專利名稱：濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種盤形濺射靶，其用于制造具有相變型光記錄層的高密度可再寫光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，對(duì)光記錄介質(zhì)的高速記錄的需求不斷增長(zhǎng)。特別是，在盤形光記錄介質(zhì)中的記錄速度已增加，由于這種光記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)速度的增長(zhǎng)導(dǎo)致讀寫信息速度的增長(zhǎng)。在這種盤形光記錄介質(zhì)中，可通過(guò)調(diào)制記錄過(guò)程中的照射光強(qiáng)度而簡(jiǎn)單地記錄信息的光記錄介質(zhì)已得到了普及，因?yàn)橛捎谟涗浽砗?jiǎn)單，介質(zhì)和由此的記錄設(shè)備可經(jīng)濟(jì)地制造。另外，強(qiáng)度調(diào)制光可以用來(lái)讀取信息，使得確保記錄設(shè)備和純?cè)佻F(xiàn)設(shè)備之間的高度兼容性。但是，隨著電子信息量進(jìn)一步的增加，對(duì)于高密度和高速化記錄的需求更強(qiáng)烈。
在這些光介質(zhì)中，由相變材料形成的光介質(zhì)成為主流，因?yàn)檫@種相變材料型光介質(zhì)是可再寫的。相變型光介質(zhì)如CD-RW、DVD+RW和DVD-RAM迄今已經(jīng)商業(yè)化。已開發(fā)了各種可以高速記錄大量信息的介質(zhì)。而且，可以記錄大量信息的藍(lán)光盤(blue ray disc)已經(jīng)商業(yè)化并因此可以預(yù)期更高速度的記錄。上述可再寫DVD中最快的記錄速度現(xiàn)在為DVD+RW的8×(28m/s)。還可以預(yù)期有更高速度的記錄。
在使用相變材料的光盤的情況下，根據(jù)照射光的強(qiáng)度調(diào)節(jié)通過(guò)相變材料快速冷卻狀態(tài)和逐漸冷卻狀態(tài)記錄信息。當(dāng)用于記錄層中的相變材料在熔化后被快速冷卻時(shí)，相變材料獲得無(wú)定形狀態(tài)，當(dāng)逐漸冷卻時(shí)，相變材料獲得晶體狀態(tài)。由于無(wú)定形態(tài)和晶體態(tài)具有不同的光學(xué)性質(zhì)，光信息可寫入和讀取。通過(guò)激光束照射來(lái)加熱相變型光記錄介質(zhì)中的基底上的薄記錄層，以使薄記錄層的狀態(tài)(即晶體態(tài)和無(wú)定形態(tài))，即光盤的反射率交替變化，在相變型光記錄介質(zhì)中重復(fù)記錄信息。一般地，具有高反射率的晶體態(tài)確定作為未記錄狀態(tài)。通過(guò)形成由具有低反射率的無(wú)定形態(tài)所代表的標(biāo)記，和具有高反射率的晶體態(tài)所代表的空白(space)，來(lái)記錄信息。眾所周知，記錄是通過(guò)脈沖分割和強(qiáng)度調(diào)制為三(pulse-divided and intensity-modulatedinto three)的記錄光照射介質(zhì)來(lái)進(jìn)行的。
作為重復(fù)記錄數(shù)據(jù)的寫入脈沖波形(記錄策略)，例如，有圖1所示的用于DVD+RW等的記錄策略。無(wú)定形態(tài)所代表的標(biāo)記由峰值功率(Pp＝Pw)和偏置功率(bias power Pb)的交替重復(fù)的脈沖照射而形成。晶體態(tài)所代表的空白由具有在峰值功率和偏置功率之間中間功率水平的清除功率(Pe)的持續(xù)照射而形成。圖1中所示的例子為1T(T為形成無(wú)定形標(biāo)記的基本脈沖周期)周期策略的例子。為了進(jìn)行高速記錄，使用具有2T脈沖周期的2T周期策略。
當(dāng)用包含峰值功率光和偏置功率光的一系列脈沖照射介質(zhì)時(shí)，記錄層被反復(fù)熔化并且快速冷卻，導(dǎo)致形成無(wú)定形標(biāo)記。當(dāng)使用清除功率光時(shí)，記錄層被熔化并逐漸地冷卻或退火同時(shí)保持固態(tài)并獲得晶體態(tài)，從而形成空白。
為了獲得良好的反復(fù)記錄特性，優(yōu)選使用具有結(jié)晶速度適于記錄線性速度的記錄層。
公開未審日本專利申請(qǐng)(下文成為JOP)S63-157864描述了一種濺射靶，其用于形成具有均一成分的薄層作為光記錄盤的記錄層。其結(jié)構(gòu)為形成成分之一如金屬合金的扇形部分和薄層化合物以對(duì)于靶心的同心方式在靶上排列。根據(jù)JOP S63-157864，由于不管圓周的半徑，扇形部分在圓周方向上具有均勻的面積比，可使得在基底上的成分分布均勻，導(dǎo)致在光盤中形成具有均一結(jié)晶速度的記錄層。
但是，通常，與光盤外側(cè)的部分相比，內(nèi)側(cè)部分的記錄速度相對(duì)低。例如，在對(duì)于直徑為12cm的盤的恒角速度(CAV)記錄的情況下，光盤外側(cè)的記錄速度為其內(nèi)側(cè)速度的2.4倍。當(dāng)是上文所述的8×盤時(shí)，受驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)數(shù)所限，光盤內(nèi)側(cè)的記錄速度只有3.3×或6×。所以，對(duì)于如上所述在盤中具有恒定的結(jié)晶速度的記錄層，光盤外側(cè)的結(jié)晶速度相對(duì)慢于記錄速度，而內(nèi)側(cè)的結(jié)晶速度側(cè)相對(duì)快。
當(dāng)結(jié)晶速度慢于記錄速度時(shí)，難于清除所有在先前反復(fù)記錄所形成的無(wú)定形標(biāo)記，且部分無(wú)定形標(biāo)記殘留未被清除。反過(guò)來(lái)，當(dāng)結(jié)晶速度快于記錄速度時(shí)，難于形成足夠尺寸的無(wú)定形標(biāo)記，因?yàn)榧词巩?dāng)如2T周期策略一樣通過(guò)減少脈沖數(shù)來(lái)保證充分的冷卻時(shí)間時(shí)，結(jié)晶速度還是快。因此，需要特別的策略。另外，即使在充分形成無(wú)定形標(biāo)記時(shí)，還出現(xiàn)抖動(dòng)誤差等。
由于光盤內(nèi)側(cè)的記錄速度慢而外側(cè)記錄速度快，當(dāng)光盤中的記錄層在內(nèi)側(cè)和外側(cè)具有不同成分，以這種方式使得結(jié)晶速度從內(nèi)到外增加時(shí)，可獲得在整個(gè)光盤上的良好反復(fù)記錄特性。
作為在光盤中在記錄層的內(nèi)側(cè)和外側(cè)具有不同成分的濺射靶，JOPH08-282106描述了多環(huán)形式靶，具有盤形靶和(多)環(huán)形式靶的組合的靶，和分成具有獨(dú)立成分的多重同心區(qū)域的靶。另外，JOP 2000-215530和2004-162115也描述了分成具有獨(dú)立成分的多重同心區(qū)域的靶。
然而，在多環(huán)形式靶和具有盤形靶和(多)環(huán)形式靶的組合的靶的情況下，需要可在濺射過(guò)程中單獨(dú)控制每個(gè)靶的濺射設(shè)備，意味著必須改造濺射設(shè)備。
另外，在分成具有獨(dú)立成分的多重同心區(qū)域的靶的情況下，可使用與整個(gè)盤上具有均一成分的盤形靶的情況下相同的濺射設(shè)備。但是難以制造這種靶。生產(chǎn)這種靶的值得考慮的具體實(shí)例包括這樣的方法，其中將分別制造的具有獨(dú)立成分的靶加工以具有同心的形式且一起整體地結(jié)合到背襯板上；和這樣的方法，其中具有獨(dú)立成分的多種金屬合金粉末以同心的形式填充并熱壓得到整體靶。但是，需要高水平靶的生產(chǎn)技術(shù)以將這種復(fù)雜的形式(即，同心形式)的每個(gè)靶結(jié)合，因?yàn)椴粦?yīng)在邊界之間產(chǎn)生間隙以避免反常放電。另外，當(dāng)對(duì)以同心形式填充的金屬粉末進(jìn)行熱壓時(shí)，難以在整個(gè)盤上獲得具有高密度的形式，因?yàn)闊釅簵l件依成分而有細(xì)微不同。結(jié)果，獲得的靶趨向于具有低密度。具有低密度的靶不是優(yōu)選的，因?yàn)樾纬傻膶拥奶匦匀Q于該層的形成條件而大幅變化。

發(fā)明內(nèi)容
由于上述原因，本發(fā)明人認(rèn)識(shí)到存在對(duì)一種濺射靶的需求，通過(guò)該濺射靶可以用與在已知的在整個(gè)光盤上具有均一成分的盤形靶中使用的相同濺射設(shè)備在盤基底上形成在盤的內(nèi)側(cè)和外側(cè)具有獨(dú)立成分的層，從而高速地記錄大量信息。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種濺射靶，通過(guò)該濺射靶可以用與在已知的在整個(gè)光盤上具有均一成分的盤形靶中使用的相同濺射設(shè)備在盤基底上形成在盤的內(nèi)側(cè)和外側(cè)具有獨(dú)立成分的層，從而高速地記錄大量信息。簡(jiǎn)單地說(shuō)，本發(fā)明的此目的和在下文中描述的其他目的將變得更加明顯并可通過(guò)使用具有盤形包含多個(gè)成分區(qū)域的濺射靶而單獨(dú)實(shí)現(xiàn)或?qū)崿F(xiàn)其組合，該成分區(qū)域每一個(gè)具有獨(dú)立的成分。每個(gè)成分區(qū)域形成盤的周邊(periphery)部分，且當(dāng)圓周穿過(guò)至少兩個(gè)成分區(qū)域時(shí)，盤的圓周上的平均成分取決于圓周上的半徑而不同。
上述的濺射靶優(yōu)選含有Sb。
上述的濺射靶還優(yōu)選進(jìn)一步含有選自Ga、In、Ge、Te、Zn、Mn和Ag中的至少一種元素。
上述的濺射靶更優(yōu)選進(jìn)一步含有Sn和/或Bi。
上述的濺射靶更優(yōu)選含有GeO2和SiO2的至少一種和Ge和Si的至少一種的組合。
通過(guò)結(jié)合附圖考慮本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案的描述，本發(fā)明的這些以及其它目的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加顯然。


當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，根據(jù)以下詳細(xì)描述，本發(fā)明的各種其他目的、特征和相應(yīng)的優(yōu)勢(shì)將更充分地評(píng)價(jià)以及更好地理解，在附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的相應(yīng)的部分，其中圖1為說(shuō)明反復(fù)記錄由標(biāo)記和空白表示的數(shù)據(jù)的寫入脈沖波形的實(shí)例的圖；圖2為說(shuō)明本發(fā)明的濺射靶的實(shí)例的圖；圖3為說(shuō)明濺射靶的圓周上的平均成分的實(shí)例的示意圖；圖4為說(shuō)明本發(fā)明的濺射靶的結(jié)構(gòu)的另一實(shí)例的圖；圖5為說(shuō)明本發(fā)明的濺射靶的結(jié)構(gòu)的另一實(shí)例的圖；圖6為說(shuō)明本發(fā)明的濺射靶的結(jié)構(gòu)的另一實(shí)例的圖；和圖7為說(shuō)明線速度與反射率之間的關(guān)系，以獲得轉(zhuǎn)變(transition)線速度。
具體實(shí)施例方式
下文描述本發(fā)明所涉及的濺射靶的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的濺射靶具有含成分區(qū)域的盤形式，該成分區(qū)域含有獨(dú)立成分。各成分區(qū)域包含盤周邊部分。當(dāng)圓周穿過(guò)不同成分區(qū)域時(shí)，由各成分區(qū)域所占的圓周上的比例依其半徑而變化。
圖2為說(shuō)明本發(fā)明的濺射靶的正視圖的實(shí)例的圖。
濺射靶10是具有包含成分A和成分B的兩個(gè)組成區(qū)域的靶的實(shí)例。由成分A形成的成分區(qū)域10a和由成分B形成的成分區(qū)域10b形成盤形，同時(shí)以在其之間的直線彼此接觸。成分區(qū)域10b具有弓形且比成分區(qū)域10a小。
本發(fā)明的濺射靶用作蒸發(fā)源，以通過(guò)濺射法在與濺射靶相對(duì)配置的旋轉(zhuǎn)盤基底上形成層。因此，濺射靶盤的圓周上的平均成分由各成分區(qū)域A和B的成分和各成分區(qū)域A和B所占據(jù)的長(zhǎng)度比決定。該平均成分反映在前述盤基底上形成的層的相應(yīng)圓周上的成分上。
因此，由于各成分區(qū)域A和B所占據(jù)的圓周的比例根據(jù)內(nèi)圓周的半徑而不同使得前述的平均成分不同，對(duì)應(yīng)于盤基底上的圓周形成的薄層的成分根據(jù)圓周半徑而不同。
參考圖3以具體方式描述濺射靶10的圓周上的平均成分。
在濺射靶10中，根據(jù)成分區(qū)域10a和10b的位置，圓周上的平均成分根據(jù)半徑(1)到(3)而變化，其接近于在磁控管濺射的情況下的侵蝕區(qū)域。如圖3所示，半徑(1)到(3)以此順序增加。
當(dāng)兩條直線從中心C劃到對(duì)于具有半徑(1)到(3)的圓周在成分A和B之間的邊緣區(qū)域時(shí)，由每對(duì)兩條直線形成的角θB1、θB2和θB3間具有如下關(guān)系θB1＜θB2＜θB3在具有半徑(1)到(3)的每個(gè)圓周上成分B占有的比例分別用θB1/360°、θB2/360°和θB3/360°表示。當(dāng)圖3所示的濺射靶10用于在盤狀基底上形成層，濺射靶10和盤狀基底的中心彼此重疊，同時(shí)旋轉(zhuǎn)盤狀基底時(shí)，得到的層具有成分梯度。其反映濺射靶10的具有半徑(1)到(3)的每個(gè)圓周上的平均成分的差異。
圖4為說(shuō)明三種成分區(qū)域20a、20b和20c形成的結(jié)構(gòu)的實(shí)例的圖。圖5為說(shuō)明兩種成分區(qū)域30a和30b形成的結(jié)構(gòu)的另一實(shí)例的圖。圖6為說(shuō)明三種成分區(qū)域40a、40b1和40b2形成的結(jié)構(gòu)的另一實(shí)例的圖，其中兩個(gè)成分區(qū)域40b1和40b2具有相同的成分。在各種情況下，可以使用具有相對(duì)簡(jiǎn)單形式的分隔制造其中圓周上的平均成分根據(jù)圓周的半徑而不同的靶。
在其中包含多個(gè)具有獨(dú)立成分的成分區(qū)域的濺射靶中，對(duì)應(yīng)于成分區(qū)域的靶通過(guò)熱壓等形成，加工成預(yù)定形狀并結(jié)合到背襯板上。如前文所述，期望避免在各成分區(qū)域之間產(chǎn)生間隙。在本發(fā)明中，在結(jié)合邊界上的形式簡(jiǎn)單，使得可容易避免產(chǎn)生間隙。另外，靶的加工也相對(duì)容易。因此，與典型已知的實(shí)例即同心靶相比，形成這種靶非常容易。
已概述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，可以通過(guò)參考具體實(shí)施例進(jìn)一步理解，這里提供的實(shí)施例僅在于示例性的而非限制。在下述實(shí)施例的描述中，除非另有說(shuō)明，數(shù)字均代表重量份比。
實(shí)施例下面描達(dá)本發(fā)明的實(shí)施例實(shí)施例中使用的濺射靶具有與圖2所示的成分區(qū)域10a和10b相同的兩種成分區(qū)域。將分別形成的每個(gè)靶加工并結(jié)合到背襯板上，以得到具有20cm直徑和兩個(gè)成分區(qū)域邊界長(zhǎng)度為17cm的濺射靶。
實(shí)施例1(1)濺射靶的制造基于成分區(qū)域10a中的成分A(其為Ge10In18Sb72)和成分區(qū)域10b中的成分B(其為In20Sb80)制造如圖2所示的本發(fā)明的濺射靶10。
(2)評(píng)估樣品的制造將具有直徑12cm、厚度0.6mm和道間距為0.74um的導(dǎo)槽的聚碳酸酯盤基底置于濺射設(shè)備(Big Sprinter，由Unaxis Balzers AG制造)上，用于生產(chǎn)具有多層的光盤。旋轉(zhuǎn)盤基底，并通過(guò)濺射法在基底上按此順序形成下列的層(a)到(e)。
(a)第一保護(hù)層厚度為60nm由摩爾比為8∶2的ZnS和SiO2形成的層；(b)記錄層厚度為14nm用濺射靶10形成的層；(c)第二保護(hù)層厚度為8nm由摩爾比為8∶2的ZnS和SiO2形成的層；(d)用于反射層的抗硫化層厚度為4nm由摩爾比為7∶3的TiC和TiO2形成的層；和(e)反射層厚度200nm由Ag形成的層。
然后，表面用有機(jī)保護(hù)層包覆并將厚度為0.6mm的聚碳酸酯盤結(jié)合到其上。用初始化設(shè)備(Hitachi PC生產(chǎn))將記錄層從as-depo的無(wú)定形態(tài)初始化為晶體態(tài)，用于相變型光盤，以得到評(píng)價(jià)樣品。
比較例1此外，當(dāng)實(shí)施例1中形成記錄層時(shí)，另一相變型光盤以如實(shí)施例1中描述的相同的方式制造作為比較樣品(比較例1)，除了使用的靶由成分A形成的單一靶制成。
(3)樣品評(píng)估樣品的轉(zhuǎn)變線速度通過(guò)DVD評(píng)價(jià)設(shè)備(DDU-1000，由Pulstec IndustrialCo.，Ltd.制造)來(lái)測(cè)量。
轉(zhuǎn)變線速度是本發(fā)明的發(fā)明人用作粗標(biāo)準(zhǔn)(rough standard)以根據(jù)記錄線速度設(shè)計(jì)具有合適的記錄特性的介質(zhì)的值。通常，轉(zhuǎn)變線速度越快，介質(zhì)越適合高速記錄。此外，當(dāng)以慢于轉(zhuǎn)變線速度的線速度進(jìn)行記錄時(shí)，記錄層在熔合后達(dá)到重結(jié)晶狀態(tài)。當(dāng)以快于轉(zhuǎn)變線速度的線速度進(jìn)行記錄時(shí)，部分記錄層在熔合后不達(dá)到重結(jié)晶狀態(tài)，并且仍然保持無(wú)定形態(tài)。
為獲取轉(zhuǎn)變線速度，介質(zhì)以恒定速度旋轉(zhuǎn)并用功率僅足以熔化記錄層的激光束照射介質(zhì)一個(gè)圓周，以測(cè)量其反射率。在改變旋轉(zhuǎn)速度的同時(shí)，用保持恒定的激光束功率類似地測(cè)量反射率。當(dāng)線速度慢時(shí)，反射率高。但反射率在線速度達(dá)到特定的線速度后開始下降。圖7說(shuō)明了這種狀況。
在圖7里，所畫的一條直線代表反射率對(duì)線速度保持恒定的區(qū)域，另一條直線代表發(fā)射率隨線速度按比例下降的區(qū)域。兩條直線交界處被確定為轉(zhuǎn)變線速度。也就是說(shuō)，轉(zhuǎn)變線速度就是當(dāng)反射率開始下降時(shí)的線速度。
除了記錄層的結(jié)晶速度外，轉(zhuǎn)變線速度還取決于用于照射的激光束的功率和形成介質(zhì)的每個(gè)層的厚度，即光和熱條件。
實(shí)施例1中使用的評(píng)估設(shè)備具有一個(gè)波長(zhǎng)為650到670nm和數(shù)值孔徑(NA)為0.65的拾波頭(pickup head)。轉(zhuǎn)變線速度在每個(gè)樣品的半徑為25，40和55(mm)下用在介質(zhì)上功率15mW來(lái)測(cè)量。
轉(zhuǎn)變線速度的測(cè)量結(jié)果如表1所示。從表1中可以看到，實(shí)施例1中樣品的轉(zhuǎn)變線速度隨半徑增加而增加。認(rèn)為其原因是在圓周上的成分A和B的比例根據(jù)它們的半徑而不同。
另一方面，對(duì)比樣品的轉(zhuǎn)變線速度在各個(gè)半徑均相同。
表1

實(shí)施例2和3除用Te12In18Sb70代替濺射靶10的成分A外，以與實(shí)施例1相同的方式制造實(shí)施例2的樣品相變型光盤。
除用In20Sb65Sn15代替濺射靶10的成分B外，以與實(shí)施例1相同的方式制造實(shí)施例3的樣品相變型光盤。
在與實(shí)施例1相同的條件下測(cè)量實(shí)施例2和3的樣品盤的轉(zhuǎn)變線速度。
結(jié)果見表2。
與實(shí)施例1的情形相似，實(shí)施例2和3的轉(zhuǎn)變線速度隨半徑的增大而增大。認(rèn)為其原因?yàn)閳A周上的成分A和B的比例在各個(gè)半徑處不同。
表2

當(dāng)如實(shí)施例1到3中一樣使用主要含有Sb的記錄層時(shí)，無(wú)定形態(tài)和晶體態(tài)之間的光學(xué)常數(shù)的差別很大，使得可記錄具有大調(diào)制度的信號(hào)。但是，由于僅含有Sb的記錄層不能獲得無(wú)定形態(tài)，所以至少一種其他元素加入到記錄層上。
作為加入到Sb中的元素，基于對(duì)各種元素的研究結(jié)果，發(fā)現(xiàn)含有選自Ga、In、Ge、Te、Zn、Mn和Ag中的一種或多種元素的記錄層具有良好的重復(fù)記錄特性和良好的保存穩(wěn)定性。當(dāng)加入這些元素時(shí)，所有這些元素加速得到無(wú)定形態(tài)。隨著其加入量的增加，介質(zhì)的結(jié)晶速度下降而保存穩(wěn)定性改善。由于功能根據(jù)這些元素而改變，記錄層的結(jié)晶速度可以通過(guò)將適當(dāng)?shù)脑匾赃m當(dāng)量組合來(lái)調(diào)整。當(dāng)這些元素的加入量太少時(shí)，保存穩(wěn)定性趨于惡化。因此，期望這些元素的加入量至少為10原子％，這些元素加入量的上限由對(duì)所需的結(jié)晶速度確定，且一般總共為約40原子％。
另外，可加入Sn和Bi中的至少一種。與前述加入元素如Ga不同，Sn和Bi具有加速結(jié)晶的功能。因此，當(dāng)加入大量附加元素如Ga元素以確保保存穩(wěn)定性但對(duì)結(jié)晶速度具有不利影響，即降低結(jié)晶速度時(shí)，需要加入Sn和/或Bi。Bi和Sn還可促進(jìn)初始化。當(dāng)Sn和/或Bi加入量為約2到20％時(shí)，可以獲得合適的記錄層。加入過(guò)量的Sn和/或Bi可破壞介質(zhì)的保存穩(wěn)定性。
如上所述，具有良好記錄特性和良好保存穩(wěn)定性的記錄層可以通過(guò)向作為主成分的Sb中加入適量的加入元素來(lái)獲得。
調(diào)節(jié)加入元素的量和組合，以形成其結(jié)晶速度從內(nèi)側(cè)到外側(cè)增大的記錄層。例如，在用于具有與圖2所示的相同的結(jié)構(gòu)的復(fù)合靶的成分的情況下，優(yōu)選使用具有降低結(jié)晶速度功能的成分作為成分A和具有加快結(jié)晶速度功能的成分作為成分B。當(dāng)使用磁控管濺射時(shí)，所形成的層的成分極大的依賴于侵蝕區(qū)域。因此，根據(jù)設(shè)備優(yōu)化成分A和B的成分區(qū)域的分割與形式。
實(shí)施例4(1)濺射靶的制作基于含有摩爾比為30∶70的GeO2和Ge的在成分區(qū)域10a中的成分A，和含有摩爾比為70∶30的GeO2和Ge的在成分區(qū)域10b中的成分B，制造如圖2所示的本發(fā)明的濺射靶10。
(2)評(píng)價(jià)樣品的制作將具有直徑12cm、厚度0.6mm以及道間距為0.74μm的導(dǎo)槽的聚碳酸酯盤基底置于濺射設(shè)備(由Big Sprinter制造)上，用于制作具有多層的光盤。旋轉(zhuǎn)盤基底，并通過(guò)濺射法在盤基底上按此順序形成下列層(a)到(f)。
(a)第一保護(hù)層厚度為60nm由摩爾比為8∶2的ZnS與SiO2形成的層；(b)記錄層厚度為14nm使用In20Sb80的均勻靶形成的層；(c)結(jié)晶速度調(diào)節(jié)層厚度為4nm使用實(shí)施例4的濺射靶10形成的層；(d)第二保護(hù)層厚度為6nm由摩爾比為8∶2的ZnS與SiO2形成的層；
(e)用于反射層的抗硫化層厚度為4nm由摩爾比為7∶3的TiC與TiO2形成的層；和(f)反射層由Ag形成的厚度為200nm的層。
然后，表面用有機(jī)保護(hù)層包覆并將厚度為0.6mm的聚碳酸酯盤結(jié)合到其上。用初始化設(shè)備(Hitachi PC生產(chǎn))將記錄層從as-depo的無(wú)定形態(tài)初始化為晶體態(tài)，用于相變型光盤，以得到評(píng)價(jià)樣品。
轉(zhuǎn)變線這度的測(cè)量結(jié)果見表3。實(shí)施例4中加入的結(jié)晶速度調(diào)整層為配置在記錄層上具有改變結(jié)晶速度功能的層。該功能的機(jī)理尚不清楚，但是認(rèn)為主要是結(jié)晶速度調(diào)整層控制在結(jié)晶速度調(diào)整層和記錄層之間界面上的非均勻核的形成。氧化物、氮化物、碳化物等可以使用。從功能看有兩種類型的這種物質(zhì)。即，一種是加快核的形成和結(jié)晶速度的物質(zhì)，另一種抑制核的形成并降低結(jié)晶速度。通過(guò)實(shí)施例4中使用的含有Ge和GeO2的靶形成的層具有降低結(jié)晶速度的功能。當(dāng)Ge的比例升高時(shí)，結(jié)晶速度降低。因此，成分A中的Ge的比例設(shè)置為大于成分B中的比例。從而，得到轉(zhuǎn)變線速度從內(nèi)側(cè)到外側(cè)增加的光盤。除SiO2和Ge外，在結(jié)晶速度調(diào)節(jié)層中具有相同效果的物質(zhì)為，例如SiO2和Si。隨著Si比例增大，結(jié)晶速度降低。
此外，可以使用GeO2和SiO2中的至少一種和Ge和Si中的至少一種的組合。
表3

本申請(qǐng)要求2005年8月9日提交的日本專利申請(qǐng)2005-230519的優(yōu)先權(quán)，并且包含其所涉及的主題，其整個(gè)內(nèi)容在此引入作為參考。
現(xiàn)已充分地描述了本發(fā)明，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，顯而易見的是，在不背離本發(fā)明在此闡述的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行許多改變和修飾。
權(quán)利要求
1.一種濺射靶，包括具有盤形式的多個(gè)成分區(qū)域，該區(qū)域每一個(gè)含有獨(dú)立的成分，其中，各成分區(qū)域形成盤的周邊部分，并且當(dāng)圓周穿過(guò)至少兩個(gè)成分區(qū)域時(shí)，盤的圓周上的平均成分根據(jù)圓周的半徑而不同。
2.權(quán)利要求1所述的濺射靶，含有Sb。
3.權(quán)利要求1或2所述的濺射靶，進(jìn)一步含有選自Ga、In、Ge、Te、Zn、Mn和Ag中的至少一種元素。
4.權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的濺射靶，進(jìn)一步含有Sn和Bi的至少一種。
5.權(quán)利要求1所述的濺射靶，進(jìn)一步含有GeO2和SiO2的至少一種和Ge和Si的至少一種的組合。
6.權(quán)利要求5的濺射靶，其中當(dāng)?shù)谝粓A周的半徑小于第二圓周的半徑時(shí)，第一圓周上的平均成分中的Ge和Si的至少一種的比例不低于第二圓周中的比例。
全文摘要
一種包括多個(gè)成分區(qū)域具有盤形式的濺射靶，該區(qū)域的每一個(gè)含有獨(dú)立成分，其中各成分區(qū)域形成盤的周邊部分，并且當(dāng)圓周穿過(guò)至少兩個(gè)成分區(qū)域時(shí)，盤的圓周上的平均成分根據(jù)圓周半徑而不同。
文檔編號(hào)C23C14/06GK1912176SQ20061011011
公開日2007年2月14日 申請(qǐng)日期2006年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月9日
發(fā)明者日比野榮子, 伊藤和典, 高田美樹子, 大倉(cāng)浩子, 出口浩司 申請(qǐng)人:株式會(huì)社理光