專利名稱：捕集裝置、處理系統(tǒng)以及除去雜質(zhì)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種除去從成膜裝置等處理裝置排出的排氣氣體中的氣體狀雜質(zhì)的捕集裝置、處理系統(tǒng)以及除去雜質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
通常，為了形成IC等集成電路或邏輯元件，在半導(dǎo)體晶片、玻璃基板、LCD基板等表面上，反復(fù)地進(jìn)行形成所期望的薄薄膜的成膜工序或在其表面蝕刻成所期望的圖案的工序。
可是，以成膜工序?yàn)槔?，在該工序中通過使規(guī)定的處理氣體(原料氣體)在處理容器內(nèi)反應(yīng)，在被處理體的表面上形成硅薄膜、硅的氧化物或氮化物薄膜、或金屬薄膜、金屬氧化物或氮化物薄膜等，但在進(jìn)行該成膜反應(yīng)的同時還產(chǎn)生多余的反應(yīng)副產(chǎn)物，它與排氣氣體一同被排出。另外，未反應(yīng)的處理氣體也被排出。
當(dāng)該反應(yīng)副產(chǎn)物或未反應(yīng)的處理氣體直接被放出到大氣中時，就成為環(huán)境污染等的原因，所以為了防止這種情況的發(fā)生，通常在從處理容器延伸的排氣氣體系統(tǒng)上設(shè)置捕集裝置，由此裝置捕集排氣氣體中含有的反應(yīng)副產(chǎn)物或未反應(yīng)的處理氣體等、并把它們除去。
根據(jù)應(yīng)捕集除去的反應(yīng)副產(chǎn)物等的特性，提出了各種該捕集裝置的結(jié)構(gòu)，例如，在除去常溫下凝結(jié)(液化)、凝固(固化)的反應(yīng)副產(chǎn)物的情況下，該捕集裝置的其中一例結(jié)構(gòu)是在具有排氣氣體的導(dǎo)入口和排出口的筐體內(nèi)設(shè)置多個散熱片。而且該散熱片相對于排氣氣體的流動方向依次排列，當(dāng)排氣氣體經(jīng)過這些散熱片之間時，排氣氣體中的反應(yīng)副產(chǎn)物等附著在散熱片表面上而被捕集。另外，通過冷卻流體等冷卻該散熱片能夠提高捕集效率。
在此，以使用高熔點(diǎn)金屬鹵化物TiCl4(四氯化鈦)作為原料氣體進(jìn)行Ti金屬膜的成膜的情況為例進(jìn)行說明，作為原料氣體使用TiCl4之外還使用H2氣體，把它們在Ar氣體的存在下利用等離子體活性化、用氫氣還原，使Ti膜堆積在半導(dǎo)體晶片表面上。這時，產(chǎn)生反應(yīng)副產(chǎn)物TiClX(X＜4)，而且還存在著未反應(yīng)的TiCl4，這些TiClX和TiCl4等混在排氣氣體中流出。因?yàn)檫@些TiClX和TiCl4等是造成大氣污染等原因的雜質(zhì)氣體，所以利用如上所述的捕集裝置捕集它們。
此時，上述未反應(yīng)氣體TiCl4或反應(yīng)副產(chǎn)物TiClX等雜質(zhì)氣體蒸汽壓較高，所以即使如上述那樣冷卻捕集裝置內(nèi)部，在該捕集裝置內(nèi)完全捕集除去也是相當(dāng)困難的，有時得不到充分的回收率。因此，其問題在于為了完全除去穿過上述捕集裝置的雜質(zhì)并使其無害化，對設(shè)置在捕集裝置下游側(cè)的除害裝置增加了相當(dāng)大的負(fù)擔(dān)，不但該除害裝置的運(yùn)行成本上漲，而且該除害裝置自身的奉命也縮短。這樣的問題是使用TiCl4或WF6或(Ta(OE)5)2(五乙氧基鉭)等高熔點(diǎn)金屬化合物氣體的成膜裝置的共同問題。
另外，就使用TiCl4的其它成膜方法而言，已知有成膜TiN膜的方法。即，當(dāng)以使用高熔點(diǎn)金屬鹵化物TiCl4(四氯化鈦)作為原料氣體成膜TiN膜的情況為例進(jìn)行說明時，作為原料氣體使用TiCl4之外還使用NH3氣體，通過使兩氣體反應(yīng)在半導(dǎo)體晶片表面上堆積TiN膜。這時，作為反應(yīng)副產(chǎn)物產(chǎn)生NH4Cl和TiCl4(NH3)n(n為正的整數(shù))，而且還存在著未反應(yīng)的TiCl4氣體，這些氣體成份混在排氣氣體中流出，被如上所述的捕集裝置捕集。
于是，為了完全除去排氣氣體中所含的雜質(zhì)氣體例如氯氣，提出了如下的方法在排氣系統(tǒng)中使與該雜質(zhì)氣體反應(yīng)的反應(yīng)性氣體例如氨氣與排氣氣體混合，轉(zhuǎn)換成容易凝結(jié)的物質(zhì)、例如氯化銨，通過使該氯化銨也在捕集裝置內(nèi)冷卻凝結(jié)并捕集，以有效地除去雜質(zhì)氣體(特開2001-214272號公報)。
而且除此之外，如特開昭62-4405號公報公開了如下的技術(shù)從燒結(jié)粉末成形品的燒結(jié)爐排出的含有蠟蒸氣的排氣氣體中、液化并回收蠟時，在蠟捕集裝置內(nèi)配置多段具有小孔的捕集圓板，使通過上述小孔的排氣氣體絕熱膨脹的同時、使排氣氣體自冷，從而液化并回收蠟。
可是，如上述的特開2001-214272號公報所示的以往的捕集裝置中存在的問題在于伴隨著捕集處理的進(jìn)展、捕集物附著在散熱片上、排氣氣體經(jīng)由捕集物層與散熱片進(jìn)行熱交換，所以對排氣氣體的冷卻效率依次降低，因此，捕集效果也隨時間的經(jīng)過而惡化，不僅不能完全地除去雜質(zhì)氣體，而且維護(hù)頻度也變高。這時，為了防止捕集效率的經(jīng)時惡化、考慮到了增加設(shè)定散熱片的段數(shù)，但在這種情況下，裝置過度大型化，因此不現(xiàn)實(shí)。另外，在維護(hù)時其問題點(diǎn)還在于通過清潔從散熱片上除去捕集物時，因形成了多段散熱片全體結(jié)構(gòu)復(fù)雜，所以難以進(jìn)行清潔操作。
另外，如特開昭62-4405號公報所示的捕集裝置中，其問題點(diǎn)在于捕集物為粘性的固態(tài)物時，由于捕集物逐漸堵塞捕集圓板的小孔，所以維護(hù)的頻度變得非常高。
另外，特開昭62-4405號公報所示的捕集裝置中，其問題在于因?yàn)閮H使用小孔使排氣氣體絕熱膨脹，所以該冷卻效率沒有那么高，因此，不能充分捕集排氣氣體中的雜質(zhì)氣體，捕集效率比較低。
本發(fā)明就是著眼于以上問題點(diǎn)，為了有效地解決該問題而完成的。即，本發(fā)明的目的是提供一種用來除去來自排氣氣體中的氣體狀雜質(zhì)的、構(gòu)造簡單且捕集效率也可以長時間地維持很高的捕集裝置、處理系統(tǒng)以及除去雜質(zhì)的方法。
本發(fā)明人對排氣氣體中的氣體狀雜質(zhì)的捕集方法專心研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過使用拉瓦爾噴嘴，利用絕熱膨脹而使成為超音速狀態(tài)的工作流體吹入到排氣氣體中，從而有效地冷卻排氣氣體使氣體狀的雜質(zhì)凝結(jié)、凝固從而能夠捕集氣體狀的雜質(zhì)；由此完成了本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
權(quán)利要求1的發(fā)明是，設(shè)置在具有對處理裝置進(jìn)行真空排氣的真空泵的真空排氣系統(tǒng)之中，用于除去在上述真空排氣系統(tǒng)內(nèi)流動的排氣氣體中含有的氣體狀雜質(zhì)，其中，在該處理裝置內(nèi)對被處理體實(shí)施規(guī)定處理，其特征在于，具備雜質(zhì)捕集容器，設(shè)置在上述真空排氣系統(tǒng)的排氣通路之中；噴嘴單元，用于吹入因絕熱膨脹而成為超音速狀態(tài)的工作流體，使其與上述排氣氣體混合，同時在上述雜質(zhì)捕集容器內(nèi)，使上述排氣氣體的溫度降低到上述雜質(zhì)的臨界點(diǎn)以下。
這樣，利用噴嘴單元吹入進(jìn)行絕熱膨脹而成為超音速狀態(tài)的工作流體，由此冷卻排氣氣體并凝結(jié)、凝固氣體狀雜質(zhì)并捕集之，因此，可以長時間地維持高的冷卻效率，從而也可以長期地維持高的捕集效率。另外，由于可以不需要在以往捕集裝置中使用的散熱片等這樣復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，所以當(dāng)進(jìn)行維護(hù)作業(yè)(除去在雜質(zhì)捕集容器中因凝結(jié)、凝固而附著的例如粘性的某捕集物)時，可以迅速且容易地進(jìn)行該維護(hù)作業(yè)。
這時，例如如權(quán)利要求2所規(guī)定，相對于上述雜質(zhì)捕集容器并列設(shè)置多個上述噴嘴單元。
另外，例如如權(quán)利要求3所規(guī)定，上述噴嘴單元具有其流路面積沿工作流體的流動方向逐漸縮小并在通過喉部后逐漸擴(kuò)大的噴嘴主體。
另外，例如如權(quán)利要求4所規(guī)定，上述噴嘴主體具有截面為大致圓形的工作流體噴射口，以包圍上述工作流體噴射口的周圍的方式形成有向上述雜質(zhì)捕集容器側(cè)導(dǎo)入上述排氣氣體的環(huán)狀的排氣氣體導(dǎo)入口。
另外，例如如權(quán)利要求5所規(guī)定，上述噴嘴主體具有截面大致為環(huán)狀的工作流體噴射口，在其中心部形成有用來將上述排氣氣體向上述雜質(zhì)捕集容器側(cè)導(dǎo)入的大致為圓形的排氣氣體導(dǎo)入口。
另外，例如如權(quán)利要求6所規(guī)定，設(shè)置有用來暫時滯留流向上述排氣氣體導(dǎo)入口的排氣氣體的前段滯留室。
另外，例如如權(quán)利要求7所規(guī)定，在上述噴嘴單元的前端部側(cè)，依次連接設(shè)置有混合從上述工作流體噴射口噴射的超音速的工作流體和從上述排氣氣體導(dǎo)入口導(dǎo)入的排氣氣體的混合管；以及，使其流路面積逐漸擴(kuò)大并具有泵機(jī)能的擴(kuò)散管。
另外，例如如權(quán)利要求8所規(guī)定，在上述混合管和上述擴(kuò)散管上設(shè)置有用來防止上述雜質(zhì)凝結(jié)、凝固并附著的防附著用加熱單元。
由此，通過防附著用加熱單元加熱混合管或擴(kuò)散管，所以可以防止雜質(zhì)成為粘性的固體附著在其內(nèi)壁面上。
另外，例如如權(quán)利要求9所規(guī)定，設(shè)置有核導(dǎo)入單元，在上述混合氣體中的上述氣體狀的雜質(zhì)凝結(jié)、凝固時導(dǎo)入成為核的物質(zhì)，。
由此，在排氣氣體中導(dǎo)入成為凝結(jié)、凝固的起點(diǎn)的核，所以可以防止氣體狀的雜質(zhì)成為過冷狀態(tài)，促進(jìn)該凝結(jié)、凝固，因此可更進(jìn)一步提高雜質(zhì)的捕集效率。
另外，例如如權(quán)利要求10所規(guī)定，在上述雜質(zhì)捕集容器中設(shè)置有用于使上述凝結(jié)、凝固的雜質(zhì)附著的雜質(zhì)附著板。
另外，例如如權(quán)利要求11所規(guī)定，上述噴嘴單元是拉瓦爾噴嘴。
另外，例如如權(quán)利要求12所規(guī)定，上述工作流體由N2、H2、Ar、He中的任一種氣體構(gòu)成。
另外，例如如權(quán)利要求13所規(guī)定，上述處理裝置是用于對被處理體實(shí)施成膜處理的成膜裝置。
權(quán)利要求14的發(fā)明是使用上述捕集裝置的處理系統(tǒng)，其特征在于，具備對被處理體實(shí)施規(guī)定處理的處理裝置；設(shè)置有真空泵的真空排氣系統(tǒng)，用于對上述處理裝置抽真空；設(shè)置在上述真空排氣系統(tǒng)之中的權(quán)利要求1～13中任一項(xiàng)所述的捕集裝置。
權(quán)利要求15的發(fā)明是對使用上述捕集裝置進(jìn)行的捕集方法的規(guī)定，即，用于從對被處理體實(shí)施規(guī)定處理的處理裝置排出的排氣氣體中，除去已成為氣體狀的雜質(zhì)，其特征在于將因絕熱膨脹而成為超音速狀態(tài)的工作流體吹入到上述排氣氣體中使其與上述排氣氣體混合，同時通過使上述排氣氣體的溫度降低到上述雜質(zhì)的臨界點(diǎn)以下，使上述雜質(zhì)凝結(jié)、凝固。
這時，例如如權(quán)利要求16所規(guī)定，上述工作流體與上述排氣氣體的混合是通過以包圍被噴射的上述工作流體的周圍的方式噴射上述排氣氣體而進(jìn)行的。
另外，例如如權(quán)利要求17所規(guī)定，上述工作流體與上述排氣氣體的混合是通過以包圍被噴射的上述排氣氣體的周圍的方式噴射上述工作氣體而進(jìn)行的。


圖1是表示設(shè)置了本發(fā)明的捕集裝置的一例處理系統(tǒng)的簡要結(jié)構(gòu)圖。
圖2是表示本發(fā)明的捕集裝置的第一實(shí)施例的截面圖。
圖3是表示本發(fā)明的捕集裝置的第二實(shí)施例的截面圖。
圖4是表示圖3中的一個噴嘴單元的放大截面圖。
圖5是從圖4中的A-A線箭頭方向觀察的截面圖。
圖6是表示本發(fā)明的捕集裝置的第三實(shí)施例的截面圖。
圖7是表示圖6中的一個噴嘴單元的放大截面圖。
圖8是從圖7中的B-B線箭頭方向觀察的截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，基于附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的捕集裝置、處理系統(tǒng)以及除去雜質(zhì)的方法的一實(shí)施例。
(第一實(shí)施例)圖1是表示一例設(shè)置本發(fā)明的捕集裝置的處理系統(tǒng)的簡要結(jié)構(gòu)圖。圖2是表示本發(fā)明的捕集裝置的第一實(shí)施例的截面圖。
在本實(shí)施例中，以在作為被處理體的半導(dǎo)體晶片的表面上、使用高熔點(diǎn)金屬鹵化物氣體TiCl4氣體作為高熔點(diǎn)金屬化合物氣體、通過等離子體CVD(chemical Vapor Deposition化學(xué)蒸鍍)對Ti膜進(jìn)行成膜處理時的情況為例，進(jìn)行說明。
如圖1所示，該處理系統(tǒng)2主要由，實(shí)際上對半導(dǎo)體晶片W實(shí)施Ti膜的成膜的處理裝置(成膜裝置)4、將該處理裝置4內(nèi)的氛圍真空排氣的真空排氣系統(tǒng)6、設(shè)置在該真空排氣系統(tǒng)6之中的本發(fā)明的捕集裝置8構(gòu)成。
首先，說明處理裝置4。該處理裝置4具有例如鋁制的筒體狀的處理容器10，該處理容器10接地。在該處理容器10內(nèi)，由底部經(jīng)由導(dǎo)電性的支柱12設(shè)置有承載臺14，在該上面能夠承載并保持作為被處理體的半導(dǎo)體晶片W。該承載臺14是由例如鎳等導(dǎo)電性材料構(gòu)成兼用作下部電極的裝置，在內(nèi)部埋入了加熱半導(dǎo)體晶片W的電阻加熱器16。
另外，在處理容器10的頂部經(jīng)由絕緣材20設(shè)置有將原料氣體等必要的氣體導(dǎo)入到處理容器10內(nèi)的噴頭18，該噴頭18與在通路中設(shè)置了供給側(cè)開關(guān)閥22的氣體供給通路24連接，可以供給各自的流量得到控制的TiCl4氣體、H2氣體、Ar氣體等必要的氣體。另外，各種氣體也可以分別由獨(dú)立的供給通路供給。
另外，該噴頭18是兼用作上部電極的裝置，它經(jīng)由匹配電路26與例如450kHz的高頻電源28連接，使在承載臺14與噴頭18之間因高頻產(chǎn)生等離子體。另外，該高頻電源28的頻率不限定于450kHz，也可以使用其它頻率，例如可以使用13.56MHz等。
另外，在處理容器10的側(cè)壁上設(shè)置有搬出搬入晶片W的閘門閥30，在底部周圍部設(shè)置有排氣口32。
另一方面，連接于如上所述的處理裝置4上的真空排氣系統(tǒng)6與上述排氣口32連接，具有例如內(nèi)徑10cm左右的不銹鋼制的排氣通路34。在該排氣通路34上，依次按照以下順序向下游側(cè)設(shè)置有用于除去排氣氣體中的氣體狀雜質(zhì)的上述捕集裝置8、將處理容器10內(nèi)的環(huán)境抽成真空的真空泵36以及完全除去殘留于排氣氣體中的雜質(zhì)氣體的除害裝置38。
另外，在該排氣通路34的最上游側(cè)設(shè)置有改變該排氣通路34的流路面積并控制處理容器10內(nèi)的壓力的壓力控制閥40。在上述壓力控制閥40的正下游側(cè)的排氣通路34上，設(shè)置有將流量得到控制的氨(NH3)氣體注入到該排氣通路34內(nèi)的氨氣體噴嘴42，將氨氣體注入到流過此的排氣氣體中使排氣氣體中含有的氯化氫或氯氣體與該氨氣體反應(yīng)形成并得到氯化銨等。
另外，在上述捕集裝置8的正上游側(cè)及下游側(cè)的排氣通路34上，分別設(shè)置了在裝卸該捕集裝置8時用于從排氣通路34隔離該裝置的開關(guān)閥44。另外，在上述氣體供給通路24、以及上述處理容器10與上述捕集裝置8之間的排氣通路34上，如圖中虛線所示分別卷繞有帶式加熱器46A、46B，將流過各通路24、34內(nèi)的雜質(zhì)氣體加熱到臨界溫度(凝結(jié)溫度或凝固溫度)以上的溫度，防止雜質(zhì)在通路24、34內(nèi)液化或固化。
而且，本發(fā)明的捕集裝置8如圖2所示，具有例如鋁制的成形為箱狀的雜質(zhì)捕集容器50。在該雜質(zhì)捕集容器50的頂部形成有氣體入口52，在該氣體入口52上接連有從上游側(cè)延伸的排氣通路34并由此導(dǎo)入排氣氣體。另外，在該雜質(zhì)捕集容器50的一側(cè)壁上形成有氣體出口54，該氣體出口54上連接有向下游側(cè)延伸的排氣通路34并將已經(jīng)除去氣體狀雜質(zhì)的排氣氣體排出到下游側(cè)。另外，上述氣體入口52及氣體出口54的設(shè)置位置沒有特別的限定。
另外，上述雜質(zhì)捕集容器50的另一側(cè)壁成為例如可以開關(guān)的開關(guān)門56，在進(jìn)行維護(hù)等必要時可以開關(guān)該開關(guān)門56。該開關(guān)門56通過O環(huán)等密封構(gòu)件58氣密封。另外，在該雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)的約全面底部，安裝有可以裝卸的雜質(zhì)附著板60，使例如成為粘度高的液狀雜質(zhì)或凝結(jié)、凝固的雜質(zhì)M(參照圖2)附著在其上面。
而且，在相對于該雜質(zhì)附著板60的雜質(zhì)捕集容器50的頂部62上，設(shè)置有作為本發(fā)明特征的噴嘴單元64。該噴嘴單元64經(jīng)由工作氣體通路66連接有貯存作為工作流體的例如N2氣體的工作氣體源68，可以向上述噴嘴單元64供給規(guī)定壓力的N2氣體。另外，在該工作氣體通路66中設(shè)置有控制N2氣體的供給的開關(guān)閥70。而且，在上述噴嘴64的正上游側(cè)的工作氣體通路66上，設(shè)置有用來導(dǎo)入在該工作流體中的氣體狀的雜質(zhì)在凝結(jié)、凝固時成為核的物質(zhì)的核導(dǎo)入單元72。
作為導(dǎo)入成為該凝結(jié)、凝固的起點(diǎn)的核的核導(dǎo)入單元72，此處有安裝于上述工作氣體通路66的氣體噴嘴72A，由該氣體噴嘴72A可以導(dǎo)入成為核的流量得到控制的水蒸氣。于是，通過上述結(jié)構(gòu)，可以從上述噴嘴單元64以超音速狀態(tài)噴射上述工作流體(N2氣體)。其結(jié)果，通過絕熱膨脹而成為超音速狀態(tài)的工作流體吹入到雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)并與排氣氣體混合的同時冷卻排氣氣體，將氣體狀的雜質(zhì)冷卻到其臨界點(diǎn)以下，可以使其凝結(jié)、凝固。
這時，如圖2所示，形成上述噴嘴單元64的噴嘴主體74成為在其中心流路面積沿工作流體的流動方向逐漸縮小、在經(jīng)過流路面積最狹的喉部74A后逐漸擴(kuò)大的形狀，因此，該最下端部的截面成為約為圓形的工作流體噴射口74C。作為這樣的噴嘴單元64，例如可以使用拉瓦爾噴嘴。
接著，說明使用上述結(jié)構(gòu)的處理系統(tǒng)來除去雜質(zhì)的方法。
首先，成膜Ti膜時，在處理裝置4的處理容器10內(nèi)的承載臺14上承載半導(dǎo)體晶片W，并且，將它升溫加熱并維持在規(guī)定的溫度下。與此同時，在作為下部電極的承載臺14與作為上部電極的噴頭18之間施加高頻電壓，另外，從噴頭14流入流量得到控制的TiCl4氣體、H2氣體、Ar氣體等規(guī)定的氣體，在處理空間生成等離子體，進(jìn)行Ti膜的成膜。與此同時，驅(qū)動真空排氣系統(tǒng)6，將處理容器10內(nèi)的環(huán)境抽成真空并將內(nèi)部維持在規(guī)定的壓力下。
關(guān)于這時的工序條件，例如當(dāng)假定晶片大小為8英寸時，工序壓力為665Pa(5Torr)、工序溫度為650℃程度、TiCl4氣體流量為5sccm程度、H2氣體流量為2000sccm程度、Ar氣體流量為500sccm程度。
通過上述Ti膜的成膜反應(yīng)，TiCl4氣體被消費(fèi)約10％程度，但殘留的約90％程度的氣體作為未反應(yīng)氣體，與作為反應(yīng)副產(chǎn)物的TiCl2、TiCl3、HCl等排氣氣體一起由排氣口32流入到真空排氣系統(tǒng)6的排氣通路34內(nèi)并流過，該排氣氣體進(jìn)一步依次流過捕集裝置8、真空泵36以及除害裝置38。在此，在上述未反應(yīng)氣體或反應(yīng)副反產(chǎn)物內(nèi)、特別是TiCl4氣體的蒸汽壓比較高，所以難以被捕集，但將NH3氣體作為反應(yīng)氣體從氨氣體噴嘴42導(dǎo)入到排氣通路34中，由此，使NH3氣體主要與TiCl4氣體反應(yīng)，形成由TiCl4·2NH3的絡(luò)合物構(gòu)成的化合物。該絡(luò)合物與TiCl4氣體相比蒸汽壓低很多，例如TiCl4氣體在21.3℃下為1300Pa，但上述絡(luò)合物在21.3℃下為1×10-4Pa程度。另外，HCl氣體也與NH3氣體反應(yīng)而成為NH4Cl氣體，它的蒸汽壓也低。
這樣，使主要的未反應(yīng)殘留氣體與NH3氣體反應(yīng)轉(zhuǎn)換為蒸汽壓低的化合物，而且使反應(yīng)副產(chǎn)物HCl與NH3氣體反應(yīng)轉(zhuǎn)換為蒸汽壓低的化合物，在捕集裝置8內(nèi)比較容易被捕集。由上述絡(luò)合物或NH4Cl等構(gòu)成的氣體狀雜質(zhì)被包含在排氣氣體中，從捕集裝置8的氣體入口52被導(dǎo)入到雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)。
此時，作為工作流體的N2氣體通過絕熱膨脹以超音速狀態(tài)由設(shè)在該頂部的噴嘴單元64吹入到該雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)。該N2氣體通過絕熱膨脹自身的溫度降低(也將此稱為自冷)的同時與排氣氣體混合，由此冷卻排氣氣體，所以上述氣體狀的雜質(zhì)被冷卻到臨界點(diǎn)以下并凝結(jié)或凝固從而析出，該雜質(zhì)M附著在設(shè)置于雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)底部的雜質(zhì)附著板60上，通過堆積被捕集。通過這種方法除去氣體狀雜質(zhì)的排氣氣體，由氣體出口54排出并流向下游側(cè)的真空泵36。
這樣，使用將壓力差有效地變換為工作流體N2氣體的運(yùn)動能量從而能實(shí)現(xiàn)超音速狀態(tài)的噴嘴、例如拉瓦爾噴嘴，利用N2氣體的絕熱膨脹成為超音速狀態(tài)時的自冷的冷熱，將氣體狀的雜質(zhì)冷卻并使之凝結(jié)、凝固，所以可以有效地從排氣氣體中除去氣體狀的雜質(zhì)。
另外，由于不使用以往的捕集裝置中使用的散熱片，所以可以常時間地維持高的冷卻效率，而且，即使增加被捕集的雜質(zhì)也不會對排氣傳導(dǎo)性造成壞影響。而且，由于沒有使用上述那樣的散熱片等，所以也可以簡單化捕集裝置8的整體結(jié)構(gòu)。另外，這時的工作流體的流量為對上游側(cè)的處理容器10內(nèi)的壓力控制不會造成惡劣影響的流量。
另外，上述工作流體N2氣體中含有由核導(dǎo)入單元72導(dǎo)入的水蒸氣，所以水蒸氣在雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)被冷卻成為微細(xì)的冰粒、發(fā)揮著作為核的功能，因此上述氣體狀的雜質(zhì)不會被過冷卻、以上述冰粒作為核凝結(jié)、凝固從而析出，其結(jié)果，可以更進(jìn)一步提高雜質(zhì)的捕集效率。另外，也可以將上述核導(dǎo)入單元72設(shè)置在雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)，將水蒸氣直接導(dǎo)入到該雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)。這一點(diǎn)與后述的其它實(shí)施例一樣。
另外，在維護(hù)該捕集裝置8時，卸下開關(guān)門56后，從雜質(zhì)捕集容器50中取出可以裝卸的雜質(zhì)附著板60，只要清潔除去附著在該雜質(zhì)附著板60上面的雜質(zhì)M即可，所以也可以大幅度地提高維護(hù)作業(yè)性。
另外，在該第一實(shí)施例中，為了使理解本發(fā)明變得容易，只說明了設(shè)置一個噴嘴單元64的情況，但也可以并列設(shè)置多個這種噴嘴64，可以從各噴嘴單元64向雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)噴射并吹入已經(jīng)混入水蒸氣的工作流體。
(第二實(shí)施例)接著，說明本發(fā)明的第二實(shí)施例。在該第二實(shí)施例中，稍微改變上述第一實(shí)施例的噴嘴單元64的結(jié)構(gòu)，且并列設(shè)置多個噴嘴單元。
圖3是表示這樣的本發(fā)明的捕集裝置的第二實(shí)施例的截面圖，圖4是表示圖3中的一個噴嘴單元的放大截面圖，圖5是從圖4中的A-A線箭頭方向觀察的截面圖。另外，關(guān)于與圖1及圖2所示的部分相同的結(jié)構(gòu)部分標(biāo)注同一符號并省略其說明。
如圖所示，此處在雜質(zhì)捕集容器50的前段側(cè)上，具有用于暫時滯留乃至儲存從處理容器10側(cè)流入的排氣氣體的例如不銹鋼制的前段滯留室80。在該前段滯留室80的側(cè)壁的一部分上設(shè)置有氣體入口82，在該氣體入口82上連接上游側(cè)的排氣通路34使排氣氣體流入。
于是，在上述前段停留室80的長邊方向的側(cè)壁與上述雜質(zhì)捕集容器50的頂部62之間，以連通前段停留室80和雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)的方式并列設(shè)置多個、如圖示例中為9個連通路84，經(jīng)由該連通路84前段停留室80內(nèi)的排氣氣體流入到雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)。如圖4所示，該連通路84主要由沿排氣氣體的流動方向其內(nèi)徑逐漸被縮徑而成為圓錐狀的導(dǎo)入管86、連接在該導(dǎo)入管86上的圓筒狀的混合管88、和連接在該混合管88上并沿排氣氣體的流動方向其內(nèi)徑逐漸被擴(kuò)徑的擴(kuò)散管90構(gòu)成。
另一方面，在上述前段滯留室80內(nèi)設(shè)置有連接于上述工作氣體通路66上的規(guī)定大小的工作氣體頭92，將含有成為凝結(jié)、凝固起點(diǎn)的水蒸氣的工作氣體導(dǎo)入到該工作氣體頭92內(nèi)。而且，從上述工作氣體頭92向上述各連通路84，延伸設(shè)置有與圖2說明的裝置具有相同結(jié)構(gòu)的噴嘴單元64。如圖4所示，該噴嘴單元64的噴嘴主體74的前端部大致位于上述導(dǎo)入管86與混合管88的接合部，并成為非接觸狀態(tài)。
因此，也如圖5所示，該部分的中心部形成截面約為圓形的工作流體噴射口74C，以包圍該工作流體噴射口74C的周圍的方式、形成截面約為環(huán)狀的排氣氣體導(dǎo)入口94，從該排氣氣體導(dǎo)入口94將排氣氣體導(dǎo)入到雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)。此處，如上所述，噴嘴主體74成為在其中心流路面積沿工作流體的流動方向逐漸縮小、在經(jīng)過流路面積最狹窄的喉部74A后逐漸擴(kuò)大的形狀，因此，該最下端部的截面成為大致圓形的工作流體噴射口74C。作為這樣的噴嘴單元64，例如如前所述可以使用拉瓦爾噴嘴。
這樣，從噴嘴單元64噴射超音速狀態(tài)的工作流體的結(jié)果該噴嘴單元64具有象噴射泵那樣的泵機(jī)能，來自排氣氣體導(dǎo)入口94的排氣氣體被工作氣體的噴流驅(qū)動流向排氣側(cè)。
另外，在該混合管88和擴(kuò)散管90的外周壁，設(shè)置有例如帶狀加熱器那樣的防附著用加熱單元96，通過將其加熱到氣體狀雜質(zhì)的臨界溫度以上，防止雜質(zhì)凝結(jié)、凝固并附著在其內(nèi)壁面上。
在該第二實(shí)施例的情況下，基本上可以發(fā)揮與第一實(shí)施例的情況同樣的作用效果。例如，從處理容器10側(cè)流過來的排氣氣體在前段滯留室80內(nèi)擴(kuò)散到整體，經(jīng)由各連通路84，并行導(dǎo)入到雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)側(cè)。與此同時，作為工作流體的例如N2氣體通過絕熱膨脹以超音速狀態(tài)經(jīng)由工作氣體頭92從各噴嘴單元64的工作流體噴出口74C噴射而出。該超音速狀態(tài)的N2氣體在混合管88內(nèi)與從環(huán)狀的排氣氣體導(dǎo)入口94導(dǎo)入的排氣氣體混合，同時擴(kuò)散到擴(kuò)散管90內(nèi)并到達(dá)雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)，將氣體狀的雜質(zhì)冷卻使之凝結(jié)、凝固，使雜質(zhì)M附著在雜質(zhì)附著板60上。由此，與第一實(shí)施例的情況相同，可以有效地從排氣氣體中除去雜質(zhì)。特別是由于并列設(shè)置了多個噴嘴單元64，所以可以相應(yīng)地提高雜質(zhì)的除去效率。
另外，通過使例如水蒸氣這樣的核混入到工作流體中，與第一實(shí)施例的情況一樣，不會使氣體狀的雜質(zhì)過冷，可以更進(jìn)一步提高該雜質(zhì)的除去效率。而且，以往的捕集裝置是使排氣傳導(dǎo)性降低的方式發(fā)揮作用，相對于此，在該第二實(shí)施例中，噴嘴單元64發(fā)揮泵機(jī)能卷入來自設(shè)置在工作流體噴射口74C周圍的環(huán)狀排氣氣體導(dǎo)入口94的排氣氣體、向排氣側(cè)推動，所以可以提高排氣傳導(dǎo)性，對排氣系統(tǒng)不會造成惡劣影響。另外，由于在混合管88和擴(kuò)散管90上設(shè)置有防附著用加熱單元96可以進(jìn)行加熱，所以可以防止雜質(zhì)附著在其內(nèi)壁面?zhèn)取?br> 此時，在圖4所示的結(jié)構(gòu)中，對各部的溫度、壓力、流速成等各參數(shù)進(jìn)行研究的結(jié)果可以得到以下所示的結(jié)果。
在噴嘴入口的工作流體壓力P11.33×104Pa(0.1atm)工作氣體源68內(nèi)的工作流體的氣體溫度T1293K(20℃)在噴嘴入口的工作流體流速U10.0m/s(與超音速相比的話就視為零)氣體的比熱比κ1.4排氣氣體導(dǎo)入口94的排氣氣體的壓力Pe2133Pa排氣氣體導(dǎo)入口94的排氣氣體的溫度Te2423K(150℃)排氣氣體導(dǎo)入口94的排氣氣體的速度Ue2328.2m/s排氣氣體導(dǎo)入口94的面積Se808.5mm2工作流體噴射口74C的面積Sn1155.0mm2混合管88的直徑D150.0mm擴(kuò)散管90的出口直徑D253.9mm當(dāng)如上述那樣設(shè)定參數(shù)時，得到以下所示的結(jié)果。
在噴嘴出口的壓力Pn2133Pa(0.001atm)在噴嘴出口的工作流體溫度Tn278.6K(-194.4℃)
在噴嘴出口的工作流體速度Un2656.4m/s(超音速狀態(tài))在混合管88的出口的壓力P4133Pa在混合管88的出口的混合氣體的溫度T4150.8K(-122.2℃)在混合管88的出口的混合氣體的速度U4413.3m/s在擴(kuò)散管90的出口的壓力P5189.9Pa在擴(kuò)散管90的出口的混合氣體的溫度T5167.0K(-106.0℃)在擴(kuò)散管90的出口的混合氣體的速度U5372m/s如以上所示，工作流體從噴嘴的出口以超音速狀態(tài)被噴射后，經(jīng)由混合管88、擴(kuò)散管90，到達(dá)雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)，可以確認(rèn)混合氣體的可以達(dá)到非常低的溫度。
(第三實(shí)施例)接著，說明本發(fā)明的第三實(shí)施例。在該第三實(shí)施例中是把前面的第二實(shí)施例的噴嘴單元64的中心側(cè)和外周側(cè)反轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)，由中心側(cè)流入排氣氣體，由外周側(cè)噴射工作流體。
圖6是表示這樣的本發(fā)明的捕集裝置的第三實(shí)施例的截面圖，圖7是表示圖6中的一個噴嘴單元的放大截面圖。圖8是從圖7中的B-B線箭頭方向看的截面圖。另外，對于與圖3及圖5所示的部分相同的構(gòu)成部分標(biāo)注同一符號并省略其說明。
如圖所示，此處也與第二實(shí)施例一樣，在雜質(zhì)捕集容器50的前段側(cè)上，具有用于暫時滯留乃至儲存從處理容器10側(cè)流入的排氣氣體的例如不銹鋼制的前段滯留室80。在該前段滯留室80的側(cè)壁的一部分上設(shè)置有氣體入口82，在該氣體入口82上連接上游側(cè)的排氣通路34使排氣氣體流入。
另外，從上述前段滯留室80的長邊方向的側(cè)壁向雜質(zhì)捕集容器50、延伸設(shè)置了大致為圓筒狀的多個如圖示的6個噴嘴主體100。另外，在前段滯留室80與上述雜質(zhì)捕集容器50之間，設(shè)置有連接于工作氣體通路66上的規(guī)定大小的工作氣體頭92。
而且，在上述工作氣體頭92長邊方向的側(cè)壁與上述雜質(zhì)捕集器50的頂部62之間，為使工作氣體頭92與雜質(zhì)捕集器50內(nèi)相連通，并列設(shè)置了多個、如圖所示的6個連通路102，經(jīng)由該連通路102工作氣體頭92內(nèi)的工作氣體流入到雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)。圖7所示，該連通路102主要由沿工作氣體的流動方向其內(nèi)徑逐漸被縮徑成為圓錐狀的導(dǎo)入管104、連接在該導(dǎo)入管104上的圓筒狀的混合管106、連接在該混合管106上并沿排氣氣體(工作流體)的流動方向其內(nèi)徑逐漸被擴(kuò)徑的擴(kuò)散管108構(gòu)成。
此處，由上述導(dǎo)入管104和混合管106構(gòu)成噴嘴外筒110，由該噴嘴外筒110和上述噴嘴主體100形成噴嘴單元112。具體來說，上述噴嘴主體100與上述工作氣體頭92的一側(cè)壁氣密地貫通、并插入到頭內(nèi)部，該噴嘴主體100的前端部插入到上述混合管106的中間、且成為非接觸狀態(tài)。另外，在上述噴嘴主體100的前端部的外周，形成環(huán)狀的、流路面積沿工作流體的流動方向逐漸縮小而在通過流路面積最狹窄的喉部100A后逐漸擴(kuò)大的形狀的、截面成為凸?fàn)畹目s小部112，工作流體經(jīng)過該流路時，X部與Y部(參照圖7)之間的壓差可以有效地轉(zhuǎn)變成速度以實(shí)現(xiàn)在低溫下的超音速狀態(tài)。
因此，亦如圖8所示，在中心部形成截面大致為圓形的排氣氣體導(dǎo)入口114，以包圍該排氣氣體導(dǎo)入口114的周圍的方式、形成截面大致為環(huán)狀的工作流體噴射口100C，排氣氣體從上述排氣氣體導(dǎo)入口114導(dǎo)入到雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)。另外，工作流體從上述工作流體噴射口100C噴射。另外，上述截面成凸?fàn)畹目s小部112也可以不設(shè)在噴嘴主體100側(cè)，而設(shè)在混合管106的內(nèi)面?zhèn)龋蛞部梢栽O(shè)在上述兩側(cè)上，任何一種方式，都可以以超音速狀態(tài)噴射工作流體，只要可以形成所謂拉瓦爾噴嘴、就不限定其形狀。
該第三實(shí)施例的情況也可以發(fā)揮與上面的第一實(shí)施例及第二實(shí)施例同樣的作用效果。即，排氣氣體經(jīng)由噴嘴主體100的中心由排氣氣體導(dǎo)入口114放出，另外，工作流體N2氣體從工作氣體頭92經(jīng)由導(dǎo)入管104內(nèi)以及喉部100A、由環(huán)狀的工作流體噴射口100C噴射出來。這時，該N2氣體絕熱膨脹的結(jié)果是進(jìn)行自冷并在低溫下成為超音速狀態(tài)被噴射出來，所以如上所述卷入排氣氣體的同時凝結(jié)、凝固氣體狀的雜質(zhì)。這時，與第二實(shí)施例的情況一樣該噴嘴單元112發(fā)揮著泵機(jī)能，所以可以防止對排氣傳導(dǎo)性造成惡劣影響。
并且，在該第三實(shí)施例的情況下，因?yàn)橐园鼑艢鈿怏w的周圍的方式流動工作流體N2氣體，所以排氣氣體可以避免與混合管106的內(nèi)壁面或擴(kuò)散管108的內(nèi)壁面直接接觸。因此，可以防止上述凝結(jié)、凝固的雜質(zhì)附著在上述混合管106或擴(kuò)散管108的內(nèi)壁面上。另外，在該第三實(shí)施例的情況下，為了完全防止上述雜質(zhì)的附著，可以如第二實(shí)施例那樣設(shè)置防附著用加熱單元96。
另外，在上述各實(shí)施例中，為了形成成為凝結(jié)、凝固的起點(diǎn)的核導(dǎo)入水蒸氣并使水蒸氣結(jié)冰，但對此沒有限定，也可以使用陶瓷或石英等的粉末。另外，關(guān)于工作流體也不限定于N2氣體，也可以使用Ar氣體或He氣體等惰性氣體、H2氣體等。
另外，關(guān)于成膜的膜種類也不限定于Ti膜，有必要從排氣氣體中除去反應(yīng)副產(chǎn)物或未反應(yīng)物質(zhì)的所有的成膜裝置或處理裝置都可以適合地使用本發(fā)明。
另外，在上述各實(shí)施例中，作為被處理體以半導(dǎo)體晶片為例進(jìn)行了說明，但并不限定于此，顯然也可以適用于玻璃基板、LCD基板等。
如上所述，只要利用本發(fā)明的捕集裝置、處理系統(tǒng)及除去雜質(zhì)的方法，將由噴嘴單元進(jìn)行絕熱膨脹、成為超音速狀態(tài)的工作流體吹入到排氣氣體中，由此冷卻排氣氣體，凝結(jié)、凝固并捕集氣體狀的雜質(zhì)，所以可以長時間地維持高的冷卻效率，因此，也可以長時間地維持高的捕集效率。另外，由于可以不需要在以往捕集裝置中使用的散熱片等這樣復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，所以當(dāng)進(jìn)行除去在雜質(zhì)捕集容器中因凝結(jié)、凝固而附著的例如粘性的某捕集物的維護(hù)作業(yè)時，可以迅速且容易地進(jìn)行該維護(hù)作業(yè)。另外，通過防附著用加熱單元加熱混合管或擴(kuò)散管，可以防止雜質(zhì)、例如粘性的某固體附著在該內(nèi)壁面上。而且，由于在排氣氣體中導(dǎo)入了核，因此可以防止氣體狀的雜質(zhì)成為過冷狀態(tài)，可以促進(jìn)其凝結(jié)、凝固，因此可以更進(jìn)一步提高雜質(zhì)的捕集效率。
權(quán)利要求
1.一種捕集裝置，設(shè)置在具有對處理裝置進(jìn)行真空排氣的真空泵的真空排氣系統(tǒng)之中，用于除去在所述真空排氣系統(tǒng)內(nèi)流動的排氣氣體中所含有的氣體狀雜質(zhì)，其中，在所述處理裝置內(nèi)對被處理體實(shí)施規(guī)定處理，其特征在于，具備雜質(zhì)捕集容器，設(shè)置在所述真空排氣系統(tǒng)的排氣通路之中；噴嘴單元，用于吹入因絕熱膨脹而成為超音速狀態(tài)的工作流體，使其與所述排氣氣體混合，同時在所述雜質(zhì)捕集容器內(nèi)，使所述排氣氣體的溫度降低到所述雜質(zhì)的臨界點(diǎn)以下。
2.如權(quán)利要求1所述的捕集裝置，其特征在于相對于所述雜質(zhì)捕集容器并列設(shè)置多個所述噴嘴單元。
3.如權(quán)利要求1所述的捕集裝置，其特征在于所述噴嘴單元具有其流路面積沿工作流體的流動方向逐漸縮小且在通過喉部后逐漸擴(kuò)大的噴嘴主體。
4.如權(quán)利要求1所述的捕集裝置，其特征在于所述噴嘴主體具有截面成形為大致圓形的工作流體噴射口，以包圍所述工作流體噴射口的周圍的方式形成有向所述雜質(zhì)捕集容器側(cè)導(dǎo)入所述排氣氣體的環(huán)狀的排氣氣體導(dǎo)入口。
5.如權(quán)利要求1所述的捕集裝置，其特征在于所述噴嘴主體具有截面成形為大致環(huán)狀的工作流體噴射口，在其中心部形成有用來將所述排氣氣體向所述雜質(zhì)捕集容器側(cè)導(dǎo)入的大致為圓形的排氣氣體導(dǎo)入口。
6.如權(quán)利要求4所述的捕集裝置，其特征在于設(shè)置有用來暫時滯留流向所述排氣氣體導(dǎo)入口的排氣氣體的前段滯留室。
7.如權(quán)利要求4所述的捕集裝置，其特征在于在所述噴嘴單元的前端部側(cè)，依次連接設(shè)置有混合從所述工作流體噴射口噴射的超音速的工作流體和從所述排氣氣體導(dǎo)入口導(dǎo)入的排氣氣體的混合管；以及，使其流路面積逐漸擴(kuò)大并具有泵機(jī)能的擴(kuò)散管。
8.如權(quán)利要求7所述的捕集裝置，其特征在于在所述混合管和所述擴(kuò)散管中設(shè)置有用于防止所述雜質(zhì)凝結(jié)、凝固并附著的防附著用加熱單元。
9.如權(quán)利要求1所述的捕集裝置，其特征在于設(shè)置有核導(dǎo)入單元，在所述混合氣體中的所述氣體狀的雜質(zhì)凝結(jié)、凝固時導(dǎo)入成為核的物質(zhì)。
10.如權(quán)利要求1所述的捕集裝置，其特征在于在所述雜質(zhì)捕集容器中設(shè)置有用于使所述凝結(jié)、凝固的雜質(zhì)附著的可拆卸的雜質(zhì)附著板。
11.如權(quán)利要求1所述的捕集裝置，其特征在于所述噴嘴單元是拉瓦爾噴嘴。
12.如權(quán)利要求1所述的捕集裝置，其特征在于所述工作流體由N2、H2、Ar、He中的任一種氣體組成。
13.如權(quán)利要求1所述的捕集裝置，其特征在于所述處理裝置是用于對被處理體實(shí)施成膜處理的成膜裝置。
14.一種處理系統(tǒng)，其特征在于，具備用于對被處理體實(shí)施規(guī)定處理的處理裝置；設(shè)置有真空泵的真空排氣系統(tǒng)，用于對所述處理裝置內(nèi)抽真空；設(shè)置在所述真空排氣系統(tǒng)之中的權(quán)利要求1所述的捕集裝置。
15.一種除去雜質(zhì)的方法，用于從對被處理體實(shí)施規(guī)定處理的處理裝置排出的排氣氣體中，除去已成為氣體狀的雜質(zhì)，其特征在于將因絕熱膨脹而成為超音速狀態(tài)的工作流體吹入到所述排氣氣體中使其與所述排氣氣體混合，同時通過使所述排氣氣體的溫度降低到所述雜質(zhì)的臨界點(diǎn)以下，使所述雜質(zhì)凝結(jié)、凝固。
16.如權(quán)利要求15所述的除去雜質(zhì)的方法，其特征在于所述工作流體與所述排氣氣體的混合是通過以包圍被噴射的所述工作流體的周圍的方式噴射所述排氣氣體而進(jìn)行的。
17.如權(quán)利要求15所述的除去雜質(zhì)的方法，其特征在于所述工作流體與所述排氣氣體的混合是通過以包圍被噴射的所述排氣氣體的周圍的方式噴射所述工作氣體而進(jìn)行的。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種捕集裝置，設(shè)置在具有對處理裝置10進(jìn)行真空排氣的真空泵36的真空排氣系統(tǒng)6之中，用于除去在所述真空排氣系統(tǒng)6內(nèi)流動的排氣氣體中所含有的氣體狀雜質(zhì)，其中，在處理裝置10內(nèi)對半導(dǎo)體晶片實(shí)施規(guī)定的處理，其特征在于，具備雜質(zhì)捕集容器50，設(shè)置在所述真空排氣系統(tǒng)6的排氣通路之中；噴嘴單元64，用于吹入因絕熱膨脹而成為超音速狀態(tài)的工作流體，使其與所述排氣氣體混合，同時在所述雜質(zhì)捕集容器50內(nèi)，使所述排氣氣體的溫度降低到所述雜質(zhì)的臨界點(diǎn)以下。
文檔編號C23C16/44GK1723066SQ200480001749
公開日2006年1月18日 申請日期2004年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月25日
發(fā)明者小松智仁 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社