F3NO。在這種情況下，例如含氮的氟化合物是FNO，它是個穩(wěn)定的化合物。利用FNO作為氟氣源，就可以更穩(wěn)定地用氟氣作為清洗氣。
對于包含所述氟化合物的清洗氣原料來說，也可以使用含氯的氟化合物。例如，如果含氯氟化合物是ClF3，那么所述ClF3就會分解成ClF和F2。所述ClF和F2的沸點不同，即ClF的沸點為-101℃，F(xiàn)2的沸點為-188.1℃。通過用例如液氮、干冰等進(jìn)行收集，就能容易地分離出氟氣。
而且，對于包含氟化合物的清洗氣原料，可使用含碘的氟化合物。對于所述含碘的氟化合物來說，可使用例如IF5和IF7。在這種情況下，如果所述含碘的氟化合物是IF5或IF7，產(chǎn)物如IF3的沸點就與F2的沸點不同。通過使用冷卻劑如液氮或干冰，可容易地分離出所述氟氣。
而且，對于包含氟化合物的清洗氣原料，可使用含硫的氟化合物。對于所述含硫的氟化合物來說，可使用例如SF6。在這種情況下，如果含硫的氟化合物是SF6，那么產(chǎn)物如SO2F2和SO2的沸點不同，即SO2F2的沸點為-83.1℃，SO2的沸點為-10℃，而F2的沸點為-188.1℃。通過用例如液氮、干冰等進(jìn)行收集，就能容易地分離出氟氣。
此外，對于包含氟化合物的清洗氣原料，可使用含碳的氟化合物。對于所述含碳的氟化合物來說，可使用例如CF4、COF2和C2F6。在這種情況下，如果含碳的氟化合物是CF4、COF2或C2F6，產(chǎn)物如CO2(沸點為-78.5℃)、COF2(沸點為-83.1℃)、C2F6(沸點為-78.2℃)以及CF4的沸點與F2(沸點為-188.1℃)的沸點都不同。通過用例如液氮、干冰等進(jìn)行收集，就能容易地分離出氟氣。
而且，所述能量施加裝置42可只用來施加能量到氟化合物上，從而使之反應(yīng)產(chǎn)生氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。因此，例如，可使用加熱所述氟化合物用的加熱裝置、將等離子體施加到所述氟化合物上的等離子體施加裝置、催化劑分解裝置、使用紫外氙燈或激發(fā)態(tài)激光等的光激發(fā)裝置。
在這種情況下，僅用加熱裝置、等離子施加裝置等加熱氟化合物或?qū)⒌入x子施加到氟化合物上，可使氟化合物反應(yīng)，產(chǎn)生氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。結(jié)果就得到了氟氣組分。因此，相比使用電解的常規(guī)氟氣生成裝置，可將其尺寸縮得更小，并且，可更加有效地獲得氟氣。另外，CVD設(shè)備本身的尺寸也能變小，保養(yǎng)也能容易地進(jìn)行。
在這種情況下，對加熱裝置并沒有具體地限制，但可使用電熱爐等的加熱裝置。根據(jù)所用氟化合物的類型，可適當(dāng)選擇加熱溫度和加熱時間。
更具體地說，如果所述氟化合物包含氮，例如FNO，所述分解應(yīng)該在大氣壓或減壓下使用等離子體裝置進(jìn)行。
在這種情況下，所述等離子體施加裝置可以是已知的在減壓或大氣壓下使用的等離子體生成裝置，且沒有具體的限制。作為一個實例，可使用“ASTRON”(ASTEX Co.，Ltd制造)。
如果含氯的氟化合物例如是ClF3，那么所述加熱應(yīng)該在高至250-800℃的溫度優(yōu)選是350-500℃的溫度下進(jìn)行。
此外，對于所述氟氣濃縮/分離精煉裝置44，可使用具有蒸餾和分餾或液體收集方法的分餾裝置，其中可利用沸點差(即蒸汽壓差)通過制冷劑從除了氟氣組分之外的組分中分離出氟氣組分。而且，也可使用具有分子篩等進(jìn)行吸附和解吸附的分離裝置、薄膜分離裝置等。
在這種情況下，制冷劑如液氮、干冰或電子冷卻器可用作用于所述分離裝置的冷卻劑。更具體地說，優(yōu)選通過使用液氮進(jìn)行外部冷卻。因此，例如，氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分被冷卻并分餾出來，這樣氟氣組分就從除了氟氣組分之外的組分中分離出去了。
能基于氟化合物對反應(yīng)室進(jìn)行清洗的化合物的例子包括含硅化合物的附著物，所述硅化合物是在CVD過程等中附著到CVD室壁、CVD設(shè)備的夾具上等。該硅化合物的附著物的例子包括下述組分中的至少一種(1)含硅的化合物，(2)含氧、氮、氟和碳、以及硅中的至少一種化合物，或者(3)含高熔點金屬硅化物的化合物。更具體地說，例如，可使用高熔點的金屬硅化物，如Si、SiO2、Si3N4或WSi。
而且，在考慮清除附著在室12內(nèi)壁上的副產(chǎn)物的效率的情況下，輸入所述反應(yīng)室12的氟化合物氣體的流量應(yīng)該為0.1-10升/分鐘，優(yōu)選為0.5-1升/分鐘。更具體地說，如果輸入反應(yīng)室12的清洗氣的流量小于0.1升/分鐘，那么清洗效率就不能達(dá)到預(yù)期目標(biāo)。相反地，如果輸入流量大于10升/分鐘，那么排到外部的清洗氣的量就會提高，且對于清洗并沒有任何作用。
根據(jù)基底材料A如平板盤的類型、尺寸等，可適當(dāng)改變輸入的流量。例如，對于所述氟氣生成裝置提供的F2，輸入的流量應(yīng)該設(shè)定在0.5-5升/分鐘。
此外，在考慮清除附著在室12內(nèi)壁上的副產(chǎn)物的效率的情況下，反應(yīng)室12中的清洗氣的壓力應(yīng)該為10-2000帕，優(yōu)選為50-500帕。更具體地說，如果反應(yīng)室12中的清洗氣的壓力小于10帕或高于2000帕，那么清洗效率就不能達(dá)到預(yù)期目標(biāo)。根據(jù)基底材料A如平板盤的類型、尺寸等，可適當(dāng)改變反應(yīng)室12中的壓力。例如，如果包含30％的氟氣組分，那么壓力優(yōu)選為100-500帕。
圖3是描述本發(fā)明具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備的第二個實例的示意圖。
本實例的CVD設(shè)備10基本上具有與圖1所示的CVD設(shè)備10相同結(jié)構(gòu)，且相同的部件具有相同的附圖標(biāo)記，所以忽略了其詳細(xì)描述。
圖1所示實例的CVD設(shè)備10可通過所述清洗氣供應(yīng)通道30將所述清洗氣生成裝置40提供的清洗氣輸入到所述反應(yīng)室12中。相反地，在圖3所示本實例的CVD設(shè)備10中，含氟氣組分的清洗氣通過遠(yuǎn)程(remote)等離子體生成裝置70轉(zhuǎn)變成等離子體，得到的等離子體通過連接管72從所述反應(yīng)室12的側(cè)壁12b輸入到所述反應(yīng)室12(保持在減壓狀態(tài)下)中。
在這種情況下，對于連接管72的材料沒有特別的限制，但在考慮防止氣化效率下降的情況下，優(yōu)選使用例如氧化鋁、非活性鋁、氟化樹脂、涂有氟化樹脂的金屬等。
盡管在本實例中，遠(yuǎn)程等離子體生成裝置70和反應(yīng)室12是這樣安排的，即轉(zhuǎn)變成等離子體的清洗氣能通過連接管72從室的側(cè)壁12b輸入，但是并沒有局限于此，可以將所述清洗氣直接輸入到所述反應(yīng)室12，例如，所述清洗氣可從室12中的頂壁12a或底壁12c輸入。
而且，如圖3所示，可以通過遠(yuǎn)程等離子體生成裝置74從所述高頻施加裝置25(位于所述反應(yīng)室12的上面)將轉(zhuǎn)變成等離子體的清洗氣輸入到反應(yīng)室中。
實施例下面描述本發(fā)明使用具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備的清洗方法的具體例子。
實施例1使用含氮的氟化合物(FNO)進(jìn)行清洗如圖1所示，將硅晶片安裝在反應(yīng)室12的下電極18的平臺上，由成膜氣供應(yīng)源28以70∶2000的比例提供單硅烷(SiH4)和N2O作為成膜氣。所述反應(yīng)室的內(nèi)部保持在200帕的減壓狀態(tài)，且由上電極20上的高頻施加裝置25生成13.56Hz的高頻電場。結(jié)果就形成了高頻等離子體，從而在硅晶片的基底材料A的表面上形成了SiO2薄膜。
在這種情況下，副產(chǎn)物如SiO2附著和沉積在反應(yīng)室12中的內(nèi)壁、電極等的表面上。
接著，在所述清洗氣生成裝置40中，使用FNO作為含氟化合物的清洗氣，并用Ar稀釋(FNO75％)。通過使用等離子體生成裝置作為能量施加裝置42，使FNO反應(yīng)，從而生成NO、NO2等以及F2。
此后，這樣生成的NO、NO2等以及F2用液氮進(jìn)行收集，并通過使用蒸餾裝置作為氟氣濃縮/分離精煉裝置44濃縮和分離出F2。
這樣分離出的F2通過所述清洗氣供應(yīng)通道30作為清洗氣輸入到反應(yīng)室12中。所述反應(yīng)室12的內(nèi)部保持在250帕的減壓狀態(tài)下。在該狀態(tài)下，由上電極20上的高頻施加裝置25生成13.56MHz的高頻電場，從而形成高頻等離子體。這樣形成的離子或F自由基團(tuán)與附著并沉積在反應(yīng)室中的內(nèi)壁、電極等的表面上的副產(chǎn)物如SiO2反應(yīng)。因此，所述副產(chǎn)物變成了氣體如SiF4。然后，變成氣體的副產(chǎn)物通過廢氣通道16排出。該清洗過程進(jìn)行了60秒。
通過清洗處理，并沒有觀察到粒子如SiO2的增加，所述粒子附著在反應(yīng)室12中的內(nèi)壁、電極等的表面上。
實施例2使用含氯的氟化合物(ClF3)進(jìn)行清洗如圖5所示，用與實施例1相同的方法在硅晶片的基底材料A的表面上形成SiO2薄膜。在這種情況下，副產(chǎn)物如SiO2附著并沉積在反應(yīng)室12的內(nèi)壁、電極等的表面上。
接著，在清洗氣生成裝置40中，使用ClF3作為包含氟化合物的清洗氣原料，并且使用加熱裝置作為能量施加裝置42。因此，ClF3通過電熱爐中的熱量在大氣壓以及450℃的溫度下熱分解，從而生成ClF和F2。
然后，這樣生成的ClF和F2通過使用蒸餾裝置作為氟氣濃縮/分離精煉裝置44以及使用液氮作為冷卻劑分離出ClF和F2。
這樣分離的F2通過清洗氣供應(yīng)通道30作為清洗氣輸入到反應(yīng)室12中。在電極溫度為300℃的條件下，反應(yīng)室12的內(nèi)部保持在250帕的減壓狀態(tài)。在這種狀態(tài)下，由上電極20上的高頻施加裝置25生成13.56MHz的高頻電場，從而形成高頻等離子體。這樣生成的離子或F自由基團(tuán)與附著并沉積在反應(yīng)室12中的內(nèi)壁、電極等的表面上的副產(chǎn)物如SiO2反應(yīng)。因此，所述副產(chǎn)物變成氣體如SiF4。接著，轉(zhuǎn)變成氣體的副產(chǎn)物通過廢氣通道16排出。該清洗過程進(jìn)行了60秒。
通過清洗處理，并沒有觀察到粒子如SiO2的增加，所述粒子附著在反應(yīng)室12中的內(nèi)壁、電極等的表面上。
實施例3使用含碳的氟化合物(COF2)進(jìn)行清洗如圖6所示，用與實施例1相同的方法以180∶320∶1000的比例提供SiH4、NH3和N2，以在硅晶片的基底材料A的表面上形成SiN薄膜。在這種情況下，副產(chǎn)物如Si3N4附著并沉積在反應(yīng)室12中的內(nèi)壁、電極等的表面上。
然后，在所述清洗氣生成裝置40中，使用COF2作為包含氟化合物的清洗氣原料，以COF2/O2＝9的摩爾比提供給能量施加裝置42。使用等離子體生成裝置作為能量施加裝置42，并在13.56MHz和200帕的條件下進(jìn)行分解，以生成CO、CO2、F2等。
這樣生成的氣體加壓到一個大氣壓。然后，使用液體收集裝置作為氟氣濃縮/分離精煉裝置44且使用液氮作為冷卻劑分離掉剩余的COF2、CO2等。這樣就得到含濃縮O2的F2氣體。
分離出來的含O2的F2通過清洗氣供應(yīng)通道30作為清洗氣輸入到所述反應(yīng)室12中。在300℃的基底溫度下，反應(yīng)室12的內(nèi)部保持在200帕的減壓狀態(tài)。在這種情況下，由上電極20上的高頻施加裝置25產(chǎn)生13.56MHz的高頻電場，從而形成高頻等離子體。這樣形成的離子或F自由基團(tuán)與附著并沉積在反應(yīng)室12中的內(nèi)壁、電極等的表面上的副產(chǎn)物如SiO2反應(yīng)。因此，副產(chǎn)物就變成了氣體如SiF4。接著，變成氣體的副產(chǎn)物通過廢氣通道排出。該清洗過程進(jìn)行了60秒。
通過清洗處理，并沒有觀察到粒子如SiO2的增加，所述粒子附著在反應(yīng)室12中的內(nèi)壁、電極等的表面上。
本發(fā)明等離子體CVD設(shè)備中的清洗裝置的例子如上述，且硅薄膜的制備也已經(jīng)在上述實施例中描述，并且都沒有離開本發(fā)明的范圍。這些實施例也可以用在形成其它薄膜如另一種硅鍺薄膜(SiGe)、碳化硅薄膜(SiC)、SiOF薄膜、SiON薄膜或含碳SiO2薄膜的情況。
盡管在前述實例中描述了水平的設(shè)備，但是也可使用垂直設(shè)備代替它。此外，當(dāng)在前述實例中描述葉片型設(shè)備時，本發(fā)明也可應(yīng)用到間歇式CVD設(shè)備。
當(dāng)本發(fā)明應(yīng)用到等離子體CVD設(shè)備時，可作出各種變化。即，本發(fā)明也可應(yīng)用到其它CVD方法如真空沉積方法，其中通過熱分解、氧化、還原、聚合、汽化反應(yīng)等在高溫下將薄膜材料沉積在基底上。
本發(fā)明的優(yōu)選實施例如上述，但本發(fā)明并沒有局限于此，在沒有離開本發(fā)明范圍的情況下可作出各種變化。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，僅僅施加能量即可使氟化合物反應(yīng)，從而生成和分離氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。因此，可簡便地分離和精煉出所述氟氣組分，從而容易地獲得氟氣。
因此，對于基底材料的成膜處理可通過CVD設(shè)備進(jìn)行，然后將這樣得到的氟氣轉(zhuǎn)變成等離子體。通過使用所述等離子體除去附著在反應(yīng)室上的副產(chǎn)物，可獲得極佳的蝕刻速度。這樣，就能保持極佳的清洗均勻性。
另外，相比使用了電解的常規(guī)氟氣生成裝置，該氟氣生成裝置具有較小的尺寸，并且可有效地制得氟氣。所述CVD設(shè)備本身的尺寸也能減小，且保養(yǎng)也能容易地進(jìn)行。
而且，根據(jù)本發(fā)明，僅僅通過加熱所述氟化合物，可使所述氟化合物反應(yīng)生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。因此就能得到氟氣組分。所以，相比使用電解的常規(guī)氟氣生成裝置，可將其尺寸縮得更小，并且可有效地獲得氟氣。CVD設(shè)備本身的尺寸也能減小，所述保養(yǎng)也能容易地進(jìn)行。
根據(jù)本發(fā)明，僅僅通過將等離子體施加到所述氟化合物上，就能使所述氟化合物反應(yīng)生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。因此就能得到氟氣組分。所以，相比使用電解的常規(guī)氟氣生成裝置，可將其尺寸縮得更小，并且可有效地獲得氟氣。CVD設(shè)備本身的尺寸也能減小，所述保養(yǎng)也能容易地進(jìn)行。
根據(jù)本發(fā)明，利用沸點差(即蒸汽壓差)通過冷卻就能從除了氟氣組分之外的組分中分離出氟氣組分。因此，相比使用電解的常規(guī)氟氣生成裝置，可將其尺寸縮得更小，并且可有效地獲得氟氣。CVD設(shè)備本身的尺寸也能減小，所述保養(yǎng)也能容易地進(jìn)行。
根據(jù)本發(fā)明，所述氟化合物可含氮。因此，含氮的氟化合物的例子包括FNO和F3NO。所述FNO是穩(wěn)定的物質(zhì)。通過使用FNO作為氟氣源，可更穩(wěn)定地使用氟氣作為清洗氣。
根據(jù)本發(fā)明，氟化合物可含氯。因此，如果所述含氯的氟化合物是例如ClF3，那么ClF3就能分解成ClF和F2。對于ClF和F2，ClF的沸點是-101℃，而F2的沸點為-188.1℃，它們是不同的。通過使用冷卻劑如液氮或干冰，就可容易地分離出氟氣。
根據(jù)本發(fā)明，氟化合物可含碘。因此，如果所述含碘的氟化合物是IF5或IF7，那么產(chǎn)物如IF3的沸點就會與F2的沸點不同。所以，可通過使用冷卻劑如液氮或干冰容易地分離出氟氣。
根據(jù)本發(fā)明，所述氟化合物可含硫。因此，如果所述含硫的氟化合物是SF6，那么產(chǎn)物如SO2F2、SO2等的沸點就會不同。即，SO2F2的沸點為-83.1℃，SO2的沸點為-10℃，而F2的沸點為-188.1℃。通過使用液氮、干冰等進(jìn)行收集等，可容易地分離出氟氣。
根據(jù)本發(fā)明，所述氟化合物可含碳。因此，如果所述含碳的氟化合物是CF4、COF2或C2F6，產(chǎn)物如CO2(沸點為-78.5℃)、COF2(沸點為-83.1℃)、C2F2(沸點為-78.2℃)以及CF4的沸點與F2(沸點為-188.1℃)不同。所以，通過使用液氮、干冰等進(jìn)行收集等，可容易地分離出氟氣。這樣，本發(fā)明就能取得極佳的效果，并能得到各種顯著的特殊的功能和效果。
權(quán)利要求
1.一種具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備，所述CVD設(shè)備用于將反應(yīng)氣體輸送到反應(yīng)室中，然后在反應(yīng)室中的基底材料的表面上形成沉積薄膜，所述CVD設(shè)備包括氟氣生成裝置，它包括能量施加裝置，它將能量施加給氟化合物使之發(fā)生反應(yīng)，生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分；以及氟氣濃縮/分離精煉裝置，它能分離由能量施加裝置產(chǎn)生的氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分，從而分離精煉出所述氟氣組分，在使用CVD設(shè)備對所述基底材料進(jìn)行成膜處理后，將由所述氟氣生成裝置分離精煉的氟氣轉(zhuǎn)變成等離子體，用以除去附著在所述反應(yīng)室中的副產(chǎn)物。
2.如權(quán)利要求1所述的具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備，其特征在于所述能量施加裝置能加熱所述氟化合物，使所述氟化合物反應(yīng)生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。
3.如權(quán)利要求1所述的具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備，其特征在于所述能量施加裝置能將等離子體施加給所述氟化合物，從而使所述氟化合物反應(yīng)生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。
4.如權(quán)利要求1所述的具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備，其特征在于所述能量施加裝置能用催化劑使所述氟化合物反應(yīng)，從而生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項所述的具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備，其特征在于所述氟氣濃縮/分離精煉裝置能利用沸點差通過冷卻從除了氟氣組分之外的組分中分離出氟氣。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備，其特征在于所述氟化合物含氮。
7.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備，其特征在于所述氟化合物含氯。
8.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備，其特征在于所述氟化合物含碘。
9.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備，其特征在于所述氟化合物含硫。
10.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的具有清洗機構(gòu)的CVD設(shè)備，其特征在于所述氟化合物含碳。
11.一種清洗CVD設(shè)備的方法，所述CVD設(shè)備用來將反應(yīng)氣體輸送到反應(yīng)室中，然后在反應(yīng)室中的基底材料的表面上形成沉積薄膜，所述方法包括將能量施加給氟化合物使之發(fā)生反應(yīng)，形成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分；以及將產(chǎn)生的氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分進(jìn)行分離，從而分離精煉出所述氟氣組分，在使用CVD設(shè)備對所述基底材料進(jìn)行成膜處理后，將分離精煉的氟氣轉(zhuǎn)變成等離子體，用以除去附著在所述反應(yīng)室中的副產(chǎn)物。
12.如權(quán)利要求11所述的清洗CVD設(shè)備的方法，其特征在于加熱所述氟化合物使之反應(yīng)，生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。
13.如權(quán)利要求11所述的清洗CVD設(shè)備的方法，其特征在于將等離子體施加給所述氟化合物，從而使所述氟化合物反應(yīng)生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。
14.如權(quán)利要求11所述的清洗CVD設(shè)備的方法，其特征在于使用催化劑使所述氟化合物反應(yīng)，從而生成氟氣組分和除了氟氣組分之外的組分。
15.如權(quán)利要求11-14中任一項所述的清洗CVD設(shè)備的方法，其特征在于利用沸點差通過冷卻從除了氟氣組分之外的組分中分離出所述氟氣組分。
16.如權(quán)利要求11-15中任一項所述的清洗CVD設(shè)備的方法，其特征在于所述氟化合物含氮。
17.如權(quán)利要求11-15中任一項所述的清洗CVD設(shè)備的方法，其特征在于所述氟化合物含氯。
18.如權(quán)利要求11-15中任一項所述的清洗CVD設(shè)備的方法，其特征在于所述氟化合物含碘。
19.如權(quán)利要求11-15中任一項所述的清洗CVD設(shè)備的方法，其特征在于所述氟化合物含硫。
20.如權(quán)利要求11-15中任一項所述的清洗CVD設(shè)備的方法，其特征在于所述氟化合物含碳。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種CVD設(shè)備中的清洗方法，它能夠有效地除去副產(chǎn)物如SiO
文檔編號C23C16/44GK1565046SQ0380123
公開日2005年1月12日 申請日期2003年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月1日
發(fā)明者別府達(dá)郎, 坂井克夫, 大倉誠司, 坂村正二, 安部薰, 村田等, 和仁悅夫, 龜田賢治, 三井有規(guī), 大平豐, 米村泰輔, 関屋章 申請人:財團(tuán)法人地球環(huán)境產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究機構(gòu), 獨立行政法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所