專利名稱：使用直流電偏壓加工低介電常數(shù)膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實(shí)施例大致涉及制造集成電路。詳言之，本發(fā)明實(shí)施例涉及一種在基材上沉積介電層的方法。
背景技術(shù)：
自從數(shù)十年前引進(jìn)集成電路之后，這類半導(dǎo)體組件的幾何尺寸已較當(dāng)初大幅縮減許多。自當(dāng)時(shí)至現(xiàn)在，集成電路大致依每?jī)赡昕s減一半尺寸的原則在演進(jìn)(一般稱此為「摩耳定律」)，意指每隔兩年，芯片上可集積的組件數(shù)目即增加一倍。今天的制造廠已可常規(guī)地制造具有0.13微米甚至是0.1微米特征尺寸的組件，而未來(lái)將能制造更小特征尺寸的組件。
因組件大小持續(xù)縮減使得對(duì)低k膜層的需求愈來(lái)愈高，因?yàn)橄噜徑饘倬€間的電容耦合必須被縮減，方能進(jìn)一步降低集成電路上的組件尺寸。特別是，對(duì)具低k常數(shù)(低于4.0)的絕緣層的需求增加。具低k常數(shù)的絕緣層的例子包括目前市售的旋涂玻璃、未摻雜的硅玻璃(USG)、摻雜氟的硅玻璃(FSG)、及聚四氟乙烯(PTFE)。
一種有效降低k值的方法是通過(guò)在膜層中引入孔洞。結(jié)果，低k膜層通常表現(xiàn)出較低的機(jī)械強(qiáng)度(即，硬度)，因此可能影響膜層被整合集積到組件的制造中。目前以后等離子體處理來(lái)增加低k膜層的機(jī)械強(qiáng)度。但是，等離子體處理往往會(huì)導(dǎo)致k值增加。
因此，亟需一種可提高低k膜層機(jī)械強(qiáng)度但不致造成k值增加的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例大致涉及在基材上沉積一種低介電常數(shù)膜層的方法。該方法包括在化學(xué)氣相沉積室中沉積一層包含硅、碳、氧及氫的低介電常數(shù)膜層到基材上；引入一包含含氫氣體在內(nèi)的氣體混合物到化學(xué)氣相沉積室中；以一無(wú)線電波頻率電力在鄰近低介電常數(shù)膜層處形成氣體混合物的等離子體；施加一直流電偏壓到基材或氣體分配板中的至少一個(gè)上以將該低介電常數(shù)膜層硬化。
在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)施加一正型直流電偏壓至用以支撐基材的基材支撐平臺(tái)上，以吸引等離子體中的電子至低介電常數(shù)膜層上，將低介電常數(shù)膜層加以硬化。
在另一實(shí)施例中，通過(guò)施加一負(fù)型直流電偏壓至氣體分配板上，以導(dǎo)引等離子體中的電子朝向低介電常數(shù)膜層，將低介電常數(shù)膜層加以硬化。
在另一實(shí)施例中，通過(guò)施加一正型直流電偏壓至基材上并施加一負(fù)型直流電偏壓至氣體分配板上，將低介電常數(shù)膜層加以硬化。


圖1為本發(fā)明用于所述實(shí)施例一個(gè)例示的CVD制程室截面圖；圖2顯示設(shè)計(jì)用來(lái)與圖1CVD制程室一起使用的計(jì)算機(jī)程序的階層式控制結(jié)構(gòu)區(qū)塊流程圖；圖3顯示依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一個(gè)電子束室；圖4為依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一個(gè)電子束室的部分示意圖；圖5顯示依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的具有回饋控制電路的電子束室。
附圖標(biāo)記說(shuō)明10 CVD制程室11氣體分配板12基材支撐平臺(tái) 13基材支撐柱14舉升馬達(dá) 15高真空區(qū)域17絕緣器18氣體管線19混合系統(tǒng) 20、210計(jì)算機(jī)程序24歧管 25 RF電源27直流電源 32真空泵34系統(tǒng)控制器36控制線38硬盤220程序選擇器次例程 230制程順序次例程240制程室管理次例程250基材支撐平臺(tái)控制次例程260制程氣體控制次例程270壓力控制次例程 280加熱器控制次例程
290等離子體控制次例程300電子束室320真空室322陰極324高真空絕緣器 326陽(yáng)極328陰極覆蓋絕緣器329可變高電位電源330標(biāo)的板331可變低電位電源332可變滲漏閥336電場(chǎng)加速區(qū)域338無(wú)電場(chǎng)區(qū)域442正型離子444電子 500回饋控制電路566整流器590感應(yīng)電阻器592增幅電位追蹤器594可變電阻器596放大器實(shí)施方式上述本發(fā)明特征可通過(guò)下述發(fā)明詳細(xì)說(shuō)明，并參照實(shí)施例及附圖來(lái)了解。需知，附隨的圖標(biāo)僅用來(lái)闡述本發(fā)明一個(gè)特定實(shí)施例，并非用以限制本發(fā)明范圍，且本發(fā)明尚包括所述實(shí)施例的其它等效變化。
以下將詳述本發(fā)明。如果權(quán)利要求中出現(xiàn)的名詞并未在此特別定義，則應(yīng)附予該名詞在已知文獻(xiàn)與核準(zhǔn)專利中所能解讀的最大范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供超低介電常數(shù)膜層在硬度、裂解閥值及其它機(jī)械強(qiáng)度上明顯且非預(yù)期的改良。在一個(gè)實(shí)施例中，一包含硅、碳、氧及氫的低介電常數(shù)膜層在足夠形成超低介電常數(shù)膜層(k值低于2)的條件下被沉積到基材上。
該超低介電常數(shù)膜層一般通過(guò)混入或混合一或多種先質(zhì)氣體來(lái)形成，先質(zhì)氣體可包括環(huán)狀有機(jī)硅化物、脂肪性有機(jī)硅化物、碳?xì)浠锛把趸?。環(huán)狀有機(jī)硅化物可包括具有3或多個(gè)硅原子的環(huán)狀結(jié)構(gòu)且該環(huán)狀結(jié)構(gòu)可還包含一或多個(gè)氧原子。市售的環(huán)狀有機(jī)硅化物包括硅、氧原子與一或兩個(gè)鍵結(jié)在硅原子上的烷基互相交替出現(xiàn)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，所述環(huán)狀有機(jī)硅化物可包括一或多個(gè)下列化合物1，3，5-三硅代碳環(huán)己烷 (-SiH2-CH2)3-(環(huán)狀)1，3，5，7-四甲基環(huán)四硅氧烷(TMCTS) (-SiH(CH3)-O)4-(環(huán)狀)
八甲基環(huán)四硅氧烷(OMCTS) (-Si(CH3)2-O)4-(環(huán)狀)1，3，5，7，9-五甲基環(huán)五硅氧烷(TMCTS)(-SiH(CH3)-O)5-(環(huán)狀)1，3，5，7-四硅-2，6-氧代-環(huán)辛烷 (-SiH2-CH2-SiH2-O)2-(環(huán)狀)六甲基環(huán)三硅氧烷 (-Si(CH3)2-O)3-(環(huán)狀)脂肪性有機(jī)硅化物包括具有一或多個(gè)硅原子、一或多個(gè)碳原子的直鏈或有支鏈的有機(jī)硅化物，及具有至少一個(gè)不飽和碳鍵的直鏈或有支鏈的碳?xì)浠?。該結(jié)構(gòu)還可包含氧。市售的脂肪性有機(jī)硅化物包括硅原子間不含氧的有機(jī)硅烷，及二或多個(gè)硅原子間含有氧的有機(jī)硅氧烷。舉例來(lái)說(shuō)，脂肪性有機(jī)硅化物可包括一或多個(gè)下列化合物甲基硅烷CH3-SiH3二甲基硅烷 (CH3)2-SiH2三甲基硅烷 (CH3)3-SiH二甲基二甲氧基硅烷 (CH3)2-Si(O-CH3)2乙基硅烷CH3-CH2-SiH3二硅甲烷基甲烷 SiH3-CH2-SiH3二(甲基硅甲烷基)甲烷CH3-SiH2-CH2-SiH2-CH31，2-二硅甲烷基乙烷 SiH3-CH2-CH2-SiH31，2-二(甲基硅甲烷基)乙烷 CH3-SiH2-CH2-CH2-SiH2-CH32，2-二硅甲烷基丙烷 SiH3-C(CH3)2-SiH31，3-二甲基二硅氧烷 CH3-SiH2-O-SiH2-CH31，1，3，3-四甲基二硅氧烷(TMDSO)(CH3)2-SiH2-O-SiH2-(CH3)2六甲基二硅氧烷(HMDS)(CH3)3-Si-O-Si-(CH3)31，3-二(硅甲烷甲撐)二硅氧烷 (SiH3-CH2-SiH2-)2-O二(1-甲基二硅氧烷基)甲烷(CH3-SiH2-O-SiH2-)2-CH22，2-二(1-甲基二硅氧烷基)丙烷 (CH3-SiH2-O-SiH2-)2-C(CH3)2六甲氧基二硅氧烷(HMDOS) (CH3-O)3-Si-O-Si-(O-CH3)3二乙基硅烷 (C2H5)2SiH2丙基硅烷C3H7SiH3乙烯基甲基硅烷 CH2＝CH-SiH2-CH3
1，1，2，2-四甲基二硅烷 (CH3)2-S:H-S:H-(CH3)2六甲基二硅烷(CH3)3-Si-Si-(CH3)31，1，2，2，3，3-六甲基三硅烷 (CH3)2-SiH-Si(CH3)2-SiH-(CH3)21，1，2，3，3-五甲基三硅烷 (CH3)2-SiH-SiH(CH3)-SiH(CH3)2二甲基二硅烷基乙烷 CH3-SiH2-(CH3)2-SiH2-CH3二甲基二硅烷基丙烷 CH3-SiH-(CH2)3-SiH-CH3四甲基二硅烷基乙烷 (CH3)2-SiH-(CH2)2-SiH-(CH3)2四甲基二硅烷基丙烷 (CH3)2-SiH-(CH2)3-Si-(CH3)2所述碳?xì)浠锞哂屑s1至約20個(gè)相鄰的碳原子。該碳?xì)浠锟砂詥捂I、雙鍵或三鍵或它們的任一組合方式相接的相鄰碳原子。舉例來(lái)說(shuō)，有機(jī)碳?xì)浠锟砂ň哂屑s20個(gè)碳原子的烯類或炔類，例如乙烯、丙烯、乙炔及丁二烯。
所述一或多種氧化氣體可包括氧氣、臭氧、一氧化二氮、一氧化碳、二氧化碳、水、過(guò)氧化氫或它們的組合。在一個(gè)實(shí)施例中，氧化氣體是氧氣。在另一實(shí)施例中，氧化氣體是臭氧。當(dāng)以臭氧作為氧化氣體時(shí)，臭氧產(chǎn)生器可將來(lái)源氣體中約6％至20％，典型為約15％，的氣體轉(zhuǎn)變成臭氧，剩余的氣體則仍維持為氧氣的型態(tài)。但是，可根據(jù)想要的臭氧量及所用臭氧產(chǎn)生器類型來(lái)提高或降低臭氧生成量。所述的一或多種氧化氣體為加到反應(yīng)氣體混合物中以提高反應(yīng)性并達(dá)成沉積膜層上欲求的碳含量。
沉積膜層的含碳量介于約5至約30原子％(排除氫原子)，較佳是介于約5至約20原子％。沉積膜層的含碳量指不含明顯未鍵結(jié)碳?xì)浠锏哪咏Y(jié)構(gòu)的原子分析而言。碳含量以沉積膜層中所含的碳原子百分比來(lái)表示，不包括難以計(jì)量的氫原子。舉例來(lái)說(shuō)，具有平均一個(gè)硅原子、一個(gè)氧原子、一個(gè)碳原子及兩個(gè)氫原子的膜層，其碳含量約為20原子％(即，每5個(gè)原子中有一碳原子)；或是碳含量約為33％，排除氫原子(即，每3個(gè)原子中有一碳原子)。
可以任何一種能進(jìn)行化學(xué)氣相沉積制程(CVD)的制程室來(lái)沉積該膜層。參照?qǐng)D1，所示為一個(gè)平行的平板式CVD制程室10的垂直截面圖。室10包括高真空區(qū)域15及氣體分配板11，氣體分配板11上具有可分散制程氣體使通到基材(未示出)的孔洞。基材置放在基材支撐平臺(tái)12上?；闹纹脚_(tái)12被架設(shè)在支撐柱13，支撐柱13可將基材支撐平臺(tái)12耦合至舉升馬達(dá)14上。舉升馬達(dá)14可于處理位置與較低的基材裝載位置間升高或降低基材支撐平臺(tái)12，使得基材支撐平臺(tái)12(且基材支撐在基材支撐平臺(tái)12的上表面)可被控制地移動(dòng)于一較低的裝載/卸載位置及一緊鄰該氣體分配板11的較高的處理位置間。當(dāng)處于較高的處理位置時(shí)，有絕緣器17環(huán)繞基材支撐平臺(tái)12及基材。
引入至氣體分配板11的氣體均勻地徑向分布橫跨基材表面。具有節(jié)流閥的真空泵32可透過(guò)歧管24來(lái)控制來(lái)自室10的氣體排出速率。如果需要的話，沉積及載氣可流過(guò)氣體管線18進(jìn)入混合系統(tǒng)19，之后到達(dá)氣體分配板11。一般來(lái)說(shuō)，每一制程氣體供應(yīng)線18包括(i)安全關(guān)閉閥(未示出)，可用來(lái)自動(dòng)地或手動(dòng)地關(guān)閉流入制程室的制成氣體；及(ii)質(zhì)量流控制器(同樣未示出)以測(cè)量流過(guò)氣體管線18的氣體流。當(dāng)制程中使用有毒氣體時(shí)，每一氣體管線18上都會(huì)依照習(xí)知設(shè)計(jì)裝設(shè)好幾個(gè)安全關(guān)閉閥。
沉積時(shí)，一或多種環(huán)狀有機(jī)硅化物及一或多種脂肪性有機(jī)硅化物的混合物與一種氧化性氣體反應(yīng)以于基材上形成超低k值膜層。環(huán)狀有機(jī)硅化物可和至少一種脂肪性有機(jī)硅化物及至少一種脂肪性碳?xì)浠锝M合在一起。舉例來(lái)說(shuō)，該混合物中含約5％(體積比)至約80％的一或多種環(huán)狀有機(jī)硅化物，約5％(體積比)至約15％的一或多種脂肪性有機(jī)硅化物，及約5％(體積比)至約45％的一或多種脂肪性碳?xì)浠?。混合物含約5％(體積比)至約20％的一或多種氧化性氣體。或者，混合物可包含約45％(體積比)至約60％的一或多種環(huán)狀有機(jī)硅化物，約5％(體積比)至約10％之一或多種脂肪性有機(jī)硅化物，及約5％(體積比)至約35％的一或多種脂肪性碳?xì)浠铩?br> 所述的一或多種環(huán)狀有機(jī)硅化物通常以約100至約10,000sccm的流速進(jìn)入混合物系統(tǒng)19，較佳以約520sccm的流速進(jìn)入。所述一或多種脂肪性有機(jī)硅化物以約100至約1,000sccm的流速進(jìn)入混合物系統(tǒng)19，較佳以約600sccm的流速進(jìn)入。一或多種脂肪性碳?xì)浠镆约s100至約10,000sccm的流速進(jìn)入混合物系統(tǒng)19，較佳以約2000sccm的流速進(jìn)入。內(nèi)含氧的氣體流速介于約100sccm至約6,000sccm間，較佳是約1,000sccm。環(huán)狀有機(jī)硅化合物1，3，5，7-四甲基環(huán)四硅氧烷、八甲基環(huán)四硅氧烷或它們的混合物，且該脂肪性有機(jī)硅化物是三甲基硅烷、1，1，3，3-四甲基二硅氧烷或它們的混合物。脂肪性碳?xì)浠镙^佳是乙烯。
沉積制程可以是熱制程或等離子體強(qiáng)化制程。在等離子體強(qiáng)化制程中，通常在鄰近基材處通過(guò)RF電源25來(lái)施加RF電力至氣體分配板11來(lái)形成控制等離子體。通常通過(guò)在制程室中引入低壓制程氣體，之后引導(dǎo)電能進(jìn)入制程室以于其中創(chuàng)造出一電場(chǎng)來(lái)形成等離子體。該電場(chǎng)可于制程室中創(chuàng)造出電子流，并通過(guò)個(gè)別電子與氣體分子間的撞擊，而將動(dòng)能轉(zhuǎn)移至氣體分子上而使氣體分子游離。電子在電場(chǎng)中被加速，使氣體分子產(chǎn)生有效游離。游離的氣體粒子且自由電子一起形成此處所謂的氣體等離子體。
或者，施加RF電力至基材支撐平臺(tái)12上。也可施加RF電力至氣體分配板11及基材支撐平臺(tái)12兩者上。依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，RF電力選擇具有高頻率者，即，介于約0.01MHz及300MHz間，例如約68MHz。以高頻電力來(lái)加強(qiáng)沉積層中的多孔性，以降低介電常數(shù)。使用高頻能量作為激發(fā)能量也可增加制程室內(nèi)氣體分子的滯留時(shí)間，以強(qiáng)化蒸氣相反應(yīng)。再者，使用高頻能量可容許提高基材上的等離子體密度，以提高該膜層的沉積速率。
或者，可以混合的同樣頻率來(lái)傳遞RF電力以提高被引入至高真空區(qū)15的反應(yīng)性物種的分解。在一個(gè)實(shí)施例中，低頻介于約400kMHz至約14MHz間，高頻則介于約20MHz至約100MHz間。RF電力也可以是循環(huán)的或脈沖的以降低其加熱基材的機(jī)率。300毫米基材的等離子體的電力密度介于約0.014W/cm2及約2.8W/cm2間，其相當(dāng)于約10瓦至約2000瓦間的RF電力。該RF電力較佳是介于約300瓦至約1700瓦間。
沉積時(shí)，基材溫度維持在約-20℃至約500℃間，較佳是介于約100℃至約400℃間。沉積壓力通常介于約0.5托耳及約20托耳間，較佳介于約2托耳至約8托耳間。沉積速率通常介于約5,000埃/分鐘至約20,000埃/分鐘間。
當(dāng)需要在遠(yuǎn)處將氧化性氣體分解時(shí)，可于氣體進(jìn)入制程室10之前，使用額外的微波室28來(lái)輸入約50瓦至約6,000瓦的能量至氧化性氣體上。額外的微波能量可避免該有機(jī)硅化物在與氧化性氣體反應(yīng)之前被過(guò)量分解。當(dāng)微波電力被加到氧化性氣體上時(shí)，較好是使用具有單獨(dú)信道供有機(jī)硅化物及氧化性氣體使用的氣體分配板(未示出)。
通常是，任何一個(gè)制程室或全體制程室的襯墊、氣體分配板11、基材支撐平臺(tái)12及各種其它的反應(yīng)器硬件由諸如鋁或陽(yáng)極化鋁制成。這類CVD反應(yīng)器的例子揭示于美國(guó)專利第5,000,113號(hào)，標(biāo)題「A Thermal CVD/PECVDReactor and Use for Thermal Chemical Vapor Deposition of Silicon Dioxide andIn Situ Multi-Planarized Processes」，授予給Wang et al.，并被供同讓與給美商應(yīng)用材料公司，該讓與的專利，也一并并入本案中考量。
系統(tǒng)控制器34可控制馬達(dá)14、氣體混合系統(tǒng)19、RF電源25及直流電源27，其中以控制線36相連。系統(tǒng)控制器34可控制CVD反應(yīng)器的活性且其通常包含硬盤、磁盤及揷卡器。揷卡器含單板計(jì)算機(jī)(SBC)、模擬及數(shù)字輸入/輸出卡、適配卡、及步進(jìn)式馬達(dá)控制板。系統(tǒng)控制器34合乎Versa模塊歐洲標(biāo)準(zhǔn)(VME)，該標(biāo)準(zhǔn)定義板、卡盒及連接器尺寸和種類。該VME標(biāo)準(zhǔn)也定義具有16位總線及24位地址總線的總線結(jié)構(gòu)。
圖2顯示一設(shè)計(jì)用來(lái)與第1圖CVD制程室10一起使用的計(jì)算機(jī)程序20的階層式控制結(jié)構(gòu)區(qū)塊流程圖。系統(tǒng)控制器34在儲(chǔ)存于硬盤38上的計(jì)算機(jī)程序210的控制下進(jìn)行操作。計(jì)算機(jī)程序210可指示一特定制程的時(shí)間、氣體混合物、RF電力、基材支撐平臺(tái)位置、及其它參數(shù)。計(jì)算機(jī)程序碼可以任何一種習(xí)知的計(jì)算機(jī)可讀的程序語(yǔ)言來(lái)撰寫(xiě)，例如68000匯編語(yǔ)言、C、C++或Pascal。適當(dāng)?shù)某绦虼a使用習(xí)知的文字編輯器輸入成單一檔案或多個(gè)檔案，或儲(chǔ)存或?qū)嵤┯谟?jì)算機(jī)可用的媒體上，例如計(jì)算機(jī)的記憶系統(tǒng)中。如果所輸入的程序代碼文字為高級(jí)語(yǔ)言，將該程序代碼編譯，再將所得經(jīng)過(guò)編譯的程序代碼與預(yù)先編譯的窗口數(shù)據(jù)庫(kù)例程的標(biāo)的碼相連。在執(zhí)行該相連的編譯的標(biāo)的碼時(shí)，系統(tǒng)使用者會(huì)激活該標(biāo)的碼，使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)將該標(biāo)的碼加載至內(nèi)存中，而后CPU會(huì)讀取該標(biāo)的碼并執(zhí)行程序中所指明的工作。
使用者以光筆接口將一制程組的號(hào)碼及制程室的號(hào)碼輸入至程序選擇器次例程220中，以響應(yīng)顯示于CRT屏幕上的選單或屏幕。制程組是預(yù)先決定的實(shí)施某特定制程的必要制程參數(shù)組，且以預(yù)先界定的組號(hào)加以識(shí)別。程序選擇器次例程220(i)自一叢集工具中選擇一欲求的制程室，及(ii)選擇一用來(lái)操作制程室以實(shí)施欲求制程所必須的想要的制程參數(shù)組。以一種菜單方式提供給使用者用以執(zhí)行特定制程的制程參數(shù)及相關(guān)的制程條件，例如制程氣體組合物、流速、溫度、壓力、諸如RF偏壓電位及磁場(chǎng)電力等之類的等離子體條件、冷卻氣體壓力、及制程室壁溫度。以光筆/CRT屏幕接口將菜單所指明的參數(shù)輸入。以系統(tǒng)控制器34的模擬輸入及數(shù)字輸出板來(lái)提供可監(jiān)控制程的訊號(hào)，且可控制制程的訊號(hào)被輸出至系統(tǒng)控制器34的模擬輸入及數(shù)字輸出板上。
一制程順序次例程230具有可接受來(lái)自程序選擇器次例程220所指明的制程室及制程參數(shù)組的程序代碼，用以控制各制程室的操作。多個(gè)使用者可輸入制程組號(hào)碼及制程室號(hào)碼，或是一個(gè)使用者可輸入多個(gè)制程組號(hào)碼，使得制程順序次例程230可將選定制程以欲求順序加以排序。制程順序次例程230較佳是包含計(jì)算機(jī)可讀的程序代碼以執(zhí)行下列步驟(i)監(jiān)控制程室的操作以決定制程室是否正被使用；(ii)決定出哪些制程正在制程室中執(zhí)行，及(iii)依據(jù)一制程室是否可被利用及所欲執(zhí)行制程的種類來(lái)決定欲求制程是否應(yīng)被執(zhí)行?？墒褂昧?xí)知用來(lái)監(jiān)控制程室的方法，例如polling。當(dāng)排序欲執(zhí)行的制程時(shí)，可設(shè)計(jì)制程順序次例程230將目前正使用的制程室條件納入考慮并與選定制程的欲求制程條件互相比較，或是每一特定使用者所輸入請(qǐng)求的「年齡」，或系統(tǒng)程序設(shè)計(jì)人員希望納入以決定該排序優(yōu)先級(jí)的任一其它相關(guān)因子。
一旦制程順序次例程230定出下一將被執(zhí)行的制程室及制程組的組合，制程順序次例程230可通過(guò)將特定制程組參數(shù)傳給制程室管理次例程240的方式，來(lái)促使制程組被執(zhí)行，制程室管理次例程240可依據(jù)由制程順序次例程230所決定出來(lái)的制程組，來(lái)控制制程室中的多個(gè)制程工作。舉例來(lái)說(shuō)，制程室管理次例程240包括用以控制該制程室10中CVD制程操作的程序代碼。制程室管理次例程240也可控制各種制程室組件次例程的執(zhí)行，這些制程室組件次例程可控制用來(lái)實(shí)施選定制程組時(shí)所必須要有的制程室組件的操作。制程室組件次例程的例子為基材支撐平臺(tái)控制次例程250、制程氣體控制次例程260、壓力控制次例程270、加熱器控制次例程280及等離子體控制次例程290。習(xí)知技藝人士應(yīng)能輕易理解，亦可根據(jù)需要在制程室中執(zhí)行的制程種類來(lái)納入其它制程室控制次例程。
操作時(shí)，制程室管理次例程240依據(jù)欲執(zhí)行的特定制程組專一性的排序或呼叫制程組件次例程。制程室管理次例程240將制程組件次例程加以排序的方式類似于制程順序次例程230將下一欲執(zhí)行的制程室及制程組排序的方式。一般來(lái)說(shuō)，制程室管理次例程240包括可監(jiān)控各種制程室組件的步驟、依據(jù)欲執(zhí)行制程組的制程參數(shù)來(lái)決定哪些組件需要被操作的步驟、及促使制程室組件次例程的執(zhí)行以響應(yīng)監(jiān)控及決定步驟。
特定制程室組件次例程的操作將參照?qǐng)D2來(lái)說(shuō)明?；闹纹脚_(tái)控制位置次例程250具有可控制用來(lái)加載基材至基材支撐平臺(tái)12上的制程室組件的程序代碼，并在制程室10中選擇性的舉升基材至一想要的高度，以控制基材與氣體分配板11間的空間距離。當(dāng)基材被加載至制程室10中，基材支撐平臺(tái)12被降低以接納該基材，之后，在制程室10中將基材支撐平臺(tái)12升高至一想要的高度，以維持基材在第一距離或在CVD制程中與氣體分配板11相隔一段空間距離。操作時(shí)，基材支撐平臺(tái)控制位置次例程250可控制基材支撐平臺(tái)12的移動(dòng)，以響應(yīng)自制程室管理次例程240所移轉(zhuǎn)來(lái)的制程組參數(shù)。
制程氣體控制次例程260具有可控制制程氣體組合物及流速的程序代碼。制程氣體控制次例程260可控制該安全關(guān)閉閥的開(kāi)/關(guān)位置，同時(shí)可加大/調(diào)降質(zhì)量流控制器以獲得想要的氣體流速。如所有制程室組件次例程一樣，制程氣體控制次例程260由制程室管理次例程240所激活，并接收來(lái)自制程室管理次例程的與想要的氣體流速相關(guān)的制程參數(shù)。一般是，制程氣體控制次例程260通過(guò)打開(kāi)氣體供應(yīng)線并重復(fù)以下步驟的方式來(lái)進(jìn)行操作，包括(i)讀取必要的質(zhì)量流控制器的讀值，(ii)將該讀值與接受自制程室管理次例程240的欲求流速互相比較，及(iii)必要時(shí)調(diào)整氣體供應(yīng)線的流速。此外，制程氣體控制次例程260包括可監(jiān)控不安全速率的氣體流速，及當(dāng)偵測(cè)到不安全情況時(shí)激活安全關(guān)閉閥。
在某些制程中，在制程室10中放入諸如氦氣或氬氣的惰性氣體，以在引入具反應(yīng)性的制程氣體前穩(wěn)定制程室中的壓力。對(duì)這些制程來(lái)說(shuō)，制程氣體控制次例程260被程序化以納入可讓惰性氣體流入制程室10一段充分時(shí)間以穩(wěn)定制程室中壓力的步驟，以及前述必須執(zhí)行的步驟等。
此外，當(dāng)制程氣體需從諸如OMCTS之類的液體先質(zhì)被蒸發(fā)時(shí)，制程氣體控制次例程260將會(huì)納入以下步驟在一通氣組件中，透過(guò)液體先質(zhì)而通入諸如氬、氦、氮、氫、二氧化碳、乙烯或它們的混合物之類的載氣/傳輸氣體。該載氣通常具有介于約100sccm至約10,000sccm間的流速，較佳是約1,000sccm的流速。
對(duì)此類制程來(lái)說(shuō)，制程氣體控制次例程260可控制傳輸氣體的流速、通氣器中的壓力及通氣器的溫度，以獲得欲求制程氣體的流速。如上所述，欲求制程氣體的流速被移轉(zhuǎn)至制程氣體控制次例程260作為制程參數(shù)。此外，制程氣體控制次例程260還包括通過(guò)存取內(nèi)含一特定制程氣體流速的必要值的儲(chǔ)存表，來(lái)獲得達(dá)成想要的制程氣體流速所必須取得的必要的傳輸氣體的流速、通氣器壓力及通氣器的溫度等步驟。一旦取得這些必要數(shù)據(jù)，可監(jiān)控傳輸氣體流速、通氣器壓力及通氣器溫度，并與必要值比較同時(shí)據(jù)以進(jìn)行調(diào)整。
壓力控制次例程270具有可通過(guò)調(diào)整該排氣泵32節(jié)流閥打開(kāi)大小而來(lái)控制制程室10中氣體壓力的程序代碼。該節(jié)流閥打開(kāi)的大小設(shè)定成可相對(duì)于總制程氣體流量、制程室體積、及排氣泵32之泵設(shè)定壓力大小來(lái)控制制程室壓力至一欲求程度。當(dāng)壓力控制次例程270被激活時(shí)，較佳是或標(biāo)的壓力值以一來(lái)自制程室管理次例程240的一項(xiàng)參數(shù)的形式被接收。可操作壓力控制次例程270并通過(guò)一或多種連接到制程室的習(xí)知壓力計(jì)來(lái)測(cè)量制程室10中的壓力，并與標(biāo)的壓力值比較，可自相當(dāng)于標(biāo)的壓力值的儲(chǔ)存的壓力表中獲得PID(正比、整體壓力或分壓)值，并依據(jù)自壓力表所獲得的PID值調(diào)整節(jié)流閥?；蛘撸瑝毫刂拼卫?70可被撰寫(xiě)成可打開(kāi)或關(guān)閉節(jié)流閥至一特定大小以調(diào)節(jié)制程室10中的壓力至一欲求壓力。
加熱器控制次例程280具有可控制用來(lái)加熱基材支撐平臺(tái)12的加熱模塊或輻射加熱器的溫度的程序代碼。加熱器控制次例程280也可被制程室管理次例程240所激活，并可接收一標(biāo)定的或一設(shè)定的溫度參數(shù)。加熱器控制次例程280可通過(guò)測(cè)量位于基材支撐平臺(tái)12的一熱耦的輸出電位來(lái)測(cè)量溫度，比較所測(cè)得的溫度與設(shè)定溫度值，并增加或降低施加到加熱模塊或輻射加熱器上的電流以獲得設(shè)定溫度值。該溫度通過(guò)翻察儲(chǔ)存的溫度-電位轉(zhuǎn)換表來(lái)找出與測(cè)量電位相對(duì)應(yīng)的溫度，或是以四級(jí)多元方程式計(jì)算出來(lái)。加熱器控制次例程280可逐步往上/往下調(diào)整施加至加熱模塊的電流。所述逐步往上/往下調(diào)整電流的方式可延長(zhǎng)加熱模塊的使用壽命及可信賴度。此外，可加入用以偵測(cè)制程安全程度的內(nèi)建失效安全模式，其可于制程室10的設(shè)定不當(dāng)時(shí)自動(dòng)關(guān)閉加熱模塊的操作。
等離子體控制次例程290具有可設(shè)定施加到制程室10的制程電極上的RF偏壓電位電力的程序代碼，及選擇性的可設(shè)定產(chǎn)生在反應(yīng)器中磁場(chǎng)大小的程序代碼。類似前述的制程室控制次例程，等離子體控制次例程290同氧也可由制程室管理次例程240所激活。
形成本發(fā)明預(yù)處理層的預(yù)處理及方法并不限于任何特定的設(shè)備或任一種特定的等離子體激發(fā)法。上述CVD系統(tǒng)的描述僅用來(lái)闡述本發(fā)明，尚可使用諸如電極-回旋加速共振(electrod cyclotron resonance，ECR)等離子體CVD裝置、誘導(dǎo)-耦合RF高密度等離子體CVD裝置、或類似裝置之類的其它CVD設(shè)備。此外，上述系統(tǒng)的各種變化也是可能的，例如基材支撐平臺(tái)設(shè)計(jì)上的變化、加熱器設(shè)計(jì)上的變化、電力連接設(shè)計(jì)上的變化等等。舉例來(lái)說(shuō)，該基材可以電阻式加熱的基材支撐平臺(tái)加以支撐及加熱。
近來(lái)觀察到可通過(guò)增加膜層中的電子數(shù)目來(lái)改善低介電常數(shù)膜層的機(jī)械強(qiáng)度(即，膜層硬度)。此提高電子數(shù)目的做法可通過(guò)在內(nèi)含氫的氣體等離子體存在下，以直流電源27來(lái)偏壓氣體分配板11、基材支撐平臺(tái)12、或兩者的方式而達(dá)成。因此，一旦膜層被沉積后，可以一負(fù)型直流電來(lái)偏壓氣體分配板11以吸引等離子體中的正型離子至氣體分配板11，并排斥來(lái)自氣體分配板11的電子使朝向基材表面?；蛘?，可以一正型直流電來(lái)偏壓基材支撐平臺(tái)12以吸引等離子體中的電子至基材表面。依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，可以一負(fù)型直流電來(lái)偏壓氣體分配板11，同時(shí)以一正型直流電來(lái)偏壓基材支撐平臺(tái)12。負(fù)型直流電的偏壓范圍介于約0至約-400伏特，至于正型直流電的偏壓范圍則介于約0至約400伏特。直流電偏壓可持續(xù)約30秒。內(nèi)含氫的氣體可包括氫氣及其它還原劑。等離子體可以前述的RF電源25來(lái)產(chǎn)生。
除了在氫等離子體下施加直流電來(lái)偏壓氣體分配板11或基材支撐平臺(tái)12以外，尚可將低介電常數(shù)膜層暴露至電子束中。因此，可將基材移送至電子束室作進(jìn)一步處理，亦即，硬化?？捎谥袛嗾婵栈蛘婵障?即，沒(méi)有任何中斷真空的情況下)來(lái)移轉(zhuǎn)基材。圖3表示出依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電子束室300。電子束室300包括真空室320、大面積陰極322、位于無(wú)電場(chǎng)區(qū)域338的標(biāo)的板330、及位于標(biāo)的板330與大面積陰極322之間的網(wǎng)格陽(yáng)極326。電子束室300還包括高真空絕緣器324，其可隔絕網(wǎng)格陽(yáng)極328與大面積陰極322；一位于真空室320之外的陰極覆蓋絕緣器328；一用以控制真空室320內(nèi)壓力的可變滲漏閥332；一連接到大面積陰極322的可變高電位電源329；及一連接到網(wǎng)格陽(yáng)極328的可變低電位電源331。
操作時(shí)，將欲暴露至電子束的基材(未示出)置放在標(biāo)的板330上。將真空室320抽真空至約1毫托耳至約200毫托耳的壓力。通過(guò)可控制壓力至約1毫托耳范圍的可變滲漏閥332來(lái)控制精確的壓力值。電子束一般在極高的電位下產(chǎn)生，所述高電位由可變高電位電源329施加到大面積陰極322上。電位一般介于約-500伏特至約-30,000伏特間?？勺兏唠娢浑娫?29可以是一種BertanModel#105-30R(由Bertan of Hickville，N.Y.制造)或是一種Spellman Model#SL30N-1200X 258(由Spellman High voltage electronics Corp.，of Hauppauge，N.Y.制造)。可變低電位電源331可施加一相對(duì)于施加至大面積陰極322上的電位為正型的電位至網(wǎng)格陽(yáng)極326上，例如從約0至約-250伏特間。此電位用來(lái)控制自大面積陰極322上所發(fā)出的電子。此可變低電位電源331可以是一種Acopian Model#150PT12電源(Acopian of Easton，Pa)。
為激活電子的發(fā)射，位于網(wǎng)格陽(yáng)極326與標(biāo)的板330之間的無(wú)電場(chǎng)區(qū)域338中的氣體必須被游離，其可能由天然γ射線造成。此外也可以人為的高電位火花間隙在真空室320內(nèi)產(chǎn)生游離。在初始游離后，以一稍微負(fù)型的電位(即，約0至約-250伏特)偏壓網(wǎng)格陽(yáng)極326以吸引正型離子442(如圖4所示)至網(wǎng)格陽(yáng)極326。正型離子442通過(guò)位于大面積陰極322與網(wǎng)格陽(yáng)極326之間的電場(chǎng)加速區(qū)域336，并因施加到大面積陰極322上的高電位而被加速朝向大面積陰極322。一旦撞擊到大面積陰極322表面后，這些高能量的離子會(huì)產(chǎn)生第二級(jí)電子444，其再被往回加速朝向網(wǎng)格陽(yáng)極326。某些這類電子444，一般來(lái)說(shuō)其以垂直于陰極表面的方向移動(dòng)，會(huì)撞擊網(wǎng)格陽(yáng)極326，但大部分的這類電子444會(huì)通過(guò)網(wǎng)格陽(yáng)極326并繼續(xù)移動(dòng)到標(biāo)的板330上。網(wǎng)格陽(yáng)極326較佳是位于小于自大面積陰極322所發(fā)射出的電子的平均自由路徑的距離，亦即，網(wǎng)格陽(yáng)極326較佳是位于與大面積陰極322相隔不到4毫米的位置上。因?yàn)榫W(wǎng)格陽(yáng)極326與大面積陰極322間的距離極短，因此幾乎沒(méi)有或是極少的氣體會(huì)在介于網(wǎng)格陽(yáng)極326與大面積陰極322之間的電場(chǎng)加速區(qū)域336中發(fā)生。
在一個(gè)習(xí)知的氣體放電裝置中，這些電子會(huì)在電場(chǎng)加速區(qū)域創(chuàng)造出更進(jìn)一步的正型離子，這些正型離子則會(huì)被吸引至大面積陰極322上，因而創(chuàng)造出更大量的發(fā)射電子。這些放電現(xiàn)象會(huì)很輕易地崩潰成不穩(wěn)定的高崩潰電位。但是，依據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，可通過(guò)施加至網(wǎng)格陽(yáng)極326上的電位來(lái)控制在網(wǎng)格陽(yáng)極326外(即，電場(chǎng)加速區(qū)域336中)所創(chuàng)造出來(lái)的離子442。依此方式，可通過(guò)改變網(wǎng)格陽(yáng)極326上的電位來(lái)連續(xù)地控制電子的發(fā)射。或者，可通過(guò)可變的滲漏閥332來(lái)控制電子的發(fā)射，滲漏閥332被設(shè)計(jì)成可升高或降低介于標(biāo)的板330與大面積陰極322之間的游離區(qū)中的分子數(shù)目。亦可施加一正電位到網(wǎng)格陽(yáng)極326上而將電子發(fā)射的現(xiàn)象完全關(guān)閉，亦即，當(dāng)網(wǎng)格陽(yáng)極電位超過(guò)在介于網(wǎng)格陽(yáng)極326與標(biāo)的板330之間的空間中所創(chuàng)造出來(lái)的任一正型陽(yáng)離子的能量。
圖5顯示具有回饋控制電路500的電子束室300。在某些應(yīng)用中可能需要在不同的電子束能量中提供恒定的電子束電流。舉例來(lái)說(shuō)，可能需要將形成在基材上的膜層的上表面，但非其下表面，加以硬化。此可通過(guò)降低電子束能量來(lái)達(dá)成，使得大部分的電子可被膜層的上表面吸收。在膜層的上表面被硬化后，可能需要將膜層整個(gè)厚度都加以硬化。此可通過(guò)提高電子束的加速電位來(lái)達(dá)成，使其能完全穿透膜層?；仞伩刂齐娐?00被設(shè)計(jì)成可不管加速電位如何變化，均能維持恒定的電子束電流?；仞伩刂齐娐?00包括整流器566。電子束電流通過(guò)位于標(biāo)的板330與整流器566之間的感應(yīng)電阻器590來(lái)取樣，此外也可在網(wǎng)格陽(yáng)極326處取樣以作為在該處攔截的電子束的一部分。兩單位的增幅電位追蹤器592可緩沖獲自感應(yīng)電阻器590的訊號(hào)，并將其喂入至具有可變電阻器594的放大器596中。此放大器596的輸出可控制網(wǎng)格陽(yáng)極326上的電位，使得任一電子束上的增加可導(dǎo)致網(wǎng)格陽(yáng)極326上偏壓電位降低及降低來(lái)自大面積陰極322的電子束電流。以可變電阻器594來(lái)調(diào)整放大器596上的增幅，使得任何因加速電位改變所致的電子束電流的變化可由偏壓電位的變化來(lái)補(bǔ)償，以維持恒定的電子束電流于標(biāo)的上?；蛘?，可將放大器596的輸出連接到電位控制的可變速率滲漏閥398，以彌補(bǔ)因升高或降低游離區(qū)域338中壓力所致的電子束電流變化。再者，可以提供至可變速率滲漏閥398及網(wǎng)格陽(yáng)極326的回饋訊號(hào)來(lái)控制大范圍的電子束電流。其它有關(guān)電子束室300的詳細(xì)內(nèi)容參見(jiàn)美國(guó)專利第5,000,178號(hào)，標(biāo)題為「Large-Area Uniform ElectronSources」，其全文在此以參考文獻(xiàn)并入本發(fā)明。
電子束室300的操作溫度介于約-200℃至約600℃間，例如介于約200℃至約400℃間。電子束能量從約0.5KeV至約30KeV間；暴露劑量約為1μC/cm2至約300μC/cm2間，例如約70μC/cm2。電子束一般在約1毫托耳至約100毫托耳壓力下產(chǎn)生。在電子束室300的氣體可以是以下任一種氮、氫、氬、氫和氮的混合物、氨、Xe或任何這些氣體的組合。電子束電流介于約1毫安至約40毫安間，且較佳介于約5毫安至約20毫安間。所述電子束可涵蓋約4平方英時(shí)至約700平方英時(shí)的面積。
雖然本發(fā)明已用本發(fā)明的實(shí)施例明確地示出及說(shuō)明，但熟習(xí)此技藝人員將可了解的是上述在形式及細(xì)節(jié)上的其它形式與細(xì)節(jié)上的改變可在不偏離本發(fā)明的范圍及精神下被達(dá)成。因此，本發(fā)明并不局限于所示及所說(shuō)明的特定形式與細(xì)節(jié)，而是落在由權(quán)利要求所界定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種在基材上沉積低介電常數(shù)膜層的方法，其至少包含在位于化學(xué)氣相沉積室中的基板上沉積一包含硅、碳、氧及氫的低介電常數(shù)膜層；引入氣體混合物至化學(xué)氣相沉積室中，其中氣體混合物至少包含含氫的氣體；以無(wú)線電波頻率電力于鄰近低介電常數(shù)膜層處形成氣體混合物的等離子體；及施加一直流電偏壓至基材或氣體分配板中的至少一個(gè)，以硬化低介電常數(shù)膜層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中施加直流電偏壓的步驟包含施加一正型的直流電偏壓至基材上。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中正型直流電偏壓被施加至可支撐基材的基材支撐平臺(tái)上。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中施加正型直流電偏壓至基材的步驟被設(shè)計(jì)成可吸引等離子體中的電子到低介電常數(shù)膜層上。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中正型直流電偏壓介于約0至約400伏特間。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中施加直流電偏壓的步驟包含施加一負(fù)型直流電偏壓至氣體分配板上，該氣體混合物即經(jīng)由氣體分配板引入。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中施加負(fù)型直流電偏壓至氣體分配板上的步驟被設(shè)計(jì)成可引導(dǎo)等離子體中的電子朝向低介電常數(shù)膜層。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中負(fù)型直流電偏壓介于約0至約-400伏特間。。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中施加一直流電偏壓的步驟包含施加一正型直流電偏壓至基材上及施加一負(fù)型直流電偏壓至氣體分配板上。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中直流電偏壓持續(xù)施加約30秒。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中含氫的氣體包含氫氣。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中化學(xué)氣相沉積室是一種等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積室。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中沉積低介電常數(shù)膜層的步驟包含引入第二氣體混合物至位于化學(xué)氣相沉積室中的基材表面，其中第二氣體混合物包含一或多種化合物，其選自由環(huán)狀有機(jī)硅化物、脂肪性有機(jī)硅化物、碳?xì)浠锛把趸詺怏w所組成的群組中；及讓第二氣體混合物反應(yīng)以在基材表面上形成低介電常數(shù)膜層。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中無(wú)線電波頻率電力的頻率介于約20MHz至約100MHz間。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中無(wú)線電波頻率電力的頻率約為60MHz。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中無(wú)線電波頻率電力的頻率包含一介于約400MHz至約14MHz間的第一頻率及一介于約20MHz至約100MHz間的第二頻率。
17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中化學(xué)氣相沉積室是一種等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積室。
18.如權(quán)利要求1所述的方法，其中低介電常數(shù)膜層的介電常數(shù)值低于2.5。
19.如權(quán)利要求1所述的方法，還包含將低介電常數(shù)膜層暴露在一電子束下，且暴露于該電子束下的劑量為低于約400μC/cm2。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中暴露于電子束下的劑量介于約10μC/cm2至約300μC/cm2間。
21.如權(quán)利要求1所述的方法，其中環(huán)狀有機(jī)硅化物包含至少一種硅-碳鍵結(jié)及至少一種硅-氫鍵結(jié)。
22.如權(quán)利要求1所述的方法，其中碳?xì)浠锇环N不飽和碳-碳鍵結(jié)。
23.如權(quán)利要求1所述的方法，其中環(huán)狀有機(jī)硅化物選自1，3，5-三硅代碳環(huán)己烷(1，3，5-trisilano-2，4，6-trimethylene)、1，3，5，7-四甲基環(huán)四硅氧烷(TMCTS)、八甲基環(huán)四硅氧烷(OMCTS)、1，3，5，7，9-五甲基環(huán)五硅氧烷(TMCTS)、1，3，5，7-四硅-2，6-二氧代環(huán)辛烷(1，3，5，7-tetrasilano-2，6-dioxy-4，8-dimethylene)及六甲基環(huán)三硅氧烷中。
24.如權(quán)利要求1所述的方法，其中脂肪性有機(jī)硅化物選自甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、乙基硅烷、二硅甲烷基甲烷、二(甲基硅甲烷基)甲烷、1，2-二硅甲烷基乙烷、1，2-二(甲基硅甲烷基)乙烷、2，2-二硅甲烷基丙烷、1，3-二甲基二硅氧烷、1，1，3，3-四甲基二硅氧烷(TMDSO)、六甲基二硅氧烷(HMDS)、1，3-二(硅甲烷甲撐)二硅氧烷、二(1-甲基二硅氧烷基)甲烷、2，2-二(1-甲基二硅氧烷基)丙烷、六甲氧基二硅氧烷(HMDOS)、二乙基硅烷、丙基硅烷、乙烯基甲基硅烷、1，1，2，2-四甲基二硅烷、六甲基二硅烷、1，1，2，2，3，3-六甲基三硅烷、1，1，2，3，3-五甲基三硅烷、二甲基二硅烷基乙烷、二甲基二硅烷基丙烷、四甲基二硅烷基乙烷及四甲基二硅烷基丙烷。
25.如權(quán)利要求1所述的方法，其中碳?xì)浠镞x自乙烯、丙烯、乙炔、丁二烯、第三丁基乙烯、1，1，3，3-四甲基丁基苯、第三丁醚、甲丙烯酸甲酯(MMA)及第三丁基糠基醚。
26.如權(quán)利要求1所述的方法，其中環(huán)狀有機(jī)硅化物為1，3，5-三硅代碳環(huán)己烷(1，3，5-trisilano-2，4，6-trimethylene)、1，3，5，7-四甲基環(huán)四硅氧烷(TMCTS)、八甲基環(huán)四硅氧烷(OMCTS)或它們的混合物。
27.如權(quán)利要求1所述的方法，其中脂肪性有機(jī)硅化物包含甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷或它們的混合物。
28.如權(quán)利要求1所述的方法，其中碳?xì)浠锇蚁?br> 全文摘要
一種在基材上沉積低介電常數(shù)膜層的方法。該方法包含在化學(xué)氣相沉積室中沉積一層包含硅、碳、氧及氫的低介電常數(shù)膜層到基材上；引入包含含氫氣體在內(nèi)的氣體混合物到化學(xué)氣相沉積室中；以無(wú)線電波頻率電力在鄰近低介電常數(shù)膜層處形成氣體混合物的等離子體；施加一直流電偏壓到基材或氣體分配板中的至少一個(gè)上以將低介電常數(shù)膜層硬化。
文檔編號(hào)C23C16/40GK1788108SQ200480000584
公開(kāi)日2006年6月14日 申請(qǐng)日期2004年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月13日
發(fā)明者李麗華, 黃楚方, 夏李群, 胡安·卡洛斯·羅查-阿爾瓦雷斯, 趙貌生 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料股份有限公司