專利名稱：晶界相中添加納米氮化硅提高釹鐵硼工作溫度和耐蝕性方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶界相中添加納米氮化硅提高釹鐵硼工作溫度和耐蝕性方法。
背景技術(shù)：
燒結(jié)釹鐵硼永磁材料是當(dāng)代磁性最強(qiáng)的永磁體，它具有高磁能積、高性價(jià)比等優(yōu)異特性，現(xiàn)已應(yīng)用于航空、航天、微波通訊技術(shù)、電子、電聲、機(jī)電、計(jì)算技術(shù)、自動(dòng)化技術(shù)、汽車工業(yè)、石油化工，特別適用于研制高性能、小型化、輕型化的各種換代產(chǎn)品。但是，隨著稀土永磁體應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，汽車啟動(dòng)器電機(jī)、電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)、計(jì)算機(jī)HDD的VCM等對(duì)高檔磁體的需求也隨之增大，在滿足設(shè)備小型化的同時(shí)對(duì)永磁體的耐高溫性提出了挑戰(zhàn)。
描述磁體溫度穩(wěn)定性的參數(shù)主要有總損失hT，不可逆磁通損失hirr，可逆損失hrev，可逆溫度系數(shù)(包括磁感溫度系數(shù)α和矯頑力溫度系數(shù)β)。實(shí)際使用中常用磁體的最高工作溫度作為磁體溫度特性的度量標(biāo)準(zhǔn)之一，提高釹鐵硼磁體工作溫度主要集中在以下三個(gè)方面，提高磁體的居里溫度Tc，提高磁體的內(nèi)稟矯頑力Hcj和降低磁體的溫度系數(shù)，而降低溫度系數(shù)的主要方法是提高Tc或Hcj。
為提高NdFeB永磁材料的居里溫度，人們通常在磁體中加入元素Co。有研究發(fā)現(xiàn)，在Co含量為0～10at％范圍內(nèi)，Tc隨Co含量的增加近似沿直線提高，基本上每增加1at％Co，Tc提高10.9℃。但同時(shí)發(fā)現(xiàn)，添加Co后，磁體的矯頑力降低，這是因?yàn)镃o在晶界上形成了軟磁性相，在反向磁場下反磁化疇容易形核，降低磁體的矯頑力，所以磁體中同時(shí)添加提高矯頑力的合金元素，如Dy、Tb、Al、Nb、Ga等元素提高合金的矯頑力。因此，提高釹鐵硼磁體工作溫度很大程度上就歸結(jié)為提高釹鐵硼磁體的矯頑力。
描述釹鐵硼磁體的矯頑力Hc一般采用如下經(jīng)驗(yàn)公式，Hc＝αHk-NeffMsHk表示磁矩一致轉(zhuǎn)動(dòng)所需要的各向異性場，α表示晶粒結(jié)構(gòu)缺陷對(duì)矯頑力的減少因子，Neff表示晶粒自熱退磁作用和晶粒之間的耦合相互作用而形成的有效退磁因子，Ms表示磁體飽和磁化強(qiáng)度。由此可見，矯頑力的減少主要是由于晶粒結(jié)構(gòu)缺陷和晶粒相互作用(包括晶粒之間的相對(duì)取向)造成的。目前普遍認(rèn)為，釹鐵硼永磁合金的矯頑力機(jī)制與溫度有關(guān)，室溫及其以上溫度時(shí)成核機(jī)制控制矯頑力，較高溫度時(shí)釘扎機(jī)制控制矯頑力。
雙合金法是提高磁體矯頑力的有效途徑，將主相合金與晶界相合金分別制備，按一定的配比混合，使晶界相均勻分散在主相周圍，并通過燒結(jié)、回火等工藝制備。這樣既降低晶界相在主相中的析出，又可減少其在晶界交隅處的團(tuán)聚，使主相與晶界相的成分更合理，同時(shí)主相的稀土含量可更接近Nd2Fe14B正分比例，還可獲得較高的Hcj。因此雙合金法可以保證在很低的釹含量時(shí)還有足夠的晶界相存在，保證合金有高Hcj。
NdFeB磁體的腐蝕表現(xiàn)為不同相之間的晶間腐蝕，其腐蝕原動(dòng)力在于主相與富釹相、富硼相之間的化學(xué)電動(dòng)勢差。富釹晶界相的電極電位為-0.65V，在原電池中成為陽極，而主相電極電位為-0.515V，成為原電池的陰極。因此，盡量減少不同相之間的腐蝕電位差，就可以避免或者減弱晶間腐蝕，降低腐蝕電流密度。利用雙合金法生產(chǎn)的磁體，晶界相本身是單相合金，在熔煉、粗破碎過程中受到的大氣腐蝕相對(duì)較弱。而且添加納米氮化硅后，其腐蝕電位與主相相差減小，從而提高了晶界的耐蝕性能，磁體的耐蝕性也會(huì)提高。
本發(fā)明提供了一種新的方法利用雙合金工藝，添加納米氮化硅提高燒結(jié)釹鐵硼的工作溫度和耐蝕性。將主相合金與晶界相合金分別制備，通過添加納米氮化硅于晶界相中，并通過添加潤滑劑、抗氧化劑，使混有納米氮化硅的非磁性晶界相均勻分散于主相Nd2Fe14B晶粒表面層，阻礙了硬磁性相之間的交換耦合作用，改善了微觀結(jié)構(gòu)，同時(shí)，部分納米氮化硅顆粒存在于主相晶粒內(nèi)部，起到釘扎點(diǎn)作用，阻礙了磁疇壁的移動(dòng)，從而提高了磁體的矯頑力，進(jìn)而提高了磁體的工作溫度。而且添加納米氮化硅后，其腐蝕電位與主相相差減小，從而提高了晶界的耐蝕性能，磁體的耐蝕性也會(huì)提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種晶界相中添加納米氮化硅提高釹鐵硼工作溫度和耐蝕性方法。它的步驟為1)主相合金采用鑄造工藝制成釹鐵硼鑄錠合金或用速凝薄片工藝制成釹鐵硼速凝薄片，晶界相合金采用鑄造工藝制成鑄錠合金或速凝薄片工藝制成速凝薄片或快淬工藝制成快淬帶；2)采用氫爆法或者通過破碎機(jī)將主相合金的鑄錠合金或速凝薄片和晶界相合金的鑄錠合金、速凝薄片或快淬帶破碎，破碎后通過氣流磨磨料，分別制成平均顆粒直徑為2-10μm粉末；3)在晶界相合金粉末中加入占其重量2-20％、經(jīng)分散處理的納米氮化硅，及1-10％的抗氧化劑，在混料機(jī)中均勻混和；4)將經(jīng)納米氮化硅摻雜的晶界相合金粉末與主相合金粉末混合，晶界相合金粉末重量占總重量的1-20％，同時(shí)添加0.5-5％的汽油，在混料機(jī)中均勻混合成混合粉末；5)混合粉末在1.2-2.0T的磁場中壓制成型坯件；6)將型坯件放入高真空燒結(jié)爐內(nèi)，1050-1125℃燒結(jié)2-4h，再經(jīng)過500-650℃熱處理回火2-4h，制得燒結(jié)磁體。
本發(fā)明中通過添加納米氮化硅于晶界相中，使混有納米氮化硅的非磁性晶界相均勻分散于主相Nd2Fe14B晶粒表面層，阻礙了硬磁性相之間的交換耦合作用，改善了微觀結(jié)構(gòu)，同時(shí)，部分納米氮化硅顆粒存在于主相晶粒內(nèi)部，根據(jù)矯頑力理論，在較高溫度時(shí)釘扎機(jī)制控制矯頑力，提高了磁體的矯頑力，進(jìn)而提高了燒結(jié)釹鐵硼磁體的工作溫度。而且添加納米氮化硅后，其腐蝕電位與主相相差減小，從而提高了晶界的耐蝕性能，磁體的耐蝕性也會(huì)提高。因此制得的磁體工作溫度和耐蝕性比采用雙合金工藝但不添加納米氮化硅制得的磁體工作溫度和耐蝕性高，也比單合金法制得磁體工作溫度和耐蝕性高。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的具體步驟如下1)采用雙合金工藝將主相合金和晶界相合金分別制作。主相合金采用鑄錠工藝制成釹鐵硼鑄錠合金或用速凝薄片工藝制成釹鐵硼速凝薄片，其成分為NdaFe100-a-b-cBbMc(at％)，其中11≤a≤16，5.4≤b≤6.6，0≤c≤6，M為Dy、Tb、Nb、Co、Ga、Zr、Al、Cu元素中一種或幾種。晶界相合金采用鑄錠工藝或速凝薄片工藝或快淬工藝制備，其成分按分子式NddFe100-d-e-fBeRf(at％)配制，其中R為Dy、Tb、Nb、Co、Ga、Zr、C、Al、Cu、Si元素中一種或幾種，其中13.5≤d≤30，4≤e≤7，0≤f≤15。
2)將主相合金和晶界相合金分別制粉。先通過顎式破碎機(jī)進(jìn)行粗破，然后通過中破碎機(jī)進(jìn)行中破。或者采用氫爆法直接破碎，在室溫下飽和吸氫，然后在400-600℃脫氫2-10h制成氫爆粉。破碎后主相合金和晶界相合金通過氣流磨磨料，制成平均顆粒直徑為2-10μm粉末。
3)在晶界相合金粉末中加入占其重量2-20％、經(jīng)分散處理的納米氮化硅，及1-10％的抗氧化劑，在混料機(jī)中均勻混和，其中納米氮化硅平均顆粒直徑為2-40nm，抗氧化劑為聚環(huán)氧乙烷烷基醚或聚環(huán)氧乙烷單脂肪酸酯或聚環(huán)氧乙烷烯丙基醚中的一種。
4)將經(jīng)納米氮化硅摻雜的晶界相合金粉末與主相合金粉末混合，晶界相合金粉末重量占總重量的1-20％，同時(shí)添加0.5-5％的汽油，在混料機(jī)中均勻混合成混合粉末。
5)混合粉末在磁場取向成型壓機(jī)中壓制為型坯件，成型取向磁場1.2-2.0T，增大磁場可以提高磁粉的取向度。并且型坯件的壓制成型在完全密封的手套箱中完成，使磁粉隔離空氣，一方面避免了因磁體氧化發(fā)熱而著火的危險(xiǎn)，另一方面又降低了最終磁體的氧含量。
6)將型坯件放入高真空燒結(jié)爐內(nèi)，1050-1125℃燒結(jié)2-4h，再經(jīng)過500-650℃熱處理回火2-4h，制得燒結(jié)磁體。
本發(fā)明的鑄造工藝制成鑄錠合金，是將熔煉后的合金液澆鑄到3-10mm厚度的水冷模內(nèi)，鑄錠合金的Nd2Fe14B晶體以片狀方式生長，片狀晶厚度約30-50μm，寬度約500-1500μm，長度取決于鑄錠冷卻方向錠模尺寸，其冷卻速度比較慢。
速凝薄片工藝制成速凝薄片，是將熔煉后的合金液澆到冷卻輥輪的表面，輥輪旋轉(zhuǎn)線速度1-2m/s左右，將近快速凝固的薄帶送入冷卻槽內(nèi)，獲得厚度約0.3mm，寬幾十毫米的薄片，晶體內(nèi)片狀晶厚度約5-25μm，其冷卻速度約2.5×103K/s。
快淬工藝制成快淬帶，是將熔煉后的合金液澆到高速轉(zhuǎn)動(dòng)的紫銅輪表面，旋轉(zhuǎn)線速度18m/s左右，制得薄帶的厚度為30-80μm，寬度1-30mm，冷卻速度約105K/s。
氫爆法工藝是將具有新鮮表面的NdFeB合金裝入不銹鋼容器，抽真空后，充入高純氫氣，達(dá)到一個(gè)大氣壓左右，經(jīng)過20-30min后就會(huì)聽到合金的爆裂聲和容器的溫度升高，這是合金吸氫后形成氫化物而爆裂，然后在400-600℃抽真空脫氫2-10h。氣流磨制粉工藝是利用氣流將粉末顆粒加速到超音速使之相互對(duì)撞而破碎。
以上工藝的具體內(nèi)容分別見周壽增、董清飛《超強(qiáng)永磁體——稀土體系永磁材料》北京，冶金工業(yè)出版社，2004.2第二版，p159-164，p498-504，p326-332，p508-511，p169-172。
實(shí)施例11)將主相合金和晶界相合金分別制備。主相合金采用速凝薄片工藝，銅輥表面線速度為1.2m/s，成分為Nd13.12Fe80.31B5.73(Dy0.32Al0.24Nb0.28)(at％)，晶界相合金采用20m/s快淬速度制備成快淬帶，成分為Nd17.2Fe75.04B6.38Dy0.64Ga0.2Cu0.54(at％)。
2)將主相合金和晶界相合金分別制粉。通過顎式破碎機(jī)進(jìn)行粗破，通過中破碎機(jī)進(jìn)行中破，然后在氮?dú)獗Ｗo(hù)下通過氣流磨制成平均顆粒直徑為3μm的粉末。
3)在晶界相合金粉末中加入占其重量10％、經(jīng)分散處理的納米氮化硅粉末(平均顆粒直徑為20nm)，及3％的抗氧化劑聚環(huán)氧乙烷烷基醚，在混料機(jī)中均勻混和。
4)將經(jīng)納米氮化硅摻雜的晶界相合金粉末與主相合金粉末混合，使其重量占總重量的8％，同時(shí)添加1％的汽油，在混料機(jī)中均勻混合成混合粉末。
5)將混合后的粉末通過磁場取向成型壓機(jī)壓制為型坯件，成型取向磁場1.6T，在完全密封的手套箱中完成的，使磁粉隔離空氣。
6)型坯件放入高真空燒結(jié)爐內(nèi)燒結(jié)，1080℃燒結(jié)3h，再600℃熱處理回火3h，制得燒結(jié)磁體。
7)采用雙合金工藝，按上述方法添加晶界相合金占總重量8％組成混合粉末，但未添加納米氮化硅，采用相同的磁場取向壓型和燒結(jié)、回火工藝制備成磁體。
8)另外，用速凝薄片工藝制備單合金Nd13.42Fe79.87B5.82(Dy0.35Al0.22Nb0.26Ga0.02Cu0.04)(at％)，即晶界相合金與主相合金按重量比8∶92所組成的成分，銅輥表面線速度為1.2m/s。按相同的工藝制成平均顆粒直徑為3μm的粉末。添加1％的汽油，0.24％的抗氧化劑聚環(huán)氧乙烷烷基醚后均勻混合，在相同的磁場取向壓型和燒結(jié)、回火工藝中制備成磁體。
磁體的最高工作溫度的測定是將磁體從室溫升高到某一溫度并回復(fù)到室溫后，該磁體的磁通不可逆損失為3％，則該溫度就是磁體的最高工作溫度。采用磁化特性自動(dòng)測量儀AMF測量磁體的磁性能如表一。磁體耐蝕性采用英國Solartron公司生產(chǎn)的SI1287電化學(xué)工作站，測定了磁體在3.5％NaCl溶液中的極化曲線。研究電極為面積為1cm2的NdFeB合金，輔助電極為鉑片，參比電極為飽和甘汞電極，掃描速度2mv/s。測得磁體極化曲線的開路電位增加，腐蝕電流密度減小，說明鍍層耐蝕性能提高。
表一，采用不同工藝制備的燒結(jié)磁體磁性能

因此，采用雙合金工藝添加納米氮化硅制得燒結(jié)釹鐵硼磁體工作溫度和耐蝕性比采用雙合金工藝而不添加納米氮化硅制得的磁體工作溫度和耐蝕性高，也比單合金法制得磁體工作溫度和耐蝕性高，因而，通過晶界相添加納米氮化硅可以提高燒結(jié)釹鐵硼的工作溫度和耐蝕性。
實(shí)施例21)將主相合金和晶界相合金分別制備。主相合金采用速凝薄片工藝，銅輥表面線速度為2.0m/s，成分為Nd14.2Fe78.13B5.81(Tb0.21Al0.24Co1.12Nb0.28)(at％)，晶界相合金采用18m/s快淬速度制備成快淬帶，成分為Nd16.7Fe76.27B6.31(Dy0.84Ga0.2Cu0.32)(at％)。
2)將主相合金和晶界相合金分別制粉。通過氫爆法直接破碎，在室溫下飽和吸氫，然后在500℃脫氫8h制成氫爆粉，然后在氮?dú)獗Ｗo(hù)下通過氣流磨制成平均顆粒直徑為3.3μm的粉末。
3)在晶界相合金粉末中加入占其重量10％、經(jīng)分散處理的納米氮化硅粉末(平均顆粒直徑為15nm)，及4％的抗氧化劑聚環(huán)氧乙烷單脂肪酸酯，在混料機(jī)中均勻混和。
4)將經(jīng)納米氮化硅摻雜的晶界相合金粉末與主相合金粉末混合，使其重量占總重量的5％，同時(shí)添加1.2％的汽油，在混料機(jī)中均勻混合成混合粉末。
5)將混合后的粉末通過磁場取向成型壓機(jī)壓制為型坯件，成型取向磁場1.6T，在完全密封的手套箱中完成的，使磁粉隔離空氣。
6)型坯件放入高真空燒結(jié)爐內(nèi)燒結(jié)，1070℃燒結(jié)3h，再500℃熱處理回火2.5h，制得燒結(jié)磁體。
7)采用雙合金工藝，按上述方法添加晶界相合金占總重量5％組成混合粉末，但未添加納米氮化硅，采用相同的磁場取向壓型和燒結(jié)、回火工藝制備成磁體。
8)另外，用速凝薄片工藝制備單合金Nd14.48Fe77.77B5.89(Tb0.2Dy0.04Al0.25Co1.07Nb0.27Ga0.01Cu0.02)(at％)，即晶界相合金與主相合金按重量比5∶95所組成的成分，銅輥表面線速度為2.0m/s。按相同的工藝制成平均顆粒直徑為3.3μm的粉末。添加1.2％的汽油，0.2％的抗氧化劑聚環(huán)氧乙烷單脂肪酸酯后均勻混合，在相同的磁場取向壓型和燒結(jié)、回火工藝中制備成磁體。
采用磁化特性自動(dòng)測量儀AMF測量磁體的磁性能如表二。磁體耐蝕性采用英國Solartron公司生產(chǎn)的SI1287電化學(xué)工作站，測定了磁體在3.5％NaCl溶液中的極化曲線。測得磁體極化曲線的開路電位增加，腐蝕電流密度減小，說明鍍層耐蝕性能提高。
表二，采用不同工藝制備的燒結(jié)磁體磁性能

因此，采用雙合金工藝添加納米氮化硅制得燒結(jié)釹鐵硼磁體工作溫度和耐蝕性比采用雙合金工藝而不添加納米氮化硅制得的磁體工作溫度和耐蝕性高，也比單合金法制得磁體工作溫度和耐蝕性高。因而，通過晶界相添加納米氮化硅可以提高燒結(jié)釹鐵硼的工作溫度和耐蝕性。
實(shí)施例31)采用速凝薄片工藝制備主相合金，銅輥表面線速度為1.5m/s，成分Nd12.59Fe81.32B5.70Dy0.4(at％)，采用快淬技術(shù)，快淬速度18m/s，將晶界相合金Nd23.74Fe64.78B6.89(Dy0.92Co1.27Cu0.35Nb0.4Al1.66)(at％)制成快淬帶。
2)將主相合金和晶界相合金分別制粉。通過氫爆法直接破碎，在室溫下飽和吸氫，然后在500℃脫氫7h制成氫爆粉，然后在氮?dú)獗Ｗo(hù)下通過氣流磨制成平均顆粒直徑為4.0μm的粉末。
3)在晶界相合金粉末中加入經(jīng)分散處理占其重量5％的納米氮化硅粉末(平均顆粒直徑為30nm)，及1％的抗氧化劑聚環(huán)氧乙烷烷基醚，在混料機(jī)中均勻混和。
4)將經(jīng)納米氮化硅摻雜的晶界相合金粉末與主相合金粉末混合，使其重量占總重量的20％，同時(shí)添加2％的汽油，在混料機(jī)中均勻混合成混合粉末。
4)將混合后的粉末通過磁場取向成型壓機(jī)壓制為型坯件，成型取向磁場1.8T，在完全密封的手套箱中完成的，使磁粉隔離空氣。
5)型坯件放入高真空燒結(jié)爐內(nèi)燒結(jié)，1100℃燒結(jié)3h，再560℃熱處理回火3h，制得燒結(jié)磁體，其性能如表三。測得磁體極化曲線的開路電位增加，腐蝕電流密度減小，說明鍍層耐蝕性能提高。
表三，采用雙合金工藝添加納米氮化硅制備的燒結(jié)磁體磁性能實(shí)施例4

1)將主相合金和晶界相合金分別制備。主相合金采用速凝薄片工藝，銅輥表面線速度為2.2m/s，成分為Nd11.1Fe79.5B5.9Dy1.5Co2.0(at％)，采用快淬技術(shù)，將晶界相合金Nd27.83Fe56.2B6.68Dy2.47Co6.82(at％)制備成快淬帶，快淬速度18m/s。
2)將主相合金和晶界相合金分別制粉。通過顎式破碎機(jī)進(jìn)行粗破，通過中破碎機(jī)進(jìn)行中破，然后在氮?dú)獗Ｗo(hù)下通過氣流磨制成平均顆粒直徑為3.2μm的粉末。
3)在晶界相合金粉末中加入占其重量10％、經(jīng)分散處理的納米氮化硅粉末(平均顆粒直徑為20nm)，及1％的抗氧化劑聚環(huán)氧乙烷烯丙基醚，在混料機(jī)中均勻混和。
4)將經(jīng)納米氮化硅粉末摻雜的晶界相合金粉末與主相合金粉末混合，使其重量占合金總重量的18％，同時(shí)添加2％的汽油，在混料機(jī)中均勻混合成混合粉末。
5)將混合后的粉末通過磁場取向成型壓機(jī)壓制為型坯件，成型取向磁場1.6T，在完全密封的手套箱中完成的，使磁粉隔離空氣。
6)型坯件放入高真空燒結(jié)爐內(nèi)燒結(jié)，1070℃燒結(jié)4.5h，再560℃熱處理回火3h，制得燒結(jié)磁體，其性能如表四。測得磁體極化曲線的開路電位增加，腐蝕電流密度減小，說明鍍層耐蝕性能提高。
表四，采用雙合金工藝添加納米氮化硅制備的燒結(jié)磁體磁性能

權(quán)利要求
1.一種晶界相中添加納米氮化硅提高釹鐵硼工作溫度和耐蝕性方法，其特征在于它的步驟為1)主相合金采用鑄造工藝制成釹鐵硼鑄錠合金或用速凝薄片工藝制成釹鐵硼速凝薄片，晶界相合金采用鑄造工藝制成鑄錠合金或速凝薄片工藝制成速凝薄片或快淬工藝制成快淬帶；2)采用氫爆法或者通過破碎機(jī)將主相合金的鑄錠合金或速凝薄片和晶界相合金的鑄錠合金、速凝薄片或快淬帶破碎，破碎后通過氣流磨磨料，分別制成平均顆粒直徑為2-10μm粉末；3)在晶界相合金粉末中加入占其重量2-20％、經(jīng)分散處理的納米氮化硅，及1-10％的抗氧化劑，在混料機(jī)中均勻混和；4)將經(jīng)納米氮化硅摻雜的晶界相合金粉末與主相合金粉末混合，晶界相合金粉末重量占總重量的1-20％，同時(shí)添加0.5-5％的汽油，在混料機(jī)中均勻混合成混合粉末；5)混合粉末在1.2-2.0T的磁場中壓制成型坯件；6)將型坯件放入高真空燒結(jié)爐內(nèi)，1050-1125℃燒結(jié)2-4h，再經(jīng)過500-650℃熱處理回火2-4h，制得燒結(jié)磁體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶界相中添加納米氮化硅提高釹鐵硼工作溫度和耐蝕性方法，其特征在于所說的主相合金其成分為NdaFe100-a-b-cBbMc(at％)，其中11≤a≤16，5.4≤b≤6.6，0≤c≤6，M為Dy、Tb、Nb、Co、Ga、Zr、Al、Cu元素中一種或幾種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶界相中添加納米氮化硅提高釹鐵硼工作溫度和耐蝕性方法，其特征在于所說的晶界相合金其成分為NddFe100-d-e-fBeRf(at％)，其中13.5≤d≤30，4≤e≤7，0≤f≤15，R為Dy、Tb、Nb、Co、Ga、Zr、C、Al、Cu、Si元素中一種或幾種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶界相中添加納米氮化硅提高釹鐵硼工作溫度和耐蝕性方法，其特征在于所說的納米氮化硅的平均顆粒直徑為2-40nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶界相中添加納米氮化硅提高釹鐵硼工作溫度和耐蝕性方法，其特征在于所說的抗氧化劑為聚環(huán)氧乙烷烷基醚或聚環(huán)氧乙烷單脂肪酸酯或聚環(huán)氧乙烷烯丙基醚中的一種。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶界相中添加納米氮化硅提高釹鐵硼工作溫度和耐蝕性方法。其步驟為1)主相合金采用鑄造工藝制成釹鐵硼鑄錠合金或采用速凝薄片工藝制成釹鐵硼速凝薄片，晶界相合金采用鑄造工藝制成鑄錠合金或速凝薄片工藝制成速凝薄片或快淬工藝制成快淬帶；2)將主相合金和晶界相合金分別制粉；3)添加納米氮化硅到晶界相合金粉末中；4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁場中壓制成型；5)燒結(jié)爐內(nèi)制成燒結(jié)磁體。該發(fā)明制得的燒結(jié)釹鐵硼工作溫度和耐蝕性比雙合金工藝但不添加納米氮化硅制得的磁體工作溫度和耐蝕性高，也比單合金法制得的磁體工作溫度和耐蝕性高。因此，通過本發(fā)明可以制備出高工作溫度和耐蝕性的燒結(jié)釹鐵硼。
文檔編號(hào)C22C38/00GK1725394SQ200510050000
公開日2006年1月25日 申請(qǐng)日期2005年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月8日
發(fā)明者嚴(yán)密, 于濂清, 羅偉 申請(qǐng)人:浙江大學(xué)