專利名稱：用于制造一種由至少兩種組分組成的功能層的方法和設備的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種借助于PECVD源在基底上制造層的方法。
在實際中，有時候需要利用各種材料形成層。此時，當材料在層中互相混合時是有優(yōu)勢的。本發(fā)明考慮提供一種方法和一種設備，通過這種方法和設備可以制造這種復合層。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種用于制造功能層的方法，其中，將基底引入處理室中，由至少一個等離子體源例如等離子體級聯(lián)源產(chǎn)生至少一個等離子體，其中將至少一種沉積材料在等離子體的影響下沉積到基底上，同時，借助第二沉積工序?qū)⒅辽僖环N第二材料涂覆到基底上，而功能層沒有催化功能。
背景技術(shù)：
由優(yōu)選設計為等離子體級聯(lián)源的等離子體源產(chǎn)生的等離子體通常具有相對高的流出速度，因此等離子體可以精確地對準基底以便在其上沉積所述沉積材料。此外，等離子體使前體具有足夠的化學黏結(jié)活性，以便最終形成該功能層。為此目的，處理室中的壓力相對于每個源中的壓力可以被保持相對較低。此外，為了在基底上沉積的目的，在等離子體中形成的離子可以通過例如等離子體和/或適當?shù)碾妶霰怀枰扛驳谋砻婕铀?。由于等離子體源與一個不同沉積源的組合，可以獲得一個混合層，作為兩個沉積工序同時發(fā)生的結(jié)果，其中不同的材料互相混合。
因為等離子體通過至少一個等離子體源產(chǎn)生，該等離子體源優(yōu)選被設計為等離子體級聯(lián)源，可以獲得至少一種沉積材料的高沉積速率。另外，這個源的使用使一種用于制造功能層的串聯(lián)方法成為可能。因此，功能層可以高速地大量生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
使用根據(jù)本發(fā)明方法的一個可能實施例例如可以是涂覆ZnS:SiO2層。這樣的層例如被用于制造可重寫DVD盤片。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，ZnS:SiO2層借助于濺射工藝制造。這種制造方法的一個缺點在于其中使用的掩體污染得非?？欤员仨毝ㄆ谇鍧嵲撗隗w，因此造成該制造工藝生產(chǎn)能力的損失。另外，借助于濺射進行的層的涂覆相當慢。借助于根據(jù)本發(fā)明的方法，例如ZnS可以借助于等離子體源由二乙基鋅(DEZ)和H2S沉積。SiO2例如可以使用濺射工藝沉積。作為選擇，通過提供氧氣和硅烷或者提供例如TEOS的液態(tài)硅(Si)前體，SiO2可以使用一個例如等離子體串聯(lián)源的第二等離子體源而被沉積。
使用根據(jù)本發(fā)明方法的另一個可能實施例是制造用于汽車工業(yè)的防反射、耐熱和/或光學濾光器。為了制造車窗的目的，通過將一層膜涂覆到車窗的前側(cè)和/或后側(cè)，形成了一個分層結(jié)構(gòu)。在此，例如可以使用PET膜。借助于根據(jù)本發(fā)明的方法，對于PET膜，多個層可以帶有這種功能性地被涂覆。一種可能性是例如由MgF2和TiO2組成的層的組合。當將涂層非常精確地涂覆到較大表面時，沉積速率非常重要。借助于根據(jù)本發(fā)明的方法，可以實現(xiàn)非常高的沉積速率。對于金屬層進行濺射和對于陶瓷層進行級聯(lián)電弧工藝的組合在涂覆速率方面產(chǎn)生了巨大的優(yōu)勢。例如，可以通過將作為液態(tài)前體的二乙鈦和作為反應氣體O2的送入等離子體級聯(lián)源的等離子體中而形成TiO2。
根據(jù)本發(fā)明的另一個詳細描述，沉積材料被提供給處理室中至少一個等離子體源外側(cè)的等離子體。
這樣，可以避免沉積材料在內(nèi)部污染該源。為此目的，例如這種沉積材料的至少一種揮發(fā)成分可以為了沉積的目的被提供給等離子體。在這種情況下，功能層的化學成分可以通過調(diào)節(jié)功能材料揮發(fā)成分的供給而被很好地控制。通過調(diào)節(jié)需要涂覆元素的氣體化合物的氣壓，需要涂覆層的化學成分可以被控制。揮發(fā)性化合物也可以包含可以在待沉積的材料中分解的前體材料。
根據(jù)本發(fā)明方法的另一個詳細描述，第二沉積工序從包含PECVD、CVD、PVD的組中選擇，例如濺射，中空陰極濺射，可選使用蒸發(fā)皿、e-射線束以及可選由離子處理支持的氣相沉積、離子電鍍法、微波沉積法、ICP(感應耦合等離子體)、平行板式PECVD、可選的蜂巢式電極結(jié)構(gòu)等等。
這些沉積工序的每一個對于具體的應用和材料具有其本身的優(yōu)勢。取決于期望的層，除了所執(zhí)行的使用等離子體級聯(lián)源的PECVD以外可以使用一個或多個這些工序。
根據(jù)本發(fā)明的一個有利詳細說明，包含沉積材料的至少一個濺射電極被設置在處理室中，其中等離子體與各個濺射電極接觸，以便在基底上濺射電極材料。
這樣，沉積材料可以簡單地被濺射到基底上同時保留上述的優(yōu)勢。優(yōu)選地，至少一個濺射電極包含所述待沉積的至少一種材料和其它材料的至少一部分。通過調(diào)節(jié)電極中不同材料的重量比率，功能層的化學成分可以被很好地控制。如果需要，甚至可以采用期望金屬粉末的混合物作為原材料。
此外，所述至少一個濺射電極可以例如僅包含功能層的載體材料。例如，可以使用氧化鋁、二氧化硅、氧化鈦或氧化鋯的電極。當然，預期載體的相應金屬也可以用作電極。那種材料的沉積然后可以在包含氧氣的氣體氛圍中執(zhí)行。此外，例如通過設置在電極中的供給通道，例如待沉積的功能成分的氣體化合物可以被供給進入等離子體中。在沉積之后，為了功能層后處理的目的，然后可以在一個更高的溫度，可選在特殊的氣體條件下，例如在一個氫氣流中執(zhí)行熱處理。
本發(fā)明進一步涉及一種用于在基底上制造一種功能層的設備，其中該設備設置有至少一個等離子體級聯(lián)源以產(chǎn)生至少一個等離子體，同時該設備包括將第一沉積材料引導進入每個等離子體中的裝置，同時該設備進一步設置有基底定位裝置，用于將基底的至少一部分帶入和/或保持在處理室中這樣的一個位置以致使基底接觸等離子體，同時該設備設置有第二沉積源，該第二沉積源被設置為與等離子體級聯(lián)源同時地在基底上沉積至少一個第二沉積材料，同時該功能層不是催化活性層。
利用這個設備，由不同材料組成的功能層可以被相對快速地制造并且在大表面上具有較高的均勻性。此處，使用等離子體級聯(lián)源提供了上述的優(yōu)勢。


本發(fā)明另外的詳細說明在后面的從屬權(quán)利要求中描述。本發(fā)明現(xiàn)在將在兩個示例性實施方式的基礎上并參考附圖得到說明，其中圖1顯示了一種用于制造由兩種或更多種材料組成的功能層的設備的第一示例性實施方式的圖解橫截面視圖；圖2顯示了圖1中示出的橫截面視圖的一個細節(jié)，其中示出了等離子體級聯(lián)源；以及圖3顯示了本發(fā)明的第二示例性實施方式。
具體實施例方式
圖1和2顯示了一種用于制造含有兩種或更多種材料的功能層的設備。在圖1和2中示出的設備設置有PECVD處理室2，在其上設置DC(直流)等離子體級聯(lián)源3。DC等離子體級聯(lián)源3被設置為由DC電壓產(chǎn)生等離子體P。該設備設置有一個基底支架8以保持一個基底1，使其對著處理室2中等離子體源3的流出口。
如圖2中所示，等離子體級聯(lián)源3設置有位于源室11中的陰極10和位于源3面向處理室2的一側(cè)的陽極12。通過一個相對狹窄的通道13和等離子體流出口4，源室11通向處理室2。該設備被這樣確定尺寸，基底1和等離子體流出口4之間的距離L約為200毫米-300毫米。這允許該設備具有一個相對緊湊的設計。通道13通過互相絕緣的級聯(lián)板14和陽極12所界定。在使用期間，處理室2被保持相對低的壓力，具體地低于50毫巴，并且優(yōu)選低于5毫巴。當然，其中處理室的處理壓力和尺寸必須是使得沉積仍然能夠發(fā)生的。在實際中，為此目的，在這個示例性實施方式中處理室中的處理壓力被發(fā)現(xiàn)至少約為0.1毫巴。為獲得這個處理壓力所需的抽空裝置沒有在附圖中示出。在源3的陰極10和陽極12之間，例如通過引燃在它們之間存在的例如氬氣的惰性氣體而產(chǎn)生等離子體，。當在源3中產(chǎn)生等離子體時，源室11中的壓力高于處理室2中的壓力。源室中的壓力例如基本上可以是大氣壓并且在0.5-1.5巴的范圍內(nèi)。由于處理室2中的壓力大大低于源室11中的壓力，一部分產(chǎn)生的等離子體P膨脹以致于其膨脹通過相對狹窄的通道7從流出口4進入處理室2以接觸基底1的表面。
該設備設置有一個氣體供給通道7以將氣體A的氣流供給到源3陽極板12中的等離子體P。氣體A例如可以包括待沉積的功能材料。此外，該設備包括設置在處理室2中的濺射電極6。在附圖中，濺射陰極6被設置為離開級聯(lián)源3一定距離。然而，這個陰極6也可以位于靠近級聯(lián)源3處或者鄰靠這個源3。濺射陰極6包含至少一種需要濺射到基底上的材料B，例如載體材料。濺射陰極6被這樣設置以致在使用期間，由等離子體源3產(chǎn)生的等離子體P將來自濺射陰極6的材料B濺射到基底1上。為此目的，濺射陰極6被設計為一個圓柱體，其具有一個同心通道9，在使用期間等離子體P通過其從源3到達基底1。為了濺射的目的，在使用期間，電極6可以被設置這樣的電壓以致等離子體離子撞擊電極6并射出電極材料B。另外，由于膨脹等離子體P那些離子的固有的高動能，等離子體離子可以自發(fā)地撞擊電極6。在本示例性實施方式中，濺射陰極6和氣體供給通道7被顯示為互相分開。另外，氣體供給通道7和濺射電極例如可以以整合的方式設計，以便在基本相同的位置將材料A和B供給到等離子體P。
在圖1和2中示出的示例性實施方式的使用期間，材料A和B被沉積到設置在處理室2中的基底1上。通過通道7供給的材料A通過來自源3的等離子體P被一起攜帶并被沉積到基底1上。來自電極6的材料B通過濺射被同時供給到基底1。這個方法使其有可能將一個包含材料A和B的功能層以非常均勻的方式涂覆到基底1。因為等離子體級聯(lián)源在DC電壓下工作產(chǎn)生等離子體，功能層可以簡單地、基本上在沉積期間不需要調(diào)節(jié)地以一個恒定的增長率增長。這與涉及使用HF等離子體源的情形相比是有利的，在所述情形中通常需要不斷進行調(diào)節(jié)。此外，利用DC等離子體級聯(lián)源3，可以獲得一個相對高的沉積速率。在材料A、B沉積到基底1的期間，例如為了進一步促進沉積的均勻性，另外可以施加一個特殊的電位，例如通過DC、脈沖DC和/或RF偏壓。另外，基底1可以使用實際已知的加熱裝置(未示出)加熱到一個特殊的處理溫度。
圖3顯示了一種設備的第二示例性實施方式，該設備用于制造一個在其上涂覆一層功能層的薄片。該第二示例性實施方式被設置為在基底薄片上串聯(lián)地沉積由兩種或更多種材料組成的功能層，所述基底薄片形式為一個可以卷起的長、片形的基底101。這個設備設置有基底供給輥110，基底101被卷繞在其上。供給輥110被設置為在使用期間將基底101供給到處理室102。該設備進一步包括導出輥以放出基底101，其可以從處理室102被卷起。在供給輥110和處理室102之間，設置一對配合輥112以使從供給輥110展開的基底101變形。咬合基底101的輥112的配合外圓周設置有咬合齒，因此輥112使基底101在使用期間呈鋸齒狀?？蛇x擇地，當期望獲得平坦的基底薄片時，例如用于制造汽車窗戶的具有涂層的薄膜，這些輥可以在該設備中省略，由于該涂層薄膜，汽車窗戶具有耐熱、防反射或類似的光學濾光器。
該第二示例性實施方式具有兩個設置在處理室102兩側(cè)的預處理室109。處理室102通過壁104與預處理室109分開。處理室102的壁104設置有通道105，用于在處理室102和預處理室109之間傳遞基底101。在每個通道105中，設置兩個內(nèi)部饋送鋸齒輥106，其外圓周具有與基底101的鋸齒相嚙合的齒。室102的壁104進一步設置有延伸到內(nèi)部饋送鋸齒輥106的旋轉(zhuǎn)關閉閘門108，以便在這些鋸齒輥106和室壁104之間獲得良好的連接。每個預處理室109設置有抽空裝置113以將該室109保持在相對低的壓力。每個預處理室109的外壁114也設置有通道115，以便將基底101分別從外界輸送進入該預處理室109或者從該預處理室109輸送到外界。在每個通道115中，設置兩個互相相對設置的外部饋送鋸齒輥116，其外圓周嚙合基底101的鋸齒。每個預處理室109進一步設置有關閉閘門108，以在這些外部饋送鋸齒輥和室外壁114之間獲得良好的連接。最后，在每個預處理室109中，設置中間鋸齒輥117，其將外部饋送輥116機械連接到內(nèi)部饋送輥106。由饋送輥106、116提供的用以分別將片101從外界引入處理室102以及反之亦然的輸送通道較緊密地連接到基底101，因此幾乎沒有外界空氣能到達處理室102。這樣，在處理室102中的壓力可以被保持與外界壓力相比相對更低。
處理室102設置有兩個設置為產(chǎn)生兩個等離子體P、P’的等離子體級聯(lián)源103、103’。此外，該級聯(lián)源被這樣設置以致在使用期間，這些源103、103’指向供入處理室102中基底101的互相背對的基底表面，以能夠使這兩個基底表面接觸等離子體P、P’。靠近每個等離子體源103、103’，在處理室102中設置一個氣體噴頭120，以將待沉積的材料供給到各個等離子體P、P’。此外，靠近每個等離子體級聯(lián)源103、103’，設置單獨的濺射源121、121’，以通過濺射工藝將材料沉積到基底101上。處理室102進一步包括抽空裝置119，以使該室保持期望的低壓。
在處理室102中，與每個等離子體源103、103’相對設置可加熱的基底定位輥118、118’，以沿著各個等離子體源P、P’引導供給到處理室102的基底101，并使其達到和/或保持在一個期望的處理溫度。定位輥118、118’和等離子體源103、103’的設置允許材料沉積到處理室102中基底101的兩面上。
在第二示例性實施方式的使用期間，基底101通過供給輥110被供給到輥對112?；?01然后通過這個輥對112被提供鋸齒。緊接著，基底101穿過在圖3中右側(cè)示出的預處理室109a被引入處理室102。在處理室102中，該一種材料和另一種材料被沉積到鋸齒形基底101的靠近一個定位輥118的一側(cè)上。該一種材料的沉積優(yōu)選在該一個等離子體源103所產(chǎn)生的等離子體P的影響下發(fā)生。濺射源121可以同時將該另一種材料沉積到基底101上。通過等離子體源103和濺射源121進行的材料沉積可以簡單地互相適應，以便獲得功能層期望的化學和形態(tài)特征。
在一側(cè)上的材料沉積之后，基底101的另一側(cè)以類似的方式由另一等離子體源103’和濺射源121’處理，以便在該側(cè)上沉積一個功能層。在基底101的處理期間，定位輥118、118’可以通過加熱裝置(未示出)達到期望的處理溫度，因此基底101獲得期望的沉積溫度。在該處理之后，基底101從處理室102穿過左側(cè)的預處理室109b送出并被卷繞到導出輥111上。
第二示例性實施方式可以被用于根據(jù)串聯(lián)處理工藝制造功能層，從商業(yè)的角度其非常具有吸引力。另外，功能層的成分可以被非常好地控制。使用級聯(lián)源103、103’的優(yōu)勢已經(jīng)在上面論述過。具有功能層的鋸齒形基底101可以簡單地被進一步處理。除了用于提供褶皺或鋸齒的輥對112以外，也可以使用平的卷輥。除了基底101以外，也可以使用例如來自PET的薄膜。
顯然本發(fā)明并不局限于所描述的示例性實施方式。在下面提出的權(quán)利要求的本發(fā)明的范圍中可能作出各種變動。
例如，基底可以包括載體材料，例如氧化金屬和/或氧化半導體，例如氧化鋁、二氧化硅、二氧化鈦和/或二氧化鋯。另外，基底可以包括一種對于載體材料可氧化的材料。在后一種情況中，沉積可以在一個包含氧氣的用于該基底材料氧化的環(huán)境中進行。
另外，濺射電極例如可以設置有流體供給通道，以將需要涂覆的催化活性成分的所述揮發(fā)性化合物引入等離子體中。
濺射陰極可以進一步以不同的方式設計，并例如包括一個平面的、管狀的、U形的或者中空陰極，或者設計為這些或者其它陰極形式的組合。
沉積的載體材料另外可以與基底的材料相同或者與其不同。
另外，一種揮發(fā)性化合物可以被引入處理室中以便被沉積到基底上。此外，這樣的一種揮發(fā)性化合物可以包含至少一種前體材料，其在該材料到達基底之前分解成待沉積的材料(。該材料的分解例如可以自發(fā)地和/或在等離子體的影響下發(fā)生。
此外，沉積材料可以被這樣沉積，以致在5厘米、優(yōu)選在10厘米、更具體的在20厘米的距離上測得的該沉積材料的化學成分差異小于10％、具體地小于5％并且更具體地小于1％。這樣，可以獲得一個非常均質(zhì)的功能層。
另外，可以使用不同形式的不同類型基底，例如各種材料的硬質(zhì)和/或多孔基底。
此外，可以使用各種方法在使用前或使用后清潔濺射陰極，例如通過使用適當?shù)碾妷厚R上或不時反轉(zhuǎn)該陰極的極性。
雖然對于濺射，與借助于級聯(lián)電弧沉積材料相比，一般期望低壓，這兩種處理工藝仍然可以通過在遠低于常規(guī)的壓力下使用級聯(lián)電弧而組合。為此目的，級聯(lián)源中的膨脹通道可以具有一個更小的直徑。當啟動該源時，可以使用一個更高的啟動壓力，在此之后壓力然后可以向下調(diào)節(jié)。同樣的，在沉積室中，可以使用所謂的分離器，其中借助于抽空泵，可以在該分離器的兩側(cè)上保持壓力降。分離器是處理室中的一種隔膜或者一個窄化。濺射工藝例如可以在分離器的低壓側(cè)進行，而級聯(lián)源設置在該分離器的高壓側(cè)。
很明顯本發(fā)明不局限于所描述的示例性實施方式，在由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的框架中可能作出各種改變。例如，也可以使用不同類型的等離子體源代替等離子體級聯(lián)源。
權(quán)利要求
1.一種用于制造功能層的方法，其中將基底(1；101)引入處理室(2；102)中，由至少一個等離子體源(3；103)例如等離子體級聯(lián)源產(chǎn)生至少一個等離子體(P)，將至少一種沉積材料(A)在等離子體(P)的影響下沉積到基底(1；101)上，同時將借助于第二沉積工序至少一種第二材料(B)涂覆到基底上，并且該功能層不具有催化功能。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述第一沉積材料(A)供給到處理室(2；102)中至少一個等離子體源(3；103)外的等離子體(P)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中為了進行沉積的目的，將所述第一沉積材料(A)的至少一種揮發(fā)性化合物供給到等離子體(P)。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中揮發(fā)性化合物包含至少一種前體材料，所述前體材料在該材料到達基底(1；101)之前分解成將在處理室(2；102)中沉積的材料。
5.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中第二沉積工序從包括PECVD、CVD、PVD的組中選擇，例如濺射，中空陰極濺射，可選使用蒸發(fā)皿、e-射線束以及可選由離子處理支持的氣相沉積，離子電鍍法，微波沉積法，ICP(感應耦合等離子體)，平行板式PECVD，可選的蜂巢式電極結(jié)構(gòu)等等。
6.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中包括所述沉積材料(A，B)的至少一個濺射電極(6)被設置在處理室(2)中，其中等離子體(P)與所述濺射電極(6)形成接觸，以在基底(1)上濺射電極(6)的材料(A，B)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中等離子體(P)至少部分地穿過至少一個濺射電極(6)的至少一個通道，以使等離子體與電極(6)接觸。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中濺射電極(6)包含待沉積到基底(1)上的所述材料(A，B)的壓縮粉末。
9.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中基底(101)包括片狀材料。
10.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中基底(101)至少以這樣的方式被移入處理室(102)中，從而使得每次基底(101)的不同部分接觸等離子體(P)。
11.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中基底(101)從外界被帶入處理室(102)中并且從處理室(102)被送出到外界環(huán)境，而沉積材料在處理室(102)中被沉積到基底(101)上。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中基底(1；101)基本上是無孔材料，并且例如是金屬或塑料，例如金屬板、塑料片材或者塑料薄膜。
13.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中基底(1；101)包括至少一種載體材料(B)。
14.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中基底(1；101)包括至少一種金屬和/或合金。
15.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中基底(1；101)包括褶皺材料。
16.至少如權(quán)利要求1所述的方法，其中基底(1；101)基本上是多孔材料。
17.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中沉積材料(A，B)被這樣沉積，從而在5厘米、優(yōu)選在10厘米、更具體在20厘米距離上測量的沉積材料的化學成分的差異小于10％，具體小于5％并且更具體小于1％。
18.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中基底(1；101)例如通過DC、脈沖DC和/或RF偏壓被調(diào)節(jié)到特定的電壓。
19.如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中基底(1；101)被調(diào)節(jié)到具特定的處理溫度。
20.一種用于在基底上制造功能層的設備，其中該設備設置有至少一個等離子體源(3；103)，例如等離子體級聯(lián)源，以產(chǎn)生至少一個等離子體(P)，該設備包括用于將第一沉積材料(A)引導進入每個等離子體(P)中的裝置(6，7)，該設備進一步設置有基底定位裝置(8；118)，用于將至少一部分基底(1；101)帶入和/或保持在處理室(2；102)中這樣的一個位置，從而基底(1；101)接觸所述的等離子體(P)，該設備設置有第二沉積源，該第二沉積源被設置為與等離子體源同時地將至少一種第二沉積材料(B)沉積到基底(1；101)上，其中該功能層不是催化活性層。
21.如權(quán)利要求20所述的設備，其中第二沉積源是VD源，例如CVD源、PVD源、PECVD源。
22.如權(quán)利要求20或21所述的設備，其中第二沉積源被設置為用于執(zhí)行至少一個下面的沉積處PECVD、CVD、PVD，例如濺射，中空陰極濺射，可選使用蒸發(fā)皿、e-射線束以及可選由離子處理支持的氣相沉積，離子電鍍法，微波沉積法，ICP(感應耦合等離子體)，平行板式PECVD，可選的蜂巢式電極結(jié)構(gòu)等等。
23.如權(quán)利要求21所述的設備，其中第二沉積源包括至少一個包含將要沉積的沉積材料(A，B)的濺射電極(6)，濺射電極被這樣定位，以致在使用期間由至少一個等離子體源(3)產(chǎn)生的等離子體(P)將材料(A，B)從濺射電極(6)濺射到基底(1)上。
24.如權(quán)利要求23所述的設備，其中每個濺射電極(6)被設置在至少一個等離子體源(3)的下游，同時至少一個濺射電極(6)設置有至少一個等離子體通道，以允許等離子體(P)從等離子體源(3)到達基底(1)。
25.如權(quán)利要求23或24所述的設備，其中濺射電極(6)鄰近等離子體源(3)。
26.如權(quán)利要求20-25中任一項所述的設備，其中該設備設置有至少一個流體供給通道(7；120)，以將處于揮發(fā)狀態(tài)的待沉積材料供給到等離子體(P)。
27.至少如權(quán)利要求23和26所述的設備，其中至少一個濺射電極(6)設置有所述的流體供給通道。
28.如權(quán)利要求20所述的設備，其中該設備設置有至少兩個等離子體級聯(lián)源(103，103’)以產(chǎn)生至少兩個等離子體(P，P’)，這些等離子體級聯(lián)源(103，103’)和基底定位裝置(118，118’)被這樣定位，以致在使用期間基底(1；101)的相對側(cè)接觸由那些級聯(lián)源(103，103’)產(chǎn)生的等離子體(P，P’)，以在基底(101)的相對側(cè)上沉積材料。
29.至少如權(quán)利要求20所述的設備，其中該設備分別設置有基底供給輥(110)和導出輥(111)，用于分別將基底(101)供給到處理室(102)并從處理室(102)釋放出基底(101)，該基底(101)可以被卷起，例如是網(wǎng)狀基底和/或片狀基底。
30.至少如權(quán)利要求20所述的設備，其中處理室(102)的壁(104)設置有至少一個通道(105)以使基底(101)通過并進入和或離開該處理室(102)。
31.如權(quán)利要求30所述的設備，其中處理室的壁(104)的至少一個通道(105)的至少一部分通過相對設置的饋送輥(106)界定，為了饋送基底(101)的目的，該饋送輥(106)被設置為在使用期間與位于它們之間的基底(101)的一部分嚙合。
32.至少如權(quán)利要求31所述的設備，其中該設備設置有變形裝置(112)以使從供給輥(110)展開的基底(101)變形。
33.如權(quán)利要求32所述的設備，其中變形裝置(112)被設置為使基底(101)起皺和/或成鋸齒狀。
34.至少如權(quán)利要求20所述的設備，其中該設備設置有用于將材料氣相沉積到基底(1；101)上的裝置。
35.至少如權(quán)利要求20所述的設備，其中該設備設置有至少一個獨立的濺射源(121)，用于將材料濺射到基底(101)上。
全文摘要
一種用于制造功能層的方法，其中將基底引入處理室中，由至少一個等離子體源例如等離子體級聯(lián)源(3)產(chǎn)生至少一個等離子體，將至少一種沉積材料在等離子體(P)的影響下沉積到基底(1)上，同時將至少一種第二材料(6)借助于第二沉積工序涂覆到基底上。本發(fā)明進一步提供一種設備，其設置有至少一個等離子體源，例如等離子體級聯(lián)源，以產(chǎn)生至少一個等離子體，其中所述設備包括用于將沉積材料引導進入每個等離子體中的裝置，其中所述設備設置有第二沉積源(6)，第二沉積源被設置為與等離子體源同時地將至少一種第二沉積材料沉積到基底上。
文檔編號C23C16/54GK1898407SQ200480038309
公開日2007年1月17日 申請日期2004年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月21日
發(fā)明者馬丁·迪南·比杰克, 馬里納斯·弗朗西斯庫斯·約翰尼斯·埃弗斯, 弗朗西斯庫斯·科尼利厄斯·丁斯 申請人:Otb集團有限公司