專利名稱:一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置制造方法
【專利摘要】一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，是由：墻體、長加熱模塊、長加熱模塊正極、長加熱模塊負極、短加熱模塊、短加熱模塊正極、短加熱模塊負極、矩形加熱模塊、正負極輸入輸出孔、定位器構(gòu)成；加熱的結(jié)構(gòu)及其方法簡單，設(shè)計科學(xué)合理，使用方便、操作容易快捷；確保在大型連續(xù)性生產(chǎn)氧化銦錫膜中，通過控制對磁控濺射磁懸浮車靶的各部位的加熱溫度，使ITO薄膜得到整版均勻性良好的電阻，明顯提高ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，大大提高工作效率，節(jié)約生產(chǎn)成本，延長使用壽命2倍以上，節(jié)能環(huán)保。
【專利說明】一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及ITO膜加熱裝置，尤其是一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱
目.0

【背景技術(shù)】
[0002]ITO透明導(dǎo)電膜即摻雜銦錫氧化物薄膜，簡稱ITO薄膜，是Indium Tin Oxide的縮寫。ITO薄膜是一種η型半導(dǎo)體材料，其具有許多優(yōu)異的物理、化學(xué)性能，例如較高的可見光透過率和導(dǎo)電率，與大部分襯底具有良好的附著性，較強的硬度及良好的抗酸、堿及有機溶劑能力，因此，被廣泛應(yīng)用于光電器件中。比如:液晶顯示器(IXD)，等離子顯示器(TOP)，電極放光顯示器(EL/0LED)，觸摸屏，太陽能電池及其他電子儀表中。
[0003]目前，ITO薄膜的制備方法很多，常見的有:噴涂法、真空蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積、反應(yīng)離子注入以及磁控濺射等。在這些制備方法中，目前磁控濺射法是用的最普遍的。由于磁控濺射具有良好的可控性和易于獲得大面積均勻的薄膜，因此被廣泛應(yīng)用于顯示器件中ITO薄膜的制備。磁控濺射制備ITO薄膜，主要是利用直流(DC)電源在Ar濺射氣體和充分氧化Ar/02混合氣體中產(chǎn)生等離子體，對In-Sn合金靶或In203，Sn02氧化物靶或陶瓷靶進行轟擊，以便在各種襯底上獲得ITO薄膜。在制備工藝條件如靶中錫含量、沉積速率、襯底溫度、濺射功率、及后續(xù)退火處理，都對ITO薄膜的光電特性有極大的影響；但是，現(xiàn)有的技術(shù)在玻璃襯底上低溫制備ITO薄膜光學(xué)性能差，薄膜氧化不完全，結(jié)構(gòu)不完整；尤其在對不同種溫度條件下的ITO薄膜晶體結(jié)構(gòu)和電阻，不能準(zhǔn)確有效的調(diào)節(jié)控制溫度來控制電阻的均勻性，降低了 ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，以及生產(chǎn)的工作效率，增加了生產(chǎn)成本，影響顯示器、及儀器的使用壽命；是本領(lǐng)域生產(chǎn)發(fā)展中的瓶頸，不能滿足用戶和市場的需求。
[0004]鑒于上述原因，現(xiàn)有的ITO薄膜加熱裝置及其方法需要創(chuàng)新。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，加熱的結(jié)構(gòu)及其方法簡單，設(shè)計科學(xué)合理，使用方便、操作容易快捷；確保在大型連續(xù)性生產(chǎn)氧化銦錫膜中，通過控制對磁控濺射磁懸浮車靶的各部位的加熱溫度，使ITO薄膜得到整版均勻性良好的電阻，明顯提高ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，大大提高工作效率，節(jié)約生產(chǎn)成本，延長使用壽命2倍以上，節(jié)能環(huán)保。
[0006]本實用新型為了實現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案:一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，是由:墻體、長加熱模塊、長加熱模塊正極、長加熱模塊負極、短加熱模塊、短加熱模塊正極、短加熱模塊負極、矩形加熱模塊、正負極輸入輸出孔、定位器構(gòu)成；墻體一側(cè)的中部設(shè)置長加熱模塊組，長加熱模塊組的上方設(shè)置短加熱模塊組，下方設(shè)置矩形加熱模塊組。
[0007]所述的長加熱模塊組由至少五塊長加熱模塊并列設(shè)置組成，每塊長加熱模塊上方中部設(shè)置長加熱模塊正極和長加熱模塊負極。
[0008]所述的短加熱模塊組由至少兩塊短加熱模塊并排設(shè)置組成，每塊短加熱模塊上方設(shè)置短加熱模塊正極和短加熱模塊負極。
[0009]所述的矩形加熱模塊組由至少兩塊矩形加熱模塊并排設(shè)置組成，每塊矩形加熱模塊的一側(cè)設(shè)置正負極輸入輸出孔，正負極輸入輸出孔內(nèi)設(shè)置矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負極。
[0010]所述的長加熱模塊、短加熱模塊、矩形加熱模塊均為U形加熱管內(nèi)設(shè)置至少兩個S形加熱管構(gòu)成。
[0011]所述的長加熱模塊、短加熱模塊、矩形加熱模塊均通過定位器與墻體固定。
[0012]本實用新型的有益效果是:在連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室內(nèi)，長加熱模塊正極和長加熱模塊負極分別與電源的正負極連接，短加熱模塊正極和短加熱模塊負極分別與電源的正負極連接，矩形加熱模塊一側(cè)的正負極輸入輸出孔內(nèi)的矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負極分別與電源的正負極連接，墻體上的長加熱模塊、短加熱模塊和矩形加熱模塊通電后，電能轉(zhuǎn)換為熱能通過加熱管向外散熱，對懸浮運行中車體上安裝的ITO薄膜各部位進行加熱，可通過工控機控制長加熱模塊、短加熱模塊和矩形加熱模塊采用不同的加熱溫度，對懸浮運行中車體上ITO薄膜的不同部位采用不同的溫度進行加熱，車體通過連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室后，自然冷卻至常溫狀態(tài)，制得ITO薄膜成品的電阻率達到2 X 10-4 Ω /cm,透過率達到90%以上。長加熱模塊、短加熱模塊和矩形加熱模塊的溫度調(diào)整范圍為50-400°C，根據(jù)ITO薄膜的不同規(guī)格，可對墻體上不同位置的長加熱模塊、短加熱模塊和矩形加熱模塊采用不同的加熱溫度，使ITO薄膜的加熱溫度一致。
[0013]加熱的結(jié)構(gòu)及其方法簡單，設(shè)計科學(xué)合理，使用方便、操作容易快捷；確保在大型連續(xù)性生產(chǎn)氧化銦錫膜中，通過控制對磁控濺射磁懸浮車靶的各部位的加熱溫度，使ITO薄膜得到整版均勻性良好的電阻，電阻率達到2X 10-4 Ω/Cm、透過率達到90%以上；明顯提高ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，大大提高工作效率，節(jié)約生產(chǎn)成本，延長使用壽命2倍以上，節(jié)能環(huán)保。
[0014]本實用新型經(jīng)過長期大量實驗，優(yōu)化如靶中錫含量、沉積速率、襯底溫度、濺射功率、及后續(xù)退火處理等這些工藝參數(shù)后，可以獲得具有較高的導(dǎo)電率和可見光透過率的優(yōu)質(zhì)ITO薄膜。
[0015]本實用新型在玻璃襯底上制備的ITO薄膜的電阻率達到2 X 10-4 Ω/cm和透過率達到90%以上。所以用磁控濺射技術(shù)在玻璃襯底上，可以制備出良好ITO透明導(dǎo)電薄膜，在其制備的同時我們對不同基底溫度(150°C -350°C )條件下制備薄膜的電阻情況進行了深入研宄，現(xiàn)有技術(shù)中在玻璃襯底上低溫制備ITO薄膜光學(xué)性能差的時候，往往籠統(tǒng)的被解釋為薄膜氧化不完全，結(jié)構(gòu)不完整，本實用新型經(jīng)長期大量的實驗，因此在對不同種溫度條件下的ITO薄膜晶體結(jié)構(gòu)和電阻得出新的研發(fā)成果。

【附圖說明】

[0016]下面結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明:
[0017]圖1是，總裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖1中:墻體1、長加熱模塊2、長加熱模塊正極2-2、長加熱模塊負極2-3、短加熱模塊3、短加熱模塊正極3-2、短加熱模塊負極3-3、矩形加熱模塊4、正負極輸入輸出孔4-2、定位器5 ο

【具體實施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖與【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細說明:
[0020]如圖所示，墻體I 一側(cè)的中部設(shè)置長加熱模塊組，長加熱模塊組的上方設(shè)置短加熱模塊組，下方設(shè)置矩形加熱模塊組。
[0021]所述的長加熱模塊組由至少五塊長加熱模塊2并列設(shè)置組成，每塊長加熱模塊2上方中部設(shè)置長加熱模塊正極2-2和長加熱模塊負極2-3。
[0022]所述的短加熱模塊組由至少兩塊短加熱模塊3并排設(shè)置組成，每塊短加熱模塊3上方設(shè)置短加熱模塊正極3-2和短加熱模塊負極3-3。
[0023]所述的矩形加熱模塊組由至少兩塊矩形加熱模塊4并排設(shè)置組成，每塊矩形加熱模塊4的一側(cè)設(shè)置正負極輸入輸出孔4-2，正負極輸入輸出孔4-2內(nèi)設(shè)置矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負極。
[0024]所述的長加熱模塊2、短加熱模塊3、矩形加熱模塊4均為U形加熱管內(nèi)設(shè)置至少兩個S形加熱管構(gòu)成。
[0025]所述的長加熱模塊2、短加熱模塊3、矩形加熱模塊4均通過定位器5與墻體I固定。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，是由:墻體(I)、長加熱模塊(2)、長加熱模塊正極(2-2)、長加熱模塊負極(2-3)、短加熱模塊(3)、短加熱模塊正極(3-2)、短加熱模塊負極(3-3)、矩形加熱模塊(4)、正負極輸入輸出孔(4-2)、定位器(5)構(gòu)成；其特征在于:墻體(I) 一側(cè)的中部設(shè)置長加熱模塊組，長加熱模塊組的上方設(shè)置短加熱模塊組，下方設(shè)置矩形加熱模塊組。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，其特征在于:所述的長加熱模塊組由至少五塊長加熱模塊(2)并列設(shè)置組成，每塊長加熱模塊(2)上方中部設(shè)置長加熱模塊正極(2-2)和長加熱模塊負極(2-3)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，其特征在于:所述的短加熱模塊組由至少兩塊短加熱模塊(3)并排設(shè)置組成，每塊短加熱模塊(3)上方設(shè)置短加熱模塊正極(3-2)和短加熱模塊負極(3-3)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，其特征在于:所述的矩形加熱模塊組由至少兩塊矩形加熱模塊(4)并排設(shè)置組成，每塊矩形加熱模塊(4)的一側(cè)設(shè)置正負極輸入輸出孔(4-2)，正負極輸入輸出孔(4-2)內(nèi)設(shè)置矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負極。5.根據(jù)權(quán)利要求1、或2、或3、或4所述的一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，其特征在于:所述的長加熱模塊(2)、短加熱模塊(3)、矩形加熱模塊(4)均為U形加熱管內(nèi)設(shè)置至少兩個S形加熱管構(gòu)成。6.根據(jù)權(quán)利要求1、或2、或3、或4所述的一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，其特征在于:所述的長加熱模塊(2)、短加熱模塊(3)、矩形加熱模塊(4)均通過定位器(5)與墻體⑴固定。
【文檔編號】C23C14-35GK204265838SQ201420770329
【發(fā)明者】秦遵紅, 王戀貴, 董安光, 譚華 [申請人]洛陽康耀電子有限公司