專利名稱：：濺射靶的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及在濺射過程中能夠以穩(wěn)定的淀積速度在晶片或襯底上進行成膜的濺射靶。
背景技術：
：濺射過程中薄膜在晶片或襯底上的形成速度不是固定的，而是隨著耙的腐蝕的發(fā)展而變化。通常，該變化是與靶壽命相關的函數(shù)變化，通過使成膜裝置的濺射時間根據(jù)靶壽命發(fā)生函數(shù)變化，在整個靶壽命期間中進行固定膜厚的成膜。通常，即使交換靶，一次設定的濺射時間變化的程序也是有效的，不必對每個靶進行微調(diào)等。但是，對于Ta耙而言，每個靶的成膜速度在整個靶壽命期間的偏差非常顯著，因此，最近已知多有在壽命中途需要再輸入濺射時間程序、或者在某些情況下需要在不滿靶壽命的近壽命時間更換靶的情形。靶壽命中途的濺射時間的再程序化顯著阻礙生產(chǎn)效率，另外，Ta耙這樣材料價格高的靶在壽命中途更換會顯著增加制造成本，因此，在半導體生產(chǎn)的現(xiàn)場成為大的問題。以往對于Ta靶材料對于濺射時的性能產(chǎn)生的影響，提到了各種雜質(zhì)、氣體成分、面取向、表面粗糙度及結晶粒徑影響均勻性和粒子(例如，參照專利文獻l)，另外，提到了面取向及其偏差結晶粒徑以及雜質(zhì)對氮化鉭膜的均勻性產(chǎn)生影響(例如，參照專利文獻2)。特別地，在前述的專利文獻1中，記載了通過在濺射面上選擇性地增加原子密度高的面取向{110}、{200}、{211}的面取向，成膜速度可以提高，并且通過抑制面取向的偏差，可以提高均勻性；但是，對于整個靶壽命期間成膜速度的變動的影響，沒有特別的見解。專利文獻l:日本特開平11-80942號公報專利文獻2:日本特開2002-363766號
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種Ta或Ta合金耙，其能夠?qū)⒃跒R射耙的整個壽命期間各靶的成膜速度的變動最小化，從而提高并且穩(wěn)定濺靶過程中半導體的生產(chǎn)效率，同時有助于生產(chǎn)成本的下降。為了解決上述課題，對于靶的各種材質(zhì)對于成膜速度的影響進行了廣泛而深入的研究，結果發(fā)現(xiàn)結晶取向的{110}面的存在對于成膜速度的變動產(chǎn)生顯著影響。本發(fā)明基于以上發(fā)現(xiàn)提供以下各項1.一種濺射靶，其中在Ta或Ta合金靶中，(U0)面的X射線衍射強度比為0.4以下。2.—種濺射靶，其中在Ta或Ta合金靶中，U10)面的X射線衍射強度比為0.2以下。3.—種濺射靶，其中在Ta或Ta合金靶表面上Ul(n面的X射線衍射強度比為0.8以下，并且在深度100^1111或更大深度處的{110}面的X射線強度比為0.4以下。4.一種濺射靶，其中在Ta或Ta合金靶表面上(ll(n面的X射線衍射強度比為0.8以下，并且在深度50pm或更大深度處的{110}面的X射線強度比為0.4以下。5.—種濺射靶，其中在Ta或Ta合金靶表面上(ll(n面的X射線衍射強度比為0.8以下，并且在深度25pm或更大深度處的01(n面的X射線強度比為0.4以下。4在此，所謂{110}面的X射線強度比如下式所定義。即，在X射線衍射中測定的(110)的X射線強度用(110)、(200)、(211)、(310)、(222)、(321)各X射線強度之和除而得到的。式(110)/{(110)+(200)+(211)+(310)+(222)+(321)}發(fā)明效果本發(fā)明具有下列優(yōu)良效果可以在鉭或鉭合金濺射靶的整個壽命期間將各靶的成膜速度的變動降至最小，提高并穩(wěn)定濺射過程中半導體的生產(chǎn)效率，同時可以顯著降低生產(chǎn)成本。圖1是實施例1至4的試樣11=3的成膜速度與腐蝕深度的關系(偏差)圖。圖2是比較例1至3的試樣11=3的成膜速度與腐蝕深度的關系(偏差)圖。圖3是實施例5至9的試樣n=3的成膜速度與腐蝕深度的關系(偏差)圖。圖4是比較例4至5的試樣11=3的成膜速度與腐蝕深度的關系(偏差)圖。圖5是實施例10至11的試樣n=3的成膜速度與腐蝕深度的關系(偏差)圖。圖6是比較例6至7的試樣n=3的成膜速度與腐蝕深度的關系(偏差)圖。具體實施例方式作為靶的材質(zhì)對成膜速度的影響，如前所述，可以考慮原子密度的影響。SP，認為通過控制濺射面的面取向，可以調(diào)節(jié)成膜速度。也就是說，預計通過抑制靶厚度方向上特定面或者特定面群的偏差，將其維持在某個范圍內(nèi)，可以將成膜速度在整個壽命期間各靶的變化最小化。但是，對于具有體心立方結構的Ta靶而言，現(xiàn)狀是即使面內(nèi)或者深度方向上的面取向在工業(yè)上可能的范圍內(nèi)被控制到最小限度，也不能抑制成膜速度的各靶的偏差。因此，使用各種磁體，對成膜速度與磁體的關系即通過濺射的侵蝕而產(chǎn)生的耙表面的形狀變化與成膜速度的關系進行了調(diào)查，結果發(fā)現(xiàn)，當使用由于腐蝕而使得靶表面的凹凸程度變得劇烈的磁體時，各靶成膜速度的變動更大。實際的濺射面隨著濺射的進行而從最初的平面變化為具有凹凸的侵蝕面。這是宏觀的變化，以往認為除侵蝕很深的急劇傾斜的凹凸部分外，靶表面上的面取向模擬為平面狀。但是，對于體心立方金屬這樣等價面少的材料而言，即使輕微的侵蝕面的傾斜，面取向也發(fā)生非常大的變化，因此，認為即使盡可能地抑制面取向的偏差，實際上也會使成膜速度產(chǎn)生大的變化。因此，對被認為對成膜速度產(chǎn)生大的影響的{110}面的XRD強度與成膜速度變動的關系進行了調(diào)査，發(fā)現(xiàn)通過將{110}面的XRD強度抑制到某值以下，可以減小成膜速度的各靶的變動。這被認為是如果密集面在侵蝕面上以某種程度以上的比例存在，當進行了侵蝕時，成膜速度的變動由于密集面而變大的原因。另外，同時發(fā)現(xiàn)在靶的最外表面層上容易形成{110}面。如果表面附近{110}面多，則濺射初期的成膜速度變得非?？欤兊脴O難以用函數(shù)方式控制整個壽命期間的成膜速度，因此發(fā)現(xiàn)需要進行空耗的濺射直到速度穩(wěn)定至可以對濺射速度進行函數(shù)控制的程度。以往，由于均勻性在濺射初期變得不穩(wěn)定，因此最初進行稱作熱靶(bum-in)的濺射是公知的，但是，該現(xiàn)象靠這樣短時間的熱靶(burn-in)不能解決，需要的時間是以往的熱靶(burn-in)的數(shù)倍。在該現(xiàn)象中，{110}的XRD強度隨著遠離表面而減小，但是在某些情況下，發(fā)現(xiàn)U1(HXRD強度比主體高的區(qū)域持續(xù)至100pm以上的深度。其原因不明，但是為了控制表面{110}的強度進行了重復研究，結果發(fā)現(xiàn)，通過在真空中在較低溫度下的脫氣熱處理，可以降低表面的{110}面的強度。由此想到，大氣中的氣體成分等被表面吸收的結果，在靶表面上容易形成{110}面的可能性。(110V面的X射線衍射強度比限定為0.4以下優(yōu)選0.2以下的理由，是由于如果超過0.4則成膜速度的函數(shù)控制事實上變得不可能，而通過設定為0.2以下，各靶成膜速度的偏差減小到可以忽略的程度。至于耙表面，如前所述，{110}面的乂射線衍射強度變得比主體更高，但是其強度比設定為0.8以下并且距離表面100nm或者50^im或者25pm的深度或更深的深度處的強度比設定為0.4以下的理由，是因為如果最外表面的強度超過0.8則需要通常的熱靶(bura-in)的數(shù)倍的時間才能達到穩(wěn)定的成膜速度，將某個深度或更深深度處的強度比設定為0.4以下的理由如前所述，是由于當超過0.4時成膜速度的函數(shù)控制事實上變得不可能。另外，為了成膜速度的穩(wěn)定，優(yōu)選超過0.4的區(qū)域淺，但是為了將其變淺，需要提高真空中的脫氣熱處理溫度。但是，本熱處理是對最終制品形狀實施的，因此高溫下的處理會由于熱變形而導致靶變形。因此，成為0.4以下的深度根據(jù)制品的容許尺寸公差而設定為100pm、50fim、25pm。本發(fā)明中，Ta或Ta合金的靶中{110}面的X射線衍射強度比規(guī)定為0.4以下優(yōu)選0.2以下，但是這種情況下即使最外表面附近的{110}面的X射線強度比超過0.4或者0.2，如果其范圍為從表面數(shù)百nm以下程度的輕微范圍，盡管熱靶(burn-in)時間變長、成本增加，但是從可以與靶無關地以函數(shù)方式控制成膜速度的本發(fā)明的要旨而言，顯然也包含在本發(fā)明內(nèi)。實施例1以下說明實施例和比較例。本實施例僅是為了容易理解的例子，本發(fā)明不受其限制。g卩，在本發(fā)明的技術思想的范圍內(nèi)的其它變形或者其它實施例當然包含在本發(fā)明中。(實施例1至4)在實施例1至4中，使用對純度4N5的EB熔融Ta錠(々190X60mmh)進行塑性加工熱處理后得到的材料。首先，對錠進行冷緊并鍛造至(t)100X00mmh，然后進行鐓鍛至(j)160Xxt。對其進行120(TCX2小時的熱處理后，進行冷軋直至厚度為10mm。面取向的控制是通過根據(jù)鐓鍛時的預成型體的厚度調(diào)節(jié)壓延的加工度而進行的。壓延加工度如表1所示。冷軋后，進行100(TCX2小時的熱處理，并機械加工為靶形狀。對這樣得到的靶進行濺射，在靶壽命的適當時間點，測定成膜速度與靶的侵蝕深度。侵蝕深度根據(jù)靶的部位而變化，因此測定位置設定為侵蝕最深的部位。另外，從濺射后的靶取樣，測定與靶的初始平面平行的面的X射線強度。靶在同樣的條件下設定為n=3(3個試樣)。表1及圖1中匯總了實施例1至4的數(shù)據(jù)。圖1表示在整個壽命期間各靶的成膜速度的變化。不用說，該數(shù)據(jù)是沒有在裝置側進行函數(shù)程序控制的成膜速度。如表1所示，靶主體的(110)強度比在本發(fā)明范圍內(nèi)的0.03至0.38的范圍內(nèi)，傾向是壓延加工度(％)越高(110)強度比越低。成膜速度的偏差在0.4至1.5nm/秒的范圍內(nèi)，可以看出壓延加工度(％)越髙偏差越小。特別地，實施例3和實施例4中，靶主體的(110)強度比分別為0.05至0.12和0.03至0.09，比實施例1和實施例2更低，但是這種情況下成膜速度的偏差分別為0.7nm/秒和0.4nm/秒，顯示了更良好的值。即，如果靶主體的X射線衍射中(110)強度比小至0.2以下，則顯示更優(yōu)良的特性。實施例1至4中所示的成膜速度的偏差，顯示的是在n-3(試樣)的各靶中在大致相同的侵蝕深度下在整個靶壽命期間成膜速度的偏差的最大量。圖1將其進行了圖示，從而發(fā)現(xiàn)成膜速度的偏差小。另外，如表l所示，各個成膜速度都可以進行函數(shù)控制。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>注1:表示實施例n=3的各靶中大致相同的侵蝕深度下成膜速度的偏差在整個耙壽命期間的最大量。(比較例1至3)與上述實施例l至4同樣，各自使用對純度4N5的EB熔融Ta錠((J)190X60mmh)進行塑性加工熱處理后得到的材料。首先，對錠進行冷緊并鍛造至(MOOX100mmh，然后進行鐓鍛至(()160Xxt。對其進行120(TCX2小時的熱處理后，進行冷軋直至厚度為10mm。面取向的控制是通過根據(jù)鐓鍛時的預成型體的厚度調(diào)節(jié)壓延的加工度而進行的。壓延加工度如表2所示。冷軋后，進行100CTCX2小時的熱處理，并機械加工為靶形狀。對這樣得到的靶進行濺射，在靶壽命的適當時間點，測定成膜速度與靶的侵蝕深度。侵蝕深度根據(jù)靶的部位而變化，因此測定位置設定為侵蝕最深的部位。另外，從濺射后的靶取樣，測定與靶的初始平面平行的面的X射線強度。靶在同樣的條件下設定為n=3(3個試樣)。表2及圖2中匯總了比較例l至3的數(shù)據(jù)。圖2表示在整個壽命期間各靶的成膜速度的變化。不用說，該數(shù)據(jù)是沒有在裝置側進行函數(shù)程序控制的成膜速度。如表2所示，耙主體的(110)強度比在0.45至0.60的范圍內(nèi)，傾向是壓延加工度(％)越低(110)強度比越高，均超過本發(fā)明的條件。成膜速度的偏差在4.1至5.6nm/秒的范圍內(nèi)，可以看出壓延加工度(%)越高偏差越大，不能達到本申請發(fā)明的目標。比較例1至3中所示的成膜速度的偏差，顯示的是在n-3(試樣)的各靶中在大致相同的侵蝕深度下在整個靶壽命期間成膜速度的偏差的最大量。圖2將其進行了圖示，從而發(fā)現(xiàn)成膜速度的偏差大。另外，如表2所示，各個成膜速度都不可以進行函數(shù)控制。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>注1:表示比較例n=3的各靶中大致相同的侵蝕深度下成膜速度的偏差在整個耙壽命期間的最大量。(實施例5至9)使用對純度4N5的EB熔融Ta錠((|)190X60mmh)進行塑性加工熱處理后得到的材料。首先，對錠進行冷緊并鍛造至c()lOOXlOOmmli，然后進行鐓鍛至(M60Xxt。對其進行120(TCX2小時的熱處理后，進行冷軋直至厚度為10mm。面取向的控制是通過根據(jù)鐓鍛時的預成型體的厚度調(diào)節(jié)壓延的加工度而進行的。壓延加工度如表3所示。冷軋后，進行100(TCX2小時的熱處理，并機械加工為靶形狀。將一部分靶放入真空熱處理爐中，進行10(TC、150°C、20(TCX1小時的脫氣熱處理，并測定靶的翹曲。進而，對這樣得到的靶進行濺射，在靶壽命的適當時間點，測定成膜速度與靶的侵蝕深度。侵蝕深度根據(jù)靶的部位而變化，因此測定位置設定為侵蝕最淺的部位。另外，從濺射后的靶取樣，測定與靶的初始平面平行的面的X射線強度。靶在同樣的條件下設定為n4(3個試樣)。表3及圖3中匯總了實施例5至9的數(shù)據(jù)。圖3表示在整個壽命期間各靶的成膜速度的變化。不用說，該數(shù)據(jù)是沒有在裝置側進行函數(shù)程序控制的成膜速度。圖3表示了濺射初期的靶的侵蝕深度與成膜速度的關系。如表3所示，靶主體的(110)強度比在0.07至0.38的范圍內(nèi)，傾向是壓延加工度(％)越高(110)強度比越低。成膜速度的偏差在4至23nm/秒的范圍內(nèi)，壓延加工度(％)越高偏差越小。在此情況下，僅對于在靶的壽命期間最初期的成膜速度的偏差顯示了最大量。因此，濺射初期的成膜速度的偏差變大。這是由于表面的(110)強度比高為0.52至0.78的原因。但是，通過侵蝕深度進行至25pm、50|im、100pm，(110)強度比下降，因此，成膜速度的偏差變小。在熱靶(bura-in)時間短的初期階段的成膜速度的偏差可以忽略，如果此后的(110)強度比快速變小，則成膜速度的偏差不會特別地成為問題。圖3中對于成膜速度的偏差，顯示的是在n=3(試樣)的各靶中在大致相同的侵蝕深度下在整個靶壽命期間成膜速度的偏差的最大量?？梢钥闯鲈诩s100nm或在更大深度處的成膜速度的偏差變小。另外，如表3所示，各個成膜速度都可以進行函數(shù)控制。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>注1:實施例5-8中僅對于靶壽命中最初期的成膜速度的偏差同樣地顯示了最大量。(比較例4至5)使用對純度4N5的EB熔融Ta錠(小190X60mmh)進行塑性加工熱處理后得到的材料。首先，對錠進行冷緊并鍛造至(()100X100mmh，然后進行鐓鍛至(()160Xxt。對其進行1200°CX2小時的熱處理后，進行冷軋直至厚度為10mm。面取向的控制是通過根據(jù)鐓鍛時的預成型體的厚度調(diào)節(jié)壓延的加工度而進行的。壓延加工度如表4所示。冷軋后，進行100(TCX2小時的熱處理，并機械加工為靶形狀。將一部分靶放入真空熱處理爐中，進行10(TC、15(TC、20(TCX1小時的脫氣熱處理。進而，對這樣得到的靶進行濺射，在靶壽命的適當時間點，測定成膜速度與靶的侵蝕深度。侵蝕深度根據(jù)靶的部位而變化，因此測定位置設定為侵蝕最淺的部位。另外，從濺射后的靶取樣，測定與靶的初始平面平行的面的X射線強度。靶在同樣的條件下設定為11=3(3個試樣)。表4及圖4中匯總了比較例4至5的數(shù)據(jù)。圖4表示在整個壽命期間各靶的成膜速度的變化。不用說，該數(shù)據(jù)是沒有在裝置側進行函數(shù)程序控制的成膜速度。圖4表示了濺射初期的靶的侵蝕深度與成膜速度的關系。如表4所示，靶主體的(110)強度比在0.45至0.59的范圍內(nèi)，傾向是壓延加工度(％)越高(110)強度比越低。成膜速度的偏差在37至40nm/秒的范圍內(nèi)，壓延加工度(％)越高偏差越小。此情況與上述實施例5-9同樣，僅對于在靶的壽命期間最初期的成膜速度的偏差顯示了最大量。因此，濺射初期的成膜速度的偏差變大。但是，即使侵蝕深度進行至25pm、50pm、100pm，(110)強度比也不下降，不會低于0.4。因此，成膜速度的偏差依然大。結果如圖4所示。圖4中對于成膜速度的偏差，顯示的是在n=3(試樣)的各耙中在大致相同的侵蝕深度下在整個靶壽命期間成膜速度的偏差的最大量。可以看出在約100jim或在更大深度處的成膜速度的偏差也變大。另外，如表4所示，各個成膜速度都不可以進行函數(shù)控制。表4<table>complextableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>注1:實施例4-5中僅對于靶壽命中最初期的成膜速度的偏差同樣地顯示了最大量。(實施例10至11)使用對純度4N5的Ta-5wt%Mo的EB熔融錠((()190X60mmh)進行塑性加工熱處理后得到的材料。首先，對錠進行冷緊并鍛造至小IOOX100mmh，然后進行鐓鍛至())160Xxt。對其進行1200°CX2小時的熱處理后，進行冷軋直至厚度為10mm。面取向的控制是通過根據(jù)鐓鍛時的預成型體的厚度調(diào)節(jié)壓延的加工度而進行的。壓延加工度如表5所示。冷軋后，進行100(TCX2小時的熱處理，并機械加工為靶形狀。進而，對這樣得到的靶進行濺射，在靶壽命的適當時間點，測定成膜速度與靶的侵蝕深度。侵蝕深度根據(jù)靶的部位而變化，因此測定位置設定為侵蝕最深的部位。另外，從濺射后的靶取樣，測定與耙的初始平面平行的面的X射線強度。靶在同樣的條件下設定為n=3(3個試樣)。表5及圖5中匯總了數(shù)據(jù)。圖5表示在整個壽命期間各靶的成膜速度的變化。不用說，該數(shù)據(jù)是沒有在裝置側進行函數(shù)程序控制的成膜速度。如表5所示，靶主體的(110)強度比在0.05至0.37的范圍內(nèi)，傾向是壓延加工度(％)越高(110)強度比越低。成膜速度的偏差在1.1至1.6nm/秒的范圍內(nèi)，壓延加工度(％)越高偏差越小。特別地，對于實施例ll而言，(110)強度比為2.0以下，此情況顯示了比實施例IO更良好的特性值。這些實施例顯示了與實施例3及實施例4同樣的傾向。即，通過使(110)的X射線衍射強度比為2.0以下，可以更有效地抑制成膜速度的偏差。成膜速度的偏差，顯示了n=3(試樣)的各靶中在大致相同的侵蝕深度下在整個靶的壽命期間成膜速度的偏差的最大量。圖5將其進行了圖示，可以看出成膜速度的偏差小。另外，如表5所示，各個成膜速度都可以進行函數(shù)控制。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>注1:顯示了n=3的各靶中在大致相同的侵蝕深度下在整個靶的壽命期間成膜速度的偏差的最大量。(比較例6至7)使用對純度4N5的Ta-5wt%Mo的EB熔融錠(々190X60mmh)進行塑性加工熱處理后得到的材料。首先，對錠進行冷緊并鍛造至(MooX100mmh，然后進行鐓鍛至(j)160Xxt。對其進行1200°CX2小時的熱處理后，進行冷軋直至厚度為10mm。面取向的控制是通過根據(jù)鐓鍛時的預成型體的厚度調(diào)節(jié)壓延的加工度而進行的。壓延加工度如表6所示。冷軋后，進行100(TCX2小時的熱處理，并機械加工為靶形狀。進而，對這樣得到的靶進行濺射，在靶壽命的適當時間點，測定成膜速度與靶的侵蝕深度。侵蝕深度根據(jù)靶的部位而變化，因此測定位置設定為侵蝕最深的部位。另外，從濺射后的靶取樣，測定與靶的初始平面平行的面的X射線強度。靶在同樣的條件下設定為n-3(3個試樣)。表6及圖6中匯總了數(shù)據(jù)。圖6表示在整個壽命期間各耙的成膜速度的變化。不用說，該數(shù)據(jù)是沒有在裝置側進行函數(shù)程序控制的成膜速度。如表6所示，靶主體的(110)強度比在0.43至0.66的范圍內(nèi)，均超過本發(fā)明的條件。成膜速度的偏差在4.6至6.6nm/秒的范圍內(nèi)，壓延加工度(％)越高偏差越大，不能實現(xiàn)本發(fā)明的目標。比較例6至7所示的成膜速度的偏差，顯示了11=3(試樣)的各靶中在大致相同的侵蝕深度下在整個靶的壽命期間成膜速度的偏差的最大量。圖6將其進行了圖示，可以看出成膜速度的偏差大。另外，如表6所示，各個成膜速度都不可以進行函數(shù)控制。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>注1:顯示了n=3的各靶中在大致相同的侵蝕深度下在整個靶的壽命期間成膜速度的偏差的最大量。如上述的實施例及比較例所示，在本發(fā)明條件的范圍內(nèi)的例子其成膜速度的偏差小，都可以進行成膜速度的函數(shù)控制。但是，在本申請發(fā)明條件以外的比較例中，成膜速度的偏差大，另外成膜速度不能進行函數(shù)控制。從上述實施例可以看出，即使是僅濺射表面的(110)強度比超過0.4，只要該情況下可以實現(xiàn)約100pm或更大深度處的侵蝕面中(110)強度比0.4，則為可以通過熱靶(burn-in)解決的問題，并且可以看出其將不損害靶的功能。在本申請的實施例中，盡管對于鉭合金(Ta-Mo合金)，僅例示了作為主體材料的(110)強度比，但是達到了與實施例5-9同樣的結果。另外，從上述的鉭及鉭合金(Ta-Mo合金)的結果可以看出，即使對于以鉭為主成分的其它鉭合金例如Ta-W、Ta-Nb、Ta-Hf、Ta-Ti等的結晶結構與純Ta沒有顯著差異的組成的合金體系而言，也可以實現(xiàn)與本實施例與比較例同樣的結果，這些也包含在本發(fā)明中。產(chǎn)業(yè)實用性本發(fā)明具有以下優(yōu)良效果可以在濺射靶的整個壽命期間將各靶的成膜速度的變動降至最小，可以提高并穩(wěn)定濺射過程中半導體的生產(chǎn)效率，同時可以顯著降低生產(chǎn)成本，因此作為鉭或鉭合金靶極其有用。權利要求1.一種濺射靶，其中在Ta或Ta合金靶中，{110}面的X射線衍射強度比為0.4以下。2.—種濺射靶，其中在Ta或Ta合金靶中，{110}面的乂射線衍射強度比為0.2以下。3.—種濺射靶，其中在Ta或Ta合金靶表面上(ll(n面的X射線衍射強度比為0.8以下，并且在深度100pm或更大深度處的Ul(n面的X射線強度比為0.4以下。4.一種濺射靶，其中在Ta或Ta合金靶表面上U10)面的X射線衍射強度比為0.8以下，并且在深度50pm或更大深度處的Ul(n面的X射線強度比為0.4以下。5.—種濺射靶，其中在Ta或Ta合金靶表面上(ll(n面的X射線衍射強度比為0.8以下，并且在深度25pm或更大深度處的Ul(n面的X射線強度比為0.4以下。全文摘要一種濺射靶，其中，在Ta或Ta合金靶中，{110}面的X射線衍射強度比為0.4以下，進一步{110}面的X射線衍射強度比為0.2以下；一種濺射靶，其中在Ta或Ta合金靶表面上{110}面的X射線衍射強度比為0.8以下，并且在深度100μm或更大深度處的{110}面的X射線強度比為0.4以下。本發(fā)明提供一種Ta或Ta合金靶，其在整個濺射靶的壽命期間使各靶的成膜速度的變動最小化，進一步提高并穩(wěn)定濺射過程中半導體的生產(chǎn)效率，同時有助于降低生產(chǎn)成本。文檔編號C23C14/34GK101171362SQ20068001479公開日2008年4月30日申請日期2006年3月28日優(yōu)先權日2005年4月28日發(fā)明者宮下博仁申請人:日礦金屬株式會社