專利名稱：耐蝕部件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在制造半導(dǎo)體等中用于CVD裝置和等離子體處理裝置(等離子體蝕刻裝置)的部件，特別地涉及一種具有對腐蝕性氣體或等離子體的高耐蝕性和高耐熱強(qiáng)度的部件。
背景技術(shù)：
腐蝕性氣體通常用于在制造半導(dǎo)體等步驟中的等離子體蝕刻和CVD裝置的清潔應(yīng)用。就這些腐蝕性氣體而言，采用基于氟和基于氯的氣體及類似物。作為基于氟的氣體，使用CF4、C2F6、C3F8、CHF3/CF4、SF6等(參見例如JP-A-2000-223430)；對于基于Cl的氣體，使用Cl2、BCl3、CCl4等(參見L.Peters，Plasma Etch ChemistryThe Untold Story，Semic.Intl.，15(6)，66(1992))。另外，還提出使用HF、F2或NF3(參見例如JP-A-2000-223430、JP-A-2000-248363和JP-A-05-090180)。
在與前述氣體或者含有前述氣體的等離子體接觸的部分例如其中使用所述腐蝕性氣體的容器、內(nèi)壁和局部中，使用陶瓷例如石英、氧化鋁、氮化鋁或者金屬(如鋁和不銹鋼)。然而，這些部件會涉及以下問題該部件與基于氟的氣體反應(yīng)形成氟化物，由此導(dǎo)致在所述裝置中產(chǎn)生顆粒；以及該部件會在短時(shí)間內(nèi)被消耗。
例如，石英部件與氟氣體反應(yīng)形成SiF4，其然后被升華和消耗。另外，在陶瓷燒結(jié)體例如氧化鋁和氮化鋁中，盡管氟化鋁AlF3幾乎不升華，但是腐蝕作用會選擇性地在該部件的顆粒邊界或孔隙中進(jìn)行，從而由于晶體顆粒的脫落產(chǎn)生顆粒。
作為一種解決這些問題的方法，提出了采用其中控制含有氧化鎂和二氧化硅的氧化鋁陶瓷的開口孔隙率至不大于0.3％的燒結(jié)體(參見例如JP-A-11-278919)。然而，即使在這種燒結(jié)體中，也不能避免燒結(jié)顆粒的晶粒邊界中的腐蝕作用，并且不能避免由于晶體顆粒的脫落而產(chǎn)生顆粒。
作為一種通過使得不含晶粒邊界而抑制顆粒產(chǎn)生的方法，建議使用含有Al2O3、CaO、MgO、ZrO2、BaO等的耐蝕無定形玻璃材料(參見例如JP-A-2002-121047)。另外，提出采用包含其中添加了0.1～20wt％的金屬氧化物的石英的玻璃原料(參見例如JP-A-2002-137927)。然而，這些耐蝕玻璃不僅價(jià)格昂貴，而且對于在半導(dǎo)體工藝中以良好的安全性使用它們來說其耐熱性不足，并且因此可用作用于制造半導(dǎo)體過程的容器或部件的部分受到限制。
另一方面，由于在基底材料的表面上形成噴涂層以保護(hù)該基底材料的技術(shù)是已知的，因此可以考慮在通過噴涂于具有耐熱性的基底材料上涂覆之后使用前述耐蝕玻璃。然而根據(jù)常規(guī)的噴涂技術(shù)，由于難以形成玻璃的噴涂層，因此在通過噴涂常規(guī)地形成保護(hù)膜的方法中主要采用金屬或陶瓷。
作為關(guān)于噴涂玻璃質(zhì)物質(zhì)的現(xiàn)有技術(shù)，公開了例如一種形成玻璃噴涂層以防止腐蝕印刷用金屬輥的方法(參見例如JP-A-64-13324、JP-A-4-99259和JP-A-11-124663)。然而，據(jù)描述用于噴涂玻璃的常規(guī)玻璃是軟化點(diǎn)低于1,000℃的玻璃，但是對于軟化點(diǎn)超過1,000℃的玻璃來說，粘結(jié)性差并且孔隙率增加以致于不能獲得均勻的噴涂層(參見例如JP-A-64-13324)。另外描述了由于如果基底是氧化物，那么玻璃的粘結(jié)性差，因此作為基底材料的噴涂表面的底涂層的金屬噴涂層是必需的(參見例如JP-A-4-99259)。
也就是說，到目前為止，顯然的是不能在氧化物上以優(yōu)良的粘結(jié)作用形成玻璃噴涂層，并且不存在將具有1,000℃或更高的高軟化點(diǎn)的玻璃以優(yōu)良的粘結(jié)作用噴涂在基底材料上的技術(shù)，并且特別地不存在以優(yōu)良的粘結(jié)作用在含有玻璃的氧化物上進(jìn)行噴涂的技術(shù)。另外，盡管描述了在形成具有低軟化點(diǎn)的玻璃的噴涂層中溫度控制是重要的，然而所述常規(guī)的溫度控制的目的不僅在于通過將基底材料的溫度設(shè)置在所述玻璃的軟化點(diǎn)或更高溫度而使得待噴涂的玻璃原料熔化(參見例如JP-A-11-124663)。
另外，除了將被等離子體蝕刻腐蝕的部分之外，當(dāng)重復(fù)蝕刻時(shí)，通過被蝕刻物質(zhì)(例如聚積的基于氟的聚合物和抗蝕劑)的最顯著聚積而形成的膜會變厚，從而剝離所述膜狀物質(zhì)，由此導(dǎo)致粉塵污染成膜基材，并因此會遇到形成所述保持狀態(tài)的頻率高的問題。
如前所述，在制造半導(dǎo)體的過程中，使用腐蝕性氣體或等離子體的步驟涉及到如下的問題例如由于腐蝕所述部件而產(chǎn)生顆粒、在此之后對制品的污染以及產(chǎn)量的下降。另外，盡管已經(jīng)提出了能夠抑制這些問題的耐蝕玻璃，但是所述耐蝕玻璃價(jià)格昂貴并且耐熱性不足，因此它們的應(yīng)用受到了限制。另外，即使有意將這種耐蝕玻璃噴涂在耐熱部件上，也不存在用于將具有高軟化點(diǎn)的耐蝕玻璃以優(yōu)良的粘結(jié)作用噴涂在基底材料上的技術(shù)。另外，在使用成膜裝置或等離子體處理裝置中，本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域中一個(gè)極為重要的問題是防止產(chǎn)生通過剝離粘結(jié)至所述裝置內(nèi)的部件上的膜狀物質(zhì)而造成的廢料(外來物質(zhì))或顆粒。
發(fā)明概述在前述的現(xiàn)有狀況下，本發(fā)明人作了廣泛而深入的研究。結(jié)果已經(jīng)發(fā)現(xiàn)包含噴涂有含有至少一種選自元素周期表2a族、3a族和4a族的元素的耐蝕玻璃噴涂層的基底材料的部件、特別是包含噴涂具有含有至少一種選自元素周期表2a族、3a族和4a族的元素的硅酸鋁玻璃或硅酸鋯玻璃的耐蝕玻璃噴涂層的基底材料的部件不僅具有對腐蝕性氣體或含腐蝕性氣體的等離子體的特別高的耐蝕性，而且具有作為用于被加熱部分中的部件的充足的耐熱性。另外已經(jīng)發(fā)現(xiàn)所述耐蝕部件與具有相同組成的本體玻璃部件相比對腐蝕性氣體或等離子體的耐蝕性變大。另外，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)為了以優(yōu)良的粘結(jié)作用將軟化點(diǎn)超過1,000℃的耐蝕玻璃噴涂在基底材料上，尤其有效的是不僅將噴涂溫度設(shè)置在所述噴涂原料玻璃的軟化點(diǎn)或更高溫度，而且在使得所述基底材料的最外表面熔融的溫度下進(jìn)行噴涂，此外有效的是當(dāng)將耐蝕玻璃噴涂在形成于所述基底材料上的含有SiO2的玻璃噴涂層中間層上時(shí)，所述基底材料與耐蝕玻璃噴涂層之間的粘結(jié)作用優(yōu)良。此外，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)對于具有形成于其中的鋁或鋯和2a族、3a族和4a族元素中的至少一種的濃度低的球狀突起層的耐蝕部件而言，通過剝離聚積在所述耐蝕部件表面上的膜狀物質(zhì)而造成的粉塵較少，并從而實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
附圖簡述

圖1是表示在Si-Al-3a族三組分的三角圖中本申請的優(yōu)選范圍圖示；圖2是表示在Si-Zr-3a族三組分的三角圖中本申請的優(yōu)選范圍圖示；圖3是表示在Si-Zr-2a族三組分的三角圖中本申請的優(yōu)選范圍圖示；圖4是表示常用的等離子體噴涂裝置的一個(gè)實(shí)施方案的圖示；圖5是表示雙噴頭型(double torch type)等離子體噴涂裝置的一個(gè)實(shí)施方案的圖示；和圖6是表示形成的球狀突起層的一個(gè)實(shí)施方案的照片。
在附圖中，參考數(shù)字和符號如下。
10陰極11陽極12等離子體氣體13噴涂粉末(供料罐)14噴涂距離15基底材料16玻璃噴涂層17電源20陰極21陽極22等離子體氣體(供料罐)23噴涂粉末(供料罐)24噴涂距離25基底材料
26玻璃噴涂層27等離子體氣體(供料罐)28主電源29輔助電源實(shí)施本發(fā)明的最佳方式下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的耐蝕部件。
本發(fā)明的耐蝕玻璃噴涂層必須是無定形玻璃。這是因?yàn)楫?dāng)所述耐蝕玻璃噴涂層是結(jié)晶的情況下，所述晶粒邊界會在腐蝕性氣體氛圍中被選擇性地蝕刻，從而導(dǎo)致由于所述晶粒的脫落而造成顆粒的產(chǎn)生?？梢酝ㄟ^在借助于X-射線衍射評價(jià)所述噴涂層中觀察是否出現(xiàn)晶體衍射峰而確定所述耐蝕玻璃是否是無定形的。
本發(fā)明的耐蝕部件的耐蝕玻璃噴涂層的組成含有至少一種選自元素周期表2a族、3a族和4a族的元素。這里提及的2a族是指堿土金屬元素，包括Be、Mg、Ca、Sr和Ba；這里提及的3a族是指Sc、Y或鑭系元素；這里提及的4a族是指Ti、Zr或Hf。所述含有2a族、3a族或4a族的元素的玻璃與腐蝕性氣體或其等離子體的反應(yīng)活性低；即使發(fā)生了與所述腐蝕性氣體中的氟的反應(yīng)，所形成的物質(zhì)也是高沸點(diǎn)化合物；并且其可有效地抑制由所述等離子體或腐蝕性氣體造成的蝕刻。
在含有上述元素的無定形玻璃中，本發(fā)明的耐蝕玻璃噴涂層尤其優(yōu)選為硅酸鋁玻璃或硅酸鋯玻璃。由于包含于硅酸鋁玻璃或硅酸鋯玻璃中的鋁或鋯與氟一起類似于前述的2a或3a族元素僅形成高沸點(diǎn)化合物，因此其可有效地抑制由基于氟的等離子體或腐蝕性氣體造成的蝕刻。
待用于本發(fā)明的耐蝕玻璃噴涂層的玻璃優(yōu)選為含有尤其在前述組成中的Y、La和Ce的至少一種的硅酸鋁玻璃或硅酸鋯玻璃。
優(yōu)選的是根據(jù)除氧之外的金屬原子的原子比，本發(fā)明的耐蝕玻璃噴涂層的組成包含1～30原子％的2a族、3a族或4a族的元素和20～99原子％的Si元素。特別地，在硅酸鋁玻璃的情況下，該組成優(yōu)選包含20～98原子％的Si元素、1～30原子％的Y、La或Ce元素和1～50原子％的Al元素。其中，特別優(yōu)選的是所述硅酸鋁玻璃具有的組成使得各金屬元素(Si∶Al∶3a族)的原子比落入連接各點(diǎn)(70∶20∶10)、(50∶20∶30)、(30∶40∶30)、(30∶50∶20)、(45∶50∶5)和(70∶25∶5)的范圍內(nèi)。該范圍示于圖1中。
同樣，在硅酸鋯玻璃的情況下，該組成優(yōu)選包含20～98原子％的Si元素、1～30原子％的Y、La或Ce元素和1～50原子％的Zr元素。其中，特別優(yōu)選的是所述硅酸鋯玻璃具有的組成使得各金屬元素(Si∶Zr∶3a族)的原子比落入連接各點(diǎn)(70∶25∶5)、(70∶10∶20)、(50∶20∶30)、(30∶40∶30)、(30∶50∶20)和(45∶50∶5)的范圍內(nèi)。該范圍示于圖2中。
另外，其中特別優(yōu)選的是所述硅酸鋯玻璃具有的組成使得各金屬元素(Si∶Zr∶3a族)的原子比落入連接各點(diǎn)(70∶25∶5)、(70∶10∶20)、(50∶22∶28)、(30∶42∶28)、(30∶50∶20)和(45∶50∶5)的范圍內(nèi)。
此外，在含有2a族的硅酸鋯玻璃的情況下，優(yōu)選的是所述硅酸鋯玻璃具有的組成使得各金屬元素(Si∶Zr∶2a族)的原子比落入連接各點(diǎn)(70∶25∶5)、(45∶25∶30)、(30∶40∶30)、(30∶50∶20)和(50∶45∶5)的范圍內(nèi)。該范圍示于圖3中。在上述組成范圍內(nèi)，所述玻璃處于穩(wěn)定區(qū)域內(nèi)并且?guī)缀醪唤Y(jié)晶。另一方面，當(dāng)所述組成超出該范圍以及Al或Zr和2a族或3a族元素的濃度高時(shí)，所述玻璃易于結(jié)晶，并形成所述顆粒邊界和孔隙，腐蝕由此發(fā)展，從而可能造成所述顆粒的產(chǎn)生。另外，所述耐蝕玻璃噴涂層的熱膨脹系數(shù)增加，并且所述耐蝕玻璃噴涂層易于從基底材料上剝離。同樣，當(dāng)Al或Zr和2a族或3a族元素的濃度低時(shí)，所述噴涂粉末在噴涂的時(shí)候幾乎不熔化，并且所述噴涂層易于包含許多孔隙。腐蝕作用從這些孔隙發(fā)展，從而可能造成所述顆粒的產(chǎn)生。
盡管用于本發(fā)明的上述玻璃的軟化點(diǎn)根據(jù)所述組成而變化，但其處于1,000～1,700℃的范圍內(nèi)，該值高于目前為止已經(jīng)用于噴涂的玻璃的軟化點(diǎn)。
對用于本發(fā)明的基底材料沒有特殊的限制，但是優(yōu)選使用具有高耐熱性或高導(dǎo)熱性的基底材料，包括耐熱玻璃例如石英玻璃、Vycor和Pyrex；金屬例如不銹鋼和鉻鎳鐵合金；以及陶瓷例如富鋁紅柱石。
所用的基底材料的表面優(yōu)選具有1～50μm的表面粗糙度Ra。通過將表面粗糙度設(shè)置在1～50μm，可提高所述耐蝕玻璃噴涂層與基底材料之間的粘結(jié)性。當(dāng)表面粗糙度Ra小于1μm時(shí)，所述耐蝕玻璃噴涂層易于從所述基底材料上剝離，并且難以在所述基底材料上均勻地涂覆所述耐蝕玻璃噴涂層。另一方面，當(dāng)表面粗糙度Ra超過50μm時(shí)，難以使耐蝕玻璃噴涂層的表面平滑，并且難以抑制由所述等離子體或腐蝕性氣體造成的蝕刻。
盡管對本發(fā)明的耐蝕玻璃噴涂層的厚度沒有限制，但是其優(yōu)選為0.01mm～3mm，尤其優(yōu)選為0.01～0.5mm。當(dāng)所述耐蝕玻璃噴涂層的厚度大于該范圍時(shí)，由于與所述基底材料的熱膨脹系數(shù)的差異，所述耐蝕玻璃噴涂層易于引起裂紋或剝離。另一方面，當(dāng)其小于0.01mm時(shí)，所述耐蝕玻璃噴涂層不足以作為保護(hù)膜?？梢酝ㄟ^顯微觀察所述部件的橫截面、通過借助EPMA(X-射線微量分析儀)對所述部件橫截面中的組成元素進(jìn)行組成分析等方式來確定所述耐蝕玻璃噴涂層的厚度。
本發(fā)明的耐蝕部件的耐蝕玻璃噴涂層的表面粗糙度Ra優(yōu)選為0.01～5μm，尤其優(yōu)選小于2μm。當(dāng)所述耐蝕玻璃噴涂層的表面光滑度差以致于其變得粗糙時(shí)，特別地，如在所述耐蝕玻璃噴涂層表面上形成的突起形狀體中的邊緣部分會被所述等離子體或腐蝕性氣體選擇性地蝕刻，從而可能造成所述顆粒的產(chǎn)生。
特別優(yōu)選的是本發(fā)明的耐蝕部件在所述基底材料與耐蝕玻璃噴涂層之間具有軟化點(diǎn)為1,500℃或更高的含有SiO2的玻璃噴涂層中間層。在其中于高溫下使用所述基底材料和耐蝕玻璃噴涂層的情況下，由于在所述基底材料與所述耐蝕玻璃噴涂層之間的連接面上其間的熱膨脹系數(shù)的差異，因此可能會產(chǎn)生應(yīng)力，從而兩者易于彼此剝離分開。于是，通過在所述基底材料與耐蝕玻璃噴涂層之間提供含有SiO2的玻璃噴涂層中間層以減少所述應(yīng)力，即使通過在高溫下使用所述部件也可以保持所述基底材料與耐蝕玻璃噴涂層之間的粘結(jié)作用。此外，在噴涂玻璃過程中，將所噴涂的玻璃原料熔化并通過噴射氣體將其在所述基材上方飛射，從而可能導(dǎo)致氣泡產(chǎn)生。然而，當(dāng)存在軟化點(diǎn)為1,500℃或更高的含有SiO2的玻璃噴涂層中間層時(shí)，一部分所述耐蝕玻璃噴涂層熔化進(jìn)入該中間層中，以使得所述噴涂層易于保存在所述噴涂表面上。因而可防止引入氣泡，由此形成精密的耐蝕玻璃噴涂層。
本發(fā)明的耐蝕部件由基底材料和耐蝕玻璃噴涂層或者由基底材料、含有SiO2的玻璃噴涂層中間層和耐蝕玻璃噴涂層組成。然而在本發(fā)明中，優(yōu)選的是這些不是僅僅層壓的而是在每一界面處形成已經(jīng)熔融的融合層。在其中耐蝕玻璃噴涂層層壓在其表面已經(jīng)通過噴砂等變得粗糙的基底材料上而不形成融合層的情況下，在一定程度上通過所述耐蝕玻璃噴涂層侵入該基底材料的粗糙表面中而獲得粘結(jié)作用。然而，當(dāng)在高溫下使用時(shí)，由于所述基底材料與耐蝕玻璃噴涂層之間的熱膨脹系數(shù)的差異，因而會發(fā)生剝離。根據(jù)本發(fā)明的部件，通過不僅所述耐蝕玻璃噴涂層侵入表面粗糙度Ra為1～50μm的基底材料的表面而且在該界面上形成融合層的方式獲得特別高的粘結(jié)性。
盡管對前述融合層的厚度沒有特殊限制，但是其優(yōu)選為10～500μm。當(dāng)所述融合層的厚度小于10μm時(shí)，所述粘結(jié)性不足以展現(xiàn)；當(dāng)其為500μm或更大時(shí)，具有耐蝕性的部分的厚度變薄，因此這不是優(yōu)選的。
可以通過借助于EPMA對所述耐蝕玻璃噴涂層與基底材料之間的連接面的組成分析或者對在所述耐蝕部件的橫截面中含有SiO2的玻璃噴涂層中間層的組成分析來確認(rèn)前述融合層的形成。在形成融合層的情況下，可以確認(rèn)在融合層中屬于所述耐蝕玻璃噴涂層和基底材料兩者的組成元素。
本發(fā)明的耐蝕部件不是其中僅僅組合所述耐蝕玻璃和基底材料的那種，而是其中與常規(guī)的本體耐蝕玻璃部件相比對腐蝕性氣體或等離子體的耐蝕性增強(qiáng)的那種。在常規(guī)的本體耐蝕玻璃部件中，所述耐蝕性消散。消散的原因不清楚。然而例如，在本體部件中，為了使所述部件的表面平滑，拋光處理是必要的。因此，可以認(rèn)為在所述玻璃表面上可能會形成由于拋光處理造成的缺陷，由此從該缺陷開始腐蝕作用得以發(fā)展。對照而言，在本發(fā)明的耐蝕部件中，由于僅通過噴射火焰的加熱作用而使得所述表面平滑，因此可以認(rèn)為不會形成由作為腐蝕起點(diǎn)的機(jī)械處理而造成的缺陷，從而得以展現(xiàn)超過本體部件的性能。另外，在本發(fā)明的耐蝕部件中，特別地在其中使用具有高導(dǎo)熱性的基底材料的情況下，可以認(rèn)為促進(jìn)了所述耐蝕玻璃噴涂層表面的熱擴(kuò)散作用，從而可抑制該耐蝕玻璃噴涂層表面的腐蝕反應(yīng)。此外，在常規(guī)的本體玻璃中，當(dāng)使用具有大原子重量的3a族等情況時(shí)，3a族元素易于在所述玻璃熔體中下沉，以致于難以使得所述組成均勻。因此，可能會形成作為腐蝕起點(diǎn)的具有非均勻組成的部分。對照而言，根據(jù)本發(fā)明的方法，可以認(rèn)為由于所述耐蝕玻璃噴涂層在該耐蝕玻璃噴涂層的厚度范圍內(nèi)以完全熔融的狀態(tài)形成，因此幾乎不形成非均勻的組成。
接下來將在下面描述本發(fā)明的耐蝕部件的制備方法。
本發(fā)明的耐蝕部件的噴涂層可以通過等離子體噴涂、火焰噴涂或者高速火焰噴涂的方式形成。另外，可以通過形成耐蝕玻璃噴涂層并同時(shí)通過噴涂火焰將所述基底材料的表面熔化而制得致密而透明的噴涂層。
優(yōu)選的是本發(fā)明的耐蝕玻璃噴涂層形成的方式使得所述基底材料溫度在噴涂后為100℃～400℃。所述基底材料溫度范圍適合于其中使用常見的等離子體噴涂裝置通過等離子體火焰長度約50mm的湍流態(tài)火焰進(jìn)行噴涂的情況。根據(jù)該噴涂方法，通過借助于等離子體火焰僅將噴涂粉末熔化并借助于噴射氣體將該熔融的噴涂粉末噴涂在所述基底材料上而形成厚涂層。盡管通過在這種條件下噴涂而制備的涂層是不透明的，但是可以獲得相對致密的涂層。為了獲得所述噴涂火焰，例如在圖4所示的噴涂裝置的情況下，可以列舉如下條件其中輸出功率為30kW或更高，噴涂距離為約100mm。在這種條件下形成的噴涂層中，即使當(dāng)所述涂層厚度為0.2mm或更大時(shí)，該涂層也幾乎不斷裂。
在于高溫下用于例如CVD裝置的耐蝕部件中，透明而致密的噴涂層被認(rèn)為是必需的。為了在這種場合中應(yīng)用，可以通過在借助層流噴涂火焰將所述基底材料表面熔化的同時(shí)實(shí)現(xiàn)噴涂的方式形成透明而致密的噴涂層。為了實(shí)現(xiàn)該噴涂，例如通過使用如圖5所示的雙噴頭型等離子體噴涂裝置，可以形成長度為幾百毫米的層流等離子體火焰，并且可以在通過該火焰將所述基底材料表面熔化的同時(shí)進(jìn)行所述噴涂。盡管通過該噴涂方法形成的噴涂層是致密的，但是當(dāng)涂層厚度超過0.2mm時(shí)，由于該噴涂層中的殘留應(yīng)力可能會形成裂紋。
用于本發(fā)明的噴涂原料是具有包含2a族和3a族的至少一種元素的玻璃組成的原料，并且優(yōu)選使用粉末狀原料。所述具有包含2a族、3a族和4a族的任一元素的玻璃組成的粉末狀原料可以例如通過電熔化方式將二氧化硅和2a族、3a族或4a族的氧化物的粉末顆粒的混合物熔化或者在其中所述玻璃為硅酸鋁或硅酸鋯的情況下將規(guī)定比例的氧化鋁或氧化鋯粉末與二氧化硅粉末和2a族、3a族或4a族的氧化物的混合物熔化以制備玻璃錠和然后將其粉碎而制備。另外，該粉末原料可以通過將二氧化硅粉末、2a族、3a族或4a族的氧化物、氧化鋁粉末和氧化鋯粉末的混合粉末配制成漿料、對該混合漿料進(jìn)行噴霧干燥以制備顆粒和然后將所述顆粒燒結(jié)的方法或者其他方法獲得。
盡管對用于噴涂的原料粉末的顆粒尺寸沒有限制，但是就平均顆粒尺寸而言，其優(yōu)選為20～100μm。當(dāng)平均顆粒尺寸小于20μm時(shí)，由于所述原料粉末本身不具有充分的流動性，因此難以均勻地將所述原料供入所述噴射火焰。另外，當(dāng)平均顆粒尺寸超過100μm時(shí)，所噴涂顆粒的熔化變得不均勻，從而所得到的噴涂層對基底材料的粘結(jié)性容易變差。
在形成所述耐蝕玻璃噴涂層中，優(yōu)選在預(yù)先將所述基底材料的表面預(yù)加熱之后實(shí)現(xiàn)噴涂。在將所述基底材料表面熔化的過程中，預(yù)先對所述基底材料的表面預(yù)加熱可有效地防止該基底材料由于熱沖擊而破裂并獲得具有高粘結(jié)性的耐蝕玻璃噴涂層。所述預(yù)加熱溫度根據(jù)所用基底材料的種類而變化。當(dāng)通過噴涂火焰使得所述表面熔化時(shí)，例如在石英玻璃基底材料的情況下，所述預(yù)加熱溫度優(yōu)選為400～1,500℃，尤其優(yōu)選為400～800℃。當(dāng)所述預(yù)加熱溫度提高得太多時(shí)，所述玻璃會發(fā)生結(jié)晶，因此這不是優(yōu)選的。可以通過借助外部加熱器加熱基底材料或者將基底材料暴露于噴涂火焰中而不提供所述原料等的方式進(jìn)行預(yù)加熱。預(yù)加熱溫度可以通過來自基底材料背面的熱電偶測量或者通過非接觸輻射溫度計(jì)等測量。
在本發(fā)明的噴涂中，在將基底材料暴露于所用的噴涂火焰和噴涂粉末中噴槍與基底材料之間的距離根據(jù)所使用的裝置而變化。例如，在圖4所示的常用等離子體輻射裝置的情況下，為了獲得致密的噴涂層，列舉如下條件其中基底材料與位于噴槍尖端的粉末供料罐之間的噴涂距離為約50mm，噴射功率為30kW或更高。
用于本發(fā)明的噴涂方法優(yōu)選為等離子體噴涂。除了等離子體噴涂之外，還可以采用火焰噴涂或其他方法。在制備玻璃質(zhì)噴涂層的情況下，為了獲得致密的噴涂層，優(yōu)選的是通過湍流態(tài)的常用等離子體火焰進(jìn)行的常規(guī)噴涂。然而為了獲得致密的噴涂層，在所述等離子體噴涂方法中，優(yōu)選的是使用雙噴頭型等離子體噴涂裝置通過層流等離子體火焰的噴涂。圖5示出了雙噴頭型等離子體噴涂裝置的略圖。在雙噴頭型等離子體噴涂裝置的情況下，由于可以形成長度為幾百毫米的層流等離子體火焰(通常為長度約50mm的湍流態(tài)等離子體火焰)，因此即使當(dāng)所述噴涂距離為100mm時(shí)，也可以獲得對所述基材具有高粘結(jié)性的噴涂層。在火焰噴涂的情況下，優(yōu)選使用具有高火焰溫度的氣體例如氧氣和乙炔或氫氣的組合進(jìn)行噴涂。在圖5所示的雙噴頭型等離子體噴涂裝置的情況下，特別優(yōu)選的是基底材料與位于噴槍尖端的粉末供料罐之間的噴涂距離約為60～150mm，噴射功率為10～25kW。
在形成本發(fā)明中的耐蝕玻璃噴涂層中，為了獲得致密的噴涂層，必須通過噴涂火焰的前述預(yù)加熱和加熱使所述基底材料表面熔化。在等離子體噴涂的情況下，噴涂火焰的溫度通常為3,000～20,000℃。在本發(fā)明中，通過所述噴涂火焰使前述預(yù)加熱的基底材料表面熔化。
例如，在使用石英玻璃作為基底材料的情況下，所述表面在基底材料的表面溫度為1,600～2,100℃下熔化。另外，當(dāng)該溫度分別對于Vycor設(shè)置為1,500～2,000℃、對于Pyrex設(shè)置為800～1,200℃、對于金屬例如不銹鋼和鉻鎳鐵合金設(shè)置為1,300～1,900℃和對于陶瓷例如富鋁紅柱石設(shè)置為1,800～2,400℃時(shí)，該表面得以熔化。這些溫度是基底材料的表面溫度，并且不要求其整體設(shè)置達(dá)到該溫度。當(dāng)將基底材料整體設(shè)置在前述溫度下時(shí)，該基底材料本身軟化并且彎曲，因此這會是一個(gè)問題。
在噴涂的時(shí)候難以直接測量基底材料表面的溫度。然而，當(dāng)基底材料表面已經(jīng)到達(dá)其熔化溫度時(shí)，由于基底材料表面發(fā)光尤其明亮，因此這可以通過目測確認(rèn)。可以通過觀察噴涂后在所述基底材料與噴涂層之間的界面上是否形成融合層來確認(rèn)基底材料表面實(shí)際上是否已經(jīng)熔化。
另外，為了當(dāng)基底材料表面的溫度設(shè)置在前述溫度下時(shí)該基底材料不會因熱沖擊而破裂，優(yōu)選的是通過前述預(yù)加熱或者其與不同于噴涂火焰的外部加熱組合而將基底材料的溫度保持在低于所述熔化溫度約200～1,000℃的溫度下。
在本發(fā)明中，優(yōu)選通過借助噴涂火焰將所述耐蝕玻璃噴涂層的表面熔化而使該表面平滑，以使得表面粗糙度Ra為0.01～5μm，尤其為0.01～3μm。通過使耐蝕玻璃噴涂層的表面平滑，可特別地提高對等離子體和腐蝕性氣體的耐蝕性。
根據(jù)前述的熔化處理，通過同時(shí)將所述基底材料表面和耐蝕玻璃噴涂層熔化，可以在短時(shí)間內(nèi)形成具有優(yōu)良的耐蝕性和粘結(jié)性的耐蝕玻璃噴涂層。
作為用于本發(fā)明的基底材料，優(yōu)選表面粗糙度為1～50μm的那些。當(dāng)使用具有平滑表面的基底材料時(shí)，由于在噴涂時(shí)火焰的風(fēng)壓，所述噴涂的耐蝕玻璃幾乎不保持在基底材料表面上并且在該基底材料表面上移動。因此，成膜的產(chǎn)率和速率變慢，并且所述厚度可能變得不均勻。對照而言，在使得基底材料表面的表面粗糙度Ra為1～50μm的情況下，可以獲得不存在耐蝕玻璃噴涂層分離的均勻厚度。
作為使得基底材料表面的表面粗糙度Ra為1～50μm的方法，可以列舉如下方法預(yù)先將具有這種表面粗糙度的噴涂層噴涂在基底材料上的方法，或者使基底材料本身經(jīng)受噴砂處理或者噴砂處理與采用氫氟酸的化學(xué)蝕刻的組合的方法等。特別地優(yōu)選形成軟化點(diǎn)為1,500℃或更高的含有SiO2的玻璃噴涂層。優(yōu)選形成含有SiO2的玻璃噴涂層中間層的原因在于除了減輕所述基底材料與耐蝕玻璃噴涂層之間的應(yīng)力之外，二氧化硅容易與所述耐蝕玻璃一起形成適當(dāng)?shù)娜诤蠈?，從而增?qiáng)該基底材料與耐蝕玻璃噴涂層之間的粘結(jié)作用。
在本發(fā)明的耐蝕部件用于與成膜裝置或等離子處理裝置的容器或部件的情況下，區(qū)別于被蝕刻的部位，存在其中被蝕刻物質(zhì)例如基于氟的聚合物和抗蝕劑最顯著聚積的部位。所述材料可用于這種部位。即，該部件是其中由于就鋁或鋯以及2a族、3a族和4a族元素中的至少一種的濃度而言所述噴涂層的最外表面低于內(nèi)噴涂層從而形成球狀突起層的部件。盡管形成這種球狀突起層的原因并不清楚，但是可以認(rèn)為當(dāng)鋁或鋯以及2a族、3a族和4a族元素中的至少一種的濃度低時(shí)，不僅可以提高變成玻璃的噴涂原料的熔點(diǎn)，而且在噴涂時(shí)所述粘度增大，從而甚至在與基底材料碰撞之后也可保持成球形。當(dāng)在所述表面上存在該突起層時(shí)，除了所述材料固有的高耐蝕性之外，還提高了聚積在所述耐蝕部件表面上的膜狀物質(zhì)的保持性能，從而可以抑制顆粒的產(chǎn)生。關(guān)于所述噴涂層的最外表面和內(nèi)噴涂層的突起層的熔點(diǎn)，優(yōu)選的是所述噴涂層的最外表面的突起層的熔點(diǎn)為1,500℃或更高。當(dāng)該突起層的熔點(diǎn)為1,500℃或更高時(shí)，粘度增大，并且該噴涂層表面的不均勻性變大。
本發(fā)明的耐蝕部件可用于成膜裝置或等離子體處理裝置的容器或部件。就使用所述耐蝕部件的方法而言，所述耐蝕材料可用于這些裝置中與腐蝕性氣體或等離子體接觸的部位。更特別地，可列舉將其用作環(huán)狀聚焦環(huán)或者鐘罩。
這里提及的成膜裝置包括例如CVD(化學(xué)氣相沉積)裝置和PVD(物理氣相沉積)裝置。通常在使用之后用基于氟的氣體清潔反應(yīng)管、鐘罩等。在這種情況下，會遇到例如由于清潔而造成的腐蝕作用和由此導(dǎo)致的顆粒產(chǎn)生的問題。然而，通過使用本發(fā)明的耐蝕部件，可以解決這些問題。
另外，這里提及的等離子體處理裝置包括例如等離子體蝕刻裝置和等離子體清洗裝置，以及指的是將置于該裝置內(nèi)的制品暴露于等離子體下從而剝離或者清洗制品表面的裝置。由于在這些裝置的環(huán)狀聚焦環(huán)或鐘罩中用基于氟的等離子體進(jìn)行蝕刻，因此在其中裝置內(nèi)的部件與腐蝕性氣體或等離子體接觸的部位存在產(chǎn)生顆粒的問題。類似地，甚至在這種情況下，當(dāng)使用本發(fā)明的耐蝕部件時(shí)，其幾乎不會被腐蝕并且較少地產(chǎn)生顆粒。
實(shí)施例下面將基于實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明，但不應(yīng)該認(rèn)為本發(fā)明僅限于這些實(shí)施例11)基底材料的制備在石英玻璃基底材料上，采用圖5所示的雙噴頭型等離子體噴涂裝置使得氮?dú)饬鲃幼鳛橐?SLM速率的等離子體氣體以形成功率為21kW的等離子體，并且在將噴涂距離調(diào)節(jié)在80mm而不提供原料粉末的同時(shí)使得噴槍以80mm/min的速率移動，由此預(yù)加熱所述石英玻璃基底材料。此時(shí)，所述等離子體處于長度約30cm的層流態(tài)。接下來，在以160mm/sec的速率移動噴槍的同時(shí)以4.5g/min的速率提供石英粉末并噴涂。在以300mm/min的速率移動噴槍的同時(shí)將受試噴涂表面暴露于等離子體下而不提供原料粉末，由此將粘結(jié)到該表面上的粉末物質(zhì)熔化。由此制得涂有石英噴涂層的表面粗糙度Ra為15μm的石英玻璃基底材料(基底材料A)。
另外，以與上述相同的方式在石英玻璃材料上涂覆作為硅酸硼玻璃的Vycor噴涂層，以制備表面粗糙度Ra為15μm的石英玻璃基底材料(基底材料B)。接下來制備僅通過噴砂處理的表面粗糙度Ra為6μm的石英玻璃基底材料(基底材料C)；在噴砂后用24％的氫氟酸處理的表面粗糙度Ra為7μm的石英玻璃基底材料(基底材料D)；通過噴砂處理的表面粗糙度為10μm的不銹鋼基底材料(基底材料E)；通過噴砂處理的表面粗糙度為5μm的富鋁紅柱石基底材料(基底材料F)；和通過將石英玻璃噴涂層涂覆在Vycor基底材料上而制備的表面粗糙度Ra為15μm的石英玻璃基底材料(基底材料G)。
2)噴涂用原料粉末的制備將表1所示的各金屬元素的氧化物混合，然后通過在1,700℃下加熱使所述混合物熔化而制得150mmφ×20mmt的玻璃體。將所述受試玻璃體粉碎并分級以制得顆粒尺寸為38～105μm的玻璃噴涂粉末(平均顆粒尺寸60μm)。
3)耐蝕玻璃噴涂層的形成使用1)中制備的各種基底材料的每一種，使用圖5所示的雙噴頭型等離子體噴涂裝置使得氮?dú)饬鲃幼鳛橐?SLM(標(biāo)準(zhǔn)升每分鐘)速率的等離子體氣體，并且在將噴涂距離調(diào)節(jié)在100mm以形成功率為11～20kW的等離子體的同時(shí)使得噴槍以160mm/sec的速率移動，由此預(yù)加熱所述基底材料而不提供原料粉末。
接下來，將如前述方法中制備的玻璃噴涂粉末以2g/min的供料速率一次噴涂，同時(shí)使得噴槍以240mm/sec的速率和4mm的間距移動，以形成耐蝕玻璃噴涂層。連續(xù)地將功率為21～25kW的等離子體暴露在所形成的耐蝕玻璃噴涂層上而不提供噴涂原料粉末，同時(shí)使得噴槍以80mm的噴涂距離和20～80mm/sec的速率移動，由此將所述耐蝕玻璃噴涂層和基底材料表面熔化。用于熔化各基底材料表面的條件是其中在不存在耐蝕玻璃噴涂層下施加噴涂火焰的過程中所述基底材料表面強(qiáng)烈地發(fā)光呈白色或者淡黃色的條件。
4)性能評價(jià)-1(耐蝕性)使用如3)中制備的各自噴涂有不同組成的耐蝕玻璃的耐蝕部件，測量在將其暴露于含有基于氟的氣體的等離子體時(shí)的蝕刻速率和顆粒量。通過熒光X-射線分析測量耐蝕玻璃噴涂層表面的組成，并通過EPMA測量在與基底材料界面上的組成。在所有界面上觀察融合層的形成。另外，在其中制得中間層的基底材料中，中間層的厚度為150μm。至于蝕刻條件，將反應(yīng)處理室中的壓力調(diào)節(jié)在1托，用CF4/O2氣體作為反應(yīng)氣體，并在電極板之間施加300W的高頻電功率以產(chǎn)生等離子體。使用高度差測量方法測量蝕刻厚度，并通過借助掃描電子顯微鏡觀察耐蝕部件表面上的顆粒物質(zhì)而評價(jià)顆粒的產(chǎn)生。結(jié)果示于表1中。所有耐蝕部件具有0.2μm/hr的低蝕刻速率、耐蝕性能優(yōu)異并且產(chǎn)生的顆粒較少。
5)性能評價(jià)-2(耐熱性(熱循環(huán)剝離實(shí)驗(yàn)))重復(fù)在空氣中將如3)中制備的各自噴涂有不同組成的耐蝕玻璃的耐蝕部件加熱至800℃和冷卻至室溫。在使用基底材料A、B和G的部件中，當(dāng)重復(fù)加熱和冷卻10次之后沒有觀察到基底材料與耐蝕玻璃噴涂層之間的剝離。然而，在使用通過噴砂或者噴砂和蝕刻得到的基底材料(基底材料C、D、E和F)的部件中，部分觀察到剝離，具有由含有SiO2的玻璃噴涂層制成的中間層的部件抵抗熱循環(huán)的粘結(jié)性能優(yōu)異。
實(shí)施例21)耐蝕噴涂層的形成和評價(jià)對于實(shí)施例1-1)中制得的基底材料D使用以與實(shí)施例1-2)中相同的方式由表2所示的各金屬元素的氧化物制得的噴涂粉末，使用圖5所示的雙噴頭型等離子體噴涂裝置使得氮?dú)饬鲃幼鳛橐?6SLM速率的等離子體氣體以形成功率為32kW的等離子體，并在噴涂距離為100mm和原料粉末的流速為7g/min下噴涂所述等離子體25次，同時(shí)使得噴槍以400mm/sec的速率和3mm的間距移動，以形成耐蝕噴涂層。此時(shí)，等離子體火焰處于湍流態(tài)。對于所述噴涂層，通過借助SEM觀察噴涂層的橫截面而確認(rèn)涂層質(zhì)量作為性能評價(jià)；致密的記作“○”，多孔的記作“×”。另外，通過X-射線衍射確認(rèn)玻璃化；其中衍射圖案僅是表現(xiàn)無定形的空心圖案的情況記作“○”，其中表示存在結(jié)晶物質(zhì)的峰的情況記作“×”。結(jié)果示于表2的No.21～35。成膜噴涂層的厚度超過0.30mm。在這些噴涂層中，以與實(shí)施例1～4)中相同的方式評價(jià)其中確認(rèn)了玻璃化的樣品的耐蝕性。所有耐蝕部件具有不超過1.0μm/hr的低蝕刻速率并且耐蝕性優(yōu)異。特別地，No.22、24、25、29、30、33和34具有致密的組成、不超過0.4μm/hr的低蝕刻速率并且耐蝕性能非常出色。
2)表面球狀突起層的形成在與上述1)中相同的條件下將具有表2 No.36的內(nèi)部組成的內(nèi)噴涂層噴涂到實(shí)施例1-1)所制得的基底材料D上，接著在與上述1)中相同的條件下以表2 No.37的表面組成噴涂，不同的是將原料粉末的流速改變?yōu)?g/min和將次數(shù)改為5次。由此在所述表面上形成突起層。形成的突起層示于圖6中。該表面突起層具有球形并且Ra為15μm。
3)對沉積物的保持性的評價(jià)為了評價(jià)如上面2)中獲得的樣品的沉積物的保持性，將所述樣品用于等離子體蝕刻裝置中聚積有涂層的部位。結(jié)果，盡管通常每50小時(shí)進(jìn)行維護(hù)，但是該樣品能夠連續(xù)使用100小時(shí)。
對比實(shí)施例分別對以下部件以與所述實(shí)施例相同的方式測量蝕刻速率和顆粒量并且進(jìn)行熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)(僅僅對于No.16作為噴涂的部分進(jìn)行熱循環(huán)測試)其中使用Al和La的氧化物作為起始原料以與實(shí)施例(No.16)中相同的方式在表面粗糙度Ra為15μm的涂覆SiO2噴涂層的石英玻璃基底材料(基底材料A)上制備結(jié)晶物質(zhì)噴涂層的部件；通過將與所述實(shí)施例中所用的噴涂層具有相同組成的本體玻璃錠的表面進(jìn)行機(jī)械拋光使得表面粗糙度Ra為1μm(No.17)而制備的部件；和不帶有噴涂層的石英玻璃基底材料(No.18)。
在No.16的部件中，盡管Al和La的氧化物涂層的蝕刻速率低，但是由于結(jié)晶物質(zhì)而產(chǎn)生了許多顆粒，并且耐蝕性差。另外，在從800℃驟冷至室溫的熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)中，所述噴涂層在第3次時(shí)剝離。在玻璃錠(No.17)中，盡管蝕刻速率低，但是與所述實(shí)施例的耐蝕部件相比大量地產(chǎn)生顆粒。在不帶有耐蝕玻璃噴涂層的石英玻璃基底材料(No.18)中，耐蝕速率高達(dá)5μm/hr，并且耐蝕性差。
表1


表2


盡管已經(jīng)詳細(xì)地并且參照其特定實(shí)施方案描述了本發(fā)明，但對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯見的是可以在不偏離其精神和范圍下對其作出多種改變和變換。
本申請基于2003年1月28日提交的日本專利申請(日本專利申請No.2003-18634)，其內(nèi)容并入本文并作為參考。
工業(yè)實(shí)用性由于本發(fā)明的耐蝕部件在用于使用腐蝕性氣體或等離子體的裝置例如CVD裝置和等離子體處理裝置中具有以下優(yōu)點(diǎn)，因此可以高制品產(chǎn)率實(shí)現(xiàn)連續(xù)操作而不會導(dǎo)致產(chǎn)生顆粒和污染制品。
1)其對腐蝕性氣體或等離子體具有高耐受性。
2)其可用于其中要求耐熱性和耐蝕性的部分。
3)由于將少量昂貴的耐蝕玻璃涂覆在基底材料上，因此其價(jià)格便宜。
權(quán)利要求
1.一種包含噴涂有耐蝕玻璃噴涂層的基底材料的耐蝕部件，所述耐蝕玻璃噴涂層是含有至少一種選自元素周期表2a族、3a族和4a族的元素的硅酸鋁玻璃或硅酸鋯玻璃。
2.如權(quán)利要求1所述的耐蝕部件，其中所述耐蝕玻璃噴涂層是含有至少一種選自元素周期表3a族的元素的硅酸鋁玻璃，并且其當(dāng)以Si-Al-3a族三組分的三角圖表示時(shí)具有的組成使得各金屬元素(Si∶Al∶3a族)的原子比落入連接各點(diǎn)(70∶20∶10)、(50∶20∶30)、(30∶40∶30)、(30∶50∶20)、(45∶50∶5)和(70∶25∶5)的范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的耐蝕部件，其中所述耐蝕玻璃噴涂層是含有至少一種選自元素周期表3a族的元素的硅酸鋯玻璃，并且其當(dāng)以Si-Zr-3a族三組分的三角圖表示時(shí)具有的組成使得各金屬元素(Si∶Zr∶3a族)的原子比落入連接各點(diǎn)(70∶25∶5)、(70∶10∶20)、(50∶20∶30)、(30∶40∶30)、(30∶50∶20)和(45∶50∶5)的范圍內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的耐蝕部件，其中所述耐蝕玻璃噴涂層是含有至少一種選自元素周期表2a族的元素的硅酸鋯玻璃，并且其當(dāng)以Si-Zr-2a族三組分的三角圖表示時(shí)具有的組成使得各金屬元素(Si∶Zr∶2a族)的原子比落入連接各點(diǎn)(70∶25∶5)、(45∶25∶30)、(30∶40∶30)、(30∶50∶20)和(50∶45∶5)的范圍內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的耐蝕部件，其中在所述基底材料與耐蝕玻璃噴涂層之間提供含有SiO2的玻璃噴涂層中間層。
6.如權(quán)利要求1所述的耐蝕部件，其中在所述基底材料與耐蝕玻璃噴涂層之間的界面或者在所述基底材料、含有SiO2的玻璃噴涂層中間層和耐蝕玻璃噴涂層之間的任一界面形成由彼此相互熔融而產(chǎn)生的融合層。
7.如權(quán)利要求1所述的耐蝕部件，其中所述耐蝕玻璃噴涂層的表面粗糙度Ra為0.01～5μm。
8.一種制備如權(quán)利要求1所述的耐蝕部件的方法，其包括在通過噴涂火焰使得基底材料的表面熔化的同時(shí)形成耐蝕玻璃噴涂層。
9.如權(quán)利要求8的制備耐蝕部件的方法，其中通過借助噴涂火焰將所述耐蝕玻璃噴涂層熔化而使得該耐蝕玻璃噴涂層的表面粗糙度Ra為0.01～5μm。
10.如權(quán)利要求8的制備耐蝕部件的方法，其中將含有SiO2的玻璃噴涂層中間層和/或耐蝕玻璃噴涂層噴涂在表面粗糙度Ra為1～50μm的基底材料上。
11.如權(quán)利要求1的耐蝕部件，其中所述噴涂層的最外表面形成球狀突起層，在該球狀突起層中鋁或鋯以及2a族、3a族和4a族元素中的至少一種的濃度低于內(nèi)噴涂層的相應(yīng)濃度。
全文摘要
用于CVD裝置、等離子體處理裝置等的部件通過與腐蝕性氣體反應(yīng)或者用等離子體蝕刻而消耗，因此導(dǎo)致例如由于顆粒的產(chǎn)生而污染制品和生產(chǎn)率下降的問題。耐受腐蝕性氣體和等離子體的玻璃的耐熱強(qiáng)度差，因此應(yīng)用范圍有限。包含其上涂覆含有選自2a族、3a族和4a族中的至少一種元素的耐蝕玻璃、的玻璃噴涂層的高耐熱基底、尤其是涂覆硅酸鋁或硅酸鋯噴涂層的高耐熱基底的部件具有對腐蝕性氣體和等離子體高耐蝕性以及具有高耐熱強(qiáng)度，并且因此產(chǎn)生較少的顆粒。
文檔編號C23C4/10GK1745190SQ200480003020
公開日2006年3月8日 申請日期2004年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月28日
發(fā)明者阿部昌則, 高橋小彌太, 新井一喜, 高畑努, 橋本真吉, 向后雅則 申請人:東曹株式會社