專利名稱：涂布以鈦化合物薄膜的制品、制備該制品的方法和用于涂布該薄膜的濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及鈦化合物薄膜的形成，該薄膜具有光催化活性并用于各類構(gòu)件中，如建筑物的窗格玻璃、顯示器玻璃板、DNA分析用玻璃襯底、太陽能電池、移動式信息設(shè)備、衛(wèi)生醫(yī)療設(shè)備、電子設(shè)備、光學部件、生物醫(yī)學用途的測試芯片、醫(yī)學內(nèi)窺鏡檢查和外科用光纖、氫-氧發(fā)生設(shè)備用材料；粉末光催化材料；和建筑、汽車和通訊器材用光學薄膜材料。
背景技術(shù)：
通常，在制備鈦化合物薄膜時，將鈦金屬靶用作原料并在氧氣或氮氣氛圍中進行濺射，由此形成氧化鈦膜、氮化鈦膜或氧-氮化鈦膜。
在通過常規(guī)方法從鈦金屬靶形成鈦化合物膜的情況下，因為鈦的濺射效率低而且鈦難以被濺射，成膜(沉積)速率低。因為靶表面與反應(yīng)性氣體發(fā)生反應(yīng)形成絕緣膜以及所述表面因充靜電而產(chǎn)生放電現(xiàn)象，還會存在不能輸入高輸出的問題。
作為改進成膜速率的方法，在日本專利公報No.2001-73116中公開了向惰性氣體中加入臭氧的方法。而且，在日本專利公報No.2002-275628和2002-322561中提出了通過放電電壓控制氧氣量的方法。然而，即使是采用日本專利公報No.2001-73116、2002-275628和2002-322561中提出的方法，成膜速率也沒有獲得顯著改進。
發(fā)明公開為解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明，在氬氣氛中采用含有濺射效率比鈦高二或更多倍的金屬(以下稱作“高濺射效率金屬”)的鈦靶來代替常規(guī)鈦金屬靶，通過濺射法在襯底上形成鈦化合物膜。通過采用含有高濺射效率金屬的鈦靶，可以確保比采用常規(guī)鈦金屬靶更高的成膜(沉積)速率。
所述濺射效率是濺射原子百分數(shù)/入射離子。(HAYAKAWA Shigeru和WASA Kiyotaka于1982年著的名為《薄膜技術(shù)》的書的第一版的第68-85頁，Kyoritsu Publishing Co.，Ltd.出版)。高濺射效率的材料顯示出高濺射成膜速率。對于相同的入射離子而言，濺射效率因靶材料而變化，其中材料的表面結(jié)合能越低，其濺射效率越高。即，濺射效率隨材料變化，通常，易于濺射的材料顯示出較高的濺射效率。因而，濺射效率可以作為材料濺射難易度的指標。
然而，將濺射效率用作指標，必須采用在相同條件下通過相同的裝置測得的濺射效率。在相同條件下通過相同裝置測得的值成為對度量濺射難易度有意義的值，而對于不同條件下通過不同裝置測得的濺射效率的對比而言就不具意義。換言之，濺射效率隨測量方法和測量條件而改變，即使是相同材料的濺射效率也變化很大。因此，明智的做法是不要把在不同實驗中獲得的材料濺射效率值用作濺射難易度的指標。
根據(jù)本發(fā)明，高濺射效率金屬與鈦的濺射效率之比指的是在氬氣氛中在相同的條件下測定的所述金屬和鈦的濺射效率測量值之比。將該比率用作顯示相同條件下高濺射效率金屬和鈦濺射難易度比率的因數(shù)。濺射效率隨氬離子的能量而變化，但在本發(fā)明中，采用了相對于具有實際濺射成膜時所用的能量范圍的氬的濺射效率。例如，采用相對于處于能量范圍為200-700ev的氬的濺射效率是有利的。在測量濺射效率的情況下，希望其它的濺射條件與實際成膜條件相同。
對濺射效率的測量方法沒有特別限制。然而，可以采用與Wehner負責小組所使用相同的測量方法[例如，N.Laegreid和G.K.Wehner，J.Appl.Phys.，32，365(1961)和D.Rosenberg和G.W.Wehner，J.Appl.Phys.，33，1842(1962)]。
在本發(fā)明中，也可以將氬氣氛中的成膜速率用作濺射效率。當濺射效率高時，成膜速率具有升高的趨勢。因此，也可以采用沉積速率作為參數(shù)來表述本發(fā)明。每種金屬的沉積速率也采用在與實際成膜條件相同的條件下以與濺射效率相同的方式測量的值。
在本發(fā)明中，采用了這樣的鈦靶，其含有的金屬在氬氣氛中的濺射效率比鈦高兩倍以上(即，高濺射效率金屬)。在濺射過程中，該金屬在鈦之前進行濺射，結(jié)果，靶表面質(zhì)地變得粗糙，暴露的表面積增加了。以此方式，隨后的鈦的濺射被加速，鈦靶的沉積速率總體上變高了。然而，當金屬在鈦化合物膜中的含量為1-45at％(換算為金屬)時，在實際的生產(chǎn)過程中觀測到了這種顯著效果。
當所述金屬的含量低于1at％時是不適宜的，因為通過該金屬提高成膜速率的效果不能實現(xiàn)到這么大的幅度，同時，高于45at％的金屬含量也是不適宜的，因為鈦化合物的晶體結(jié)構(gòu)變得無序化，出現(xiàn)復合中心，由此，在作為例如光催化劑的用途中的光催化活性受到減損。
而且，希望的金屬含量為1-20at％。因為耐久性會下降，所以超過20at％的金屬含量是不適宜的。例如，當鋅的含量超過20at％時，在光照下其與水反應(yīng)，而且，氧化鋅本身會分解，從而降低了薄膜的耐久性。
基于上述原因，濺射靶的組成也在類似的范圍內(nèi)。
雖然包含在所述靶中的高濺射效率金屬包含在濺射工藝中形成的鈦化合物膜中，但如果所述金屬的量很小，則不會呈現(xiàn)為對有用功能強抑制的因素。因此，可以在襯底上形成含有少量高濺射效率金屬的鈦化合物膜。而且，當高濺射效率的金屬對形成的鈦化合物膜所展示出的性能(如光學功能)影響不那么強烈時，即使在一定程度上含有所述金屬，希望的性能可以得到應(yīng)用。
為了從鈦化合物中分離出包含在鈦化合物膜中的高濺射效率金屬，有時候，在成膜過程當中和/或之后對金屬加熱是有效的。通過這種熱處理方式(例如，在真空下，在300℃進行一小時)，在某些情況下，可以在一定程度上從金屬化合物如金屬氧化物相中分離出鈦化合物如氧化鈦的組成相。
對于使薄膜中的高濺射效率金屬發(fā)揮有用功能的用途(例如，將薄膜中的所述金屬用作受體的用途，即用來提高光催化活性的空穴釋放源)，不必主動進行這種分離。通過調(diào)節(jié)分離程度，也可以隨意調(diào)節(jié)高濺射效率金屬的量。
將鈦和所述金屬的固溶體、鈦和所述金屬的混合物、鈦和所述金屬的化合物及其組合等用作鈦靶。用于本發(fā)明中的靶不必通過任何特定的制備方法來生產(chǎn)，而可以通過已知方法生產(chǎn)。例如，推薦在非氧化氛圍中燒結(jié)鈦和所述金屬原料粉末的方法(粉末燒結(jié)法和燒結(jié)熔融法)，將原料在等離子或電弧中霧化以沉積在襯底上的方法(熱噴涂或濺射法)等。
通過在反應(yīng)性氣體如氧氣、氮氣、氫氣和水存在下，采用本發(fā)明含有高濺射效率金屬的濺射靶來進行濺射，能夠以高成膜速率獲得鈦化合物膜如氧化鈦、氮化鈦和氧氮化鈦。成膜速率比常規(guī)鈦金屬靶高2-15倍，因而，與常規(guī)方法相比生產(chǎn)率顯著地提高了。
而且，本發(fā)明含有金屬的鈦靶可以含有5-50at％的鈮或鉭，由此防止鈦化合物膜的柱狀結(jié)構(gòu)或晶體生長。在此方式中，當向鈦化合物膜中加入鈮或鉭且柱狀結(jié)構(gòu)或晶體生長得到防止時，所述薄膜將光散射最小化并顯示出作為通訊器材用光學薄膜的優(yōu)異性能。
而且，通過使所述薄膜在本發(fā)明含有金屬的鈦靶中含有0.01-10at％鐵和鉬中的至少一種，可以以高成膜速率獲得具有高光催化活性的鈦化合物膜。
當將所述鈦化合物膜用作光催化材料時，通過在襯底和鈦化合物膜之間提供晶體金屬氧化物層，可以進一步提高鈦化合物膜的光催化活性。作為金屬氧化物層優(yōu)選采用的是氧化鋯層、氧化鋅層、氧化鎂層、氧化錫層或氧化鐵層。當將這些結(jié)晶金屬氧化物層用作鈦化合物膜的內(nèi)底膜時，提高了鈦化合物膜的結(jié)晶度，它是通過采用含有所述金屬的鈦靶，通過反應(yīng)濺射法在這些層上形成的，獲得了更好的光催化活性。
用于形成鈦化合物膜的襯底可以是在濺射沉積情況下不會受到損壞的任何材料，如玻璃板、樹脂板、玻璃塊、陶瓷板、玻璃纖維布。然而，從耐久性和功能維持性的觀點來看，玻璃板如鈉鈣玻璃、其上形成金屬氧化物層的鈉鈣玻璃和石英玻璃是特別適合的。如果將上述制備方法與質(zhì)量分離法或氣體中蒸發(fā)法相結(jié)合，還可以高速地形成細的光催化顆粒。
作為本發(fā)明中的高濺射效率金屬，優(yōu)選采用錫、鋅、鎳、鐵和銦，更優(yōu)選采用對成膜速率改進作用大的錫和鋅。
而且，當采用錫、鋅和銦中的任意一種或從中選擇的多種金屬時，這些在濺射過程中被氧化的金屬顯示出導電性，因而，靶表面上的靜電荷和電荷造成的放電得到了控制。這樣實現(xiàn)向所述靶施加高電功率，實現(xiàn)高沉積速率。因而，優(yōu)選將錫、鋅和銦用作高濺射效率金屬。
當將錫或鋅用作高濺射效率金屬時，觀測到通過成膜獲得的鈦化合物膜結(jié)晶性改進效果而且該薄膜具有優(yōu)異的結(jié)晶性，即使是在低溫下成膜，由此獲得了具有高光催化活性的鈦化合物膜。當錫或鋅在鈦化合物膜中的含量為1-45at％時，實現(xiàn)了這樣的結(jié)晶性改進效果。
然而，當大量的錫或鋅按上述加入時，除光催化劑外，對于諸如強調(diào)耐酸性的工業(yè)用途用上述光學薄膜的構(gòu)件而言，諸如光催化活性的功能或耐久性如耐酸性將被損害。因而，錫或鋅的加入量優(yōu)選不大于20at％。
而且，當所述靶具有高密度時，成膜后的薄膜也具有高密度。因而，如果通過煅燒等來提高靶密度，可以形成高密度的剛性薄膜，改進了功能和耐久性。由于本發(fā)明的靶具有高成膜速率，則甚至在使薄膜具有高密度時，也可以確保實用的成膜速率。然而，當常規(guī)靶具有高密度時，成膜速率會下降，使生產(chǎn)明顯變得困難。
附圖簡述

圖1和2顯示了TiO2和TiSnxOy的X射線衍射圖案。
最佳實施方式(實施例1-9和對比例1-3)將表1中所示的分別具有15英寸×5英寸大小的各種靶安裝在磁控濺射裝置上，該裝置中襯底位置和靶之間的距離為65mm。在表1所示的條件下，當以恒定速度(1m/分鐘)輸送各種襯底(100mm2，3mm厚)時，以3kW的靶輸入功率沉積了鈦化合物膜。按照給定次數(shù)重復該襯底通過步驟(即規(guī)定的通過回數(shù))，由此，沉積了給定厚度的鈦化合物膜。
通過采用stylus型厚度計(Sloan Company制造的Decktack IID)測量未沉積部分和沉積部分之間的臺階，獲得了鈦化合物膜的膜厚。
由在1kW的沉積輸出下以1m/分鐘的輸送速度在靶下方通過一次時在襯底上沉積的膜的厚度計算沉積速率(動態(tài)速率)。采用以下公式進行計算。
沉積速率＝膜厚×輸送速度÷(沉積通過次數(shù)×靶輸入功率)而且，為了檢測鈦化合物膜的結(jié)晶初級膜的影響，通過采用薄膜X射線衍射儀對薄膜結(jié)晶度進行了評估。
膜厚、沉積速率和X射線衍射法結(jié)晶度分析結(jié)果的測量數(shù)據(jù)示于表1中。
作為對比例，通過采用與上面相同的濺射裝置在表2所示條件下形成了鈦化合物膜，只是采用了鈦金屬靶作為替代。對這些對比例進行了與實施例中相同項目的測量，所獲得的數(shù)據(jù)總結(jié)在表2中。




采用根據(jù)描述于Wehner等人著的文章[G.K.Wehner，Phys.Rev.，102，第690頁(1956)或G.K.Wehner，Phys.Rev.，108，第35頁(1957)]中描述的方法的熱陰極放電法測量這些金屬的濺射效率。制備待測量的金屬(原子量為M)靶，事先測量其質(zhì)量。首先將該靶安裝在裝置中，然后，調(diào)節(jié)排氣速度，使引入氬氣時具有3m Torr的氣壓。然后，在陽極和陰極之間施加400V的電勢差，放電1小時(3600秒)同時記錄離子電流I(單位A)。放電后，通過電平衡測量靶的質(zhì)量虧損ΔW(單位克)，通過以下計算公式獲得濺射效率S。
S＝(ΔW×NA×e)/(M×I×3600)其中NA是阿伏伽德羅常數(shù)(＝6.022×1023/摩爾)，e是基本電荷(＝1.602×10-19C)。
根據(jù)上述方法測量了鈦、鋅、錫和鈮的濺射效率。結(jié)果，它們分別具有0.4、2.6、3.0和0.5的濺射效率。即，鋅的濺射效率比鈦高6.5倍，錫的濺射效率比鈦高7.5倍，鈮的濺射效率比鈦高1.25倍。
另外，按照以下方法測量了這些金屬的沉積速率。采用了購自ULVAC Inc。的沉積裝置SCH-3030。采用了尺寸為20×5英寸的金屬靶，沉積輸出固定在1kW，然后，在0.4Pa的氬氣氛圍中以1m/分鐘的輸送速度進行2次通過沉積。采用stylus型厚度儀測量沉積部分和未沉積部分間的臺階，采用上述數(shù)學公式計算沉積速率。
計算鈦、鋅、錫和鈮的沉積速率，結(jié)果，它們分別為8.4、41、66和15nm-m/分鐘。即，鋅的沉積速率比鈦高約4.9倍，錫的沉積速率比鈦高約7.9倍，鈮的沉積速率比鈦高約1.8倍。
在實施例1-9中，采用含有濺射效率和成膜速率比鈦高二或更多倍的鋅的鈦靶來成膜，鈦化合物膜的成膜速率比對比例1和2(其中將鈦金屬靶用來成膜)中的那些和對比例3(其中采用含有濺射效率和成膜速率比鈦高不到2倍的鈮的鈦靶來進行成膜)中的高。一些實施例具有該值的約15倍，觀測到了成膜效率的改進。而且，即使在采用加入或摻雜實施例5和8中描述的金屬的含鋅鈦靶時，很明顯也保持了高成膜速率。
(實施例10-20和對比例4-5)將表1中所示的分別具有15英寸×5英寸大小的各種靶安裝在磁控濺射裝置上，該裝置中襯底位置和靶之間的距離為65mm。在表3所示的條件下，當以恒定速度(1m/分鐘)輸送各種襯底(100mm2，3mm厚)時，以3kW的靶輸入功率沉積了鈦化合物膜。按照給定次數(shù)重復該襯底通過步驟(即規(guī)定的通過回數(shù))，由此，沉積了給定厚度的鈦化合物膜。
用與上述實施例相同的方式測量或觀測鈦化合物膜的厚度、成膜速率、薄膜的結(jié)晶度和濺射效率。應(yīng)當注意，即使在幾乎相同的條件下實施例1-9和實施例10-20之間也會在成膜速率方面存在巨大差異，原因是成膜速率很大程度上取決于所用裝置。換言之，當由于改變成膜裝置而使磁場密度變低時，等離子體中的離子密度下降，在靶表面上會產(chǎn)生氧化膜。結(jié)果，鈦靶的速率下降。無論采用何種裝置，當采用具有以預定比例與鈦混合的其他金屬的靶，而不是僅金屬鈦時，成膜速率得到了改進。
在對比例4和5中，采用了與實施例10-20相同的濺射裝置，只是采用了鈦金屬靶。在表4描述的條件下，進行了鈦化合物膜的成膜。獲得的數(shù)據(jù)示于表4中。
表3和4描述了60分鐘UV照射(UV響應(yīng)親水性)后的純水接觸角和在暗處貯存7天后的接觸角(暗處親水維持性)，其試驗條件如下1)UV響應(yīng)親水性用紫外光照射樣品(光源黑光，發(fā)光強度1mW/cm2)，然后測量液滴接觸角進行評估。可以說，在剛剛進行完紫外照射后，越小的液滴接觸角意味著越好的UV響應(yīng)親水性。
2)暗處親水維持性施用紫外光(光源低壓汞蒸汽燈，照射時間10分鐘，發(fā)光強度254nm，發(fā)射線-11.0mW/cm2，365nm，發(fā)射線-4.0mW/cm2)使樣品超親水化，這樣薄膜表面具有低于5°的液滴接觸角(θ)。接下來，將樣品放置在暗處并保持7天，然后測量液滴接觸角?？梢哉f，在暗處貯存7天后越小的液滴接觸角意味著越好的親水維持性。




在實施例17-20中，當采用含Sn量為10-45at％的靶時，發(fā)現(xiàn)暗處親水維持性得到了改進。
在實施例中，顯示了作為襯底的玻璃板，但本發(fā)明也可以適用于樹脂板、玻璃塊體、陶瓷板、玻璃纖維布等。
下表5顯示了靶中Sn比例、成膜速率、沉積和層合膜的UV響應(yīng)親水性和暗處親水維持性。根據(jù)該表，顯而易見Sn比率的提高改進了成膜速率，但損害了UV響應(yīng)親水性。應(yīng)當理解，無論添加量是多少，Sn的添加提高了暗處親水維持性。采用實施例10-20中描述的濺射裝置形成表5中的層合膜，所述薄膜由玻璃襯底/SiO2(10nm厚)/ZrO2(25nm厚)/TiSnxOy(50nm厚)組成。其中，采用表5中描述的靶，在0.4Pa壓力下在氬-氧(50∶50)氣氛中通過濺射法形成TiSnxOy膜。在與表3和4相同的條件下測量UV響應(yīng)親水性或暗處親水維持性。


與Ti靶成膜相比◎特別優(yōu)異○優(yōu)異△相同水平×較差進而，圖1和2顯示了相同數(shù)據(jù)，但這兩個圖單獨使用，以便容易參引JCPDS數(shù)據(jù)。根據(jù)這些圖，認為TiSnxOy(Sn30at％)的晶體結(jié)構(gòu)是SnO2四方晶系或近似于TiO2金紅石型晶體結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)業(yè)應(yīng)用性根據(jù)本發(fā)明，通過反應(yīng)濺射法，采用含錫或鋅的鈦靶形成了鈦化合物膜，這樣可以提高成膜速率并降低生產(chǎn)成本。采用含錫或鋅的鈦靶能夠獲得具有提高的光學特性和光催化活性的鈦化合物膜，同時保持成膜速率。特別地，當將錫選作加入的金屬時，能夠獲得具有優(yōu)異的暗處親水保持功能以及改進的成膜速率的薄膜。
權(quán)利要求
1.制備涂布以鈦化合物膜的制品的方法，其特征在于在通過反應(yīng)濺射法在襯底上形成鈦化合物膜時采用了含有1-45at％在氬氣氛中濺射效率比鈦高2或更多倍的金屬的鈦靶。
2.制備涂布以鈦化合物膜的制品的方法，其特征在于在通過反應(yīng)濺射法在襯底上形成鈦化合物膜時采用了含有1-20at％在氬氣氛中濺射效率比鈦高2或更多倍的金屬的鈦靶。
3.權(quán)利要求1和2中任意一項制備涂布以鈦化合物膜的制品的方法，其特征在于含有所述金屬的鈦靶含有鈦和所述金屬以外的第三種金屬。
4.權(quán)利要求4的制備涂布以鈦化合物膜的制品的方法，其特征在于鈦和所述金屬以外的第三種金屬為鐵和鉬中的至少一種。
5.權(quán)利要求3或4中制備涂布以鈦化合物膜的制品的方法，其特征在于含有所述金屬的鈦靶含有0.01-10at％的第三種金屬。
6.權(quán)利要求1-5中任意一項制備涂布以鈦化合物膜的制品的方法，其特征在于在制備鈦化合物膜的方法中，在成膜過程中和/或之后進行加熱或熱處理。
7.權(quán)利要求1-6中任意一項制備涂布以鈦化合物膜的制品的方法，其特征在于所述鈦化合物是氧化鈦。
8.權(quán)利要求1-6中任意一項制備涂布以鈦化合物膜的制品的方法，其特征在于所述鈦化合物是氮化鈦。
9.權(quán)利要求1-8中任意一項制備涂布以鈦化合物膜的制品的方法，其特征在于涂布以薄膜的襯底是玻璃板。
10.權(quán)利要求1-9中任意一項制備涂布以鈦化合物膜的制品的方法，其特征在于所述金屬是錫。
11.權(quán)利要求1-9中任意一項制備涂布以鈦化合物膜的制品的方法，其特征在于所述金屬是鋅。
12.通過權(quán)利要求1-11中任意一項的方法制備的涂布以具有光催化功能或光學功能的鈦化合物膜的制品。
13.權(quán)利要求12的涂布以具有光催化功能的鈦化合物膜的制品，其特征在于在襯底和鈦化合物膜之間提供了結(jié)晶氧化鋯層、氧化鋅層、氧化鎂層、氧化錫層或氧化鐵層。
14.涂布以含有金屬的鈦化合物膜的制品，其中所述金屬具有在氬氣氛中比鈦高二或更多倍的濺射效率，且該金屬與鈦的金屬含量比為1-45at％。
15.涂布以含有金屬的鈦化合物膜的制品，其中所述金屬具有在氬氣氛中比鈦高二或更多倍的濺射效率，且該金屬與鈦的金屬含量比為1-20at％。
16.權(quán)利要求14和15中任意一項的涂布以鈦化合物膜的制品，其中所述金屬是錫。
17.權(quán)利要求14和15中任意一項的涂布以鈦化合物膜的制品，其中所述金屬是鋅。
18.權(quán)利要求14-17中任意一項的涂布以鈦化合物膜的制品，其中所述鈦化合物是氧化鈦。
19.權(quán)利要求14-18中任意一項的涂布以鈦化合物膜的制品，其中所述制品的襯底是玻璃板。
20.含有金屬的鈦靶，其用于通過反應(yīng)濺射法在襯底上形成鈦化合物膜，其特征在于所述金屬具有在氬氣氛中比鈦高二或更多倍的濺射效率，且該金屬與鈦的金屬含量比為1-45at％。
21.含有金屬的鈦靶，其用于通過反應(yīng)濺射法在襯底上形成鈦化合物膜，其特征在于所述金屬具有在氬氣氛中比鈦高二或更多倍的濺射效率，且該金屬與鈦的金屬含量比為1-20at％。
22.權(quán)利要求20和21中任意一項的含有金屬的鈦靶，其特征在于使鈦和所述金屬以外的第三種金屬包含在含有所述金屬的鈦靶中。
23.權(quán)利要求22的含有金屬的鈦靶，其特征在于第三種金屬的含量為0.01-10at％。
24.權(quán)利要求22或23的含有金屬的鈦靶，其特征在于第三種金屬是鐵和鉬中的至少一種。
25.權(quán)利要求20-24中任意一項的含有金屬的鈦靶，其中所述金屬是錫。
26.權(quán)利要求20-24中任意一項的含有金屬的鈦靶，其中所述金屬是鋅。
全文摘要
本發(fā)明提供了通過濺射法在襯底上形成鈦化合物膜的方法，該方法采用含有在氬氣氛中濺射效率比鈦高二或更多倍的金屬(比如錫或鋅)的鈦靶來代替常規(guī)鈦金屬靶；涂布以鈦化合物膜的制品；和用于該薄膜涂布法的濺射靶。在含有錫或鋅的鈦靶中錫或鋅的含量優(yōu)選為1－45at％，并可以加入第三種金屬。它們可以克服采用反應(yīng)濺射法時薄膜的成膜速率低和由于在襯底(如玻璃板)表面上形成鈦化合物膜時放電的產(chǎn)生而不能施用高輸出功率的缺陷。
文檔編號C23C14/34GK1675400SQ03819540
公開日2005年9月28日 申請日期2003年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月17日
發(fā)明者安崎利明, 稻岡大介, 木島義文 申請人:日本板硝子株式會社