專利名稱：發(fā)光二極管蒸著膜圖案形成的制法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種大幅降低制造成本、并令產(chǎn)品可方便量產(chǎn)化制造的發(fā)光二極管蒸著膜圖案形成的制法及裝置，尤適于應(yīng)用在發(fā)光二極管電極或類似結(jié)構(gòu)的制造。
背景技術(shù)：
一般發(fā)光二極管的制法，首先制作出III-V化合物芯片后，再于III-V化合物芯片上制作金屬電極，而后進(jìn)行切割以形成發(fā)光二極管晶粒，最后進(jìn)行封裝作業(yè)，即完成發(fā)光二極管的制作。
現(xiàn)有的發(fā)光二極管金屬電極的制作方法，大致可分為二種，第一種方法是先于III-V化合物芯片表面鍍上一層金屬膜，接續(xù)利用微影蝕刻技術(shù)形成一圖案化光阻層，并以該圖案化光阻層為罩幕，蝕刻該金屬膜，以完成金屬電極的制作；另一種方法則是于III-V化合物芯片上涂布一層光阻并進(jìn)行微影成像后，鍍上一層金屬膜，再進(jìn)行光阻浮離制程，使金屬成像完成金屬電極的制作。
然而，上述該些方法皆需利用微影蝕刻制程才能完成電極的制作，但微影蝕刻制程相當(dāng)煩瑣、復(fù)雜，在制作上并具有較高的困難度。
因此，提出一種可減化制程、大幅降低制造成本，并使所制出的發(fā)光二極管具有所需電極，實為本發(fā)明的用意。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺陷，提出一種減化制程、節(jié)省制造成本的發(fā)光二極管蒸著膜圖案形成的制法。
本發(fā)明的次要目的在于，提出一種令發(fā)光二極管芯片上具有所需電極的發(fā)光二極管蒸著膜圖案形成的裝置。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管蒸著膜圖案形成的制法其所采取的步驟包括下列步驟a、將載具置于磁性吸附元件上方；b、將芯片放置于載具中；c、再把非磁性金屬罩幕置于芯片表面，利用磁性吸附元件的磁力吸附非磁性金屬罩幕，而夾住并固定芯片；以及d、將多個上述裝置重復(fù)安裝于一蒸鍍轉(zhuǎn)盤的球面部上，使蒸發(fā)源金屬以近乎垂直芯片的角度鍍膜成像；而依上述步驟制出的產(chǎn)品可大幅降低制造成本，且產(chǎn)品可方便量產(chǎn)化。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管蒸著膜圖案形成的裝置，包括一載具，上、下各設(shè)有一容置空間；一磁性吸附元件，配合載具的一容置空間而設(shè)，并置于其中；一非磁性金屬罩幕，配合載具外形而設(shè)的不具磁性的金屬薄片，供覆蓋于載具另一置放芯片的容置空間；一擋片，供載具結(jié)合，且該擋片背側(cè)設(shè)有結(jié)合柱；以及一蒸鍍轉(zhuǎn)盤，設(shè)有球面部供多個擋片結(jié)合，使點(diǎn)蒸發(fā)源以近乎垂直芯片的角度鍍膜成像。
本發(fā)明的其它特點(diǎn)及具體實施例可于以下配合附圖的詳細(xì)說明中，進(jìn)一步了解。


圖1為本發(fā)明方法的制造流程圖；圖2為本發(fā)明裝置元件的分解立體圖；圖3為本發(fā)明裝置的使用組合剖示圖；圖4為本發(fā)明蒸鍍的使用狀態(tài)圖。
圖中符號說明
10 載具11 容置空間12 容置空間20 磁性吸附元件30 非磁性金屬罩幕40 芯片50 擋片51 定位柱52 結(jié)合柱60 蒸鍍轉(zhuǎn)盤61 點(diǎn)蒸發(fā)源具體實施方式
請參圖1，本發(fā)明的方法包括以下步驟步驟a將載具置于磁性吸附元件上方；步驟b將芯片置于載具上；步驟c把非磁性金屬罩幕置于芯片表面，利用磁性吸附元件吸附非磁性金屬罩幕，由此以夾住并固定芯片；以及步驟d將多個上述裝置重復(fù)安裝于一蒸鍍轉(zhuǎn)盤的球面部上，使蒸發(fā)源金屬以近乎垂直芯片的角度鍍膜成像。
本發(fā)明的裝置包含有載具10、磁性吸附元件20、非磁性金屬罩幕30、擋片50以及一蒸鍍轉(zhuǎn)盤60，如圖2所示，其中該載具10可為圓形、方形或三角形等任意形狀，本實施例以圓形說明之，而該載具10的周緣上、下各延伸一適當(dāng)長度的邊框，令載具10的上、下方各形成一容置空間11、12，且該載具10一側(cè)邊框上設(shè)有數(shù)個定位孔。
該磁性吸附元件20，配合載具10的外形而設(shè)，供置于載具10設(shè)有定位孔的該邊框的容置空間11中。
該非磁性金屬罩幕30為配合載具10外形而設(shè)的不具磁性的金屬薄片，該金屬薄片上設(shè)有所需的多孔狀幾何圖形。
該擋片50，一側(cè)對應(yīng)載具10設(shè)有定位孔處突設(shè)有定位柱51，另側(cè)中央設(shè)有結(jié)合柱52。
該蒸鍍轉(zhuǎn)盤60設(shè)為球面部，該蒸鍍轉(zhuǎn)盤60與點(diǎn)蒸發(fā)源61間設(shè)有適當(dāng)距離，且呈相對設(shè)置。
實際制造時，請參圖3，首先將磁性吸附元件20置于擋片50上設(shè)有定位柱51之處，再將載具10設(shè)有定位孔的該側(cè)朝下并與定位柱51結(jié)合，令磁性吸附元件20置于載具10下方的容置空間11內(nèi)，另外，把芯片40置于載具10上方的容置空間12中，最后再將設(shè)有所需圖形的非磁性金屬罩幕30置于芯片40的表面，使非磁性金屬罩幕30完整覆蓋芯片40，此時，該非磁性金屬罩幕30即被下方的磁性吸附元件20的磁力所吸附，該芯片40則被非磁性金屬罩幕30與磁性吸附元件20夾住并固定。
請參圖4，利用擋片50底部所設(shè)的結(jié)合柱52，以將多個擋片50結(jié)合于蒸鍍轉(zhuǎn)盤60的球面部上，令每一擋片50上的芯片40與點(diǎn)蒸發(fā)源61近乎成垂直，以使圖案移轉(zhuǎn)完整及減少圖案周邊膜厚下降，而方便芯片40鍍膜成像。
由上可知，以本發(fā)明的制法及制出的裝置具有如下實用優(yōu)點(diǎn)1、改變現(xiàn)有技術(shù)芯片電極需以微影蝕刻較繁瑣、困難的技術(shù)制作的缺陷，而以精簡的制程完成芯片電極的制作，故可大幅降低制作成本。
2、通過本發(fā)明的載具、磁性吸附元件以及非磁性金屬罩幕的使用，令芯片電極的制作可方便量產(chǎn)化。
3、選擇極薄的非磁性金屬罩幕并通過磁性吸附元件的吸附，令非磁性金屬罩幕緊密貼附于芯片，同時每一芯片均以近乎垂直的角度與蒸發(fā)源金屬相對，故非磁性金屬罩幕上的圖案移轉(zhuǎn)完整同時減少圖案周邊膜厚下降。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例，舉凡依本發(fā)明權(quán)利要求書所做的均等設(shè)計變化，均應(yīng)為本發(fā)明的技術(shù)所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管蒸著膜圖案形成的方法，其特征在于，包括下列步驟a、將載具置于磁性吸附元件上方；b、將芯片置于載具上；c、把非磁性金屬罩幕置于芯片表面，利用磁性吸附元件吸附非磁性金屬罩幕，由此以夾住并固定芯片；以及d、將多個上述裝置重復(fù)安裝于一蒸鍍轉(zhuǎn)盤的球面部上，使點(diǎn)蒸發(fā)源以近乎垂直芯片的角度鍍膜成像。
2.一種發(fā)光二極管蒸著膜圖案形成的裝置，其特征在于，包括一載具，上、下各設(shè)有一容置空間；一磁性吸附元件，配合載具的一容置空間而設(shè)，并置于其中；一非磁性金屬罩幕，配合載具外形而設(shè)的不具磁性的金屬薄片，供覆蓋于載具另一置放芯片的容置空間；一擋片，供載具結(jié)合，且該擋片背側(cè)設(shè)有結(jié)合柱；以及一蒸鍍轉(zhuǎn)盤，設(shè)有球面部供多個擋片結(jié)合，使點(diǎn)蒸發(fā)源以近乎垂直芯片的角度鍍膜成像。
3.如權(quán)利要求2所述發(fā)光二極管蒸著膜圖案形成的裝置，其中，該載具供置設(shè)磁性吸附元件的容置空間周緣設(shè)有數(shù)個定位孔，且該擋片對應(yīng)于載具設(shè)有定位孔處突設(shè)有定位柱。
4.如權(quán)利要求2所述發(fā)光二極管蒸著膜圖案形成的裝置，其中，該金屬薄片上設(shè)有所需的多孔幾何圖形。
5.如權(quán)利要求2所述發(fā)光二極管蒸著膜圖案形成的裝置，其中，該非磁性金屬罩幕的厚度為10um～100um。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管蒸著膜圖案形成的制法及裝置，其制法包括下列步驟a.將載具置于磁性吸附元件上方；b.將芯片放置于載具中；c.再把非磁性金屬罩幕置于芯片表面，利用磁性吸附元件的磁力吸附非磁性金屬罩幕，而夾住并固定芯片；以及d.將多個上述裝置重復(fù)安裝于一蒸鍍轉(zhuǎn)盤的球面部上，使蒸發(fā)源金屬以近乎垂直芯片的角度鍍膜成像；而依上述步驟制出的產(chǎn)品可大幅降低制造成本，且產(chǎn)品可方便量產(chǎn)化。
文檔編號C23C14/24GK101064354SQ200610077309
公開日2007年10月31日 申請日期2006年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月26日
發(fā)明者龔正 申請人:鼎元光電科技股份有限公司