專利名稱：生產(chǎn)涂覆超親水性薄膜的金屬產(chǎn)品的方法及涂覆超親水性薄膜的金屬產(chǎn)品的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及生產(chǎn)涂覆超親水性薄膜的金屬產(chǎn)品的方法，以及涂覆超親水性薄膜的金屬產(chǎn)品。
背景技術：
在其表面上具有親水性表面層的金屬材料已被有效地用于整個工業(yè)領域中，這種金屬材料將通過使用熱交換器作為例子進行說明。
通過使具有不同溫度的兩種流體彼此直接或間接接觸而交換熱的熱交換器已被廣泛地用在各種工業(yè)領域中，特別是用于加熱、空氣調(diào)節(jié)、動力的產(chǎn)生、廢熱回收和化學加工。
空調(diào)熱交換器在空氣側形成翅片，翅片是增大的表面，用于改善熱傳送。當含濕氣的空氣在熱交換操作中流經(jīng)翅片時，通過供給到管中的低溫冷卻劑發(fā)生熱傳送。當翅片表面溫度等于或低于含濕氣的空氣的露點溫度時，在熱交換器表面上形成小滴以截斷空氣的流動，這增加了作為熱交換器進口和出口之間的壓力差的壓力降。因此，必須增加風扇的功率以供給相同的流量，這導致大功率的消費。
為了解決上述問題，如日本待審專利申請61-8598所公開的，通過使用Cr+6在鋁翅片上進行防腐處理以改善耐腐蝕性，以及在其上進行硅酸鹽基涂覆工藝以賦予親水性，該材料被稱為預涂材料(PCM)，從而在熱交換器翅片表面上形成的凝結水的流動得以改善。
PCM基本上需要Cr+6以獲得耐腐蝕性。然而，由于環(huán)境問題，Cr+6自2006年后被禁用。因此越來越需要替代Cr+6的材料。直到目前為止，已經(jīng)建議了Cr+3或樹脂類型。在PCM的制備中，不可避免地用于鋁洗滌的四氯乙烷(TCE)還造成環(huán)境污染。另外，在初始階段表現(xiàn)優(yōu)異親水性的PCM逐漸喪失親水性，即，具有老化特性。近年來，主要使用化學產(chǎn)品作為壁紙的材料。用于賦予親水性的硅酸鹽材料具有揮發(fā)性并且與墻紙發(fā)生化學結合，從而使墻紙褪色。另外，揮發(fā)物質還令人不快。
一直不斷地進行各種嘗試以通過在現(xiàn)有材料上形成功能性(例如親水性或疏水性)表面層以滿足各種需要。形成功能性表面層的示例性方法包括1)在現(xiàn)有材料上淀積功能性表面層，和2)通過改善現(xiàn)有材料的表面膜而賦予新的物理和化學性質。
然而，在后一種方法中，隨著時間的流逝，表面性質發(fā)生改變并返回到初始性質。例如，在諸如鋁的金屬根據(jù)離子束輔助反應工藝進行處理的情況中，金屬表面的親水性得以改善。因為在鋁表面上蝕刻了自然氧化膜并在鋁表面上形成了功能性薄膜。隨著時間的流逝，氧化膜自然地在鋁表面上生長。結果是，通過蝕刻自然氧化膜獲得的親水性改善作用變差。在鋁表面上形成的功能性薄膜由對各種環(huán)境變量(水、溫度等)隨時間具有極低機械抗性的超薄層(＜幾個納米)組成。因此，改善的親水性降低并返回到初始表面性質。
為了解決上述問題，一直不斷地努力以在金屬材料上形成親水性或疏水性的功能性表面層，該功能性表面層可以保持物理和化學穩(wěn)定狀態(tài)。
例如，如日本待審專利公開2001-280879中所建議的，在金屬管(其作為冷凍劑的通道)上安裝了由傳導金屬材料制成的熱交換器中，含鈦的化合物蒸氣(其作為原料氣)被供給為在空氣中以與熱交換器翅片表面平行的方向上流動。因此，在翅片表面上涂覆二氧化鈦薄膜的熱交換器根據(jù)等離子體CVD技術生產(chǎn)。上述專利申請教導了熱交換器可以獲得優(yōu)異的親水性、抗菌性和除臭性。
然而，在翅片被安裝到管上以構成熱交換器的情況中，二氧化鈦薄膜被淀積到熱交換器的翅片上。因此，二氧化鈦薄膜不能均一地淀積到翅片整個表面上，這引起親水性和耐老化性變差。另外，不能獲得直接應用于工業(yè)生產(chǎn)的生產(chǎn)能力。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題而完成了本發(fā)明。本發(fā)明的一個目的是提供生產(chǎn)具有優(yōu)異的親水性和耐老化性的涂覆超親水性薄膜的金屬產(chǎn)品的方法，以及提供涂覆超親水性薄膜的金屬產(chǎn)品。
本發(fā)明的另一個目的是通過在片型金屬基材上形成超親水性薄膜并將所述片型金屬基材機械加工成目標形狀而以工業(yè)生產(chǎn)規(guī)模容易地生產(chǎn)超親水性薄膜。
本發(fā)明的又一個目的是在片型金屬基材的兩個表面上均一地形成超親水性薄膜。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，提供了生產(chǎn)涂覆超親水性薄膜的金屬產(chǎn)品的方法，該方法在真空室中通過使用等離子體在被連續(xù)供給的片型金屬基材的兩個表面上連續(xù)地涂覆超親水性鈦化合物薄膜，并將涂覆薄膜的片型金屬基材機械加工成目標形狀。這里，薄膜是Ti-O基化合物薄膜。優(yōu)選地，薄膜是含有15到22原子％的Ti和45到65原子％的O的Ti-O基化合物薄膜。另外，薄膜進一步含有C和/或H。優(yōu)選地，薄膜含有15到22原子％的Ti和45到65原子％的O，并且進一步含有20到25原子％的C和/或20到25原子％的H。這里，薄膜的厚度為1到100納米。
金屬基材可以是鋁基材，金屬產(chǎn)品可以是熱交換器的翅片。
涂覆工藝通過將活性氣體、氣相鈦前體和載氣注入真空室進行。優(yōu)選地，氣體注射比滿足載氣∶活性氣體＝1∶3，并且還滿足氣相鈦前體∶載氣＝3∶1。
優(yōu)選地，活性氣體為空氣或O2，載氣選自He、N2和Ar，氣相鈦前體通過使液相四異丙醇鈦通過鼓泡器制得。另外，注入真空室的氣相鈦前體的注入量通過調(diào)節(jié)供給到鼓泡器的液相四異丙醇鈦的量進行控制。載氣在液相四異丙醇鈦之前被注入鼓泡器，用于將液相四異丙醇鈦轉移到鼓泡器。
還提供了涂覆超親水性薄膜的金屬產(chǎn)品，其通過使用等離子體涂覆了含有15到22原子％的Ti和45到65原子％的O以及厚度為1到100納米的超親水性Ti-O基化合物薄膜。優(yōu)選地，薄膜進一步含有20到25原子％的C和/或20到25原子％的H。薄膜具有無定形結構并且金屬片為鋁片。涂覆薄膜的鋁片是可機械加工成熱交換器翅片的金屬片。


本發(fā)明通過參考附圖得以更好地理解，所述附圖僅僅是示例性的，不對本發(fā)明構成限制，其中圖1是說明根據(jù)本發(fā)明通過使用等離子體在片型金屬基材上連續(xù)地涂覆超親水性鈦化合物薄膜的裝置的原理圖；圖2是表示用于分析根據(jù)本發(fā)明涂覆防腐親水性薄膜的金屬片的表面組成的XPS數(shù)據(jù)的圖；圖3是表示用于分析根據(jù)本發(fā)明涂覆的薄膜的厚度的AES數(shù)據(jù)的圖；圖4是表示根據(jù)本發(fā)明涂覆的鈦化合物薄膜的微結構的SEM照片；
圖5a和圖5b分別表示在本發(fā)明的表面親水性/疏水性試驗中當表面是親水性(圖5a)和當表面是疏水性(圖5b)時小滴分散的照片；圖6是表示裸鋁片、常規(guī)PCM片和本發(fā)明的涂覆鈦化合物薄膜的片的耐老化性的圖；圖7是表示本發(fā)明的涂覆鈦化合物薄膜的片和常規(guī)PCM片的耐老化性的圖；和圖8是表示本發(fā)明的鈦化合物薄膜涂層的變量測試結果的圖。
實施本發(fā)明的最佳方式將參考附圖詳細描述本發(fā)明的生產(chǎn)涂覆超親水性薄膜的金屬產(chǎn)品的方法，以及涂覆超親水性薄膜的金屬產(chǎn)品。
圖1是說明根據(jù)本發(fā)明用于在片型金屬基材上涂覆超親水性Ti-O-C基化合物薄膜的等離子體聚合裝置的原理圖。聚合裝置包括保持在真空狀態(tài)下的涂覆室，在涂覆室內(nèi)部形成的等離子體，將活性氣體注入涂覆室的活性氣體注射裝置，將氣相前體注入涂覆室的氣相前體注射裝置，和用于注射載氣從而將氣相前體轉移到涂覆室的載氣注射裝置。
用于在涂覆室2內(nèi)部形成真空的真空泵4與涂覆室2連接，金屬片8在電極6之間被連續(xù)地供給，所述電極6安裝在上部和右部或右側和左側。在圖1中，電極6安裝在金屬板8的上部和下部，金屬片8以水平方向被供給。通過電極6之間生成的等離子體在金屬片8的兩個表面上連續(xù)地涂覆超親水性鈦化合物薄膜后，金屬片8離開涂覆室2。電源10被施加于電極6上。
優(yōu)選地，含有可形成空氣或氧氣的活性氣體的活性氣體缸20經(jīng)由閥22將活性氣體注射到涂覆室2。
另外，包含在通過加壓器32加壓的容器30內(nèi)的液相鈦前體(其是液相四異丙醇鈦[Ti(OC3H7)4])由于壓力差經(jīng)由液相質量流量控制器(MFC)38被注入鼓泡器40。通過鼓泡器40鼓泡的氣相鈦前體被注入涂覆室2。優(yōu)選地，可形成He、Ar或N2的載氣經(jīng)由液相MFC 38和鼓泡器40之間的管被注射，用于幫助氣相鈦前體被注入涂覆室2。載氣包含在載氣缸50中，并經(jīng)由閥52被注入管。加熱線圈42盤繞鼓泡器40，用于加熱和鼓泡液相鈦前體。如上所述，使用納米等離子體的涂覆工藝通過將可形成空氣或O2的活性氣體、氣相鈦前體以及載氣注入涂覆室2而進行。另外，注入涂覆室2的氣相前體的注射量通過調(diào)節(jié)供給到鼓泡器4的液相前體(即液相四異丙醇鈦)的量進行控制。
這里，活性氣體、氣相鈦前體和載氣可在涂覆室2的外部合并并經(jīng)由一個管60被注入涂覆室2(如圖1所示)，或可經(jīng)由不同的管被注入涂覆室2并在涂覆室2內(nèi)部經(jīng)由一個管合并。仍參見圖1，合并管60通過涂覆室2的一側孔被連接。優(yōu)選地，管60的出口與涂覆的金屬片8的頂表面和底表面相鄰，從而經(jīng)由管60在金屬片8的向上/向下的方向上釋放注入的混合氣體。
氣相鈦前體在低溫下冷凝。當管60保持在正常溫度時，氣相鈦前體在管60的內(nèi)壁上冷凝。為了防止氣相鈦前體冷凝，熱絲64盤繞氣相鈦前體氣體流經(jīng)的管60的外壁，用于保持預定溫度。液相鈦前體流經(jīng)的管66也以相同方式形成。也就是說，熱絲68盤繞管66的外壁用于保持預定溫度，從而防止鈦前體在管66的內(nèi)壁上冷凝。
根據(jù)本發(fā)明，通過使用等離子體在被連續(xù)供給到涂覆室2的金屬片8上連續(xù)地涂覆超親水性鈦化合物薄膜，將涂覆薄膜的金屬片8機械加工成目標形狀，例如，加工成空調(diào)熱交換器的翅片。
如圖1所示，用于在涂覆室2內(nèi)部形成真空的真空泵4與涂覆室2連接，金屬片8在安裝在上、下側的電極6之間被連續(xù)地供給。通過電極6之間產(chǎn)生的等離子體在金屬片8的兩個表面上連續(xù)地涂覆超親水性鈦化合物薄膜后，金屬片8離開涂覆室2。這里，電源10被施加于電極6。
優(yōu)選地，含有可形成空氣或氧氣的活性氣體的活性氣體缸20經(jīng)由閥22將活性氣體注射到涂覆室2。
另外，包含在通過加壓器32加壓的容器30內(nèi)的液相鈦前體(其是液相四異丙醇鈦[Ti(OC3H7)4])由于壓力差經(jīng)由液相質量流量控制器(MFC)38被注入鼓泡器40。通過鼓泡器40鼓泡的氣相鈦前體被注入涂覆室2。優(yōu)選地，可形成He或Ar的載氣經(jīng)由液相MFC 38和鼓泡器40之間的管被注射，用于幫助要注入涂覆室2的氣相鈦前體和氣相硅前體。載氣包含在載氣缸50中并經(jīng)由閥52被注入管中。加熱線圈42盤繞鼓泡器40用于加熱和鼓泡液相鈦前體。
這里，活性氣體、氣相鈦或硅前體以及載氣可在涂覆室2外部合并并經(jīng)由一個管60被注入涂覆室2(如圖1所示)，或可經(jīng)由不同的管被注入涂覆室2并在涂覆室2內(nèi)經(jīng)由一個管合并。仍參見圖1，合并管60通過涂覆室2的一側孔被連接。優(yōu)選地，經(jīng)由管60注射的混合氣體在涂覆的金屬片8的向上/向下方向上被釋放。也就是說，混合氣體以金屬片8的向上/向下的方向被供給，用于在上、下電極6之間產(chǎn)生等離子體，從而在金屬片8的兩個表面上形成鈦化合物薄膜。
氣相鈦或硅前體在低溫下冷凝。當管60保持在正常溫度時，氣相鈦前體在管60的內(nèi)壁上冷凝。為了防止氣相鈦前體冷凝，熱絲64盤繞氣相鈦前體氣體流經(jīng)的管60的外壁，用于保持預定溫度。液相鈦前體流經(jīng)的管66也以相同方式形成。也就是說，熱絲68盤繞管66的外壁用于保持預定溫度，從而防止鈦或硅前體在管66的內(nèi)壁上冷凝。
參考數(shù)字34和36分別表示加壓器32的閥和容器30的閥。
根據(jù)本發(fā)明，通過使用等離子體在被連續(xù)供給到涂覆室2的金屬片8上連續(xù)地涂覆超親水性Ti-O-C基化合物薄膜，并將涂覆薄膜的金屬片8機械加工成目標形狀，例如，加工成空調(diào)熱交換器的翅片。
可通過使用等離子體聚合裝置生產(chǎn)超親水性金屬片。如上所述，將超親水性金屬片機械加工成熱交換器的翅片，在以下實施例中測量和說明其物理和表面性質。必須承認本發(fā)明的范圍不受以下實施例的限制，而受權利要求的限制。
實施例等離子體涂膜的制備通過使用真空泵4在涂覆室2中形成10-3托的真空度后，將金屬片8連接到陽極上并相對于電極6保持在預定距離上(30到150mm)，鼓泡器40的加熱線圈42經(jīng)過電加熱(80到120℃)用于鼓泡液相前體。盤繞管60外壁的熱絲64和68經(jīng)過電加熱(80到120℃)，用于防止鈦前體在管60和66的內(nèi)壁上冷凝。氣相前體氣體、載氣以及活性氣體經(jīng)由管被注入涂覆室2，并在金屬片8的向上/向下的方向上被釋放。
優(yōu)選的，氣相前體氣體和載氣以3∶1的比率被注入涂覆室2，載氣和活性氣體以1∶3的比率被注入涂覆室2。
當通過注射的氣體獲得目標操作真空度時，施加電源，將金屬片8相對于管60移動，通過混合氣體在電極6之間連續(xù)形成等離子體。因此，在金屬片8的兩個表面上涂覆超親水性Ti-O-C基化合物薄膜。
在等離子體處理中，電流為1.2A 900V，載氣(He或Ar氣)的流量為800sccm，活性氣體(氧或空氣)的流量為1500sccm，氣相前體氣體的流量為1000sccm，涂覆室2內(nèi)的真空度為0.2到0.35托。
涂覆薄膜的組成和厚度的分析根據(jù)用于類推表面組成的X射線光電光譜學(XPS)，通過使用X射線測量分子的吸收率和發(fā)射波分析加工后的薄膜樣品的組成，根據(jù)用于分析深度組成的原子發(fā)射光譜法(AES)，通過以固定速度進行濺射分析其厚度，圖2和3表示分析結果。
圖2是表示當在形成HMDSO防腐薄膜后形成的鈦化合物薄膜的XPS數(shù)據(jù)的圖。分析得到19.4原子％的C、58.3原子％的O和19.8原子％的Ti。也就是說，化合物薄膜是Ti-O-C基化合物薄膜。
雖然未說明，當僅涂覆超親水性化合物薄膜時，制備了Ti-O-C基化合物薄膜。
根據(jù)分析結果，雖然條件略有不同，但是鈦化合物薄膜通常含有15到22原子％的Ti、45到65原子％的O、和20到25原子％的C和/或20到25原子％的H。
圖3是表示典型的AES數(shù)據(jù)的圖。如上所述，通過以固定速度進行濺射分析深度組成的AES可以分析薄膜的厚度。在圖3的AES數(shù)據(jù)中，薄膜的厚度為233(23.3納米)。Ti-O-O-(C)-(H)基化合物薄膜的厚度限制在100到1500之間。因此，Ti-O-O-(C)-(H)基化合物薄膜的優(yōu)選厚度為1到100納米之間。
圖4是表示本發(fā)明的Ti-O-C基化合物薄膜的SEM照片。如圖4所示，得到具有無定形結構的致密薄膜。
薄膜的親水性和耐老化性通過將固定量的小滴(0.1cc)從10mm的高度滴下并測量樣品表面上小滴的尺寸來評價親水性能。當薄膜表面為親水性時，小滴的尺寸由于高分散性而增加，當薄膜表面為疏水性時，小滴的尺寸由于低分散性而減小。圖5a表示在親水性表面上形成的小滴一小滴的尺寸為9到11毫米。圖5b表示在疏水性表面上形成的小滴-小滴的尺寸為2到3毫米。
為了評價親水性的耐老化性，將樣品周期地置于蒸餾水中10分鐘并干燥10分鐘。將初始樣品的親水性能與在300次循環(huán)后獲得的樣品的親水性能進行比較。
圖6為表示試驗結果的圖。通過等離子體加工的本發(fā)明薄膜的親水性能在300次循環(huán)的加速試驗后沒有變化。另一方面，常規(guī)PCM具有優(yōu)異的初始親水性能。當將作為親水試劑的表面活性劑溶于水中時，常規(guī)PCM的親水性能變差。也就是說，常規(guī)PCM老化。裸鋁在最初階段具有疏水性。在加速試驗后，在鋁表面上形成Al2O3層，從而略微改善了親水性能。
圖7是表示本發(fā)明的鈦化合物薄膜和常規(guī)PCM薄膜在1000次循環(huán)老化試驗結果的圖。本發(fā)明的薄膜保持親水性能(小滴尺寸為至少9毫米)。另一方面，常規(guī)PCM薄膜的親水性能隨著循環(huán)次數(shù)的增加而急劇變差。
生產(chǎn)的組合物的親水性能圖8為表示鋁片樣品當鼓泡器溫度、活性氣體、載氣和淀積時間改變時其親水性能試驗結果的圖。也就是說，圖8表示小滴尺寸由于各個因素的變化而不同。
用于鼓泡液相前體的鼓泡器40的加熱溫度設定為60℃、100℃和120℃。在100℃加熱和鼓泡的液相前體具有最高的親水性能(8.7毫米)。
活性氣體從O2、N2和空氣改變。使用空氣作為活性氣體的樣品具有最高的親水性能(9.3毫米)。
載氣從He和Ar變化。使用He作為載氣的樣品具有最高的親水性能(9.9毫米)。
前體氣體的淀積時間從30秒到120秒之間變化，間隔為30秒。通過90秒涂覆的樣品與通過120秒涂覆的樣品具有相似的親水性能(9.9毫米)。因此，涂覆法優(yōu)選進行90秒，以保持親水性能和減少生產(chǎn)時間。
這里，安裝在樣品兩個表面上用于形成等離子體的電極6的電流為0.13A，容納樣品的涂覆室2內(nèi)部的真空度保持在0.3托。
為了有效生產(chǎn)涂覆超親水性薄膜的金屬產(chǎn)品，液相前體在鼓泡器40中在100℃受熱和鼓泡，空氣用作活性氣體，He用作載氣，涂覆法在涂覆室2內(nèi)進行90秒。
在上述試驗中，涂覆法在適當?shù)臉悠飞线M行。在產(chǎn)品的批量生產(chǎn)中，鼓泡器的加熱溫度、活性氣體、載氣和淀積時間可根據(jù)生產(chǎn)環(huán)境和連續(xù)批量生產(chǎn)的變動要素而在近似范圍內(nèi)變化。
有益效果如以上討論的，根據(jù)本發(fā)明，可以工業(yè)生產(chǎn)規(guī)模容易地生產(chǎn)具有優(yōu)異的親水性和耐老化性的涂覆薄膜的空調(diào)金屬材料。
另外，超親水性薄膜可以在片型金屬基材的兩個表面上均一地形成。
雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的優(yōu)選方案，然而可理解本發(fā)明將不限于這些優(yōu)選方案，可由本領域的技術人員在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)進行各種變化和改變，本發(fā)明的范圍由權利要求進行限制。
權利要求
1.生產(chǎn)涂覆超親水性薄膜的金屬產(chǎn)品的方法，該方法包括在真空室中通過使用等離子體在被連續(xù)供給的片型金屬基材的兩個表面上連續(xù)地涂覆超親水性鈦化合物薄膜，并將涂覆所述薄膜的片型金屬基材機械加工成目標形狀。
2.權利要求1的方法，其中薄膜為Ti-O基化合物薄膜。
3.權利要求2的方法，其中薄膜為含有15到22原子％的Ti和45到65原子％的O的Ti-O基化合物薄膜。
4.權利要求2的方法，其中薄膜進一步含有C和/或H。
5.權利要求4的方法，其中薄膜含有15到22原子％的Ti和45到65原子％的O，并且進一步含有20到25原子％的C和/或20到25原子％的H。
6.權利要求1到5中任一項的方法，其中薄膜的厚度為1到100納米。
7.權利要求1到6中任一項的方法，其中金屬基材為鋁基材。
8.權利要求1到6中任一項的方法，其中金屬產(chǎn)品為熱交換器的翅片。
9.權利要求1到6中任一項的方法，其中涂覆工藝通過將活性氣體、氣相鈦前體和載氣注入真空室進行。
10.權利要求9的方法，其中氣體注射比滿足載氣∶活性氣體＝1∶3。
11.權利要求9的方法，其中氣體注射比滿足氣相鈦前體∶載氣＝3∶1。
12.權利要求9到11中任一項的方法，其中活性氣體為空氣或O2。
13.權利要求9到11中任一項的方法，其中載氣選自He、N2和Ar。
14.權利要求9到11中任一項的方法，其中氣相鈦前體通過使液相四異丙醇鈦流經(jīng)鼓泡器制備。
15.權利要求14的方法，其中注入真空室的氣相鈦前體的注射量通過調(diào)節(jié)供給到鼓泡器的液相四異丙醇鈦的量進行控制。
16.權利要求9到11中任一項的方法，其中載氣在液相四異丙醇鈦之前被注入鼓泡器，用于將液相四異丙醇鈦轉移到鼓泡器。
17.涂覆超親水性薄膜的金屬產(chǎn)品，該金屬產(chǎn)品通過使用等離子體被涂覆含有15到22原子％的Ti和45到65原子％的O且厚度為1到100納米的超親水性Ti-O基化合物薄膜。
18.權利要求17的金屬產(chǎn)品，其中薄膜進一步含有20到25原子％的C和/或20到25原子％的H。
19.權利要求17或18的金屬產(chǎn)品，其中薄膜具有無定形結構。
20.權利要求19的金屬產(chǎn)品，其中金屬片為鋁片。
21.權利要求20中的金屬產(chǎn)品，其中涂覆薄膜的鋁片被機械加工成熱交換器的翅片。
全文摘要
本發(fā)明公開了生產(chǎn)涂覆超親水性薄膜的金屬產(chǎn)品的方法，以及涂覆超親水性薄膜的金屬產(chǎn)品。為了以工業(yè)生產(chǎn)規(guī)模容易地生產(chǎn)具有優(yōu)異的親水性和耐老化性的空調(diào)金屬材料，在金屬基片(8)的兩個表面上選擇性地形成防腐薄膜，在已形成或尚未形成防腐薄膜的兩個表面上涂覆超親水性T－O(C)－(H)基化合物薄膜，并將所述金屬基片機械加工成目標形狀。
文檔編號C23C16/50GK1938445SQ200480042694
公開日2007年3月28日 申請日期2004年11月6日 優(yōu)先權日2004年4月6日
發(fā)明者鄭永萬, 吳定根, 田賢佑, 李守源, 尹德鉉 申請人:Lg電子株式會社