專利名稱：電壓模式電流控制方法以及系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及對于襯底的電化學機械拋光處理。
背景技術：
通常通過在硅片上依次沉積導電層、半導電層或絕緣層在襯底上形成集成電路。一個制作步驟包括在非平面表面沉積填料層并拋光該填料層。對于某些應用，平坦化所述填料層直到露出圖案層的上表面。例如，可在圖案化絕緣層上沉積導電填料層以填充絕緣層中的溝道或孔。平坦化以后，保留在絕緣層凸起的圖案之間的導電層部分形成提供襯底上薄膜電路之間的導電通路的通孔、接點和導線。對于其它應用，諸如氧化拋光，對填料層進行平坦化處理直到在非平面表面留下預定的厚度。另外，光刻一般需要襯底表面拋光。
化學機械拋光(CMP)為一種適合用于平坦化的方法。該平坦化方法通常需要將襯底安裝在載體或者拋光頭上。時底的暴露表面通常與旋轉(zhuǎn)拋光盤墊或者帶狀墊相對。該拋光墊可以是標準墊或者固定研磨劑的墊。標準墊具有耐用的粗糙表面，而具有固定研磨劑的墊具有保存在容納媒體中的研磨劑顆粒。該載體頭在襯底上提供可控制的負載從而使其緊靠研磨墊。在研磨墊的表面提供拋光液。在和標準拋光墊、研磨劑可以一起使用的情況，該拋光液包括至少一種化學反應劑。
電化學機械拋光(ECMP)為另一種適合用于平坦化的方法。與CMP相比，ECMP通常在采用減小的機械研磨對襯底進行拋光的同時通過電化學分解從襯底表面除去導電材料。通過在陰極和作為陽極的襯底表面之間施加偏壓實現(xiàn)電化學分解，以從襯底表面除去導電材料使其進入周圍電解液中。利用設置在或者通過有進行處理的襯底的上部的拋光材料的導電接觸在襯底表面施加偏壓。通過在襯底和拋光材料之間提供相對運動實現(xiàn)拋光工藝的機械成分，這改善了從襯底除去導電材料。
例如銅為一種導電材料其可利用電化學機械拋光進行拋光。一般地，利用兩步工藝對銅拋光。在第一步驟中，除去塊銅，一般地留下在襯底表面上突起的一些銅殘留。然后在第二或過拋光步驟中除去所述銅殘留。

發(fā)明內(nèi)容
一方面，本發(fā)明提出一種計算機輔助的方法其包括(a)在襯底的導電薄膜上開始ECMP拋光步驟；(b)設置電壓源的當前輸出電壓，根據(jù)ECMP拋光步驟的菜單設置該當前輸出電壓；(c)測量通過該導電薄膜的電流；(d)基于所測的電流計算當前拋光速率；(e)基于目標拋光速率，確定是否需要調(diào)整當前輸出電壓；以及(f)當確定需要調(diào)整時，計算并實現(xiàn)對當前輸出電壓的該調(diào)整。
另一方面，本發(fā)明提出一種計算機程序產(chǎn)品其有形地存儲在機械可讀的媒質(zhì)中。該產(chǎn)品包括用于使襯底處理臺實施一種方法的可執(zhí)行的指令，該指令包括(a)在襯底的導電薄膜上開始ECMP拋光步驟；(b)設置電壓源的當前輸出電壓，根據(jù)ECMP拋光步驟的菜單設定該當前輸出電壓；(c)測量通過導電薄膜的電流；(d)基于所測量的電流計算當前拋光速率；(e)基于目標拋光速率確定是否需要調(diào)整當前輸出電壓；以及(f)當確定需要調(diào)整時，計算并實現(xiàn)對該當前輸出電壓的調(diào)整。
在另一方面，本發(fā)明提出一種ECMP系統(tǒng)，其包括設置用于對要進行處理的襯底中的導電薄膜施加偏壓的偏壓回路。該系統(tǒng)包括用于向偏壓回路供給輸出電壓的電源。該系統(tǒng)包括用于測量通過導電薄膜電流的電流測量裝置。該系統(tǒng)包括計算系統(tǒng)，該系統(tǒng)用于在襯底上開始ECMP拋光步驟；設置電源的當前輸出電壓，根據(jù)ECMP拋光步驟的菜單設置當前輸出電壓；使電流測量裝置測量通過導電薄膜的電流；基于所測量的電流計算當前拋光速率；基于目標拋光速率確定是否需要調(diào)整該當前輸出電壓；以及當確定需要調(diào)整時，計算并實現(xiàn)對該當前輸出電壓的調(diào)整。
本發(fā)明可實現(xiàn)包括以下的一個或多個優(yōu)點。根據(jù)本發(fā)明的方法和系統(tǒng)提供的電壓模式和電流模式的處理控制的優(yōu)勢并提高了處理的一致性。
以下將結合附圖詳細描述本發(fā)明的一個或多個實施方式。本發(fā)明的其它目的、特征、方面和優(yōu)點在以下描述并結合附圖和權利要求書中將變得更加明顯可見。
附圖簡要說明

圖1示出了ECMP的處理臺；圖2示出了壓盤工具和處理墊組件的部分截面圖；圖3示出了用在ECMP中施加偏壓的電路回路的電路圖；圖4示出了一種用于RTPC電壓模式電流控制的方法流程圖；圖5示出了電流-電壓圖的示例；在不同的附圖中用相似的參數(shù)和標記表示類似的元件。
具體實施例方式
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明設置為實施ECMP的處理臺100的截面圖。該處理臺100包括在ECMP臺132中用于將襯底120固定在壓盤組件142上的研磨頭組件118。在其兩者之間提供相對運動以處理(例如，拋光或沉積材料于)襯底120。所述相對運動可為轉(zhuǎn)動的、橫向的或及其一些組合，并可由研磨頭組件118和壓盤組件142的其中之一或兩者提供該相對運動。處理的襯底露出的外表面包括導電薄膜。
在一種應用中，研磨頭組件118通過與基座130耦合的臂164支撐并在ECMP臺132上延伸。該ECMP臺可與基座130耦合或與基座130相鄰設置。
研磨頭組件118可包括耦合研磨頭122的驅(qū)動系統(tǒng)102。包括諸如電動機的驅(qū)動系統(tǒng)102一般至少向研磨頭122提供旋轉(zhuǎn)運動。另外，可驅(qū)動研磨頭122，或者在研磨頭122中的襯底固定元件向位于壓盤組件142的處理墊組件106運動從而使得位于研磨頭122中的襯底120可在處理期間緊靠處理表面104。
一種適用的研磨頭的示例包括可從位于California，Santa Clara的AppliedMaterials公司購買的TITAN HEADTM或TITAN PROFILERTM。一般地，研磨頭122包括殼體124和護環(huán)126其限定放置襯底120的中心凹座。保持環(huán)126包圍設置在研磨頭122內(nèi)的襯底120以防止在處理時襯底從研磨頭122的下方滑落。普遍認為也可采用其它研磨頭。
ECMP臺132一般包括轉(zhuǎn)動地設置在基座158上壓盤組件142。軸承154設置在壓盤組件142和基座158之間以有助于壓盤組件相對于基座158的轉(zhuǎn)動。
壓盤組件142具有上模板114和下模板148。上模板114可由硬質(zhì)材料諸如金屬或剛性塑料制造。在一種應用中，上模板114由諸如過氯乙烯(CPVC)的介電材料制造或涂覆。上模板114可為圓形/矩形或其它平面形。上模板114的上表面116支持處理墊組件106。處理墊組件106可利用磁吸引、靜電吸引、真空、粘合劑等與壓盤組件142的上模板114固定。
下模板148一般由諸如鋁的剛性材料制造并可利用任意常用的方式諸如多個扣件(未示出)耦合上模板114。一般地，多個定位釘146(一個在圖1中示出)設置在上模板和下模板114、148之間以確保兩者之間對齊。上模板114和下模板148可任選地由單個或整體元件制造。
充氣增壓138限定在壓盤組件142中并可部分地在上或下模板114、148的至少其中之一中形成。在圖1中描述的實施方式中，充氣增壓138限定在部分形成在上模板114的下表面中的凹座144中。至少一個孔108形成在上模板114中以允許電解液流過壓盤組件142并在處理期間進入與襯底120接觸，該電解液從電解液源170提供給充氣增壓138。充氣增壓138部分地由與包圍凹座144的上模板114耦合的蓋子150限定。替代地，該電解液可從管(未示出)分配至處理墊組件106的上表面。
至少一個接觸組件134設置在沿著處理墊組件106的壓盤組件142上。每個接觸組件134至少延伸至或高于處理墊組件106的上表面并用于電連接襯底和電源166。處理墊組件106耦接不同的電源166終端從而可在襯底120和處理墊組件106之間產(chǎn)生電勢。
圖2示出了描述處理墊組件106的一種應用和在圖1中所示的接觸組件134的部分截面圖。處理墊組件106被分層并包括至少導電下層或電極210和非導電上層212。在圖2中描述的應用中，可選的子墊211設置在上層210和下層212之間?？蛇x的子墊211可用在分層的本文所述的處理墊組件的任意實施方式中。子墊211和分層的處理墊組件106的層210、212利用粘合劑、接合、壓模法等組合為整體組件子墊211通常由比制造上層212的材料更柔性或更韌性的材料制造?？梢赃x擇上層212和子墊212之間的硬度或硬度計差異從而獲得所需的拋光/電鍍效果。子墊211也可為耐壓的。適用的子墊211材料的示例包括，但不限于與處理的化合物相容的泡沫聚合物、合成橡膠、氈、浸漬的氈和塑料。在平坦化組件142上模板114的頂表面116上設置導電下層210并將該下層210通過平坦化組件142與電源166連接。下層210通常由諸如不銹鋼、銅、鋁、金、銀和鎢等的導電材料構成。該下層210可以是固態(tài)、不可滲透電解液、可滲透電解液、多孔或者其組合。在圖2所示的實施方式中，配置該下層210以允許有電解液流過。
設置一個或者多個諸如可滲透通道218的可滲透通道使其至少經(jīng)過上層212并至少延伸到下層210?？蛇x地，該通道218完全延伸穿過上層212以及下層210(如陰影所示)。該通道218允許電解液在襯底120和下層210之間建立導電路徑。該通路218可以包括上層212的可滲透部分。該通道218可以形成在上層212中的孔。
上層212可以由與工藝化學匹配的聚合材料制成，其實施例包括聚亞安酯、聚碳酸酯、含氟聚合物、PTFE(聚四氟乙烯)、PTFA、硫化聚亞苯基(PPS)或者其組合，以及用于襯底處理表面的其他處理材料。在一實施方式中，分區(qū)處理墊組件106的上層212的處理表面為非導電體，例如聚亞安酯或者其他聚合物。
在層210、212和分區(qū)處理墊組件106的可選子墊211中形成至少一個孔隙220。設計該孔隙220的大小和位置從而容納經(jīng)過其的接觸組件134。在一個實施方式中，在處理墊組件106的中心形成單獨孔隙220以容納單獨的接觸組件134。
將接觸組件134的接觸元件238連接到電源166上，其中該接觸元件238設置在平坦化組件142的上模板114上。盡管在圖2中僅示出一個接觸組件134與平坦化組件142的上模板114連接，但是可以采用任意數(shù)量的接觸組件134并且可以在平坦化組件142的上模板114上以任意數(shù)量結構分配該接觸組件。
接觸組件134包括球形組件204，該球形組件通常和平坦化組件142的上模板114連接并至少局部延伸經(jīng)過形成在分區(qū)處理墊組件106中的孔隙220。該球形組件204包括保持多個球224的拖架222。
該拖架222以可移除的方式與平坦化組件142的上模板114連接以便于在多次處理循環(huán)后替換該球形組件204。拖架222包括與下部拖架230連接的上部拖架228，所述球224保持在二者之間。上部拖架228由與工藝化學匹配的介電材料制成。在一實施方式中，上部拖架228由聚醚醚酮(PEEK)構成。下部拖架230由與工藝化學匹配的導電材料制成。例如，該下部拖架230可以由不銹鋼做成。下部拖架230與電源166連接。拖架228、230可以通過任意方法連接，該方法包括但不限于螺紋連接、螺栓連接、鉚接、焊接、壓凹接合和卡接等。在圖2所示的實施方式中，拖架228、230通過多個螺絲連接在一起。
球224以可移動的方式設置在多個通過拖架228、230構成的孔隙234中，并可以設置在部分球體延伸到處理表面214上部的第一位置以及球224與處理表面214平齊的第二位置(如圖2所示)。每個孔隙234的上部包括從上部拖架228延伸進入孔隙234的支座236。設置該支座236目的在于防止該球體從孔隙234的頂端脫離。
在每個孔隙234中設置接觸元件238用于實現(xiàn)球體224與底部拖架230的電連接。每個接觸元件238均通過各自的卡接套管240與下部拖架230連接。在一實施方式中，卡接套管240的柱242螺紋連接到經(jīng)過拖架222形成的孔隙234的螺紋部分244上。該球體224由導電材料構成并且為了在工藝期間對襯底120施加偏壓該球體224經(jīng)過接觸元件238和下部拖架230與電源166連接。
電解液源248通過孔隙234提供電解液并且在處理期間該電解液與襯底120接觸。在處理期間，位于拖架222內(nèi)部的球體224通過彈簧彈力、浮力或者流動力至少其中之一作用于處理表面214上。球體224將襯底120通過接觸元件238和下部拖架230電連接到電源166上。從拖架222流過的電解液向下層210和偏壓襯底120之間提供導電路徑從而驅(qū)動電化學拋光(或者平坦)工藝。
通常通過計算機系統(tǒng)(未示出)控制上述平臺的操作。例如，該計算機系統(tǒng)可以控制襯底120靠在墊組件106上的力的大小、驅(qū)動系統(tǒng)旋轉(zhuǎn)該襯底120的速度和電源166的輸出電壓和/或輸出電流。
如上所述，處理臺100可以向襯底施加偏壓。除了如上所述處理墊組件上模板不導電且下層導電的實施方式以外，也可以提供其他不同實施方式對該襯底施加偏壓作用。例如，所述不導電上模板可以包括一個或者多個嵌入式電極，諸如導電的導線。該電極與電源連接并形成部分偏壓環(huán)。至少部分電極凸出于上模板的拋光表面上部和/或暴露在上模板的拋光表面上從而在拋光期間接觸并對襯底施加偏壓。在另一替代實施方式中，上模板為可以導電的。在另一實施方式中，該拋光層本身可以導電并施加偏壓。例如，該處理墊組件可以包括具有拋光表面的導電拋光層、不導電襯背層以及與背平坦化的表面鄰接的對電極層。通過由研磨墊散布諸如光纖或者顆粒(導電涂敷的介電光纖和顆粒)的導電填料可以形成導電拋光層。該導電填料可以是碳基材料、導電聚合物或者導電金屬等，例如金、鉑、錫或者鉗。通過電源在導電拋光層和對電極之間施加電壓差。
圖3所示為表示用于對襯底120施加偏壓的環(huán)路的電路圖。該環(huán)路包括電源166。該環(huán)路包括表示電源166輸出和要處理的襯底表面之間電阻的電阻器R1、表示要拋光的襯底表面和電極之間接觸電阻(即，上述位于墊組件106中的接觸)的電阻器Rc、以及表示電極與電源之間的接觸電阻的電阻器R2。Vanode是要處理的襯底表面的電壓(即，陽極)。Vcathode為接觸處的電壓(即，陰極)。
ECMP系統(tǒng)可以采用實時提供反饋控制的技術。該技術在本說明書中被稱為實時工藝控制或者RTPC。可以通過電壓模式或者電流模式實施該ECMP的RTPC。
采用電壓模式，實時控制要處理的襯底表面和陰極之間的電勢差。參照圖3，Vanode(至少部分決定去除率并且對該工藝至關重要)等于電源(通過計算系統(tǒng)控制進行控制的)輸出電壓減去I*Rc減去Vcathode。其中I等于15amps，接觸Rc(例如20mΩ)的微小變化可以導致陰極和陽極之間的0.3V電勢變化，這將直接轉(zhuǎn)化為Vanode的變量。0.3V的Vanode變量產(chǎn)生明顯的電流/去除率變化。在晶圓去除率遷移過程中、以及晶圓到晶圓、墊到墊和工具到工具變化時都可以觀察到這種類型的去除率變化。
通過電流模式，實時控制要處理的襯底表面和陰極之間流過的電流。由于去除率與電流成比例，電流模式保證了晶圓到晶圓、墊到墊以及工具到工具的去除率的一致性。但是，隨著在拋光中接觸電阻的變化，通常會出現(xiàn)電壓尖峰信號，該尖峰信號在晶圓上導致金屬脫離缺陷，這種情況不利于導線的正確互連。
上述每個模式均存在其優(yōu)點和缺點。傳統(tǒng)電壓模式應用方便但是通常來說去除率容易漂移。傳統(tǒng)的電流模式可以提供恒定的去除率但是容易出現(xiàn)電壓尖峰。在RTPC電壓模式下進行電流控制結合了電壓控制和電流控制的優(yōu)點同時避免了二者所存在的缺點。即，在電壓模式運行避免了嚴重的電壓尖峰，并且采用電流反饋進行工藝控制提供了恒定的去除率。
可以通過許多不同的模式執(zhí)行電壓模式電流控制。在一實施方式中，該計算系統(tǒng)可以訪問用于不同工藝和化學的各種電流-電壓曲線。在工藝菜單中，人們除了設定壓盤轉(zhuǎn)速和向下壓力以外，還設定目標去除率，同時不在ECMP菜單中設定所需電壓。在執(zhí)行該菜單時，計算設備瀏覽數(shù)據(jù)庫并且通過初始電源輸出電壓V1啟動拋光。在隨后的2-5秒期間收集電流反饋并將其提供給計算系統(tǒng)，將反饋數(shù)據(jù)與使用的其中之一電流-電壓曲線進行比較以決定是否為所需的拋光速率。如果拋光速率小于所需速率，根據(jù)所述量級，設定第二高電源數(shù)據(jù)電壓V2以在隨后2-5秒期間運行。再次采集反饋并與電流-電壓曲線比較并在整個拋光過程中連續(xù)對電壓進行糾正直到累積預定的所需負荷?；蛘邇H對部分拋光期間施加所述控制。例如，在電流變化作為殘留物清洗工藝一部分的情況，可以對拋光的第一部分采用所述電壓模式電流控制工藝直到發(fā)生突變?yōu)橹?，即在一組電壓中檢測到明顯電流降低的點。
圖4所示為用于電壓-模式電流控制的方法。ECMP拋光步驟開始處理襯底表面(步驟402)。所述平臺100作用于拋光過程。
該計算系統(tǒng)設定電源的初始輸出電壓(步驟404)。根據(jù)將電壓指定為時間或者壓盤旋轉(zhuǎn)的函數(shù)的菜單設定電壓。
測量流過襯底表面的電流(步驟406)。該測量值在一段時間內(nèi)起作用，例如2到5秒鐘。
基于測量的電流，該計算系統(tǒng)計算拋光速率(步驟408)。如上所述，去除率和流經(jīng)襯底的電流成比例，因此，可以通過電流計算該去除率。在一實施方式中，假設流經(jīng)襯底的電流和去除率之間為線性或者大致線性關系，并且采用一系數(shù)(可以通過經(jīng)驗導出)通過該電流計算去除率。
計算系統(tǒng)確定需要進行調(diào)整的拋光速率(步驟410)。如果計算的拋光速率不滿足標準就需要進行調(diào)整，例如，其中之一調(diào)整方法為指定目標拋光速率。例如，通過對在步驟408中計算的拋光速率與在拋光步驟的菜單中指定的目標拋光速率進行比較來影響決定。在執(zhí)行一個或者多個去除速率的ECMP拋光步驟中，將當前拋光速率與適用的目標去除率進行比較，例如，通過菜單對于時間或者壓盤旋轉(zhuǎn)指定的去除率。
如果確定需要進行調(diào)整，則計算系統(tǒng)基于測量電流和電流電壓曲線計算電源的新輸出電壓(步驟412)。如果判斷到當前去除率過低，例如低于目標去除率，則采用較高的輸出電壓。如果另一方面，判斷到當前去除率過高，則采用較低輸出電壓。在一實施方式中，通過計算來自目標去除率的電流計算新輸出電壓，然后采用該計算的電流和使用的電流-電壓曲線(例如，對于具體化學處理，具體處理平臺所用到的曲線)以決定輸出電壓。在另一實施方式中，該輸出電壓以預定量級累加，根據(jù)需要或者升高或者降低。隨后的電流測量值將關于累加變化是否充分提供反饋。
如果確定不需要調(diào)整，則計算系統(tǒng)根據(jù)需要重復步驟406、408和410直到完成拋光步驟或者直到設定電壓模式電流控制終止。
圖5所示為電流-電壓曲線實施例。電流-電壓曲線專用于處理平臺和用到的處理化學溶液。所示的曲線502為一條直線，通過給定電流可以驅(qū)動電壓。
可以在數(shù)字電子電路或者計算機軟件、固件、硬件中實施在本說明書中買哦數(shù)的本發(fā)明的實施方式和所有功能性操作，包括在說明書中公開的結構裝置和其等效結構，或者其結合。本發(fā)明的實施方式可以實施為一個或者多個計算機程序產(chǎn)品，即，在信息載體上能具體實現(xiàn)的一個或者多個計算機程序，例如，在計算機可讀存儲設備中或者位于傳輸?shù)男盘栔校糜趫?zhí)行或者控制操作的數(shù)據(jù)處理裝置，例如，可編程處理器、計算機或者多處理器或者計算機。可以通過任意形成的程序語言編寫計算機程序(通常所說的程序、軟件、軟件應用程序或者代碼)，并且可以通過任意形式對其進行配置，包括作為獨立程序或者作為模塊、部件、子程序，或者適用于計算機環(huán)境中的其他單元。計算機程序不必對應于文件?？梢栽诤衅渌绦蚧蛘邤?shù)據(jù)的文件的一部分中、在正被討論的專用于該程序的單獨文件中、或者在多個并列文件(例如，存儲一個或者多個模塊、子程序或者部分代碼)中存儲程序?？梢栽谖挥谝粋€位置一個計算機或者分布在多個位置并通過通信網(wǎng)絡連接的或者多個計算機配置要執(zhí)行的計算機程序。
可以通過一個或者多個執(zhí)行一個或者多個計算機程序的可編程處理器執(zhí)行在本說明書中所述的工藝和邏輯流程從而通過操作輸入的數(shù)據(jù)執(zhí)行功能并產(chǎn)生輸出。還可以通過諸如FPGA(現(xiàn)場可編程邏輯陣列)或者ASIC(專用集成電路)的專用邏輯電路執(zhí)行所述工藝和邏輯流程，并且所述裝置也可以實施為該專用邏輯電路。
在各種拋光系統(tǒng)中均可以采用上述拋光裝置和方法。不管時拋光墊還是承載頭或者兩者均可在拋光表面和襯底之間提供相對運動。例如，該壓盤可以盤旋而非旋轉(zhuǎn)。該拋光墊可以時固定在壓盤上的環(huán)形(或者其他形狀)墊。某些終點檢測系統(tǒng)可應用于線性拋光系統(tǒng)，例如，在拋光墊為連續(xù)的或者為線性移動的軌對軌帶。該拋光層可以是標準(例如，具有或者沒有填料的聚亞安酯)拋光材料、軟材料或者固定研磨劑材料。這里采用了相對定位的術語；應該理解可以在垂直方向上或者其他方向上固定拋光表面和襯底。
文中已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施方式
。其他實施方式也包括在以下權利要求范圍內(nèi)。例如，以不同順序執(zhí)行權利要求中記載的操作并仍可實現(xiàn)所需結果。所述的電壓模式電流控制可以作用于所有或者僅部分拋光步驟。除銅以外，所述工藝還可以用來去除的多種導電材料。
權利要求
1.一種計算機執(zhí)行的方法，包括(a)在襯底的導電薄膜上開始電化學機械拋光的拋光步驟；(b)設置電壓源的當前輸出電壓，該當前輸出電壓根據(jù)所述電化學機械拋光的拋光步驟的菜單進行設定；(c)測量通過所述導電薄膜的電流；(d)基于所述測量的電流計算當前拋光速率；(e)基于目標拋光速率確定是否需要調(diào)整所述當前輸出電壓；以及(f)當確定需要調(diào)整時，計算并實現(xiàn)對該當前輸出電壓的所述調(diào)整。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括當確定不需要調(diào)整時，等待一段時間間隔并接著重復步驟(c)-(e)。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于僅在所述電化學機械拋光拋光步驟的開始部分周期性地重復步驟(c)-(e)，以及必要時執(zhí)行步驟(f)，而在所述電化學機械拋光拋光步驟的以后部分不執(zhí)行所述步驟。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于在整個所述電化學機械拋光拋光步驟期間周期性重復步驟(c)-(e)，以及必要時執(zhí)行步驟(f)。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于基于所述電化學機械拋光拋光步驟的電流-電壓曲線實現(xiàn)計算所述調(diào)整。
6.一種計算機程序產(chǎn)品有形地存儲在機器可讀的媒質(zhì)中，該產(chǎn)品包括用于使襯底處理臺實施一種方法的可執(zhí)行的指令，所述方法包括(a)在襯底的導電薄膜上開始電化學機械拋光拋光步驟；(b)設置電壓源的當前輸出電壓，所述當前輸出電壓根據(jù)所述電化學機械拋光拋光步驟的菜單進行設定；(c)測量通過所述導電薄膜的電流；(d)基于所述測量的電流計算電流拋光速率；(e)基于目標拋光速率確定是否需要調(diào)整所述當前輸出電壓；以及(f)當確定需要調(diào)整時，計算并實現(xiàn)對所述當前輸出電壓的調(diào)整。
7.根據(jù)權利要求6所述的產(chǎn)品，其特征在于，該方法還包括當確定不需要調(diào)整時，等待一時間間隔并接著重復步驟(c)-(e)。
8.根據(jù)權利要求6所述的產(chǎn)品，其特征在于僅在所述電化學機械拋光拋光步驟的開始部分周期性地重復步驟(c)-(e)，以及在必要時執(zhí)行步驟(f)，而在所述電化學機械拋光拋光步驟的以后部分不執(zhí)行所述步驟。
9.根據(jù)權利要求6所述的產(chǎn)品，其特征在于在整個所述電化學機械拋光拋光步驟期間周期性重復步驟(c)-(e)，以及在必要時，執(zhí)行步驟(f)。
10.根據(jù)權利要求6所述的產(chǎn)品，其特征在于基于所述電化學機械拋光拋光步驟的電流-電壓曲線實現(xiàn)計算所述調(diào)整。
11.一個電化學機械拋光系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括設置用于對要進行處理的襯底中的導電薄膜施加偏壓的偏壓回路；用于向偏壓回路供給輸出電壓的電源；用于測量通過導電薄膜電流的電流測量裝置；以及計算系統(tǒng)，該系統(tǒng)用于(a)在襯底上開始電化學機械拋光拋光步驟；(b)設置電源的當前輸出電壓，根據(jù)電化學機械拋光拋光步驟的菜單設置當前輸出電壓；(c)使電流測量裝置測量通過導電薄膜的電流；(d)基于所測量的電流計算當前拋光速率；(e)基于目標拋光速率確定是否需要調(diào)整該當前輸出電壓；以及(f)當確定需要調(diào)整時，計算并實現(xiàn)對該當前輸出電壓的調(diào)整。
12.根據(jù)權利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述計算裝置還用于當確定不需要調(diào)整時，等待一段時間間隔并重復步驟(c)-(e)。
13.根據(jù)權利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于僅在所述電化學機械拋光拋光步驟的開始部分周期性地重復步驟(c)-(e)，以及必要時執(zhí)行步驟(f)，而在所述電化學機械拋光拋光步驟的以后部分不執(zhí)行所述步驟。
14.根據(jù)權利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于在整個所述電化學機械拋光拋光步驟期間周期性重復步驟(c)-(e)，以及必要時執(zhí)行步驟(f)。
15.根據(jù)權利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于基于所述電化學機械拋光拋光步驟的電流-電壓曲線實現(xiàn)計算所述調(diào)整。
全文摘要
本發(fā)明公開了電壓模式電流控制的方法和設備。一種計算機輔助的方法包括(a)在襯底的導電薄膜上開始ECMP拋光步驟；(b)設置電壓源的當前輸出電壓，所述當前輸出電壓根據(jù)ECMP拋光步驟的菜單進行設置；(c)測量通過所述導電薄膜的電流；(d)基于所述測量的電流計算電流拋光速率；(e)基于目標拋光速率，確定是否需要調(diào)整當前輸出電壓；以及(f)當確定需要調(diào)整時，計算并實現(xiàn)對所述當前輸出電壓的所述調(diào)整。
文檔編號B24B37/00GK1974124SQ20061014987
公開日2007年6月6日 申請日期2006年10月27日 優(yōu)先權日2005年10月28日
發(fā)明者斯坦·D·蔡, 雷克什曼·卡魯比亞 申請人:應用材料股份有限公司