專利名稱：真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種輔助設(shè)備，尤其是涉及一種用于真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
真空濺鍍是借助高能粒子轟擊所產(chǎn)生的動量交換，把鍍膜材料的原子從固體(靶)表面撞出并放射出來。放在靶前面的基材攔截濺射出來的原子流，后者凝聚并形成鍍層。但是，由于從靶射出的原子流并非按照確定的方向運動，當(dāng)原子流被基材攔截后，在基材表面形成的鍍層可能覆蓋基材的邊緣、側(cè)邊等無須濺鍍的表面，或是在基材表面形成的鍍層不能完全覆蓋基材的需要被濺鍍的表面。為克服此問題，業(yè)界采取的做法是在基材的邊緣位置，為使鍍層準確覆蓋基材的濺鍍的表面，而不鍍到基材的非濺鍍的表面，一般通過調(diào)整遮鍍位置，使遮鍍位置稍微伸出到基材的濺鍍的表面之上。但是，此種方法不容易控制，更沒有一個準則來調(diào)整遮鍍位置，故很容易造成基材的表面被多鍍或少鍍等不良問題。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本實用新型揭示了一種真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)，其能有效解決真空濺鍍中對遮鍍位置的調(diào)整的問題。
為實現(xiàn)上述技術(shù)方案，本實用新型的真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)，其包括一遮蓋部，其設(shè)置于基材的濺鍍表面的一側(cè)，且部分遮蓋該基材的濺鍍表面；且上述遮蓋部與上述基材的濺鍍表面的垂直距離，等于上述遮蓋部遮蓋延伸到上述基材的濺鍍表面的長度。
較佳的，本實用新型的真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)包括一底座以及一遮蓋件，上述底座具有容納上述基材的容納腔，而上述遮蓋部為從上述遮蓋件的內(nèi)壁延伸形成。
由于使用了上述方案，本實用新型所揭示的真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)中，由于采用了設(shè)計輔助設(shè)備的方式來控制對基材的表面濺鍍，克服了業(yè)界對遮鍍位置不準確、難于控制等難題；且本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，具有較佳的實用價值。


圖1為本實用新型的原理示意圖。
圖2為本實用新型的其中一具體實施例的立體示意圖。
圖3為圖2所示的分解示意圖。
具體實施方式
如圖1所示，為本實用新型所揭示的真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)的原理示意圖。
其中，該遮鍍輔助設(shè)備100使用于真空濺鍍系統(tǒng)中，且設(shè)置于真空濺鍍系統(tǒng)中的固體(或靶)與基材200(待鍍層的物體)之中。該遮鍍輔助設(shè)備100包括從一側(cè)壁向外延伸而形成階梯形的遮蓋部110，該遮蓋部110部分遮蓋于上述基材200的一側(cè)面表面；上述遮蓋部110末端的壁厚C大約為2.0MM；上述遮蓋部110與上述基材200的表面的垂直距離A，與上述遮蓋部110向外延伸出的長度B大致相等，也即A∶B大約為1∶1，且A與B的數(shù)值在0.8-1.2MM之間時具有較佳的遮鍍效果；上述遮蓋部110的坡度D大約為30°。
上述A也為上述遮蓋部110遮蓋上述基材200的邊緣部分的寬度。當(dāng)上述真空濺鍍系統(tǒng)中的靶把鍍膜材料的原子撞出并放射出來后，部分原子流濺鍍到上述遮蓋部110之上；通過上述遮蓋部110，使原子流無法濺鍍到上述基材200的非濺鍍的表面220；且原子流濺鍍到上述基材200的濺鍍的表面210，經(jīng)凝聚并形成鍍層，該鍍層與上述非濺鍍的表面220或是距上述濺鍍的表面210邊界的非鍍層部門，能滿足行業(yè)的有關(guān)要求。
另外，同時參考圖2和圖3，為采用圖1所示的原理的其中一個具體實施例。其中，遮鍍輔助設(shè)備100包括一底座120以及一遮蓋件130，上述遮蓋件130配合上述底座120使用。上述底座120為根據(jù)待濺鍍的基材200(圖2和圖3中均未繪示)，設(shè)置有容納上述基材200的容納腔140，而上述遮蓋件130扣合設(shè)置于上述底座120一側(cè)面，進一步使上述基材200固定容納于上述底座120中的容納腔140中。另外，上述遮蓋件130的內(nèi)壁上，向外延伸設(shè)置有上述遮蓋部110，上述遮蓋部110的延伸長度與上述遮蓋部110距離上述基材200的表面的長度相等，且均為0.8-1.2MM；另外，上述遮蓋件130的內(nèi)壁的形狀與上述基材200的邊緣形狀類似，使從上述遮蓋件130的內(nèi)壁上向外延伸的上述遮蓋部110恰好能遮蓋上述基材200的邊緣部分，以達到防止上述上述基材200的非濺鍍的表面220被濺鍍，同時能最大化的濺鍍上述基材200的濺鍍的表面210，且濺鍍面電阻值達到最小。
綜上所述，本實用新型所揭示的真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)中，由于采用了設(shè)計輔助設(shè)備的方式來控制對基材的表面濺鍍，克服了業(yè)界對遮鍍位置不準確、難于控制等難題。
權(quán)利要求1.一種真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)，其特征在于包括一部分遮蓋基材的濺鍍表面之遮蓋部，該遮蓋部設(shè)置于該基材的濺鍍表面的一側(cè)，另外，該遮蓋部遮蓋延伸到上述基材的濺鍍表面的長度等于該遮蓋部與上述基材的濺鍍表面的垂直距離。
2.如權(quán)利要求1所述的真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括一底座以及一遮蓋件，上述底座具有容納上述基材的容納腔，而上述遮蓋部為從上述遮蓋件的內(nèi)壁延伸形成。
專利摘要本實用新型揭示了一種真空濺鍍中的遮鍍輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)，其包括一遮蓋部，其設(shè)置于基材的濺鍍表面的一側(cè)，且部分遮蓋該基材的濺鍍表面；且上述遮蓋部與上述基材的濺鍍表面的垂直距離，等于上述遮蓋部遮蓋延伸到上述基材的濺鍍表面的長度。由于本實用新型采用了設(shè)計輔助設(shè)備的方式來控制對基材的表面濺鍍，克服了業(yè)界對遮鍍位置不準確、難于控制等難題；且本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，具有較佳的實用價值。
文檔編號C23C14/34GK2873798SQ20052006520
公開日2007年2月28日 申請日期2005年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者楊雪嬌, 覃飛祥, 吳政道 申請人:佛山市順德區(qū)漢達精密電子科技有限公司