專利名稱：：碳化硅單晶的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及碳化硅單晶的制造方法，該方法可以制造能夠用作半導(dǎo)體元件等電子材料的低缺陷密度或晶格畸變少的碳化硅單晶。
背景技術(shù)：
：作為碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法，迄今為止，已知通過(guò)升華法進(jìn)行的塊生長(zhǎng)、在基板上通過(guò)外延生長(zhǎng)形成薄膜。在通過(guò)升華法進(jìn)行的塊生長(zhǎng)中，可以生長(zhǎng)出高溫相結(jié)晶多晶形的六方晶(6H、4H等)碳化硅單晶，且可以制備碳化硅本身的單晶基板。然而，向結(jié)晶內(nèi)導(dǎo)入的缺陷(尤其是微管)極多，且難以擴(kuò)大基纟反面積、。相反，如果在單晶基板上使用外延生長(zhǎng)法，則能實(shí)現(xiàn)提高雜質(zhì)添加的控制性和擴(kuò)大基板面積，并且，可以減少在升華法中成為問(wèn)題的微管。然而，在外延生長(zhǎng)法中，通常由于基板材料與碳化硅的晶格常數(shù)的不同而導(dǎo)致層疊缺陷密度的增大成為問(wèn)題。尤其是通常用作被生長(zhǎng)基板的硅由于與碳化硅的晶格不相配，因此在碳化硅單晶生長(zhǎng)層內(nèi)會(huì)顯著產(chǎn)生雙晶(Twin)或反相區(qū)域邊界面(APB:antiphaseboundary),這是制作半導(dǎo)體器件時(shí)電流泄漏的原因之一，會(huì)損害作為碳化硅電子元件的特性。作為有效降低反相區(qū)域邊界面的方法，由K.Shibahara等提出了在將硅單晶的表面法線軸從<001>方向向<110>方向稍微傾斜(導(dǎo)入偏離(才7)角)的硅單晶基板上的生長(zhǎng)法(參見非專利文獻(xiàn)1)。在圖5中，示意性地示出了導(dǎo)入了偏離角的基板(以下記為"偏離基板，，)50的一個(gè)例子。圖5中，符號(hào)50表示偏離基板，51表示原子水平的臺(tái)階(階差部分)。此外，在圖5中，紙面對(duì)應(yīng)于(-110)面，原子水平的臺(tái)階51在與紙面垂直的方向，即<110>方向上取向。通過(guò)向基板稍微傾斜，可以在一個(gè)方向上等間隔地導(dǎo)入原子水平的臺(tái)階，因此能在氣相生長(zhǎng)法中通過(guò)臺(tái)階傳遞而進(jìn)行外延生長(zhǎng)，具有抑制向垂直于導(dǎo)入的臺(tái)階方向(橫切臺(tái)階的方向)傳送表面缺陷。因此，對(duì)于碳化硅單晶層的膜厚增加，在膜中所含的二種反半相區(qū)域優(yōu)先擴(kuò)大，因此能有效地減少反相區(qū)域邊界面。然而，在使用該偏離基板的方法中，存在以下所示的問(wèn)題。在圖6中，對(duì)于在由硅單晶形成的偏離基板上以一定膜厚形成碳化硅單晶層的情況，示意性地示出反相邊界面的存在狀態(tài)。圖6中的結(jié)晶方向與圖5相同。圖6中，符號(hào)61表示碳化硅膜、62和63表示反向區(qū)域邊界面，64表示半相區(qū)域邊界面會(huì)合點(diǎn)，e表示偏離角度，cj)表示Si(001)與反相區(qū)域邊界面之間的角度(54.7°)。如圖6中所示，在硅基板表面的平臺(tái)(平坦部分)中產(chǎn)生的反相區(qū)域邊界面63在反相邊界面會(huì)合點(diǎn)64消失，在硅基板的單原子臺(tái)階中產(chǎn)生的反相區(qū)域邊界62面由于沒(méi)有會(huì)合對(duì)象而不會(huì)消失。即，使用偏離基板的方法能增加碳化硅與硅基板界面的臺(tái)階密度，存在會(huì)引起不希望的反相區(qū)域邊界面61和雙晶帶的產(chǎn)生，從而無(wú)法完全消除反相區(qū)域邊界面的問(wèn)題。因此，作為降低這樣的碳化硅單晶內(nèi)的反相區(qū)域邊界面或雙晶帶(以下將其全部記為"表面缺陷")的方法，本申請(qǐng)人提出了通過(guò)在具有與硅基板表面在一個(gè)方向上平行延伸的起伏的基板上使碳化硅單晶外延生長(zhǎng)，從而降低在碳化硅單晶層內(nèi)傳送的表面缺陷的技術(shù)(參見專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2)。即，施加了起伏加工的硅單晶基板的表面的微觀形態(tài)是如圖5所示的偏離斜面彼此對(duì)向的形態(tài)。在該基板上堆積碳化硅單晶層的情況下，在彼此相對(duì)的偏離斜面中形成的硅單晶基板表面的以單原子臺(tái)階為發(fā)端的反相區(qū)域邊界面會(huì)增加膜厚，同時(shí)彼此相對(duì)地傳播而最終會(huì)合消失。非專利文獻(xiàn)l:appliedphysicsletter50巻，1987年，1888頁(yè)專利文獻(xiàn)l:特開2000-178740號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:特開2003-68655號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的課題然而，根據(jù)本發(fā)明人的研究，認(rèn)為在通過(guò)該方法形成碳化硅單晶層的情況下，碳化硅單晶層中的反相區(qū)域邊界面密度在碳化硅單晶層膜厚增加的同時(shí)減少，但無(wú)法達(dá)到使得反相區(qū)域完全消失。在圖7中示意性地示出在形成起伏的硅單晶基板上堆積的碳化硅單晶層表面中反相區(qū)域的存在狀態(tài)。在圖7中，符號(hào)71是反相區(qū)域邊界面，72和73是堆積的碳化硅單晶層，兩者中的硅與碳的層疊相位僅存在半周期的區(qū)別。此外，在圖7中，起伏延伸方向?yàn)閇-110]方向，紙面對(duì)應(yīng)于(110)面。如圖7中示意性所示，如果著眼于形成的碳化硅單晶層表面，則對(duì)于起伏延伸方向和垂直方向([IIO]方向)，通過(guò)上述會(huì)合消失機(jī)理，反相區(qū)域會(huì)基本消失，對(duì)于與起伏延伸方向平行的方向([-110]方向)，存在反相區(qū)域。以下，對(duì)該點(diǎn)進(jìn)4亍詳細(xì)說(shuō)明。圖8是表示實(shí)施了起伏加工的硅單晶基板的示意圖。在圖8中，符號(hào)81是硅單晶基板，82是起伏斜面的部分區(qū)域。起伏延伸方向是平行于[l-10]的方向。起伏的周期只要是0.01iim-lmm左右即可，特別優(yōu)選在0.1pm10|am的范圍內(nèi)，起伏的振幅只要為lnm~50pm左右即可，特別優(yōu)選在10~100nm的范圍內(nèi)。此外，起伏斜面的角度為0.1°~54.7°,即，只要比立方晶體中的(001)面與(111)面形成的角度小即可，特別優(yōu)選在1°~6°的范圍。圖9示意性地示出了碳化硅膜沿臺(tái)階生長(zhǎng)的過(guò)程，相當(dāng)于將圖8中所示的起伏斜面的部分區(qū)域82放大的圖。在圖9中，符號(hào)91是單原子臺(tái)階，92是硅單晶表面的平臺(tái)，93是臺(tái)階的棱，94是碳化硅。假如在單原子臺(tái)階91和平臺(tái)92理想且完全連續(xù)地形成在硅單晶基板81的表面上，進(jìn)而碳化硅膜理想且完全連續(xù)地形成在硅單晶基板81的表面上，進(jìn)而碳化硅膜成為理想且完全的沿臺(tái)階生長(zhǎng)的情況下，在平臺(tái)部分生長(zhǎng)的碳化硅膜的層疊周期是相同的，在針對(duì)一個(gè)平臺(tái)時(shí)，與起伏延伸方向?yàn)橥辔弧＝缑?，且其在碳化硅膜厚增加的同時(shí)，在平行于(-1-11)面的方向上傳播。另一方面，對(duì)于圖9中未圖示的起伏的其它方向相對(duì)的斜面，其情況也是同樣的，此時(shí)，在碳化硅膜厚增加的同時(shí)，反相區(qū)域邊界面在{111}平面上平行傳播。在圖10中，示意性地示出了形成一定膜厚的碳化硅膜時(shí)的反相區(qū)域邊界的狀態(tài)。在圖10中，符號(hào)IOI、102是碳化硅單晶層，103、105是在(111)面上平行傳播的反相區(qū)域邊界面，104、106是在(-1-11)面上平行傳播的反相區(qū)域邊界面。另外，在碳化硅單晶層101和102中，碳與硅的層疊周期相位彼此僅有半個(gè)周圍的差異。如圖10所示，在彼此方向相對(duì)的起伏斜面上形成的以單原子臺(tái)階的棱為發(fā)端的反相區(qū)域邊界面104、106和103、105在碳化石圭單晶層膜厚增加的同時(shí)，彼此接近，反相區(qū)域邊界面104和103在碳化硅單晶層的該膜厚中，已經(jīng)會(huì)合消失。此外，反相區(qū)域邊界面106和105也能通過(guò)進(jìn)一步堆積碳化硅單晶層而會(huì)合消失。因此，在如上所述的理想狀態(tài)下，在堆積成一定膜厚以上的碳化硅單晶層表面不存在反相區(qū)域。然而，在3~8英尺徑的硅單晶基板表面形成如上所述的理想且完全單原子臺(tái)階等是非常困難的，如果考慮量產(chǎn)性等，則幾乎不可能。此外，在通過(guò)機(jī)械的切削加工等形成起伏的情況下，成為在其延伸方向上缺乏連續(xù)性，在中途斷裂的形態(tài)。在該情況下，在3-8英尺徑的硅單晶基板表面上的全部區(qū)域中，無(wú)法獲得如圖9所示的碳化硅的生長(zhǎng)，對(duì)于起伏延伸方向，也會(huì)產(chǎn)生層疊周期的混亂，形成反相區(qū)域。在該情況下，反相區(qū)域邊界面在碳化硅單晶層膜厚增加的同時(shí)，在{1-11}面或{-111}面上平行傳播，結(jié)果，在碳化硅單晶層的表面中，形成如圖7所示的反相區(qū)域。在半導(dǎo)體元件中使用這樣的碳化硅單晶時(shí)，會(huì)產(chǎn)生漏電流較大的問(wèn)題。本發(fā)明是在上述背景下作成的，其目的在于提供一種可以碳化硅單晶的制造方法，該方法可以可以制造進(jìn)一步減少以反相區(qū)域邊界面為代表的表面缺陷，充分降低表面缺陷密度，并且能在半導(dǎo)體元件中使用的碳化硅單晶。解決課題的方法作為解決上述課題的方法，如下所述第1方法是一種碳化硅單晶的制造方法，其是使碳化硅單晶層在單晶基板的表面同質(zhì)外延生長(zhǎng)或異質(zhì)外延生長(zhǎng)的碳化硅單晶的制造方法，其中，在上述單晶基板表面形成在與該基板表面基本平行的一個(gè)方向上延伸的多個(gè)起伏，且該起伏在上述單晶基板的厚度方向上波動(dòng)，并且，設(shè)置該起伏，使得由伴隨著碳化硅單晶的外延生長(zhǎng)而傳播的反相區(qū)域邊界面和/或雙晶帶形成的表面缺陷彼此會(huì)合。第2方法是根據(jù)第1方法中的碳化硅單晶的制造方法，其中，與上述起伏延伸方向基本垂直方向的起伏周期和起伏振幅與上述起伏的波動(dòng)周期和波動(dòng)振幅的關(guān)系如下在上述單晶基板上使碳化硅單晶同質(zhì)外延生長(zhǎng)或異質(zhì)外延生長(zhǎng)時(shí)，該碳化硅單晶層表面的起伏延伸方向的雙晶帶和/或反相區(qū)域邊界面的每單位面積的個(gè)數(shù)在對(duì)上述碳化硅單晶層的膜厚增加顯示出飽和的傾向后，隨著上述碳化硅單晶層膜厚的進(jìn)一步增加，與起伏延伸方向基本垂直方向的雙晶帶和/或反相區(qū)域邊界面的每單位面積的個(gè)數(shù)減少。第3方法是根據(jù)第1方法中的碳化硅單晶的制造方法，其特征在于，與上述起伏延伸方向基本垂直方向的起伏周期和起伏振幅與上述起伏的波動(dòng)周期和波動(dòng)振幅的關(guān)系如下在上述單晶基板上使碳化硅單晶同質(zhì)外延生長(zhǎng)或異質(zhì)外延生長(zhǎng)時(shí)，上述碳化硅單晶層表面的反相區(qū)域經(jīng)過(guò)形成在與上述起伏延伸方向基本垂直的方向上延伸的條狀狀態(tài)后，在上述碳化硅單晶層膜厚增加的同時(shí)，上述碳化硅單晶層表面的反相區(qū)域的占有率和/或雙晶帶的占有率減少。第4方法是根據(jù)第1方法中的碳化硅單晶的制造方法，其中，上述起伏的波動(dòng)周期是在與上述起伏延伸方向基本垂直的方向上的起伏周期的100~700倍，且波動(dòng)周期除以波動(dòng)振幅的值為60~700。第5方法是根據(jù)第4方法中的碳化硅單晶的制造方法，其中，上述起伏的波動(dòng)周期在0.2~0.7mm的范圍內(nèi)。第6方法是根據(jù)第1~第5方法中任一項(xiàng)的碳化硅單晶的制造方法，其中，上述單晶基板是硅單晶。發(fā)明效果按照上述方法，可以制造在單晶基板上表面缺陷密度充分低，且可以適用于半導(dǎo)體元件的碳化硅單晶。具體實(shí)施方式以下，對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施方式，以具體例的形式，主要說(shuō)明被成膜基板是硅單晶，表面缺陷是反相邊界面的情況。圖1是示出本發(fā)明實(shí)施方式的碳化硅單晶制造方法中使用的硅單晶基板的圖，圖2是示出在圖1所示的硅單晶基板上形成一定膜厚的碳化硅單晶層時(shí)的碳化硅單晶層表面的反相區(qū)域的圖，圖3是示出沿圖2所示的AA，線和BB，線的剖面的圖，圖4是示出本發(fā)明實(shí)施方式的碳化硅制造方法中使用的硅單晶基板中原子水平的臺(tái)階狀態(tài)的圖。以下，參照這些附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的碳化硅單晶的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明實(shí)施方式的碳化硅單晶的制造方法是通過(guò)在碳化硅單晶層的被成膜單晶基板表面形成2維起伏結(jié)構(gòu)，從而獲得使被成膜單晶基板的基本整個(gè)面上的表面缺陷少的碳化硅單晶層的方法。在該實(shí)施方式中，通過(guò)使得在(1-11)面與(-111)面上平行傳播的2種反相區(qū)域邊界面有效地會(huì)合消失，從而使上述反相區(qū)域消失。即，通過(guò)在硅單晶基板表面設(shè)置2維起伏結(jié)構(gòu)，使這些在不同方向上傳播的反相區(qū)域邊界面有效地會(huì)合消失。在圖1中，符號(hào)l是硅單晶，2是起伏的棱線。如圖所示，在基板厚度方向(基板表面的法線方向)上波動(dòng)的在一個(gè)方向上延伸的起伏中，即，在2維起伏結(jié)構(gòu)中，起伏的棱線與以往的1維起伏結(jié)構(gòu)(沒(méi)有"波動(dòng)"的起伏結(jié)構(gòu))不同，成為在硅單晶基板1的厚度方向(=表面的平均面的法線方向)上波動(dòng)的結(jié)構(gòu)。這樣的2維起伏結(jié)構(gòu)除了起伏周期和起伏振幅以外，還由波動(dòng)周期和波動(dòng)振幅限定。這些周期、振幅、起伏形狀或波動(dòng)形狀在單純的正弦波形狀的情況下為單一的值，但在通常形狀的情況下，以Fourier級(jí)數(shù)表現(xiàn)，因此不是單一的值。在圖1中，示出了起伏、波動(dòng)和正弦波形狀的情況作為一個(gè)例子。在該情況下，起伏的周期和振幅與上述以往的1維起伏結(jié)構(gòu)的情況相同，只要為0.01(im~lmm左右即可，特別優(yōu)選在0.1pm~lOpm的范圍。此外，起伏的振幅只要為lnm50jim左右即可，特別優(yōu)選在10nm~100nm的范圍。波動(dòng)的周期和振幅如后所述，優(yōu)選均比起伏的周期和振幅大。在圖1中，示出了波動(dòng)的周期、振幅均比起伏的周期、振幅大的情況。圖2是示意性地示出在具有2維起伏結(jié)構(gòu)的硅單晶基板上形成一定膜厚的碳化硅單晶層時(shí)的碳化硅單晶層表面的反相區(qū)域的圖。如圖2所示，反相區(qū)域的存在狀態(tài)在外觀上與上述圖7所示的狀態(tài)基本相同。然而，如以下說(shuō)明，碳化硅單晶層內(nèi)部的反向區(qū)域邊界面的狀態(tài)不同。圖3是示意性地示出沿圖2所示的AA'線和BB'線的剖面的圖。圖中，31和32是碳化硅單晶層內(nèi)部的反相區(qū)域邊界面，31是伴隨著碳化硅單晶層膜厚的增加而在(1-11)面上平行傳播的邊界面，32是在(-111)面上平行傳播的邊界面。如AA，剖面所示，在與起伏延伸方向垂直的剖面中，在與(111)面和(-1-11)面分別平行傳播的反相區(qū)域邊界面基本全部會(huì)合消失，在碳化硅膜表面附近，反相區(qū)域消失。另一方面，如BB，剖面所示，對(duì)于起伏延伸方向的剖面，在與(111)面與(-1-11)面分別平行傳播的反相區(qū)域邊界面32和33并未完全會(huì)合消失，因此在碳化硅膜表面中發(fā)現(xiàn)反相區(qū)域。這樣，在AA，剖面和BB，剖面中不同的原因是波動(dòng)周期和振幅均比起伏周期和振幅大。可是，由于"波動(dòng)"的存在，在與(1-11)面與(-111)面分別平行傳播的反相區(qū)域邊界面的數(shù)量基本相同，因此這些反相區(qū)域邊界面能通過(guò)進(jìn)一步堆積碳化硅膜而會(huì)合消失。因此，在一定的膜厚以上，可以獲得不含反相區(qū)域的碳化硅單晶。接著，使用圖4對(duì)本發(fā)明的2維起伏結(jié)構(gòu)中波動(dòng)的周期和振幅均與起伏的基本相同的情況進(jìn)行說(shuō)明。圖4是示出實(shí)施了2維起伏加工的硅單晶基板中的原子水平的臺(tái)階狀態(tài)的示意圖。圖4中，符號(hào)41、42、43和44是硅單晶基板表面的平臺(tái)(平坦部分)、411、412、421、422、431、432、441和442是臺(tái)階(級(jí)差部分)的棱線。以下，對(duì)于使碳化硅單晶層在上述硅單晶基板上沿臺(tái)階生長(zhǎng)的情況進(jìn)行說(shuō)明。在以各臺(tái)階的棱線為發(fā)端的反相邊界區(qū)域在結(jié)晶學(xué)上等價(jià)于(111)面的方向傳播。在該情況下，由于不會(huì)合消失，從而殘留到最后的反相區(qū)域邊界面是以411、412、421、422、431、432、441和442各棱線為發(fā)端的反相區(qū)域邊界面。這些反相區(qū)域邊界面通過(guò)碳化硅單晶層的繼續(xù)生長(zhǎng)，使以棱線411為發(fā)端的反相區(qū)域邊界面與以棱線421為發(fā)端的反相區(qū)域邊界面會(huì)合消失，另外，使以棱線412為發(fā)端的反相區(qū)域邊界面與以棱線442為發(fā)端的反相區(qū)域邊界面會(huì)合消失。對(duì)于以其它棱線422、432、431、441為發(fā)端的反相區(qū)域邊界面也相同。在所有的反相區(qū)域邊界面會(huì)合消失后，在其以上的膜厚中獲得的碳化硅單晶層中，不含有反相區(qū)域。如以上說(shuō)明，如果在作為被成膜基板的硅單晶基板表面形成理想的原子水平的臺(tái)階或平臺(tái)，并且進(jìn)行碳化硅膜的沿臺(tái)階生長(zhǎng)，即使起伏與波動(dòng)的周期和振幅基本相同，也能通過(guò)反相區(qū)域邊界面的會(huì)合消失而使反相區(qū)域消失。然而，在現(xiàn)實(shí)中，實(shí)現(xiàn)這樣的理想狀態(tài)是非常困難的。即，起伏與波動(dòng)的周期和振幅基本相同時(shí)，與波動(dòng)的周期和振幅比起伏的周期和振幅大的情況相比，通過(guò)進(jìn)行起伏加工，能在硅單晶基板表面導(dǎo)入更多原子水平的臺(tái)階。這些臺(tái)階是產(chǎn)生反相區(qū)域邊界面的原因，因此優(yōu)選其個(gè)數(shù)盡可能少的，這意味著優(yōu)選波動(dòng)周期和振幅比起伏周期和振幅大。此外，在實(shí)際獲得的碳化硅單晶層中，存在反相區(qū)域邊界面和作為表面缺陷的雙晶帶。在雙晶帶的情況下，也與反相區(qū)域邊界面相同，將通過(guò)實(shí)施的生長(zhǎng)一并在{111}面上平行傳播，但如以下說(shuō)明，在雙晶帶的情況下，會(huì)合消失的情況較少，在會(huì)合后會(huì)殘存任一方的雙晶帶，在與{111}面平行的方向上繼續(xù)傳播。因此，在該情況下，重要的是盡可能減少通過(guò)2維起伏加工導(dǎo)入的原子水平的臺(tái)階個(gè)數(shù)，這意味著優(yōu)選波動(dòng)周期和振幅比起伏周期和振幅大。圖11是示意性地示出在實(shí)施起伏或波動(dòng)加工的硅單晶基板上形成碳化硅膜時(shí)的狀態(tài)的圖。圖中，符號(hào)lll是碳化硅膜，112是在(111)面上平行傳播的雙晶帶，113是在(-1-11)上平行傳播的雙晶帶，114和115是原子水平的臺(tái)階。如圖ll所示，在雙晶帶的情況下，會(huì)合消失的情況較少，在會(huì)合后會(huì)殘存任一方的雙晶帶，與以后的碳化硅膜的生長(zhǎng)一起在與(-1-11)面或(111)面的任一個(gè)面平行的面上繼續(xù)傳播。在該兩方向內(nèi)的哪一個(gè)方向傳播取決于導(dǎo)入到硅單晶基板81的表面的臺(tái)階92的狀態(tài)和碳化硅膜的生長(zhǎng)狀況?？傊?，對(duì)于起伏或波動(dòng)的每1個(gè)周期，在從峰向谷的方向的臺(tái)階114的個(gè)數(shù)與從谷向峰的方向的臺(tái)階115的個(gè)數(shù)相同的情況下，即在該含義中理想的情況下，碳化硅膜111的膜厚達(dá)到規(guī)定值以上時(shí)，起伏或波動(dòng)的每l個(gè)周期中殘存的雙晶帶的個(gè)數(shù)為1個(gè)。然而，還取決于形成起伏或波動(dòng)的加工方法，從基板整體的宏觀方面看，即使在從峰向谷的方向的臺(tái)階個(gè)數(shù)與從谷向峰的方向的臺(tái)階個(gè)數(shù)在統(tǒng)計(jì)上是相等的，但從微觀的觀點(diǎn)來(lái)看，在著眼于各個(gè)起伏或波動(dòng)的情況下，不容易實(shí)現(xiàn)上述兩個(gè)臺(tái)階的個(gè)數(shù)相同的理想狀態(tài)。在這樣的情況下，每l周期殘存的雙晶帶的個(gè)數(shù)比1個(gè)大。因此，從減少雙晶帶個(gè)數(shù)的觀點(diǎn)出發(fā)，也優(yōu)選導(dǎo)入的原子水平的臺(tái)階數(shù)少的。通過(guò)后述的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，對(duì)于起伏周期和振幅與波動(dòng)周期和振幅的關(guān)系對(duì)產(chǎn)生表面缺陷的影響，發(fā)明人等進(jìn)行了系統(tǒng)性的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在兩者間存在以下關(guān)系時(shí)，能最有效地降低表面缺陷。即，在起伏周期、振幅均比波動(dòng)周期、振幅小的情況下，兩者均形成碳化硅單晶層時(shí)，其表面中的反相區(qū)域的分布經(jīng)過(guò)向起伏延伸方向基本垂直的方向上延伸的條狀結(jié)構(gòu)后，整個(gè)面上的反相區(qū)域消失的關(guān)系成立時(shí)，能最有效地降低表面缺陷。其中，所謂的條狀結(jié)構(gòu)是指理想的，如圖2或圖7所示的狀態(tài)，未必一定要在與起伏延伸方向上基本垂直的方向上反相區(qū)域完全連續(xù)，與一個(gè)反相區(qū)域在起伏延伸方向上相比，只要是在其垂直方向上延伸的形態(tài)即可。如果這樣的起伏周期和振幅與波動(dòng)周期和振幅的關(guān)系著眼于反相區(qū)域邊界面和/或雙晶帶的單位面積的個(gè)數(shù)，則還可以如以下所示。即，在起伏周期、振幅均比波動(dòng)周期、振幅小的情況下，兩者均形成碳化硅單晶層后，碳化硅單晶層表面的起伏延伸方向的反相區(qū)域邊界面和/或雙晶帶的每單位面積的個(gè)數(shù)相對(duì)于膜厚增加顯示飽和的傾向后，隨著膜厚的進(jìn)一步增力口，在與起伏延伸方向基本垂直的方向的反相區(qū)域邊界面和/或雙晶帶的每單位面積的個(gè)數(shù)減少的關(guān)系成立時(shí)，能最有效地降低表面缺陷。其中，所謂的飽和傾向，在碳化硅單晶的膜厚與反相區(qū)域邊界面和/或雙晶帶的每單位面積的個(gè)數(shù)的關(guān)系中，是表示反相區(qū)域邊界面和/或雙晶帶的每單位面積的個(gè)數(shù)與碳化硅單晶層的膜厚的微系數(shù)的絕對(duì)值減少的傾向，并不一定是指反相區(qū)域邊界面和/或雙晶帶的每單位面積的個(gè)數(shù)不依賴于碳化硅膜厚而采取恒定值。具體地說(shuō)，波動(dòng)周期是起伏周期的100~700倍，在波動(dòng)周期除以波動(dòng)振幅的值在60~700的范圍內(nèi)的情況下，由于波動(dòng)加工引起的表面缺陷的降低效果變得顯著，此外，波動(dòng)周期是起伏周期的200-650倍，在波動(dòng)周期除以波動(dòng)振幅的值在80-6650的范圍的情況下，其降低效果變得顯著。實(shí)施例以下，通過(guò)實(shí)施例更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。在以下的說(shuō)明中，首先將以往的使用具有一維起伏的基板的方法作為比較例進(jìn)行說(shuō)明，然后，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。(比4交例)在直徑8英寸的Si(001)基板表面上，通過(guò)以下所示的才幾械研磨方法，形成基本在〈i-io〉方向上延伸的起伏。在形成起伏時(shí)使用的研磨劑和研磨架(cross)均是市售的物品，分別為約9[im直徑的金剛石漿料(工>《X公司制造的乂、]:/k義)和研磨架(工^只M414)。在研磨架中均勻滲透金剛石漿料，在襯墊上放置Si(001)基板，對(duì)Si(001)基板上整體施加0.2kg/cm2的壓力，且與<1-10>方向平行地，在研磨架上約20cm左右的距離上，在一個(gè)方向上往復(fù)約300次。在Si(001)基板上形成幾乎無(wú)數(shù)的與<1-10>方向平行的研磨傷(起伏)。由于在實(shí)施了研磨處理的Si(001)基板表面附著了研磨磨粒等，因此通過(guò)超聲波洗滌機(jī)洗滌，然后，通過(guò)過(guò)氧化氫水+硫酸混合溶液(1:1)、HF溶液進(jìn)行洗滌。在洗滌后的基板表面上殘留大量期望的起伏以外的細(xì)小尖峰(7八°,夕)上的凹凸或缺陷，無(wú)法作為被成膜基板使用。因此，洗滌后，在起伏加工后的基板上形成約lpm的熱氧化膜，然后，通過(guò)稀氬氟酸除去形成的熱氧化膜。經(jīng)過(guò)該熱氧化膜的形成和蝕刻除去的一系列工序，vt人而將Si(001)基板表面蝕刻約200nm,結(jié)果除去細(xì)小的凹凸而獲得非常光滑的波狀起伏。在與起伏延伸方向垂直的方向的周期為1~2|am,其振幅為30~50nm，此外，起伏斜面的傾斜角為3~5°。在實(shí)施了起伏加工的Si(001)基板上通過(guò)氣相生長(zhǎng)法形成碳化硅單晶層(以下記為"3C-SiC"。)。3C-SiC的生長(zhǎng)分為Si(001)基板表面的碳化工序和通過(guò)交互供給原料氣體而進(jìn)行的碳化硅生長(zhǎng)工序。在碳化工序中，在乙炔氛圍中，在120分鐘內(nèi)將基板從室溫加熱至1300。C。在碳化工序后，在130(TC下，將基板表面交互暴露在二氯硅烷和乙炔中，實(shí)施碳化硅的生長(zhǎng)。碳化工序的詳細(xì)條件示于表1,碳化硅生長(zhǎng)工序的詳細(xì)條件示于表2。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>得到的3C-SiC的表面缺陷狀態(tài)通過(guò)如下方法評(píng)價(jià)將3C-SiC在50(TC的熔融KOH中放置5分鐘而進(jìn)行蝕刻后，通過(guò)光學(xué)顯微鏡計(jì)算表面產(chǎn)生的每單位面積的蝕刻坑列的個(gè)數(shù)。在3C-SiC的表面中，反相區(qū)域邊界面以線的形式存在，此外，雙晶帶以帶的形式存在。因此，以上述方法進(jìn)行蝕刻時(shí)，反相區(qū)域邊界面、雙晶帶以及這些缺陷的存在部分作為蝕刻坑列被觀察到。因此，通過(guò)測(cè)量每單位面積的蝕刻坑列的個(gè)數(shù)，可以定量地評(píng)價(jià)導(dǎo)入到3C-SiC中的由反相區(qū)域邊界面和雙晶密度形成的表面缺陷。特別是，雖然僅用本方法無(wú)法區(qū)別反相區(qū)域邊界面和雙晶帶，但本發(fā)明的作用效果在于，能夠一并減少這兩者的缺陷，這意味著釆用本方法的評(píng)價(jià)方法是妥當(dāng)?shù)摹Ｔ趫D13中，示出了起伏延伸方向，即Si(001)基板的<1-10>方向的平行方向和與起伏延伸方向垂直方向的蝕刻坑列密度以及將兩者加合的總計(jì)的3C-SiC的膜厚依賴性。圖中，〇、□、A是實(shí)驗(yàn)中獲得的值，這些記號(hào)間的線是將各試驗(yàn)中得到的一系列的值連接的直線。如圖所示，由于起伏下降的效果，在3C-SiC膜厚增加的同時(shí)，與起伏延伸方向平行的方向的蝕刻坑列密度急劇減少，在100pm以上的膜厚中，為lxl(^個(gè)/cm2以下。另一方面，對(duì)于與起伏延伸方向垂直的方向，隨著3C-SiC膜厚的增加，確認(rèn)了稍微減少的傾向，但在400pm的膜厚中，蝕刻坑列密度為9xl()S個(gè)/cm3，是較高的值。(實(shí)施例1)采用與比較例中說(shuō)明的方法同樣的方法，在Si(001)基板表面形成在<1-10>方向上延伸的起伏后，通過(guò)使用以下所示的模版掩模的干式蝕刻法實(shí)施波動(dòng)加工。在圖12中，示意性地示出了干式蝕刻時(shí)的模版掩模與起伏的相對(duì)關(guān)系。在圖12中，符號(hào)121是實(shí)施了起伏加工的Si(001)基板，122是形成的起伏，123是模版掩模，124是在模版掩模中形成的矩形的開口部分。如圖所示，設(shè)置Si(001)基板和模版掩模123,使得矩形圖案124的長(zhǎng)度方向與起伏122的延伸方向垂直。作為干式蝕刻法，采用使用了CF4和氧的混合氣體的反應(yīng)性離子蝕刻法。蝕刻條件如表3所示。表3氣體流量比CF4(40sccm)、02(10sccm)氣體壓力10PaRF投入功率250W另外，在進(jìn)行蝕刻時(shí)，在模版掩模123與Si(001)基板之間設(shè)置0.1~1.2mm的空隙。按照以上的方法，制作波動(dòng)振幅為lpm，波動(dòng)周期為O.lmm、0.2mm、0.4mm、0.6mm、0.8mm和1.2mm的不同的Si(001)基板。在制作具有不同波動(dòng)周期的Si(001)基板時(shí)，使用開口部分124的寬度和周期不同的模版掩模123,波動(dòng)振動(dòng)通過(guò)調(diào)整蝕刻時(shí)間來(lái)控制。在表4和圖14中，示出了在與比較例相同的條件下在實(shí)施了起伏和波動(dòng)加工的Si(001)基板上形成400pm厚度的3C-SiC時(shí)的蝕刻坑列密度的波動(dòng)周期依賴性。圖14是將表4中所示的數(shù)值數(shù)據(jù)圖表化的圖，圖中〇記號(hào)是實(shí)驗(yàn)中獲得的值，記號(hào)間的線是連接這些實(shí)驗(yàn)中獲得的值的直線。該表和該圖中所示的蝕刻坑列密度是將與起伏延伸方向平行和垂直的2個(gè)方向的蝕刻坑列密度加合的總計(jì)的值。另外，在任一種情況下，波動(dòng)振幅恒定為lpm,與起伏延伸方向垂直的方向的周期、振幅和起伏斜面的傾斜角也與比專交例相同，分別為1~2jrni、30~50nm和3~5°。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>如表4或圖14所示，通過(guò)在波動(dòng)周期為0.11.2mm的范圍內(nèi)實(shí)施波動(dòng)加工，與未實(shí)施波動(dòng)加工的比較例的蝕刻坑列密度的值9xl()S個(gè)/cn^相比變小。尤其是波動(dòng)周期在0.20.7mm的范圍內(nèi)，蝕刻坑列密度的值為lx105個(gè)/cn^以下，通過(guò)波動(dòng)加工降低表面缺陷密度的效果顯著。如果考慮與起伏延伸方向垂直方向的周圍為1~2[im以及波動(dòng)振幅為l|im,則可知在波動(dòng)周期是與起伏延伸方向垂直方向的周期的100~700倍，并且用波動(dòng)周期除以波動(dòng)振幅的值在200~700的范圍內(nèi)的情況下，表面缺陷密度降低效果顯著。在圖15和圖16中，對(duì)于作為確認(rèn)通過(guò)波動(dòng)加工降低表面缺陷效果顯著的例子的波動(dòng)周期為0.4mm的情況，以及作為確認(rèn)并不顯著的例子的波動(dòng)周期為O.lmm的情況，示出了與起伏延伸方向平4于和垂直的2方向蝕刻i亢列密度和其總值的3C-SiC膜厚依賴性。在波動(dòng)周期為0.4mm的情況下，在3C-SiC膜厚增加的同時(shí)，與起伏延伸方向平行方向的蝕刻坑列密度急劇減少，在該膜厚為lO(Him下，其值為lxl()S個(gè)/cm2，在lOOpm以上的膜厚下，顯示出飽和的傾向。相反，與起伏延伸方向垂直方向的蝕刻坑列密度直至3C-SiC膜厚為100pm，其值基本恒定為4xl()S個(gè)/cm2,在其以上的膜厚，也就是與起伏延伸方向平行的方向的蝕刻坑列密度的值開始顯示飽和傾向的膜厚以上，開始減少，在膜厚為400iim時(shí)，為2xl()4個(gè)/cm2。在起伏周期為0.2mm、0.6mm的情況下，也確認(rèn)了這樣的蝕刻坑列密度的3C-SiC膜厚依賴性。另一方面，在波動(dòng)周期為O.lmm的情況下，在3C-SiC膜厚增加的同時(shí)，與起伏延伸方向平行的方向的蝕刻坑列密度減少，在該膜厚為200(im下，其值為lxl(^個(gè)/cm2，在200(im以上的膜厚下，顯示出飽和的傾向。相反，與起伏延伸方向垂直方向的蝕刻坑列密度從3C-SiC膜厚為40pm開始緩慢減少，但在100(im下，該現(xiàn)象傾向飽和，在膜厚為400pm下，其值為2.5x102個(gè)/cm2，是較高的值。在波動(dòng)周期為0.8mm和1.2mm的情況下，也確認(rèn)了同樣的蝕刻列密度的3C-SiC膜厚依賴性。通過(guò)以上的結(jié)果，確認(rèn)在起伏周期、振幅比波動(dòng)周期、振幅小的情況下，兩者均形成碳化硅膜時(shí)，與起伏延伸方向平行的方向的蝕刻坑列密度相對(duì)于膜厚增加顯示出飽和的傾向后，隨著膜厚的進(jìn)一步增加，在與起伏延伸方向基本垂直的方向的蝕刻坑列密度減少的關(guān)系成立時(shí)，能最有效地降低表面缺陷。(實(shí)施例2)接著，通過(guò)與實(shí)施例1同樣的方法，在Si(001)基板表面形成在<1-IO方向上延伸的起伏后，在波動(dòng)周期恒定為0.4mm下，制作波動(dòng)振幅為0.2pm、0.5|im、ljam、5(im、lOpm的不同的Si(001)基4反。波動(dòng)4展幅通過(guò)調(diào)整蝕刻時(shí)的蝕刻時(shí)間來(lái)控制。在表5和圖17中，示出了在與比較例同樣的條件下在實(shí)施了起伏和波動(dòng)加工的Si(001)基^反上形成400pm厚的3C-SiC時(shí)的蝕刻坑列密度的波動(dòng)振幅依賴性。圖17是將表5所示的數(shù)值數(shù)據(jù)圖表化的圖，圖中O記號(hào)是實(shí)驗(yàn)中獲得的值，記號(hào)間的線是連接這些實(shí)驗(yàn)中獲得的值的直線。該表和該圖所示的蝕刻坑列密度是將與起伏延伸方向平行和垂直的2個(gè)方向的蝕刻坑列密度加合的總計(jì)的值。另外，在任一種情況下，波動(dòng)周期均恒定為0.4mm,與起伏延伸方向垂直方向的周期、振幅和起伏斜面的傾斜角也與比較例相同，分另'J是l2(im、30—50[xm牙口3表5<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>如表5或圖17所示，通過(guò)在波動(dòng)振幅為0.2~15pm的范圍內(nèi)實(shí)施波動(dòng)加工，與未實(shí)施波動(dòng)加工的比較例的蝕刻坑列密度的值9xl()5個(gè)/cm2相比變小。特別是，在波動(dòng)振幅為15pm的范圍，蝕刻坑列密度的值為2~4xl04個(gè)/cn^以下，確認(rèn)了通過(guò)波動(dòng)加工降低表面缺陷密度的效果顯著。此外，由圖17所示的結(jié)果可知，波動(dòng)振幅為0.77pm的范圍內(nèi)時(shí)，蝕刻坑列密度的值為lxloS個(gè)/cn^以下。如果考慮與起伏延伸方向垂直方向的周期為l~2|im和波動(dòng)周期為0.4mm,則可知在波動(dòng)周期是與起伏延伸方向垂直的方向的周期的200-400倍，以及用波動(dòng)周期除以波動(dòng)振幅的值在約60~約570的范圍內(nèi)的情況下，蝕刻坑列密度的值為lxl()S個(gè)/cn^以下。在圖18和圖19中，對(duì)于作為確認(rèn)了通過(guò)波動(dòng)加工降低表面缺陷效果顯著的例子的波動(dòng)振幅為5jim的情況、以及作為確認(rèn)并不顯著的例子的波動(dòng)振幅為0.2fim的情況，示出了與起伏延伸方向平行和垂直的2個(gè)方向的蝕刻坑列密度和其總值的3C-SiC膜厚依賴性。在波動(dòng)振幅為5(im的情況下，在3C-SiC膜厚增加的同時(shí)，與起伏延伸方向平行的方向的蝕刻坑列密度減少，在該膜厚為100jim下，其值為lx103個(gè)/cm2，在100pm以上的膜厚下，顯示出飽和的傾向。相反，與起伏延伸方向垂直的方向的蝕刻坑列密度直至3C-SiC膜厚為100pm，其值基本恒定為8xl()S個(gè)/cm2,在其以上的膜厚下，也就是與起伏延伸方向平行的方向的蝕刻坑列密度的值開始顯示飽和傾向的膜厚以上時(shí)，開始減少，在膜厚為400(im時(shí)，為4xl(^個(gè)/cm2。確認(rèn)這樣的蝕刻坑列密度的3C-SiC膜厚依賴性與起伏振幅為l)im的情況(圖15所示的結(jié)果)相同。另一方面，在波動(dòng)振幅為0.2[am的情況下，在3C-SiC膜厚增加的同時(shí)，與起伏延伸方向平行的方向的蝕刻坑列密度減少，在該膜厚為lOO)im下，其值為lxl(^個(gè)/cm2,在其以上的膜厚下，顯示出飽和的傾向。相反，與起伏延伸方向垂直的方向的蝕刻坑列密度對(duì)3C-SiC膜厚基本沒(méi)有顯示出依賴性，其值為6xl()S個(gè)/cm、是較高的值。在波動(dòng)振幅為0.5[xm、lO[im和15(im的情況下，也確認(rèn)了同樣的蝕刻坑列密度的3C-SiC膜厚依賴性。通過(guò)以上的結(jié)果，確認(rèn)在本實(shí)施例中，也與實(shí)施例l相同，在起伏周期、振幅比波動(dòng)周期、振幅小的情況下，兩者均形成碳化硅膜時(shí)，與起伏延伸方向平行的方向的蝕刻坑列密度相對(duì)于膜厚增加顯示出飽和的傾向后，隨著膜厚的進(jìn)一步增加，在與起伏延伸方向基本垂直的方向的蝕刻坑列密度減少的關(guān)系成立時(shí)，能最有效地降低表面缺陷。以上，對(duì)實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但本實(shí)施例僅是本發(fā)明實(shí)施方式的一個(gè)例子。因此，本發(fā)明并不限定于實(shí)施例中所述的條件、方法等。特別是，作為碳化硅單晶層的被成膜基板，還可以使用硅單晶以外的單晶，對(duì)于起伏或波動(dòng)加工的方法也一樣，并不限定于本實(shí)施例中所述的方法，也可以使用其他的方法。此外，對(duì)于波動(dòng)周期、振幅，不必是如本實(shí)施例那樣恒定的值，在具有上述恒定的條件，即，起伏周期和振幅以及波動(dòng)周期和振幅在形成碳化硅單晶時(shí)，碳化硅單晶層表面的起伏延伸方向的半相區(qū)域邊界面和/或雙晶帶的每單位面積的個(gè)數(shù)相對(duì)于膜厚顯示出飽和傾向后，在隨著膜厚的進(jìn)一步增加，與起伏延伸方向基本垂直方向的半相區(qū)域邊界面和/或雙晶帶的每單位面積的個(gè)數(shù)減少的關(guān)系成立的范圍內(nèi)，即使分布了波動(dòng)周期和振幅的值，也能獲得同樣的效果。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明可以在制備能用作半導(dǎo)體元件等電子材料的低缺陷密度或晶格畸變少的碳化硅單晶時(shí)使用。圖1是示出本發(fā)明實(shí)施方式的碳化硅單晶的制造方法中使用的硅單晶基板的圖。圖2是示出在圖1所示的硅單晶基板上形成一定膜厚的碳化硅單晶層時(shí)的碳化硅單晶表面的反相區(qū)域的圖。圖3是示出沿圖2所示AA'線和BB，線的剖面的圖。圖4是示出本發(fā)明實(shí)施方式的碳化硅單晶的制造方法中使用的硅單晶基板中原子水平的臺(tái)階狀態(tài)的圖。圖5是示出導(dǎo)入了偏離角的基板的一個(gè)例子的示意圖。圖6是示出在由硅單晶形成的偏離基板上形成一定膜厚的碳化硅單晶層時(shí)的反相邊界面的存在狀態(tài)的示意圖。圖7是示出在形成起伏的硅單晶基板上堆積的碳化硅單晶層表面的反相區(qū)域存在狀態(tài)的示意圖。圖8是示出實(shí)施了1維起伏加工的硅單晶基板的示意圖。圖9是示出碳化硅膜沿臺(tái)階生長(zhǎng)的過(guò)程的示意圖。圖10是示出形成一定膜厚的碳化硅膜時(shí)的反相區(qū)域邊界面狀態(tài)的示意圖。圖11是示出在實(shí)施了起伏或波動(dòng)加工的硅單晶基板上形成碳化硅膜時(shí)的狀態(tài)的示意圖。圖12是示出干式蝕刻時(shí)的模版(stencil)掩模與起伏的相對(duì)關(guān)系的示意圖。圖13是示出蝕刻坑(etchpit)列密度的3C-SiC膜厚依賴性的圖。圖14是示出蝕刻坑列密度的波動(dòng)周期依賴性的圖。圖15是示出蝕刻坑列密度的3C-SiC膜厚依賴性的圖。圖16是示出蝕刻坑列密度的3C-SiC膜厚依賴性的圖。圖17是示出蝕刻坑列密度的波動(dòng)周期依賴性的圖。圖18是示出蝕刻坑列密度的3C-SiC膜厚依賴性的圖。圖19是示出蝕刻坑列密度的3C-SiC膜厚依賴性的圖。符號(hào)說(shuō)明1硅單晶2起伏的棱線31伴隨著碳化硅單晶層膜厚的增加，在{1-11}面平行傳播的邊界面32伴隨著碳化硅單晶層膜厚的增加，在{-111}面平行傳播的邊界面41、42、43、44硅單晶基板表面的平臺(tái)50偏離基一反51原子水平的臺(tái)階61碳化硅膜62、63反相區(qū)域邊界面64反相區(qū)域邊界面會(huì)合點(diǎn)e偏離角度(j)Si(001)面與反相區(qū)域邊界面形成的夾角71反相區(qū)域邊界面72、73堆積的碳化硅單晶層81硅單晶基板82起伏斜面的部分區(qū)域91單原子臺(tái)階92硅單晶表面的平臺(tái)93臺(tái)階的棱94碳化硅101、102碳化硅單晶層103、105在{111}面上平行傳4番的反相區(qū)域邊界面104、106在{-1-11}面上平行傳播的反相區(qū)域邊界面111碳化硅膜112在{-1-11}面上平行傳播的雙晶帶113在{111}面上平行傳播的雙晶帶114、115原子水平的臺(tái)階121實(shí)施了起伏加工的Si(001)基板122形成的起伏123模版掩模124在模版掩模中形成的矩形的開口部分411、412、421、422、431、432、441、442臺(tái)階的才菱線權(quán)利要求1.一種碳化硅單晶的制造方法，其是使碳化硅單晶層在單晶基板的表面同質(zhì)外延生長(zhǎng)或異質(zhì)外延生長(zhǎng)的碳化硅單晶的制造方法，其中，在上述單晶基板表面，形成在與該基板表面基本平行的一個(gè)方向上延伸的多個(gè)起伏，且該起伏在上述單晶基板的厚度方向上波動(dòng)，并且，設(shè)置該起伏，使得由伴隨著碳化硅單晶的外延生長(zhǎng)而傳播的反相區(qū)域邊界面和/或雙晶帶形成的表面缺陷彼此會(huì)合。2.權(quán)利要求1所述的碳化硅單晶的制造方法，其中，與上述起伏延伸方向基本垂直方向的起伏周期和起伏振幅與上述起伏的波動(dòng)周期和波動(dòng)振幅的關(guān)系如下在上述單晶基板上使碳化硅單晶同質(zhì)外延生長(zhǎng)或異質(zhì)外延生長(zhǎng)時(shí)，該碳化硅單晶層表面的起伏延伸方向的雙晶帶和/或反相區(qū)域邊界面的每單位面積的個(gè)數(shù)對(duì)上述碳化硅單晶層膜厚增加顯示出飽和的傾向后，隨著上述碳化硅單晶層膜厚的進(jìn)一步增加，與起伏延伸方向基本垂直方向的雙晶帶和/或反相區(qū)域邊界面的每單位面積的個(gè)數(shù)減少。3.權(quán)利要求1所述的碳化硅單晶的制造方法，其中，與上述起伏延伸方向基本垂直方向的起伏周期和起伏振幅與上述起伏的波動(dòng)周期和波動(dòng)振幅的關(guān)系如下在上述單晶基板上使碳化硅單晶同質(zhì)外延生長(zhǎng)或異質(zhì)外延生本垂直方向上延伸的條狀狀態(tài)后，在上述碳化硅單晶層膜厚增加的同時(shí)，上述碳化硅單晶層表面的反相區(qū)域的占有率和/或雙晶帶的占有率減少。4.權(quán)利要求1所述的碳化硅單晶的制造方法，其中，上述起伏的波動(dòng)周期是在與上述起伏延伸方向基本垂直的方向上的起伏周期的100~700倍，且波動(dòng)周期除以波動(dòng)振幅的值為60-700。5.權(quán)利要求4所述的碳化硅單晶的制造方法，其中，上述起伏的波動(dòng)周期在0.2~0.7mm的范圍內(nèi)。6.權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的碳化硅單晶的制造方法，其中，上述單晶基板是硅單晶。全文摘要本發(fā)明提供一種碳化硅單晶的制造方法，在使碳化硅單晶在單晶基板上外延生長(zhǎng)時(shí)，能夠減少在碳化硅單晶內(nèi)產(chǎn)生的表面缺陷。該方法是在單晶基板(1)的表面使碳化硅單晶層外延生長(zhǎng)的碳化硅單晶的制造方法，其中，在上述單晶基板(1)的表面，形成在與該基板表面(1)基本平行的一個(gè)方向上延伸的多個(gè)起伏(2)，且該起伏(2)在上述單晶基板的厚度方向上波動(dòng)，并且，設(shè)置該起伏(2)，使得由伴隨著碳化硅單晶的外延生長(zhǎng)而傳播的反相區(qū)域邊界面和/或雙晶帶形成的表面缺陷彼此會(huì)合。文檔編號(hào)C23C16/02GK101120124SQ20068000481公開日2008年2月6日申請(qǐng)日期2006年5月23日優(yōu)先權(quán)日2005年6月7日發(fā)明者八木邦明,八田直記,河原孝光,長(zhǎng)澤弘幸申請(qǐng)人:Hoya株式會(huì)社