專利名稱:薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法。
背景技術(shù):
一般情況下,磁頭萬向接頭組件(head gimbal assembly)(HGA)是通過將形成有薄膜磁頭的磁頭滑動器固定到柔性臂部件如懸掛裝置的引導(dǎo)端而構(gòu)成的。這種磁頭萬向接頭組件建立在硬盤驅(qū)動器中并相對于作為記錄介質(zhì)的硬盤進(jìn)行記錄/再現(xiàn)。在記錄/再現(xiàn)時(shí),在薄膜磁頭下面伴隨著硬盤旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生氣流,由此使薄膜磁頭浮動。隨著硬盤達(dá)到更高的密度,薄膜磁頭和硬盤之間的間隙即磁頭飛行高度降低到10nm,目前看來這是一種限制。
在這種情況下,在其中用于再現(xiàn)的磁阻器件和用于寫操作的感應(yīng)電磁變換器依次層疊在支架上的組合薄膜磁頭中,在激勵(lì)感應(yīng)電磁變換器時(shí),構(gòu)成電磁變換器的線圈將產(chǎn)生熱量。然后,該薄膜磁頭將在與薄膜磁頭中的硬盤的記錄表面相對的表面即介質(zhì)相對表面(ABS;空氣承載表面)中、在電磁變換器附近熱膨脹,由此,向硬盤突出。結(jié)果是,薄膜磁頭和硬盤之間的間隙將減小,由此引起該薄膜磁頭和硬盤互相擠壓。因此,薄膜磁頭的飛行高度必須保持不變,以便在電磁變換器的附近發(fā)生熱膨脹時(shí)薄膜磁頭和硬盤不互相擠壓。于是,對于薄膜磁頭來說難以完全實(shí)現(xiàn)低浮動。
作為通過防止這種狀態(tài)發(fā)生而實(shí)現(xiàn)薄膜磁頭的較低浮動的技術(shù)的已知例子包括如下兩種技術(shù),一種是薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面上的涂層的引導(dǎo)端被部分地刮削以產(chǎn)生階梯,另一種是構(gòu)成電磁變換器的線圈的玻璃轉(zhuǎn)變溫度設(shè)定為約70-100C,以便降低楊氏模量,由此減小在線圈部分中產(chǎn)生的熱應(yīng)力(例如參見日本專利申請?zhí)卦S公開No.2000-306215)。
發(fā)明內(nèi)容
然而,上述常規(guī)技術(shù)不能完全限制介質(zhì)相對表面突出,因此迄今為止難以實(shí)現(xiàn)薄膜磁頭中的進(jìn)一步降低的浮動。
本發(fā)明人已經(jīng)研究了一種形成用于調(diào)節(jié)薄膜磁頭內(nèi)的磁阻器件和硬盤之間的間隙的加熱器(公眾未知),在這種情況下也可能產(chǎn)生上述問題。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法,防止了薄膜磁頭和硬盤互相擠壓,并由此實(shí)現(xiàn)薄膜磁頭中的較低的浮動。
在第一方案中,本發(fā)明提供了一種薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法,該方法包括制備形成在支架上的薄膜磁頭的步驟,該薄膜磁頭包括用于再現(xiàn)的磁阻器件、用于寫操作的感應(yīng)電磁變換器和在被激勵(lì)時(shí)用于產(chǎn)生熱量的加熱器;和在激勵(lì)加熱器的同時(shí),對薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面進(jìn)行拋光。
在向硬盤上進(jìn)行實(shí)際記錄時(shí),薄膜磁頭的電磁變換器由于被激勵(lì)而產(chǎn)生熱量。結(jié)果是,電磁變換器周圍的層膨脹,由此介質(zhì)相對表面突起。在本發(fā)明的這個(gè)方案中,在薄膜磁頭被安裝到硬盤驅(qū)動器中之前,使設(shè)有薄膜磁頭的加熱器產(chǎn)生熱量,以便使電磁變換器附近的介質(zhì)相對表面膨脹,并對如此膨脹的部分進(jìn)行拋光。因此,即使在向硬盤上實(shí)際記錄時(shí)激勵(lì)電磁變換器而使介質(zhì)相對表面膨脹,薄膜磁頭的飛行高度也可以設(shè)定為合適的值。這就可以防止薄膜磁頭和硬盤互相擠壓,由此實(shí)現(xiàn)薄膜磁頭的低浮動。
在相對于硬盤實(shí)際記錄/再現(xiàn)時(shí),該加熱器可用于產(chǎn)生熱量,以便調(diào)節(jié)磁阻器件和硬盤之間的距離。然而,來自加熱器的熱量可能引起薄膜磁頭無意識的部分熱膨脹。即使在這種情況下,根據(jù)本發(fā)明的這個(gè)方案的拋光方法也可以消除先前的無意識的膨脹部分。
優(yōu)選地,在本發(fā)明的這個(gè)方案中,磁阻器件、感應(yīng)電磁變換器和加熱器從薄膜磁頭的支架一側(cè)依次層疊。當(dāng)在相對于硬盤進(jìn)行實(shí)際記錄/再現(xiàn)而激勵(lì)電磁變換器時(shí),電磁變換器產(chǎn)生熱量,以便使其周圍部分膨脹,由此使介質(zhì)相對表面突起。因此,在相對于硬盤進(jìn)行實(shí)際記錄/再現(xiàn)時(shí),在介質(zhì)相對表面中,電子變換器附近最靠近硬盤。
在本發(fā)明的這個(gè)方案中,加熱器不設(shè)置在磁阻器件附近而是設(shè)置在電磁變換器附近,并加熱,以便使電磁變換器附近的介質(zhì)相對表面膨脹,然后對如此膨脹的部分進(jìn)行拋光。結(jié)果是,即使在向硬盤上實(shí)際記錄時(shí)激勵(lì)電磁變換器而使介質(zhì)相對表面膨脹,薄膜磁頭的飛行高度也可以設(shè)定為合適的值。因此,可以更可靠地防止薄膜磁頭和硬盤互相擠壓。
加熱器可以設(shè)置在與支架相反的薄膜磁頭的表面上。這就可以不必使加熱器形成在薄膜磁頭內(nèi)部,由此便于薄膜磁頭的制造。
該方法可以包括以下步驟切割支架,以便形成包括設(shè)置成行的薄膜磁頭的棒;和在激勵(lì)加熱器的同時(shí),對棒中的薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面進(jìn)行拋光。這就可以一次拋光多個(gè)薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面,提高了工作效率。
這種情況下,該方法可包括以下步驟將多個(gè)薄膜磁頭的加熱器彼此電連接;和在用單一電源激勵(lì)棒中的所有加熱器的同時(shí),對薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面進(jìn)行拋光。這就可以通過少量激勵(lì)設(shè)備一次拋光薄膜磁頭的多個(gè)介質(zhì)相對表面。
棒中的薄膜磁頭的多個(gè)加熱器可以單獨(dú)被激勵(lì)。這允許薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面互相分開地改變它們的膨脹量,由此可以調(diào)節(jié)單獨(dú)的薄膜磁頭的拋光量。而且,用于彼此連接加熱器等所需的布線的放置步驟可以省略,由此使薄膜磁頭的制造更容易。
該方法還包括以下步驟切割支架,以便形成包括設(shè)置成行的薄膜磁頭的棒;切割該棒,以便形成多個(gè)磁頭滑動器,每個(gè)磁頭滑動器具有薄膜磁頭;將磁頭滑動器安裝到臂部件上,以便形成磁頭萬向接頭組件;和在激勵(lì)加熱器的同時(shí),在如此獲得的狀態(tài)下,拋光薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面。這就可以在與實(shí)際安裝在硬盤驅(qū)動器中的情況接近的狀態(tài)下拋光薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面,由此在單獨(dú)的薄膜磁頭中可以進(jìn)行最優(yōu)化量的拋光。因此,可以更可靠地防止薄膜磁頭和硬盤彼此擠壓。
在第二方案中,本發(fā)明提供了一種拋光薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的方法,該方法包括以下步驟制備形成在支架上的薄膜磁頭,該薄膜磁頭包括用于再現(xiàn)的磁阻器件和用于寫操作的感應(yīng)電磁變換器;和在激勵(lì)電磁變換器的同時(shí),對薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面進(jìn)行拋光。
在向硬盤上實(shí)際記錄時(shí),薄膜磁頭的電磁變換器由于被激勵(lì)而產(chǎn)生熱量。結(jié)果是,電磁變換器周圍的層膨脹,由此使介質(zhì)相對表面突起。在本發(fā)明的這個(gè)方案中,在薄膜磁頭安裝到硬盤驅(qū)動器中之前,使電磁變換器產(chǎn)生熱量,以便使電磁變換器附近的介質(zhì)相對表面膨脹,并對如此膨脹的部分進(jìn)行拋光。因此,即使在向硬盤上實(shí)際記錄時(shí)激勵(lì)電磁變換器而使介質(zhì)相對表面膨脹,薄膜磁頭的飛行高度可以設(shè)定為合適的值。這就可以防止薄膜磁頭和硬盤互相擠壓,由此實(shí)現(xiàn)薄膜磁頭的低浮動。
該方法可包括以下步驟切割支架,以便形成包括設(shè)置成行的薄膜磁頭的棒;和在激勵(lì)電磁變換器的同時(shí),對棒中的薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面進(jìn)行拋光。這就可以一次拋光多個(gè)薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面,提高了工作效率。
在這種情況下,該方法可包括如下步驟將薄膜磁頭的多個(gè)電磁變換器彼此電連接;和在用單一電源激勵(lì)棒中的所有電磁變換器的同時(shí),對薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面進(jìn)行拋光。這就可以通過少量激勵(lì)設(shè)備一次拋光薄膜磁頭的多個(gè)介質(zhì)相對表面。
棒中的薄膜磁頭的多個(gè)電磁變換器可以單獨(dú)被激勵(lì)。這允許薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面互相分開地改變它們的膨脹量,由此可以調(diào)節(jié)單獨(dú)的薄膜磁頭的拋光量。而且,用于彼此連接加熱器等所需的布線的放置步驟可以省略,由此使薄膜磁頭的制造更容易。
該方法可包括以下步驟切割支架,以便形成包括設(shè)置成行的薄膜磁頭的棒;切割該棒,以便形成多個(gè)磁頭滑動器,每個(gè)磁頭滑動器具有薄膜磁頭;將磁頭滑動器安裝到臂部件上,以便形成磁頭萬向接頭組件;和在激勵(lì)電磁變換器的同時(shí),在如此獲得的狀態(tài)下,拋光薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面。這就可以在與實(shí)際安裝在硬盤驅(qū)動器中的情況接近的狀態(tài)下拋光薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面,由此在單獨(dú)的薄膜磁頭中可以進(jìn)行最優(yōu)化量的拋光。因此,可以更可靠地防止薄膜磁頭和硬盤彼此擠壓。
附圖簡述
圖1A是表示施加了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的拋光方法的多個(gè)薄膜磁頭形成在支架上的狀態(tài)的示意圖;圖1B是表示切割支架的狀態(tài)的示意圖,以便產(chǎn)生多個(gè)棒,每個(gè)棒包括設(shè)置成行的薄膜磁頭;圖2是表示在MR高度調(diào)節(jié)之后的棒的示意圖;圖3是沿著垂直于介質(zhì)相對表面S的方向截取的圖2中所示棒的示意剖面圖;圖4是表示在薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面S和硬盤的記錄表面D之間的關(guān)系的示意圖;圖5是表示外部電源連接到圖2中所示棒的狀態(tài)的示意圖;圖6是圖5中所示棒的區(qū)域VI的部分放大圖;圖7A和7B是表示構(gòu)成用在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的拋光方法的拋光設(shè)備的棒保持裝置的示意圖;圖8是表示棒拋光步驟的示意圖;圖9是表示拋光之后的薄膜磁頭的示意剖面圖;圖10是表示加熱器激勵(lì)模式的例子的示意圖;圖11是表示加熱器激勵(lì)模式的例子的示意圖;圖12A和12B是表示圖11中所示的模式中的棒保持裝置的示意圖;圖13是表示薄膜磁頭中的加熱器位置的另一例子的示意圖;圖14是表示其中加熱器以分離方式設(shè)置的薄膜磁頭1的例子的示意剖面圖;圖15是表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的示意圖,表示激勵(lì)記錄磁頭部的模式;圖16是表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的記錄磁頭部激勵(lì)模式的另一例子的示意圖;圖17是表示本發(fā)明第三實(shí)施方式的示意圖,表示構(gòu)成磁頭萬向接頭組件的狀態(tài)下的拋光步驟;和圖18是表示試驗(yàn)結(jié)果的曲線圖。
優(yōu)選實(shí)施方式的說明下面將參照附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。彼此相同的部分將用相同的參考標(biāo)記表示,并且不重復(fù)它們的說明。
圖1A表示施加了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的拋光方法的薄膜磁頭1形成在支架2上的狀態(tài),其中支架2由AlTiC(Al2O3TiC)等構(gòu)成。圖1B表示切割支架2的狀態(tài),以便產(chǎn)生多個(gè)棒3,每個(gè)棒3包括設(shè)置成行的薄膜磁頭1。制備薄膜磁頭1之后,進(jìn)行如下所述的拋光步驟。
根據(jù)本實(shí)施方式的拋光方法中的拋光指的是,在用于調(diào)節(jié)MR高度等的拋光之前、之后或中間,在圖1B中所示階段對棒3的薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的進(jìn)行拋光。MR高度指的是如從介質(zhì)相對表面看到的用于再現(xiàn)的磁阻器件的深度方向的距離。該介質(zhì)相對表面是硬盤的與記錄表面相對的表面,并且一般公知為空氣承載表面(ABS)。圖2表示在MR高度調(diào)節(jié)之后的棒3。
下面將介紹進(jìn)行了根據(jù)本實(shí)施方式的拋光方法的每個(gè)薄膜磁頭1的構(gòu)成。
圖3是沿著垂直于薄膜磁頭1中的介質(zhì)相對表面S的方向截取的棒3的示意剖面圖。在圖3中,薄膜磁頭1是一種組合薄膜磁頭,其中具有用于再現(xiàn)的GMR(巨磁阻)器件10的再現(xiàn)磁頭部11和用作用于寫操作的感應(yīng)電磁變換器的記錄磁頭部12層疊在支架2上。GMR器件利用了產(chǎn)生高磁阻變化比的巨磁阻效應(yīng)。這里,可以使用利用了各向異性磁阻效應(yīng)的AMR(各向異性磁阻)器件、利用在隧道結(jié)處產(chǎn)生的磁阻效應(yīng)的TMR(隧道效應(yīng)磁阻)器件、CPP-GMR器件等代替GMR器件。
支架2由基板22和形成在其上的下涂層21構(gòu)成,基板22由AlTiC(Al2O3TiC)等構(gòu)成,下涂層21由絕緣材料如氧化鋁(Al2O3)構(gòu)成。
下屏蔽層23形成在下涂層21上,而GMR器件10形成在下屏蔽層23上。實(shí)際上由多個(gè)膜構(gòu)成的GMR器件10表示為單層。
GMR器件10被由Al2O3等構(gòu)成的絕緣層24包圍。在絕緣層24上,形成上屏蔽層25。
記錄磁頭部12是用于縱向記錄的,并主要包括下磁極13、磁耦合到下磁極13的上磁極14和部地位于下磁極13和上磁極14之間的薄膜線圈15。
上磁極14由位于介質(zhì)相對表面S一側(cè)的磁極部件層14a和連接到該磁極部件層14a同時(shí)在其下面旁路經(jīng)過薄膜線圈15的磁軛部件層14b構(gòu)成。
上涂層16形成在上磁極14上。形成在上涂層16上的是加熱器17,該加熱器17由Cu、NiFe、Ta、Ti、CoNiFe合金、FeAlSi合金等構(gòu)成。加熱器17的功能是在被激勵(lì)時(shí)產(chǎn)生熱量,以便使其周圍的層熱膨脹,由此調(diào)節(jié)GMR器件10和硬盤之間的間隙。在加熱器17上還形成上涂層18。
兩個(gè)導(dǎo)電部件19a、19b電連接到加熱器17,該導(dǎo)電部件19a、19b由導(dǎo)電材料如Cu構(gòu)成,每個(gè)導(dǎo)電部件19a、19b在圖中向上延伸。加熱器電極襯墊20a、20b在它們的上端(在上涂層18的表面上)分別連接于導(dǎo)電部件19a、19b上。
同樣,由導(dǎo)電材料構(gòu)成的兩個(gè)導(dǎo)電部件(未示出)電連接到再現(xiàn)磁頭部11和記錄磁頭部12的每個(gè)上,以便在導(dǎo)電部件的上端與它們的相應(yīng)再現(xiàn)和記錄電極襯墊連接。再現(xiàn)和記錄電極襯墊將在后面解釋。
圖4是表示薄膜磁頭1的介質(zhì)相對表面S和硬盤的記錄表面D之間的關(guān)系的示意圖。
當(dāng)激勵(lì)薄膜磁頭1的加熱器17時(shí),介質(zhì)相對表面S在加熱器17附近熱膨脹,由此向硬盤的記錄表面D突出(如由圖中的雙點(diǎn)虛線表示的)。這里,在上涂層18中與支架2相反的表面上的角部T的附近趨于更遠(yuǎn)地突出,由此減小介質(zhì)相對表面S和硬盤的記錄表面D之間的間隙F。這可能使角部T與硬盤的記錄表面D接觸。
因此,在本實(shí)施方式的拋光方法中,在薄膜磁頭1安裝到硬盤驅(qū)動器中之前,在介質(zhì)相對表面S中的加熱器17的附近膨脹的狀態(tài)下,即在激勵(lì)加熱器17的狀態(tài)下,從角部T到由圖4中的虛線L所表示的部分對上涂層18進(jìn)行拋光。
下面將具體介紹本實(shí)施方式的拋光方法。
圖5是表示外部電源31連接到圖2中所示的棒3的狀態(tài)的示意圖。在本實(shí)施方式中,當(dāng)外部電源31導(dǎo)通時(shí),激勵(lì)棒3中的每個(gè)薄膜磁頭1的加熱器17。
圖6是圖5中所示的棒3的區(qū)域VI的部分放大示意圖,表示設(shè)置成行的兩個(gè)薄膜磁頭1。如圖所示,記錄電極襯墊40a、40b、加熱器電極襯墊20a、20b和再現(xiàn)電極襯墊41a、41b連接于每個(gè)薄膜磁頭1的上涂層18上。盡管圖中示出了記錄電極襯墊40a、40b、加熱器電極襯墊20a、20b和再現(xiàn)電極襯墊41a、41b從左依次設(shè)置,但是不限于這個(gè)順序。例如,記錄電極襯墊40a、40b的位置可以與再現(xiàn)電極襯墊41a、41b的位置互換。加熱器電極襯墊20a、20b的位置不限于所示模式,例如可以設(shè)置在記錄電極襯墊40a、40b和再現(xiàn)電極襯墊41a、41b的外部。
彼此相鄰的薄膜磁頭1的加熱器電極襯墊20a、20b例如通過線45互相電連接。因此,棒3中的所有薄膜磁頭1互相電連接,由此當(dāng)圖5中所示的外部電源31導(dǎo)通時(shí)激勵(lì)棒3中的所有薄膜磁頭1的加熱器17。這就可以減少激勵(lì)設(shè)備如外部電源。
圖7A是表示構(gòu)成用在本實(shí)施方式的拋光方法中的拋光設(shè)備的棒保持裝置51的正視圖,而圖7B是它的側(cè)視圖。該拋光設(shè)備由保持裝置51和圖8中所示的拋光器61構(gòu)成,其中拋光器61將在后面介紹。
如圖7A和7B所示,棒保持裝置51包括主部件52和設(shè)置在其下面用于保持棒3的保持橡膠部件53。主部件52包括激勵(lì)部件56,激勵(lì)部件56包括一對電極54和用于激勵(lì)棒3的一對導(dǎo)線55。導(dǎo)線55連接到電極54和連接導(dǎo)保持橡膠部件53的棒3。電極54電連接到外部電源32,以便借助導(dǎo)線55將來自外部電源32的功率輸送給棒3。
圖8是表示用于棒3的拋光步驟的示意圖。對于該拋光,棒3開始連接于棒保持裝置51的保持橡膠部件53上。然后,棒保持裝置51向下移動,同時(shí)激勵(lì)棒3中的薄膜磁頭1的加熱器17,以便棒3與拋光器61中的旋轉(zhuǎn)拋光表面R接觸。然后,從角部T到圖4中的虛線L所示的部分對上涂層18進(jìn)行拋光。
圖9是表示沿著垂直于拋光之后的介質(zhì)相對表面S的方向截取的薄膜磁頭1的示意剖面圖。雙點(diǎn)虛線表示通過拋光刮削掉的部分。圖9只示出了拋光之后的形式的例子。在有些情況下可以對從上涂層18的角部T延伸到記錄磁頭部12或再現(xiàn)磁頭部11的區(qū)域進(jìn)行拋光。
即使在記錄磁頭部12被激勵(lì)時(shí)介質(zhì)相對表面S膨脹,如前所述的對薄膜磁頭1進(jìn)行的拋光也可以將薄膜磁頭1的飛行高度設(shè)定為合適的量。這就可以防止薄膜磁頭1和硬盤的記錄表面D互相擠壓,由此可以使薄膜磁頭1實(shí)現(xiàn)低浮動。
加熱器17的激勵(lì)方法不限于圖6中所示的模式。例如,在不在薄膜磁頭1的上涂層18上提供加熱器電極襯墊的情況下,互相相鄰的薄膜磁頭1的加熱器17可以通過如圖10中所示的埋置導(dǎo)線45直接互相連接。
如圖11所示,加熱器電極襯墊20a、20b可以連接到用于每個(gè)薄膜磁頭1的外部電源70。這就允許薄膜磁頭1的介質(zhì)相對表面S互相分開地改變它們的膨脹量,由此可以調(diào)節(jié)單獨(dú)薄膜磁頭1中的拋光量。而且,可以省略用于將加熱器17互相連接在一起等所需的布線的放置步驟。
圖12A是表示圖11中所示的模式中的棒保持裝置51的正視圖,而圖12B是其側(cè)視圖。為了激勵(lì)棒3中的薄膜磁頭1的加熱器17,如果電連接到外部電源32的導(dǎo)線55連接到單獨(dú)加熱器電極襯墊20a、20b就足夠了,如圖12A和12B所示。因而,在棒32中不需要提供用于互相連接加熱器17的布線的步驟。還有利的是可以單獨(dú)改變薄膜磁頭1的激勵(lì)量,以便介質(zhì)相對表面S可以彼此分開地改變它們的膨脹量。
加熱器17的位置不限于圖4中所示的位置。加熱器17例如可以位于記錄磁頭部12后面,如從介質(zhì)相對表面S看到的。優(yōu)選地,再現(xiàn)磁頭部11、記錄磁頭部12和加熱器17從如圖4所示的支架2一側(cè)依次層疊。即,優(yōu)選加熱器17比再現(xiàn)磁頭部11更靠近記錄磁頭部12設(shè)置。當(dāng)在向硬盤上記錄時(shí)激勵(lì)薄膜線圈15,記錄磁頭部12的周圍部分由于產(chǎn)生的熱量而膨脹,由此使記錄磁頭部12附近最靠近硬盤。因此,在利用加熱器17其膨脹的同時(shí)對最可能膨脹的部分進(jìn)行拋光,可以防止薄膜磁頭1和硬盤的記錄表面D彼此擠壓。當(dāng)加熱器17設(shè)置在上涂層18內(nèi)時(shí),如圖4所示,加熱器17可以位于上涂層18內(nèi)的任何位置,而與到介質(zhì)相對表面S或記錄磁頭部12的距離無關(guān)。
盡管在本實(shí)施方式中加熱器17設(shè)置在薄膜磁頭1的上涂層18內(nèi),但是加熱器17可以通過粘接劑等在與支架2相反的一側(cè)上粘接到上涂層18的表面上,如圖13所示。這就不必在薄膜磁頭1內(nèi)形成加熱器17,由此便于薄膜磁頭1的制造。采用這種粘接加熱器17的結(jié)構(gòu)可以產(chǎn)生類似于當(dāng)加熱器17設(shè)置在薄膜磁頭1的上涂層18內(nèi)時(shí)獲得的效果。就是說,如圖13所示,當(dāng)通過激勵(lì)使加熱器17產(chǎn)生熱量時(shí),介質(zhì)相對表面S可以在加熱器17附近膨脹。
單個(gè)加熱器17可以設(shè)置在上述位置上,或者多個(gè)加熱器17可以以分離方式設(shè)置。圖14是表示薄膜磁頭1的例子的示意剖面圖,其中兩個(gè)加熱器以分離方式設(shè)置。在這個(gè)圖中,以分離方式設(shè)置的加熱器60位于與設(shè)置在圖3中所示的上涂層18內(nèi)的加熱器17相同的高度處。
根據(jù)本實(shí)施方式,在薄膜磁頭1中提供的加熱器17可用于在相對于硬盤記錄/再現(xiàn)時(shí)通過激勵(lì)而產(chǎn)生熱量,以便在再現(xiàn)磁頭部11附近使介質(zhì)相對表面S膨脹,由此調(diào)節(jié)再現(xiàn)磁頭部11和硬盤之間的間隙?;蛘撸訜崞?7可以只用于在根據(jù)本實(shí)施方式進(jìn)行拋光時(shí)而不是在硬盤驅(qū)動器工作時(shí)使介質(zhì)相對表面膨脹。
下面介紹本發(fā)明的第二實(shí)施方式。本實(shí)施方式的拋光方法不同于第一實(shí)施方式的地方在于通過激勵(lì)使記錄磁頭部12產(chǎn)生熱量,代替了薄膜磁頭1中的加熱器17。
在根據(jù)第二實(shí)施方式的拋光方法中,在薄膜磁頭1安裝到硬盤驅(qū)動器中之前,通過激勵(lì)使記錄磁頭部12產(chǎn)生熱量,以便使介質(zhì)相對表面S突出,并且在這種狀態(tài)下對介質(zhì)相對表面S的突出部分進(jìn)行拋光。
因而,預(yù)先消除了在向硬盤上實(shí)際記錄時(shí)由于記錄磁頭部12產(chǎn)生的熱量而膨脹的介質(zhì)相對表面S的部分,由此薄膜磁頭1的飛行高度可以設(shè)定為合適的值。這就可以防止薄膜磁頭1和硬盤的記錄表面D彼此擠壓,并且可以實(shí)現(xiàn)薄膜磁頭的低浮動。
圖15是表示本實(shí)施方式中記錄磁頭部12的激勵(lì)模式的示意圖。在該圖中,記錄電極襯墊40a、40b例如通過互相相鄰的薄膜磁頭1之間的導(dǎo)線45電連接到記錄磁頭部12。因此,棒3中的所有薄膜磁頭1的各個(gè)記錄磁頭部12彼此電連接,以便當(dāng)如圖5所示的外部電源31導(dǎo)通時(shí),激勵(lì)棒3中的所有薄膜磁頭1的記錄磁頭部12。這就可以一次拋光多個(gè)薄膜磁頭1的介質(zhì)相對表面S,由此減少激勵(lì)設(shè)備如外部電源。
圖16是表示在本實(shí)施方式中的激勵(lì)記錄磁頭部12的模式的另一例子的示意圖。如圖所示,記錄電極襯墊40a、40b可以連接到用于每個(gè)薄膜磁頭1的外部電源80。這允許薄膜磁頭1的介質(zhì)相對表面S彼此分開地改變它們的膨脹量,以便調(diào)節(jié)單獨(dú)薄膜磁頭1的拋光量。而且,可以省略用于互相連接記錄磁頭部12等所需的布線的放置步驟,以便利于薄膜磁頭1的制造。
下面介紹本發(fā)明的第三實(shí)施方式。圖17是表示組裝磁頭萬向接頭組件的狀態(tài)下的拋光的示意圖。盡管在第一和第二實(shí)施方式中在其中薄膜磁頭1設(shè)置成行的棒3的狀態(tài)下對薄膜磁頭1的介質(zhì)相對表面S進(jìn)行拋光,可以在圖17所示的磁頭萬向接頭組件的狀態(tài)下對每個(gè)薄膜磁頭1的介質(zhì)相對表面S進(jìn)行拋光。
即,切割棒3,以便形成磁頭滑動器71,每個(gè)磁頭滑動器71包括薄膜磁頭1并安裝在臂部件72如懸掛裝置上,以便產(chǎn)生磁頭萬向接頭組件73。在這種狀態(tài)下,在激勵(lì)加熱器17或記錄磁頭部12的同時(shí)對薄膜磁頭1的介質(zhì)相對表面S進(jìn)行拋光。這就可以在接近實(shí)際安裝在硬盤驅(qū)動器中的情況的狀態(tài)下對薄膜磁頭1的介質(zhì)相對表面S進(jìn)行拋光,由此可以在單獨(dú)薄膜磁頭中進(jìn)行最佳量的拋光。因此,可以更可靠地防止薄膜磁頭1和硬盤彼此擠壓。
接著,參照圖18介紹本發(fā)明的例子。在本例中,制備采用根據(jù)本發(fā)明的拋光方法的薄膜磁頭(具有圖9所示的結(jié)構(gòu))和未進(jìn)行拋光的薄膜磁頭(基本上具有圖3所示的結(jié)構(gòu))。接著,在薄膜磁頭1在硬盤的記錄表面上浮動之后,激勵(lì)它們的加熱器,以便逐漸增加施加于加熱器的電壓。然后,測量直到薄膜磁頭與由于產(chǎn)生的熱量而膨脹的硬盤接觸為止施加的電壓。
在圖18中,縱坐標(biāo)表示硬盤的記錄表面和薄膜磁頭的再現(xiàn)磁頭部之間的位置關(guān)系。在未激勵(lì)加熱器的狀態(tài)下,從硬盤到再現(xiàn)磁頭部的距離設(shè)定為0,則當(dāng)激勵(lì)加熱器時(shí)飛行高度減少的值H(nm)用給其添加的負(fù)符號表示。即,縱坐標(biāo)上的絕對值越大,薄膜磁頭相對于硬盤的飛行高度越小。另一方面,橫座標(biāo)表示施加于加熱器的功率P(mW)。
實(shí)驗(yàn)1采用未進(jìn)行拋光的薄膜磁頭(其結(jié)果由線A表示)。實(shí)驗(yàn)2采用其介質(zhì)相對表面被拋光掉2.5nm的薄膜磁頭(其結(jié)果由線B表示)。實(shí)驗(yàn)3采用其介質(zhì)相對表面被拋光掉7.5nm的薄膜磁頭(其結(jié)果由線C表示)。
在實(shí)驗(yàn)1中,如從線A看到的,在施加功率值P為約100mW時(shí),薄膜磁頭的引導(dǎo)端部靠著硬盤的記錄表面,以致再現(xiàn)磁頭部和硬盤的記錄表面之間的距離H不能比這更短。
在實(shí)驗(yàn)2中,如從線B看到的,在施加功率值P為約120mW時(shí),薄膜磁頭的引導(dǎo)端部靠著硬盤的記錄表面,以致再現(xiàn)磁頭部和硬盤的記錄表面之間的距離H比線A的短。
在實(shí)驗(yàn)3中,如從線C看到的,電壓可以施加高達(dá)約160mW,再現(xiàn)磁頭部和硬盤的記錄表面之間的距離H最短。
前面內(nèi)容證實(shí)了,隨著拋光量增加,可以縮短再現(xiàn)磁頭部和硬盤的記錄表面之間的距離H。因此薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面的拋光可以提高薄膜磁頭的記錄和再現(xiàn)性能。
盡管前面已經(jīng)參照實(shí)施方式具體地介紹了本發(fā)明,但是本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式。例如,盡管在上述實(shí)施方式中薄膜磁頭采用共面記錄方案,但是本發(fā)明也可適用于垂直記錄型的薄膜磁頭。
由于在激勵(lì)加熱器或電磁變換器的同時(shí)對薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面進(jìn)行拋光,因此本發(fā)明可以防止薄膜磁頭和硬盤彼此擠壓,由此實(shí)現(xiàn)薄膜磁頭中的低浮動。
權(quán)利要求
1.一種薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法,該方法包括以下步驟制備形成在支架上的薄膜磁頭,所述薄膜磁頭包括用于再現(xiàn)的磁阻器件、用于寫操作的感應(yīng)電磁變換器和在被激勵(lì)時(shí)用于產(chǎn)生熱量的加熱器;和在激勵(lì)所述加熱器的同時(shí),對所述薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面進(jìn)行拋光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法,其中在所述薄膜磁頭中從所述支架一側(cè)依次層疊所述磁阻器件、所述感應(yīng)電磁變換器和所述加熱器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法,其中所述加熱器設(shè)置在與所述支架相反的所述薄膜磁頭的表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)的薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法,該方法包括以下步驟切割所述支架,以便形成包括設(shè)置成行的薄膜磁頭的棒;和在激勵(lì)所述加熱器的同時(shí),對所述棒中的所述薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面進(jìn)行拋光。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法,該方法包括下步驟將所述薄膜磁頭的多個(gè)加熱器彼此電連接;和在用單一電源激勵(lì)所述棒中的所有所述加熱器的同時(shí),對所述薄膜磁頭的所述介質(zhì)相對表面進(jìn)行拋光。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法,其中所述棒中的所述薄膜磁頭的多個(gè)加熱器是單獨(dú)被激勵(lì)的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)的薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法,該方法包括以下步驟切割所述支架,以便形成包括設(shè)置成行的薄膜磁頭的棒;切割所述棒,以便形成多個(gè)磁頭滑動器,每個(gè)所述磁頭滑動器具有薄膜磁頭;將所述磁頭滑動器安裝到臂部件上,以便形成磁頭萬向接頭組件;和在激勵(lì)所述加熱器的同時(shí)獲得的狀態(tài)下,對所述薄膜磁頭的所述介質(zhì)相對表面進(jìn)行拋光。
8.一種薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法,該方法包括以下步驟制備形成在支架上的所述薄膜磁頭,所述薄膜磁頭包括用于再現(xiàn)的磁阻器件和用于寫操作的感應(yīng)電磁變換器;和在激勵(lì)所述電磁變換器的同時(shí),對所述薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面進(jìn)行拋光。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法,該方法包括以下步驟切割所述支架,以便形成包括設(shè)置成行的薄膜磁頭的棒;和在激勵(lì)所述電磁變換器的同時(shí),對所述棒中的所述薄膜磁頭的介質(zhì)相對表面進(jìn)行拋光。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法,該方法包括下步驟將所述薄膜磁頭的多個(gè)電磁變換器彼此電連接;和在用單一電源激勵(lì)所述棒中的所有所述電磁變換器的同時(shí),對所述薄膜磁頭的所述介質(zhì)相對表面進(jìn)行拋光。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法,其中所述棒中的所述薄膜磁頭的多個(gè)電磁變換器是單獨(dú)被激勵(lì)的。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法,該方法包括以下步驟切割所述支架,以便形成包括設(shè)置成行的薄膜磁頭的棒;切割所述棒,以便形成多個(gè)磁頭滑動器,每個(gè)所述磁頭滑動器具有薄膜磁頭;將所述磁頭滑動器安裝到臂部件上,以便形成磁頭萬向接頭組件;和在激勵(lì)所述電磁變換器的同時(shí)獲得的狀態(tài)下,對所述薄膜磁頭的所述介質(zhì)相對表面進(jìn)行拋光。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄膜磁頭中的介質(zhì)相對表面的拋光方法。一種薄膜磁頭1形成在支架2上,該薄膜磁頭1包括再現(xiàn)磁頭部11、記錄磁頭部12和通過激勵(lì)而適于產(chǎn)生熱量的加熱器17。在激勵(lì)加熱器17或記錄磁頭部12的同時(shí)對薄膜磁頭1的介質(zhì)相對表面S進(jìn)行拋光。
文檔編號B24B37/04GK1542741SQ20041000696
公開日2004年11月3日 申請日期2004年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月4日
發(fā)明者太田憲和, 上釜健宏, 大山信也, 小出宗司, 佐佐木徹郎, 也, 司, 宏, 郎 申請人:Tdk株式會社